JPH02302907A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH02302907A JPH02302907A JP12515989A JP12515989A JPH02302907A JP H02302907 A JPH02302907 A JP H02302907A JP 12515989 A JP12515989 A JP 12515989A JP 12515989 A JP12515989 A JP 12515989A JP H02302907 A JPH02302907 A JP H02302907A
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- core
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド及びその製造方法に関し、詳しくは
高飽和磁束密度を有する金属磁性体層を非磁性体基板で
挾み込んだ構造の積層型高密度記録用磁気−・ソド及び
その製造方法に関するものである。
高飽和磁束密度を有する金属磁性体層を非磁性体基板で
挾み込んだ構造の積層型高密度記録用磁気−・ソド及び
その製造方法に関するものである。
VTR装置やFDD装置等の磁気記録再生装置に使用さ
れる磁気ヘッドには高密度記録を実現したものとして積
層型のものがある。上記積層型高密度記録用磁気ヘッド
は、第13図及び第14図に示すように、高飽和磁束密
度を有するセンダストやパーマロイ等の金属磁性膜(1
)(1)−・−とSi02やa!!、、 03等の絶縁
薄膜(2)(2)−とを交互に積層したラミネート層(
3)をセラミック等の非磁性体基板(4)(4)で両側
から挾み込んだ一対のコア(5)(6)を接合一体化し
たコアチップ(7)で構成される。コア(5)(6)は
、一方のコア(6)の下部及びギャップ側面に設けられ
たガラス溜り部(8)、(8)の低融点ガラス(9)、
(9)により接合一体化されている。このコアチップ(
7)の、磁気記録媒体が摺接する頂端面(10)では、
上記コア(5)(6)の接合面(5a)(6a)間にS
i02等の非磁性体薄膜を介在させることにより磁気ギ
ャップgが形成される。この磁気ギャップgでは、上記
金属磁性膜(1)(1)−・・及び絶縁薄膜(2)(2
)−・からなるラミネート層(3)におけるリーディン
グ側より狭いトレーリング側の厚みがトラック幅(T1
)となる。上記ラミネート層(3)を構成する金属磁性
膜(1)(1)、−間に絶縁薄膜(2)(2’) −を
介在せることにより、金属磁性膜(1)(1)を絶縁形
1!i!(2) (2)−で電気的に絶縁し、磁束通
過時に渦電流が発生することを抑制して高周波特性の劣
化を未然に防止している。尚、上記コアチップ(7)に
は、コア(5)(6)の側部に設けられた巻線挿通穴(
11)及び巻線係止溝(12) (13)を利用する
ことにより絶縁被覆処理した線材(14)を所定ターン
数巻回してコイル(15)を形成する。
れる磁気ヘッドには高密度記録を実現したものとして積
層型のものがある。上記積層型高密度記録用磁気ヘッド
は、第13図及び第14図に示すように、高飽和磁束密
度を有するセンダストやパーマロイ等の金属磁性膜(1
)(1)−・−とSi02やa!!、、 03等の絶縁
薄膜(2)(2)−とを交互に積層したラミネート層(
3)をセラミック等の非磁性体基板(4)(4)で両側
から挾み込んだ一対のコア(5)(6)を接合一体化し
たコアチップ(7)で構成される。コア(5)(6)は
、一方のコア(6)の下部及びギャップ側面に設けられ
たガラス溜り部(8)、(8)の低融点ガラス(9)、
(9)により接合一体化されている。このコアチップ(
7)の、磁気記録媒体が摺接する頂端面(10)では、
上記コア(5)(6)の接合面(5a)(6a)間にS
i02等の非磁性体薄膜を介在させることにより磁気ギ
ャップgが形成される。この磁気ギャップgでは、上記
