JPH02301156A - 電子素子 - Google Patents
電子素子Info
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- JPH02301156A JPH02301156A JP12201989A JP12201989A JPH02301156A JP H02301156 A JPH02301156 A JP H02301156A JP 12201989 A JP12201989 A JP 12201989A JP 12201989 A JP12201989 A JP 12201989A JP H02301156 A JPH02301156 A JP H02301156A
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- Japan
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- exterior body
- resin
- plastic package
- buffer film
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- Pending
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 41
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＬＳＩ素子、抵抗ネットワー・り素子、圧電
共振素子、ホール素子等の封止電子素子に関する。
共振素子、ホール素子等の封止電子素子に関する。
従迷ｍ鳳功
この種の電子素子は、プリント配線板への実装時にかか
る高温、及び、環境評価試験でのヒートサイクル等の熱
衝撃に耐えるものが要求される。
る高温、及び、環境評価試験でのヒートサイクル等の熱
衝撃に耐えるものが要求される。
第４図は、電子素子の一例としてホール素子２１を示す
。図において、金属製のリードフレーム２２゜２３、２
４．２５は樹脂製外装体２６にインサートモールドきれ
ていて、該外装体２６から外部に導出きれている。この
ホール素子２１に熱！Ｉ撃が与えられると、リードフレ
ーム２２．２３．２４．２５の導出付根部分に樹脂クラ
ック２７が発生することがある。この樹脂クラック２７
の発生は、樹脂製外装体２６の熱膨張係数が金属製リー
ドフレーム２２．２３．２４．２５の熱膨張係数よりも
大きいことに起因する。
。図において、金属製のリードフレーム２２゜２３、２
４．２５は樹脂製外装体２６にインサートモールドきれ
ていて、該外装体２６から外部に導出きれている。この
ホール素子２１に熱！Ｉ撃が与えられると、リードフレ
ーム２２．２３．２４．２５の導出付根部分に樹脂クラ
ック２７が発生することがある。この樹脂クラック２７
の発生は、樹脂製外装体２６の熱膨張係数が金属製リー
ドフレーム２２．２３．２４．２５の熱膨張係数よりも
大きいことに起因する。
従来、この樹脂クラック２７を助士するために、以下に
記載する種々の方法が採用されてきた。
記載する種々の方法が採用されてきた。
■外装体２６をシリコーン変性によって海鳥構造にし、
低弾性率化を図り、熱ストレスを分散・吸収する方法。
低弾性率化を図り、熱ストレスを分散・吸収する方法。
■外装体２６にシリカフィラー、ガラスフィラー等の無
機質成分を混入し、外装体２６の熱膨張係数を小さくし
、リードフレームの熱膨張係数に近づけ、かつ、外装体
２６自身の機械的強度をアップする方法。
機質成分を混入し、外装体２６の熱膨張係数を小さくし
、リードフレームの熱膨張係数に近づけ、かつ、外装体
２６自身の機械的強度をアップする方法。
■外装体２６の樹脂厚を増し、機械的強度をアップする
方法。
方法。
■リードフレーム２２．２３．２４．２５の寸法を小型
化し、熱ストレスの絶対量を少なくする方法。
化し、熱ストレスの絶対量を少なくする方法。
しかし、近年、電子素子に組み込まれる部品が増加する
に伴って、電子素子が大型化される傾向にある。特に、
集積密度の進展著しい超ＬＳＩの分野にあっては、大容
量化によるパッケージの大型化が著しい。この傾向に対
して、前記記載の種々の方法では樹脂クラックの防止に
限界があり、対応が難しくなっている。
に伴って、電子素子が大型化される傾向にある。特に、
集積密度の進展著しい超ＬＳＩの分野にあっては、大容
量化によるパッケージの大型化が著しい。この傾向に対
して、前記記載の種々の方法では樹脂クラックの防止に
限界があり、対応が難しくなっている。
そこで、本発明の課題は、電子素子の大型化に対応でき
るリードフレーム付根部分の樹脂製外装体のクラック防
止構造を提供することにある。
るリードフレーム付根部分の樹脂製外装体のクラック防
止構造を提供することにある。
課題を解決するための 段
以上の課題を解決するために、本発明に係る電子素子は
、 緩衝膜が樹脂製外装体から外部に導出されているリード
フレームの付根部分に形成されていて、該緩衝膜を介し
て前記リードフレームの付根部分が前記樹脂製外装体に
保持されていること、を特徴とする。
、 緩衝膜が樹脂製外装体から外部に導出されているリード
フレームの付根部分に形成されていて、該緩衝膜を介し
て前記リードフレームの付根部分が前記樹脂製外装体に
保持されていること、を特徴とする。
