JPH11175499A - マイクロプロセッサ - Google Patents

マイクロプロセッサ

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JPH11175499A
JPH11175499A JP9347952A JP34795297A JPH11175499A JP H11175499 A JPH11175499 A JP H11175499A JP 9347952 A JP9347952 A JP 9347952A JP 34795297 A JP34795297 A JP 34795297A JP H11175499 A JPH11175499 A JP H11175499A
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JP
Japan
Prior art keywords
microprocessor
data
identification
memory
word length
Prior art date
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Pending
Application number
JP9347952A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Ichikawa
敬 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP9347952A priority Critical patent/JPH11175499A/ja
Publication of JPH11175499A publication Critical patent/JPH11175499A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部ROMのワード長を確実に認識できるマ
イクロプロセッサを提供する。 【解決手段】 フラッシュメモリ13の特定アドレスに
対し、使用する外部ROM1のワード長が8ビット又は
16ビットのデバイスの時は各々論理値「1」又は
「0」を予め書き込んでおく。マイクロプロセッサ2の
電源投入時、識別回路12の内部の論理回路14は、フ
ラッシュメモリ13の特定アドレスを指定し、この時、
フラッシュメモリ13の特定アドレスから読み出された
論理値を識別する。当該論理値が「1」又は「0」の時
は、外部ROM1のワード長が8ビット又は16ビット
の場合に対応できる様に、プログラムカウンタ3及びイ
ンストラクショレジスタ5を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部メモリのプロ
グラムデータを読み込み当該プログラムデータの解読結
果に従って動作するマイクロプロセッサであって、特
に、外部ROMのワード長(各アドレスのビット幅)を
識別できるマイクロプロセッサに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、マイクロプロセッサは、プログ
ラムメモリを内蔵する1チップ型とプログラムメモリを
内蔵しないセパレート型とに大別される。後者のマイク
ロプロセッサは外部メモリ(マスクROM、RAM、E
PROM、EEPROM等であり、以下、外部ROMと
称する)とのインターフェースによって動作するもので
あり、即ち、外部ROMのプログラムデータを読み込み
当該プログラムデータの解読結果に従って論理動作を実
行する。
【0003】さて、前者のマイクロプロセッサの場合、
プログラムメモリはマイクロプロセッサと同一チップ上
に集積化される為、プログラムメモリのワード長は特定
のビット数に固定されてしまう。これに対し、後者のマ
イクロプロセッサの場合、外部ROMはマイクロプロセ
ッサとは別チップで集積化される為、外部ROMのワー
ド長は8ビット、16ビット等の使用者の希望に応じた
ワード長に設定可能である。この場合、マイクロプロセ
ッサは外部ROMのワード長を認識する必要がある。
【0004】図2は外部ROMを使用する、従来のマイ
クロプロセッサを示すブロック図である。図2におい
て、(1)は外部ROMであり、後述するマイクロプロ
セッサの論理動作を実行する為のプログラムデータが予
め格納されたものである。外部ROM(1)は、不揮発
性メモリ(マスクROM、EPROM、EEPROM、
フラッシュメモリ等)であることが望ましい。外部RO
M(1)のワード長は、使用者の希望に応じて、例えば
8ビット又は16ビットの何れか一方が選択できるもの
とする。(2)はマイクロプロセッサであり、外部RO
M(1)のワード長に応じて論理動作するものである。
(3)はプログラムカウンタであり、計数値がアドレス
端子(4)を介して外部ROM(1)のアドレス入力に
供給され、計数値に対応する外部ROM(1)のアドレ
スを指定するものである。(5)はインストラクション
レジスタであり、外部ROM(1)の指定アドレスから
読み出されたプログラムデータがデータ端子(6)を介
して格納されるものであり、例えば16ビットで構成さ
れる。(7)はインストラクションデコーダであり、イ
ンストラクションレジスタ(5)の格納内容を解読し、
マイクロプロセッサ(2)を各種制御する為の制御信号
を出力するものである。(8)はCPUであり、インス
トラクションデコーダ(7)の制御信号に従って各種論
理演算を実行させるものである。
【0005】(9)は識別回路であり、外部ROM
(1)のワード長が8ビット又は16ビットの何れであ
るのかを識別するものである。識別回路(9)は、端子
(10)を介して外部スイッチ(11)と接続される。
