JPH02300158A - アゾキシベンゼン化合物の製造方法 - Google Patents
アゾキシベンゼン化合物の製造方法Info
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- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
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- 229940095070 tetrapropyl orthosilicate Drugs 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は芳香族アミン化合物を転化して、染料中間体及
びその他の有機合成中間体として有用なアゾキシベンゼ
ン化合物を高い収率で合成する新規な製造方法に関する
。
びその他の有機合成中間体として有用なアゾキシベンゼ
ン化合物を高い収率で合成する新規な製造方法に関する
。
(従来の技術)
アゾキシベンゼン化合物は従来から芳香族ニトロ化合物
を還元して得る方法が知られている。例えば、水酸化ナ
トリウム水溶液に三酸化二砒素を溶解して得られる亜砒
酸ナトリウムで還元する方法によれば比較的に高い収率
でアゾキシベンゼンが得られることが報告されている(
Org、 Syn、Co11. 。
を還元して得る方法が知られている。例えば、水酸化ナ
トリウム水溶液に三酸化二砒素を溶解して得られる亜砒
酸ナトリウムで還元する方法によれば比較的に高い収率
でアゾキシベンゼンが得られることが報告されている(
Org、 Syn、Co11. 。
vol、Il、 57. (1943) 〕、
しかしながら、有毒な砒素化合物を多量に使用すること
から工業的に問題がある。又、特開昭56−10314
9号は、水性媒体中で白金またはパラジウムを含有する
触媒の存在下分子状水素を用いて芳香族ニトロ化合物を
還元する方法を開示している。しかし、この方法では副
生成物が多く生成し目的物への選択率が低い。
しかしながら、有毒な砒素化合物を多量に使用すること
から工業的に問題がある。又、特開昭56−10314
9号は、水性媒体中で白金またはパラジウムを含有する
触媒の存在下分子状水素を用いて芳香族ニトロ化合物を
還元する方法を開示している。しかし、この方法では副
生成物が多く生成し目的物への選択率が低い。
一方、酸化剤を用いた方法も知られている。例えば、チ
タンテトラアルコキシドを触媒としてt−ブチルハイド
ロパーオキシドまたはクメンハイドロパーオキシドでア
ニリンを酸化する方法によれば、アゾキシベンゼンは高
い収率で得られる(Liebigs Ann、Chem
、、 749. 206 (1971))。
タンテトラアルコキシドを触媒としてt−ブチルハイド
ロパーオキシドまたはクメンハイドロパーオキシドでア
ニリンを酸化する方法によれば、アゾキシベンゼンは高
い収率で得られる(Liebigs Ann、Chem
、、 749. 206 (1971))。
しかしながら、この反応においては高価な酸化剤を多量
に必要とし、工業的製造方法としては不向きである。
に必要とし、工業的製造方法としては不向きである。
また、比較的安価な酸化剤として過酸化水素を使用した
方法も知られている。この方法は、アセトニトリル及び
メタノール溶媒中塩基性条件下、アニリン1モルに対し
て3モルの過酸化水素を反応させてアゾキシベンゼンを
得るものである。しかし、この方法では多量の過酸化水
素を使用するにもかかわらず目的物の収率は低いという
問題がある(J、 Org、 Chem、、旦、659
(1961))。
方法も知られている。この方法は、アセトニトリル及び
メタノール溶媒中塩基性条件下、アニリン1モルに対し
て3モルの過酸化水素を反応させてアゾキシベンゼンを
得るものである。しかし、この方法では多量の過酸化水
素を使用するにもかかわらず目的物の収率は低いという
問題がある(J、 Org、 Chem、、旦、659
(1961))。
(発明が解決しようとする課題)
上述のようにアゾキシベンゼン化合物を安価に且つ収率
よく合成する工業的製造方法は確立していない。そこで
本発明の目的は、芳香族アミン化゛合物を過酸化水素を
用いてアゾキシベンゼン化合物に転化する方法であって
、副生成物が著しく少なく且つ過酸化水素の使用量を低
減してもアゾキシベンゼン化合物は高い収率で得られる
製造方法を提供することにある。
よく合成する工業的製造方法は確立していない。そこで
本発明の目的は、芳香族アミン化゛合物を過酸化水素を
用いてアゾキシベンゼン化合物に転化する方法であって
、副生成物が著しく少なく且つ過酸化水素の使用量を低
減してもアゾキシベンゼン化合物は高い収率で得られる