金属磁性膜(1)(1)−・・及び絶縁薄膜(2)(2
)−・からなるラミネート層(3)におけるリーディン
グ側より狭いトレーリング側の厚みがトラック幅(T1
)となる。上記ラミネート層(3)を構成する金属磁性
膜(1)(1)、−間に絶縁薄膜(2)(2’) −を
介在せることにより、金属磁性膜(1)(1)を絶縁形
1!i!(2) (2)−で電気的に絶縁し、磁束通
過時に渦電流が発生することを抑制して高周波特性の劣
化を未然に防止している。尚、上記コアチップ(7)に
は、コア(5)(6)の側部に設けられた巻線挿通穴(
11)及び巻線係止溝(12) (13)を利用する
ことにより絶縁被覆処理した線材(14)を所定ターン
数巻回してコイル(15)を形成する。
上記積層型磁気ヘッド(16)では、第14図に示すよ
うに、リーディング側でのトラック幅(T2)をトレー
リング側でのトラック幅(T1)よりも食み出させて大
きくすることにより、漏れ磁束によるフリンジング作用
を利用し、書込み時と読出し時での磁気ディスクに対す
る磁気ギャップ(g)の位置決めに誤差が生じても確実
な情報の読出しを実行し得るようにしている。即ち、リ
ーディング側でのトラック幅(T2)をトレーリング側
のトランク幅(T1)よりも食み出させると、磁気ディ
スクに一旦、書込んだ古い情報の上に新たな情報を書直
すオーバーライド時、トラック両端における磁束が傾い
てアジマス記録時と同様の作用がトランク両端で生じて
いるため、磁気ギャップ(g)が古い情報の左右いずれ
かに位置ずれして新しい情報の左右いずれかに古い情報
が残存しても、新しい情報を読出す際に残存した古い情
報がノイズとなることはなく、所望のオフトランク特性
を得るように図っている。
うに、リーディング側でのトラック幅(T2)をトレー
リング側でのトラック幅(T1)よりも食み出させて大
きくすることにより、漏れ磁束によるフリンジング作用
を利用し、書込み時と読出し時での磁気ディスクに対す
る磁気ギャップ(g)の位置決めに誤差が生じても確実
な情報の読出しを実行し得るようにしている。即ち、リ
ーディング側でのトラック幅(T2)をトレーリング側
のトランク幅(T1)よりも食み出させると、磁気ディ
スクに一旦、書込んだ古い情報の上に新たな情報を書直
すオーバーライド時、トラック両端における磁束が傾い
てアジマス記録時と同様の作用がトランク両端で生じて
いるため、磁気ギャップ(g)が古い情報の左右いずれ
かに位置ずれして新しい情報の左右いずれかに古い情報
が残存しても、新しい情報を読出す際に残存した古い情
報がノイズとなることはなく、所望のオフトランク特性
を得るように図っている。
ところで、上述した積層型磁気ヘッド(16)ではリー
ディング側のトラック幅(T2)をトレーリング側のト
ラック@ (Tt )よりも食み出させ、洩れ磁束によ
るフリンジング作用を利用して所望のオフトラック特性
を得るように図っているが、十分に良好なオフトランク
特性を得ることができないのが現状である。
ディング側のトラック幅(T2)をトレーリング側のト
ラック@ (Tt )よりも食み出させ、洩れ磁束によ
るフリンジング作用を利用して所望のオフトラック特性
を得るように図っているが、十分に良好なオフトランク
特性を得ることができないのが現状である。
そこで、従来、オフトラック特性の良好な磁気ヘッドと
して、第15図及び第16図に示す台形型MIGヘッド
がある。上記台形型MIGヘッドは、同図に示すように
、Kn −Znフェライト等の強磁性体からなる一対の
コア(1B) (19)をガラス(20) (20
)で接合一体化したコアチップ(21)で形成される。
して、第15図及び第16図に示す台形型MIGヘッド
がある。上記台形型MIGヘッドは、同図に示すように
、Kn −Znフェライト等の強磁性体からなる一対の
コア(1B) (19)をガラス(20) (20
)で接合一体化したコアチップ(21)で形成される。