１り
以上の構成において、リードフレームの付根部分が、緩
衝膜を介して、樹３１１製外装体に保持されていること
により、樹脂製外装体の熱膨張係数とリードフレームの
熱膨張係数とが異なるために生ずる熱ストレスが、緩衝
膜によって吸収・緩和され、直接に前記樹脂製外装体に
かからなくなる。
衝膜を介して、樹３１１製外装体に保持されていること
により、樹脂製外装体の熱膨張係数とリードフレームの
熱膨張係数とが異なるために生ずる熱ストレスが、緩衝
膜によって吸収・緩和され、直接に前記樹脂製外装体に
かからなくなる。
実施例
次に、本発明に係る電子素子の一実施例について添付図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
第１図〜第３図は電子素子の一例としてのポール素子１
を示す。
を示す。
金属製のリードフレーム２，３，４．５は、樹脂製外装
体７にインナートモールドきれている。
体７にインナートモールドきれている。
リードフレーム２，３，４．５の一方の端は樹脂製外装
体７から外部に導出され、その付根部分には、緩衝膜６
が形成されている。この緩衝膜６にはゴム、樹脂等が用
いられる。例えば、シリコーン樹脂、ポリエーテルエー
テルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の高耐熱性を有し、かつ
、弾性に富んだエラストマー樹脂、あるいは、紫外線硬
化型樹脂等が用いられる。これらのゴム、樹脂はディッ
プ法、ロールコータ−法、ディスペンサー法、ポツティ
ング法等の種々の方法で、リードフレーム２，３゜４．
５の付根部分に一定幅で塗布され、緩衝膜６となる。緩
衝膜６の厚さは、電子素子の寸法により、必要最低限の
厚みとする。通常は、１０〜１００μｍ程度の厚みであ
る。
体７から外部に導出され、その付根部分には、緩衝膜６
が形成されている。この緩衝膜６にはゴム、樹脂等が用
いられる。例えば、シリコーン樹脂、ポリエーテルエー
テルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の高耐熱性を有し、かつ
、弾性に富んだエラストマー樹脂、あるいは、紫外線硬
化型樹脂等が用いられる。これらのゴム、樹脂はディッ
プ法、ロールコータ−法、ディスペンサー法、ポツティ
ング法等の種々の方法で、リードフレーム２，３゜４．
５の付根部分に一定幅で塗布され、緩衝膜６となる。緩
衝膜６の厚さは、電子素子の寸法により、必要最低限の
厚みとする。通常は、１０〜１００μｍ程度の厚みであ
る。
ホール素子チップ１０はリードフレーム５のチップ積載
部５８に載置され、金製のワイヤ１１にて各リードフレ
ーム２，３，４．５と電気的に接続されている。リード
フレーム２，３，４．５はりん青銅等の素材からなり、
第１図に示す平面形状に形成されている。
部５８に載置され、金製のワイヤ１１にて各リードフレ
ーム２，３，４．５と電気的に接続されている。リード
フレーム２，３，４．５はりん青銅等の素材からなり、
第１図に示す平面形状に形成されている。
チップ１０の周囲は樹脂製外装体７にてモールドされて
いる（第３図参照）、樹脂製外装体７は、エホキシ樹脂
、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹Ｊｆ
！１（ＰＰＳ） 、ポリイミド樹脂等からなる。樹脂製
外装体７はリードフレーム２，３゜４．５に塗布された
緩衝膜６の一部を残して、リードフレーム２，３，４．
５をインナートモールドしており、リードフレーム２，
３，４．５の付根部分が、緩衝膜６を介して樹脂製外装
体７に保持されている。この緩衝膜６によってリードフ
レーム２，３，４．５の導出付根部分の樹脂製外装体７
にクラックが発生することを防ぐ。
いる（第３図参照）、樹脂製外装体７は、エホキシ樹脂
、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹Ｊｆ
！１（ＰＰＳ） 、ポリイミド樹脂等からなる。樹脂製
外装体７はリードフレーム２，３゜４．５に塗布された
緩衝膜６の一部を残して、リードフレーム２，３，４．
５をインナートモールドしており、リードフレーム２，
３，４．５の付根部分が、緩衝膜６を介して樹脂製外装
体７に保持されている。この緩衝膜６によってリードフ
レーム２，３，４．５の導出付根部分の樹脂製外装体７
にクラックが発生することを防ぐ。
即ち、リードフレーム２，３，４．５の熱＋１ｉ張係数
（代表値）が約４ Ｘ １０−’／”Ｃに対して樹脂製
外装体７の熱膨張係数（代表値）が約３ Ｘ １０”／
℃であり、このリードフレー１．２，３，４．５と樹脂
製外装体７との熱膨張係数の違いのために生ずる熱スト
レスを、弾性に富んだ緩衝膜６が吸収・緩和して、樹脂
製外装体７にクラックが発生するのを防ぐのである。
（代表値）が約４ Ｘ １０−’／”Ｃに対して樹脂製
外装体７の熱膨張係数（代表値）が約３ Ｘ １０”／
℃であり、このリードフレー１．２，３，４．５と樹脂
製外装体７との熱膨張係数の違いのために生ずる熱スト
レスを、弾性に富んだ緩衝膜６が吸収・緩和して、樹脂
製外装体７にクラックが発生するのを防ぐのである。
なお、本発明に係る電子素子は、前記実施例に限定する
ものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更すること