製造方法を提供することにある。
(課題が解決しようとする手段)
本発明は一般式(1)
%式%
(式中、R1、R2、R3、R4及びRsハソレソレ水
![子、アルキル基またはアルコキシ基、ハロゲン原子
、ニトリル基又はアルコキシカルボニル基を示す。) で示される芳香族アミン化合物をメタロシリケートの存
在下、過酸化水素と反応させることによる下記一般式(
n)で示されるアゾキシベンゼン化合物の製造方法に関
する。
![子、アルキル基またはアルコキシ基、ハロゲン原子
、ニトリル基又はアルコキシカルボニル基を示す。) で示される芳香族アミン化合物をメタロシリケートの存
在下、過酸化水素と反応させることによる下記一般式(
n)で示されるアゾキシベンゼン化合物の製造方法に関
する。
R’ R5R’ R’
(式中、RISR2、R3、R’lヒR’ハソレJ’し
水素[子、炭素数1〜4のアルキル基またはアルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトリル基又はアルコキシカルボニ
ル基を示す。) 以下本発明について詳細に説明する。
水素[子、炭素数1〜4のアルキル基またはアルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトリル基又はアルコキシカルボニ
ル基を示す。) 以下本発明について詳細に説明する。
本発明の製造方法においては、触媒としてメタロシリケ
ートを用いる。
ートを用いる。
狭義のゼオライトは結晶性のアルミノシリケートを指す
、しかし、近年ゼオライト中の全アルミニウムを他の金
属元素等で置換した構造を有する化合物、すなわちメタ
ロシリケートと呼称される物質が合成されるようになっ
てきた。このようなメタロシリケートも従来のアルミノ
シリケートと類似の結晶構造を有し、広義にはゼオライ
トの一種として認識されている。アルミノシリケートは
アルミニウム元素に基づく固体酸触媒機能が主たる特徴
であるのに対して、メタロシリケートの特徴は含有され
る金属元素に由来して各々特異な触媒機能を有すること
にある。また最近、アルミニウムの一部を他の元素に置
き換えてアルミニウム及び他の異なる金属元素を含有し
たメタロシリケートの合成も知られている。このような
複合化したメタロシリケートは、アルミノシリケートが
有する固体酸触媒機能に加えて、他の金属元素特有の触
媒機能も有することから、触媒を多機能化できることが
期待される。さらに、両元素の相互作用により触媒機能
の向上及び新たな効果の発現も期待される。
、しかし、近年ゼオライト中の全アルミニウムを他の金
属元素等で置換した構造を有する化合物、すなわちメタ
ロシリケートと呼称される物質が合成されるようになっ
てきた。このようなメタロシリケートも従来のアルミノ
シリケートと類似の結晶構造を有し、広義にはゼオライ
トの一種として認識されている。アルミノシリケートは
アルミニウム元素に基づく固体酸触媒機能が主たる特徴
であるのに対して、メタロシリケートの特徴は含有され
る金属元素に由来して各々特異な触媒機能を有すること
にある。また最近、アルミニウムの一部を他の元素に置
き換えてアルミニウム及び他の異なる金属元素を含有し
たメタロシリケートの合成も知られている。このような
複合化したメタロシリケートは、アルミノシリケートが
有する固体酸触媒機能に加えて、他の金属元素特有の触
媒機能も有することから、触媒を多機能化できることが
期待される。さらに、両元素の相互作用により触媒機能
の向上及び新たな効果の発現も期待される。
本発明で用いるメタロシリケートとしてはチタノシリケ
ート、ジルコノシリケート、チタノジルコノシリケート
、チタノアルミノシリケート、ジルコノアルミノシリケ
ート及びチタノジルコノアルミノシリケートを挙げるこ
とができる。
ート、ジルコノシリケート、チタノジルコノシリケート
、チタノアルミノシリケート、ジルコノアルミノシリケ
ート及びチタノジルコノアルミノシリケートを挙げるこ
とができる。
本発明で用いるチタノシリケート、ジルコノシリケート
、チタノジルコノシリケート、チタノアルミノシリケー
ト、ジルコノアルミノシリケート及びチタノジルコノア
ルミノシリケートは、チタニウム及び/またはジルコニ
ウムがTie、−、ZrO,−四面体としてゼオライト
結晶中の一部又は全部のアルミナの代りに結晶を構成す
る、ペンタシル型メタロシリケートである。チタノシリ
ケート、ジルコノシリケート、これら二つの金属元素を
含有したチタノジルコノシリケートはアルミノの全てを
置換したものであり、チタノアルミノシリケート、ジル
コノアルミノシリケート及びチタノジルコノアルミノシ
リケートはアルミノシリケート中のアルミニウムの一部