上記コアチップ(21)における磁気ディスクが摺接す
る頂端面(22)では、コア(1B) (19)の接
合面(18a ) (19a )間に、磁気ディスク
の走行に対して先行するリーディング側コア(18)の
トラック幅(T3)を、後行するトレーリング側コア(
19)のトラック幅(T4)よりも大きくした磁気ギャ
ップ(g)が形成され、その両側方から上述したガラス
(20) (20)で磁気ギャップ(g)を保護して
いる。
る頂端面(22)では、コア(1B) (19)の接
合面(18a ) (19a )間に、磁気ディスク
の走行に対して先行するリーディング側コア(18)の
トラック幅(T3)を、後行するトレーリング側コア(
19)のトラック幅(T4)よりも大きくした磁気ギャ
ップ(g)が形成され、その両側方から上述したガラス
(20) (20)で磁気ギャップ(g)を保護して
いる。
上記磁気ギヤツブ(g)に位置するコア(18)(19
)の各接合面(18a)(19a)においてその両側へ
延びる傾斜面(18b ) (19b ’)を形成し
、接合面(18a)(19a)及び傾斜面(18b )
(19b )に高飽和磁束密度を有するセンダスト等の
金属磁性膜(23> (24)をスパッタリング等に
より所定の膜厚で被着形成している。そうすると、トラ
ンク両端における上記傾斜面(18b )(19b )
においてアジマスが付き、良好なオフトラック特性を得
るが、積層型に比べ疑似ギャップ効果が大きいという不
具合がある。
)の各接合面(18a)(19a)においてその両側へ
延びる傾斜面(18b ) (19b ’)を形成し
、接合面(18a)(19a)及び傾斜面(18b )
(19b )に高飽和磁束密度を有するセンダスト等の
金属磁性膜(23> (24)をスパッタリング等に
より所定の膜厚で被着形成している。そうすると、トラ
ンク両端における上記傾斜面(18b )(19b )
においてアジマスが付き、良好なオフトラック特性を得
るが、積層型に比べ疑似ギャップ効果が大きいという不
具合がある。
本発明に係る磁気ヘッドは、高飽和磁束密度を有する金
属磁性体層を非磁性体基板で挾み込んでなるコアを、一
対、上記金属磁性体層を対向させて接合一体化しその頂
端面に磁気ギャップを形成したものにおいて、 少なくとも一方の上記コアにおける磁気ギャップ近傍側
面に、ギャップに非平行な界面を有する高飽和磁束密度
の金属磁性体領域を形成したことを特徴とし、その製造
方法は、整列した複数の直方体状非磁性母材の各対向側
面に角形溝を穿設して高飽和磁束密度の金属磁性体を充
填する工程と、上記対向側面の一方は両方に上記金属磁
性体を積層・形成して各母材を接合した後、母材を上記
角形溝の近傍で上記積層面に直交して所定のピッチで切
断してコアブロックを形成する工程と、上記コアブロッ
クを一対、角形溝と対向させて突き合わせ磁気ギャップ
形成予定面を形成する工程とを含み、各コアブロックの
接合面同士、及び各母材と金属磁性体の接合面における
両方又は一方をそれぞれクロームまたは低融点ガラス薄
膜を介して接合することを特徴とする。
属磁性体層を非磁性体基板で挾み込んでなるコアを、一
対、上記金属磁性体層を対向させて接合一体化しその頂
端面に磁気ギャップを形成したものにおいて、 少なくとも一方の上記コアにおける磁気ギャップ近傍側
面に、ギャップに非平行な界面を有する高飽和磁束密度
の金属磁性体領域を形成したことを特徴とし、その製造
方法は、整列した複数の直方体状非磁性母材の各対向側
面に角形溝を穿設して高飽和磁束密度の金属磁性体を充
填する工程と、上記対向側面の一方は両方に上記金属磁
性体を積層・形成して各母材を接合した後、母材を上記
角形溝の近傍で上記積層面に直交して所定のピッチで切
断してコアブロックを形成する工程と、上記コアブロッ
クを一対、角形溝と対向させて突き合わせ磁気ギャップ
形成予定面を形成する工程とを含み、各コアブロックの
接合面同士、及び各母材と金属磁性体の接合面における