外部スイッチ(11)は、使用する外部ROM(1)の
ワード長が8ビットの時は電源Vdd(論理値「1」)
と接続され、一方、使用する外部ROM(1)のワード
長が16ビットの時は接地Vss(論理値「0」)と接
続される。即ち、識別回路(9)は、論理値「1」が供
給されると、外部ROM(1)のワード長が8ビットの
場合に対応できる様にプログラムカウンタ(3)及びイ
ンストラクションレジスタ(5)を制御する。一方、識
別回路(9)は、論理値「0」が供給されると、外部R
OM(1)のワード長が16ビットの場合に対応できる
様にプログラムカウンタ(3)及びインストラクション
レジスタ(5)を制御する。例えば、外部ROM(1)
のワード長が8ビットの場合、連続する2つの偶数及び
奇数アドレスを1単位としてアドレス指定できる様に2
マシンサイクルを使用してプログラムカウンタ(3)を
制御し、その後、連続する2つの偶数及び奇数アドレス
の8ビットデータを各々インストラクションレジスタ
(5)の上位8ビット及び下位8ビットに格納できる様
にインストラクションレジスタ(5)を制御する。ま
た、外部ROM(1)のワード長が16ビットの場合、
連続する各アドレスを1単位としてアドレス指定できる
様に1マシンサイクルを使用してプログラムカウンタ
(3)を制御し、その後、連続する各アドレスの16ビ
ットデータをインストラクションレジスタ(5)に格納
できる様にインストラクションレジスタ(5)を制御す
る。
【0006】以上より、外部スイッチ(11)の状態に
応じて、マイクロプロセッサ(11)を外部ROM
(1)のワード長が8ビット又は16ビットの何れか一
方の仕様に対応していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、 外部スイッチ(11)を設けなければならない為、外
部部品の増加に伴い、基板が大型化すると共にコストア
ップしてしまう。 外部ROM(1)を仕様変更する場合、外部スイッチ
(11)を構成する回路を変更しなければならない為、
迅速に対応できない。
【0008】外部スイッチ(11)の配線にノイズが
重畳した場合、識別回路(9)が外部ROM(1)の仕
様を誤認識してしまい、マイクロプロセッサ(2)が正
常動作しない。 等の問題点があった。そこで、本発明は、外部ROMの
ワード長を確実に認識できるマイクロプロセッサを提供
することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決する為に成されたものであり、データの一括又は部
分的な電気消去が可能であり且つデータの書き込み及び
読み出しが可能な特性を有する不揮発性メモリをデータ
メモリとして内蔵し、外部ROMに格納されたプログラ
ムデータを読み込んで当該プログラムデータの解読結果
に従って論理動作を実行するマイクロプロセッサにおい
て、前記外部ROMのワード長が第1又は第2ビット数
の何れであるのかを識別する為の識別データが予め書き
込まれる識別データ保持回路と、前記識別データの識別
結果に応じて、前記外部ROMのワード長が第1又は第
2ビット数のそれぞれの場合に対応できる様に、前記外
部ROMをアドレス指定するプログラムカウンタの計数
方法及び前記外部ROMの読み出しデータを格納するイ
ンストラクションレジスタの格納方法を制御する為の制
御信号を出力する識別回路と、を備え、前記識別データ
保持回路を前記不揮発性メモリの特定アドレス領域に割
り当てたことを特徴とする。
【0010】前記識別回路は、電源投入時に前記不揮発
性メモリの特定アドレス領域から前記識別データを読み
出して識別し、その後、プログラムカウンタの計数動作
を開始させることを特徴とする。前記識別回路は、前記
識別データの識別動作をハードウエア処理する論理回路
で構成されることを特徴とする。
【0011】前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリ
であることを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の詳細を図面に従って具体
的に説明する。図1は本発明のマイクロプロセッサを示
すブロック図である。尚、図1の構成において、図2と
同一構成に関しては同一番号を記すと共にその説明を省
略する。
【0013】図1において、(12)は識別回路であ
り、外部ROM(1)のワード長が8ビット又は16ビ
ットの何れか一方のデバイスで構成されていることを識
別するものである。(13)はフラッシュメモリ(不揮
発性メモリ)であり、データの一括又は部分的な電気消
去が可能であり且つデータの書き込み及び読み出しが可
能な特性を有し、テーブルデータ、論理演算データ等を
格納するデータメモリとして、マイクロプロセッサ
(2)と同一チップ上に当初から集積化されているもの
である。フラッシュメモリ(13)の特定アドレス(斜
線領域)には、使用する外部ROM(1)のワード長が
8ビットデバイスで構成されている場合は、論理値
「1」が予め書き込まれ、一方、使用する外部ROM
(1)のワード長が16ビットデバイスで構成されてい
る場合は、論理値「0」が予め書き込まれる。
【0014】識別回路(12)は、マイクロプロセッサ
(2)が電源投入されて初期化されるのに伴い、フラッ
シュメモリ(13)の特定アドレスを指定する論理回路
(14)をハードウエアとして内蔵している。即ち、識
別回路(12)は、マイクロプロセッサ(2)の電源投
入時、フラッシュメモリ(13)の特定アドレスを指定
し、この時、フラッシュメモリ(13)の特定アドレス
から読み出された論理値を識別し、当該論理値が「1」
の時は使用する外部ROM(1)のワード長が8ビット