ができる。
ものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更すること
ができる。
電子素子は樹脂充填モールドタイプに限定されるもので
はなく、内部に中空構造を有するタイプであってもよい
。
はなく、内部に中空構造を有するタイプであってもよい
。
発明の効果
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、リードフ
レームの付根部分が、緩衝膜を介して樹脂製外装体に保
持されていることにより、熱ストレスが、緩衝膜によっ
て吸収・緩和され、直接に前記樹脂製外装体にかからな
くなり、リードフレーム付根部分の樹脂クラックの発生
を防ぐ。その結果、樹脂クラックのない大型電子素子を
提供することができる。
レームの付根部分が、緩衝膜を介して樹脂製外装体に保
持されていることにより、熱ストレスが、緩衝膜によっ
て吸収・緩和され、直接に前記樹脂製外装体にかからな
くなり、リードフレーム付根部分の樹脂クラックの発生
を防ぐ。その結果、樹脂クラックのない大型電子素子を
提供することができる。
また、樹脂製外装体に使用する樹脂材料の制約がなくな
り、かつ、低弾性化、低熱膨張係数化のための無機質成
分の混入等のコストアップの要因となる要素を排除でき
るのでコストダウンが図れる。
り、かつ、低弾性化、低熱膨張係数化のための無機質成
分の混入等のコストアップの要因となる要素を排除でき
るのでコストダウンが図れる。
きらに、緩衝膜によってリードフレームと樹脂製外装体
との密着性が向上する。
との密着性が向上する。
第１図は本発明に係る電子素子の一例であるホール素子
を示す一部断面とした斜視図、第２図は第１図のｘ−ｘ
’をカットした垂直断面図、第３図は第１図に示した
ホール素子のモールド後の外観を示す斜視図、第４図は
従来のホール素子の外観を示す斜視図である。 １・・・電子素子（ホール素子）、２，３，４．５・・
・リードフレーム、６・・・緩衝膜、７・・・樹脂製外
装体。
を示す一部断面とした斜視図、第２図は第１図のｘ−ｘ
’をカットした垂直断面図、第３図は第１図に示した
ホール素子のモールド後の外観を示す斜視図、第４図は
従来のホール素子の外観を示す斜視図である。 １・・・電子素子（ホール素子）、２，３，４．５・・
・リードフレーム、６・・・緩衝膜、７・・・樹脂製外
装体。
Claims (1)
- １、リードフレームが樹脂製外装体によりインサートモ
ールドされている電子素子において、緩衝膜が樹脂製外
装体から外部に導出されているリードフレームの付根部
分に形成されていて、該緩衝膜を介して前記リードフレ
ームの付根部分が前記樹脂製外装体に保持されているこ
と、を特徴とする電子素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12201989A JPH02301156A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 電子素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12201989A JPH02301156A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 電子素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301156A true JPH02301156A (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14825569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12201989A Pending JPH02301156A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 電子素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02301156A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007033411A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Denso Corp | センサ装置の製造方法及びセンサ装置 |
| JP2012156450A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP12201989A patent/JPH02301156A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007033411A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Denso Corp | センサ装置の製造方法及びセンサ装置 |
| JP2012156450A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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