両方又は一方をそれぞれクロームまたは低融点ガラス薄
膜を介して接合することを特徴とする。
上記技術的手段によれば、積層型磁気ヘッドにおける一
対のコアの接合面の磁気ギャップ近傍側面において、ギ
ャップに非平行な界面を有する金属磁性体領域を形成し
たので、台形型MIGヘッドと同等なオフトラック特性
を実現する。
対のコアの接合面の磁気ギャップ近傍側面において、ギ
ャップに非平行な界面を有する金属磁性体領域を形成し
たので、台形型MIGヘッドと同等なオフトラック特性
を実現する。
本発明に係る磁気ヘッド及びその製造方法の実施例を第
1図乃至第12図を参照して以下に説明する。同図中、
第1図乃至第3図は本発明に係る磁気ヘッドの構造の斜
視図と要部上面図を示し、第4図乃至第12図はその製
造方法の各工程図を示す。まず第1図乃至第2図におい
て(25)はコアチップ、(26a)(26b)はコア
、(27)は金属磁性体層としてのラミネート層、(2
B)は非磁性体基板、(29)は金属磁性体領域である
。上記コアチップ(25)はコア(26a )(26b
)を接合一体化したもので、各コア(26a)(26
b ”)はラミネート層(27)を非磁性体基板(28
)で両側から挾み込んでなり、その磁気記録媒体が摺接
する頂端面(30)及び一方のコア(26b ) の下
部に設けたガラス溜り部(31)のそれぞれにおける低
融点ガラス(32)により接合一体化される。又、コア
(26a)(26b)の接合面(26ax ) (2
6bi )間にSi02等の非磁性体薄膜を介在させる
ことにより磁気ギャップ(g)を形成する。ラミネート
層(27)は高飽和磁束密度を有するセンダストやパー
マロイ等の金属磁性体膜(33)とSi02やAI!2
03等の絶縁溝+IQ (34)とを交互に積層してな
り、す一ディング側コア(26a)のラミネート層(2
7)の厚み(T5)を、トレーリング側コア(26b
)のラミネート層(27)の厚み(T6)より大きくし
て食み出させており、磁気ギャップ(g)のトランク幅
は(T6)となる。非磁性体基板(28)はセラミック
等からなる。金属磁性体領域(29)は、コア(26a
) (26b )の各接合面(26at ) (
26bl )近傍に設けたV溝(35a)(35b ”
)に、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁性
体を充填したもので、かつ、■溝(35a ) (3
5b )の各界面を磁気ギャップ(g)に対して非平行
に形成することにより擬似パルスの発生を防止する。尚
、コアチップ(25)には、コア(26a)(26b)
の側部に設けられた巻線挿通穴(36)及び巻線係止溝
(37)(38)を利用することにより絶縁被覆処理し
た線材(39)を所定ターン数巻回してコイル(40)
を形成する。
1図乃至第12図を参照して以下に説明する。同図中、
第1図乃至第3図は本発明に係る磁気ヘッドの構造の斜
視図と要部上面図を示し、第4図乃至第12図はその製
造方法の各工程図を示す。まず第1図乃至第2図におい
て(25)はコアチップ、(26a)(26b)はコア
、(27)は金属磁性体層としてのラミネート層、(2
B)は非磁性体基板、(29)は金属磁性体領域である
。上記コアチップ(25)はコア(26a )(26b
)を接合一体化したもので、各コア(26a)(26
b ”)はラミネート層(27)を非磁性体基板(28
)で両側から挾み込んでなり、その磁気記録媒体が摺接
する頂端面(30)及び一方のコア(26b ) の下
部に設けたガラス溜り部(31)のそれぞれにおける低
融点ガラス(32)により接合一体化される。又、コア
(26a)(26b)の接合面(26ax ) (2
6bi )間にSi02等の非磁性体薄膜を介在させる
ことにより磁気ギャップ(g)を形成する。ラミネート
層(27)は高飽和磁束密度を有するセンダストやパー
マロイ等の金属磁性体膜(33)とSi02やAI!2
03等の絶縁溝+IQ (34)とを交互に積層してな