デバイスである為に当該8ビットデバイスに対応できる
様にプログラムカウンタ(3)及びインストラクション
レジスタ(5)を制御し、一方、当該論理値が「0」の
時は使用する外部ROM(1)のワード長が16ビット
デバイスである為に当該16ビットデバイスに対応でき
る様にプログラムカウンタ(3)及びインストラクショ
ンレジスタ(5)を制御する。制御方法の一例は、従来
の技術に述べたがこれに限定されるものではない。
【0015】以上より、 外部ROM(1)のデバイス識別手段として、マイク
ロプロセッサ(2)に内蔵されたフラッシュメモリ(1
3)の特定アドレス領域を使用する為、マイクロプロセ
ッサ(2)の外部部品を削減できる。また、既存のフラ
ッシュメモリ(13)を使用する為、システム変更が最
小限で済む。
【0016】外部ROM(1)の仕様変更に対し、フ
ラッシュメモリ(13)の内容を書き換えるだけで迅速
に対応できる。 外部ROM(1)のデバイス識別用の配線がマイクロ
プロセッサ(2)の外部に露出していない為、ノイズに
よる誤動作を防止できる。等の効果を得ることができ
る。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、外部ROMのデバイス
識別手段として、マイクロプロセッサに内蔵されている
フラッシュメモリの特定アドレス領域を使用する為、マ
イクロプロセッサの外部部品を削減できる。また、既存
のフラッシュメモリを使用する為、システム変更が最小
限で済む。また、外部ROMの仕様変更に対し、フラッ
シュメモリの内容を書き換えるだけで迅速に対応でき
る。更に、外部ROMのデバイス識別用の配線がマイク
ロプロセッサの外部に露出していない為、ノイズによる
誤動作を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロプロセッサを示すブロック図
である。
【図2】従来のマイクロプロセッサを示すブロック図で
ある。
【符号の説明】
(1) 外部ROM (2) マイクロプロセッサ (3) プログラムカウンタ (5) インストラクションレジスタ (12) 識別回路 (13) フラッシュメモリ (14) 論理回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データの一括又は部分的な電気消去が可
    能であり且つデータの書き込み及び読み出しが可能な特
    性を有する不揮発性メモリをデータメモリとして内蔵
    し、外部メモリに格納されたプログラムデータを読み込
    んで当該プログラムデータの解読結果に従って論理動作
    を実行するマイクロプロセッサにおいて、 前記外部メモリのワード長が第1又は第2ビット数の何
    れであるのかを識別する為の識別データが予め書き込ま
    れる識別データ保持回路と、 前記識別データの識別結果に応じて、前記外部メモリの
    ワード長が第1又は第2ビット数のそれぞれの場合に対
    応できる様に、前記外部メモリをアドレス指定するプロ
    グラムカウンタの計数方法及び前記外部メモリの読み出
    しデータを格納するインストラクションレジスタの格納
    方法を制御する為の制御信号を出力する識別回路と、を
    備え、 前記識別データ保持回路は前記不揮発性メモリの特定ア
    ドレス領域であることを特徴とするマイクロプロセッ
    サ。
  2. 【請求項2】 前記識別回路は、電源投入時に前記不揮
    発性メモリの特定アドレス領域から前記識別データを読
    み出して識別し、その後、プログラムカウンタの計数動
    作を開始させることを特徴とする請求項1記載のマイク
    ロプロセッサ。
  3. 【請求項3】 前記識別回路は、前記識別データの識別
    動作をハードウエア処理する論理回路で構成されること
    を特徴とする請求項2記載のマイクロプロセッサ。
  4. 【請求項4】 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモ
    リであることを特徴とする請求項1記載のマイクロプロ
    セッサ。
JP9347952A 1997-12-17 1997-12-17 マイクロプロセッサ Pending JPH11175499A (ja)

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JP9347952A JPH11175499A (ja) 1997-12-17 1997-12-17 マイクロプロセッサ

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JPH11175499A true JPH11175499A (ja) 1999-07-02

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ID=18393727

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JP (1) JPH11175499A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100619682B1 (ko) * 1999-12-22 2006-09-08 엘지전자 주식회사 이아이에스씨 프로세서
US8004910B2 (en) 2009-01-28 2011-08-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Data transfer system

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