り、す一ディング側コア(26a)のラミネート層(2
7)の厚み(T5)を、トレーリング側コア(26b
)のラミネート層(27)の厚み(T6)より大きくし
て食み出させており、磁気ギャップ(g)のトランク幅
は(T6)となる。非磁性体基板(28)はセラミック
等からなる。金属磁性体領域(29)は、コア(26a
) (26b )の各接合面(26at ) (
26bl )近傍に設けたV溝(35a)(35b ”
)に、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁性
体を充填したもので、かつ、■溝(35a ) (3
5b )の各界面を磁気ギャップ(g)に対して非平行
に形成することにより擬似パルスの発生を防止する。尚
、コアチップ(25)には、コア(26a)(26b)
の側部に設けられた巻線挿通穴(36)及び巻線係止溝
(37)(38)を利用することにより絶縁被覆処理し
た線材(39)を所定ターン数巻回してコイル(40)
を形成する。
上記構成によれば、V形の金属磁性体領域(29)の界
面において磁気ギャップ(g)より両側に延びる傾斜面
(29a ) (29b )が形成される。そうする
と、磁気ディスクに一旦、書込んだ古い情報の上に新た
な情報を書直すオーバーライド時、トラック両端におけ
る磁束が傾いてアジマス記録されているため、台形型M
IGヘッドのように良好なオフトランク特性を得ること
ができる。
面において磁気ギャップ(g)より両側に延びる傾斜面
(29a ) (29b )が形成される。そうする
と、磁気ディスクに一旦、書込んだ古い情報の上に新た
な情報を書直すオーバーライド時、トラック両端におけ
る磁束が傾いてアジマス記録されているため、台形型M
IGヘッドのように良好なオフトランク特性を得ること
ができる。
上記金属磁性体領域(29)は、第3図に示すように、
トレーリング側のコア(26b )にのみ設けても所望
のオフトラック特性が得られる。
トレーリング側のコア(26b )にのみ設けても所望
のオフトラック特性が得られる。
次に、上記積層型磁気ヘッドの製造方法を第4図乃至第
12図を参照して示すと、まず一方のコア(26a)を
形成する際、第4図及び第5図に示すように、非磁性体
基板(28)となる複数の直方体状母材(41)−を用
意し、その両側面にV溝(35a)−を穿設した後、ス
パッタリング等により金属磁性体を積層・被着してそ表
面を研磨し、■溝(35a ) −に金属磁性体(42
)を充填する。この時、クロームを介在させておくと、
より強固に接合されて充填される□。そして、第6図に
示すように、母材(41)の両側面に金属磁性体(33
)と絶縁薄11i (34)とを交互にスパッタリング
等により積層してラミネート層(27)となる層を形成
した後、第7図に示すように、クロームや低融点ガラス
を接合材として各母材(41)−を接合一体化し、ラミ
ネート層(27)を形成すると共に、図中鎖線で示すよ
うに、各母材(41) −の接合面と直交する方向に切
断して第8図に示す一方のコアブロック(43)を得る
。この時、上記接合材としてクロームを用いると、クロ
ームは金属磁性体(33)中に熱拡散していくため金属
磁性体(33)同士の接合界面をなくすことができる。
12図を参照して示すと、まず一方のコア(26a)を
形成する際、第4図及び第5図に示すように、非磁性体
基板(28)となる複数の直方体状母材(41)−を用
意し、その両側面にV溝(35a)−を穿設した後、ス
パッタリング等により金属磁性体を積層・被着してそ表
面を研磨し、■溝(35a ) −に金属磁性体(42
)を充填する。この時、クロームを介在させておくと、
より強固に接合されて充填される□。そして、第6図に
示すように、母材(41)の両側面に金属磁性体(33
)と絶縁薄11i (34)とを交互にスパッタリング
等により積層してラミネート層(27)となる層を形成
した後、第7図に示すように、クロームや低融点ガラス
を接合材として各母材(41)−を接合一体化し、ラミ
ネート層(27)を形成すると共に、図中鎖線で示すよ
うに、各母材(41) −の接合面と直交する方向に切
断して第8図に示す一方のコアブロック(43)を得る
。この時、上記接合材としてクロームを用いると、クロ
ームは金属磁性体(33)中に熱拡散していくため金属
磁性体(33)同士の接合界面をなくすことができる。
次に、同様にして、納8図に示す他方のコアブロック(
44)を得た後、第9図に示すように、一方のコアブロ
ック(43)の内外側面にその長手方向に沿って巻線挿
通穴(36)及び巻線係止溝(37)となる凹溝(45
) (46)を切断加工し、他方のコアブロック(4
4)の内外側面にガラス溜り部(31)及び巻線係止溝
(38)となる■溝(47)及び凹溝(48)を切削加
工する。その後、第10図に示すように、コアブロック
(43)(44)の内側面の上方エツジ部にその長手方
向に沿って所定のトラック幅(Ts ) (Ts )
を残して切削溝(49) (50)を切削加工する。
44)を得た後、第9図に示すように、一方のコアブロ
ック(43)の内外側面にその長手方向に沿って巻線挿
通穴(36)及び巻線係止溝(37)となる凹溝(45
) (46)を切断加工し、他方のコアブロック(4
4)の内外側面にガラス溜り部(31)及び巻線係止溝
(38)となる■溝(47)及び凹溝(48)を切削加
工する。その後、第10図に示すように、コアブロック
(43)(44)の内側面の上方エツジ部にその長手方
向に沿って所定のトラック幅(Ts ) (Ts )
を残して切削溝(49) (50)を切削加工する。
そして、第11図に示すように、上記コアブロック(4
3) (44)の各切削溝(49) (50)及び
V溝(47)を低融点ガラス(32)でガラスモールド
−した後、コアブロック(43) (44)のいずれ
が一方の内側面にギャップスペーサとなるSi02等の
非磁性体薄膜(図示せず)を被着形成する。その後、第
12図に示すように、コアブロック(43) (44
)の内側面を突合わせて加熱し、切削溝(49) (
50)及びV溝(47) (7)低融点ガラス(32)
を熔融させてコアブロック(43) (44)を接合
一体化する。そして、図中鎖線で示すようにコアブロッ
ク(43) (44)をその短手方向に沿って切削溝
(49) (50)毎にスライスして第1図及び第2
図に示すコアチップ(25)を得る。尚、第3図に示す
コアチップを形成する際も、一方のコアブロックのみに
■溝を形成するだけで同様に製造される。
3) (44)の各切削溝(49) (50)及び
V溝(47)を低融点ガラス(32)でガラスモールド
−した後、コアブロック(43) (44)のいずれ
が一方の内側面にギャップスペーサとなるSi02等の
非磁性体薄膜(図示せず)を被着形成する。その後、第
12図に示すように、コアブロック(43) (44
)の内側面を突合わせて加熱し、切削溝(49) (
50)及びV溝(47) (7)低融点ガラス(32)
を熔融させてコアブロック(43) (44)を接合
一体化する。そして、図中鎖線で示すようにコアブロッ
ク(43) (44)をその短手方向に沿って切削溝
(49) (50)毎にスライスして第1図及び第2
図に示すコアチップ(25)を得る。尚、第3図に示す
コアチップを形成する際も、一方のコアブロックのみに
■溝を形成するだけで同様に製造される。
本発明によれば、積層型磁気ヘッドにおいて磁気ギャッ
プの近傍に、ギャップに非平行な界面を有する金属磁性
体領域を形成したから、磁気ギャップ両端において磁束
が傾斜して記録され、良好なオフトラック特性を得るこ
とができ、かつ、擬似パルスの発生を防止できる。
プの近傍に、ギャップに非平行な界面を有する金属磁性
体領域を形成したから、磁気ギャップ両端において磁束
が傾斜して記録され、良好なオフトラック特性を得るこ
とができ、かつ、擬似パルスの発生を防止できる。
第1図及び第2図は本発明に係る磁気ヘッドの一実施例
を示す斜視図と要部上面図、第3図は本発明に係る磁気
ヘッドの他の実施例を示す要部上面図、第4図乃至第1
2図は第1図及び第2図に示す磁気ヘッドの製造方法を
示す各工程図、第13図と第14図は従来の積層型磁気
ヘッドの一具体例を示す斜視図と要部上面図、第15図
と第16図は従来のMTGヘッドの一臭体例を示す要部
の斜視図と上面図である。 (26a ) (26b ) −コア、(27) −
ラミネート層、(28)・−非磁性体基板、(29)
−金属磁性体領域、 (g ) −磁気ギャップ、(41)−非磁性母材、(
35a) (35b:l−−一角形溝、(43)
(44L−m−コアブロック。
を示す斜視図と要部上面図、第3図は本発明に係る磁気
ヘッドの他の実施例を示す要部上面図、第4図乃至第1
2図は第1図及び第2図に示す磁気ヘッドの製造方法を
示す各工程図、第13図と第14図は従来の積層型磁気
ヘッドの一具体例を示す斜視図と要部上面図、第15図
と第16図は従来のMTGヘッドの一臭体例を示す要部
の斜視図と上面図である。 (26a ) (26b ) −コア、(27) −
ラミネート層、(28)・−非磁性体基板、(29)
−金属磁性体領域、 (g ) −磁気ギャップ、(41)−非磁性母材、(
35a) (35b:l−−一角形溝、(43)
(44L−m−コアブロック。
Claims (3)
- (1)高飽和磁束密度を有する金属磁性体層を非磁性体
基板で挾み込んでなるコアを、一対、上記金属磁性体層
を対向させて接合一体化しその頂端面に磁気ギャップを
形成したものにおいて、 少なくとも一方の上記コアにおける磁気ギャップ近傍側
面に、ギャップに非平行な界面を有する高飽和磁束密度
の金属磁性体領域を形成したことを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - (2)整列した複数の直方体状非磁性母材の各対向側面
に角形溝を穿設して高飽和磁束密度の金属磁性体を充填
する工程と、上記対向側面の一方は両方に上記金属磁性
体を積層・形成して各母材を接合した後、母材を上記角
形溝の近傍で上記積層面に直交して所定のピッチで切断
してコアブロックを形成する工程と、上記コアブロック
を一対、角形溝と対向させて突き合わせ磁気ギャップ形
成予定面を形成する工程とを含むことを特徴とする請求
項1記載の磁気ヘッドの製造方法。 - (3)請求項2記載の各コアブロック同士の接合面、及
び各母材と金属磁性体の接合面における両方又は一方を
それぞれクローム薄膜を介して接合することを特徴とす
る請求項1記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12515989A JPH02302907A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12515989A JPH02302907A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02302907A true JPH02302907A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14903339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12515989A Pending JPH02302907A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02302907A (ja) |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12515989A patent/JPH02302907A/ja active Pending
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