をチタニウムまたはジルコニウムで置換した構造を有す
る。
、チタノジルコノシリケート、チタノアルミノシリケー
ト、ジルコノアルミノシリケート及びチタノジルコノア
ルミノシリケートは、チタニウム及び/またはジルコニ
ウムがTie、−、ZrO,−四面体としてゼオライト
結晶中の一部又は全部のアルミナの代りに結晶を構成す
る、ペンタシル型メタロシリケートである。チタノシリ
ケート、ジルコノシリケート、これら二つの金属元素を
含有したチタノジルコノシリケートはアルミノの全てを
置換したものであり、チタノアルミノシリケート、ジル
コノアルミノシリケート及びチタノジルコノアルミノシ
リケートはアルミノシリケート中のアルミニウムの一部
をチタニウムまたはジルコニウムで置換した構造を有す
る。
このようなペンタシル型メタロシリケートは公知の技術
により得ることができる。例えば、米国特許33294
80号、米国特許3329481号、特開昭55−26
95号、特開昭55−7598号、特開昭58−745
21号、特開昭62−162617号等に記載の方法に
より製造できる。
により得ることができる。例えば、米国特許33294
80号、米国特許3329481号、特開昭55−26
95号、特開昭55−7598号、特開昭58−745
21号、特開昭62−162617号等に記載の方法に
より製造できる。
−例として、チタノシリケートの製造例を以下に示す。
シリカ源、チタニウム源、及び含窒素有機塩を反応体の
モル比5i02/Ti020.5〜300、の範囲、よ
り好ましくはS+02/T1021〜200の範囲で、
また、Sin□/含窒素有機塩 0.5〜10、H2O
1510210〜200の範囲で混合し、加水分解させ
る。この加水分解を進行させるには、好ましくは0〜1
20℃、より好ましくは20〜100℃で、0.1〜2
0時間の範囲で撹拌する。また、その際、加水分解を円
滑に進行させるため、生成するアルコールを除去しなが
ら行うこともできる。
モル比5i02/Ti020.5〜300、の範囲、よ
り好ましくはS+02/T1021〜200の範囲で、
また、Sin□/含窒素有機塩 0.5〜10、H2O
1510210〜200の範囲で混合し、加水分解させ
る。この加水分解を進行させるには、好ましくは0〜1
20℃、より好ましくは20〜100℃で、0.1〜2
0時間の範囲で撹拌する。また、その際、加水分解を円
滑に進行させるため、生成するアルコールを除去しなが
ら行うこともできる。
また、必要に応じて酸あるいはアルカリを触媒として用
いることが可能である。このようにして加水分解された
ゲルは均一になり、必要に応じて水を添加し、水熱合成
に付される。水熱合成処理は、60〜300℃の範囲が
好ましく、より好ましくは100〜250℃の範囲に加
熱し、1〜100時間撹拌させる。このようにして水熱
合成処理され結晶化したゼオライトはイオン交換水で充
分に洗浄した後、高温(例えば300〜700℃)で2
〜20時間熱処理することにより、本発明に用いるチタ
ノシリケートを得ることができる。
いることが可能である。このようにして加水分解された
ゲルは均一になり、必要に応じて水を添加し、水熱合成
に付される。水熱合成処理は、60〜300℃の範囲が
好ましく、より好ましくは100〜250℃の範囲に加
熱し、1〜100時間撹拌させる。このようにして水熱
合成処理され結晶化したゼオライトはイオン交換水で充
分に洗浄した後、高温(例えば300〜700℃)で2
〜20時間熱処理することにより、本発明に用いるチタ
ノシリケートを得ることができる。
この際、酸処理時に除去することが可能な他の元素(例
えばアルミニウムなど)を反応体に添加してもよく、実
質的にバイメタルシリケートが生成しても差し支えない
。このように他の元素を反応体に添加することは、結晶
成長を早め、また、粒子の形状、大きさの調整が可能と
なり、工業化に際しては大きな利点となる。
えばアルミニウムなど)を反応体に添加してもよく、実
質的にバイメタルシリケートが生成しても差し支えない
。このように他の元素を反応体に添加することは、結晶
成長を早め、また、粒子の形状、大きさの調整が可能と
なり、工業化に際しては大きな利点となる。
シリカ源としてはテトラエチルオルトシリケート、テト
ラプロピルオルトシリケート等のけい素アルコキシド、
シリカゾノペ水ガラスなどが挙げられる。チタニウム源
としてはテトラエチルオルトチタネート、テトラプロピ
ルオルトチタネート等のチタンアルコキシドがあげられ
る。また、これらのアルコキシドはモノマーでもオリゴ
マーでも使用できる。含窒素有機塩としては水酸化アル
キルアンモニウム、好ましくは水酸化テトラプロピルア
ンモニウムを使用できる。
ラプロピルオルトシリケート等のけい素アルコキシド、
シリカゾノペ水ガラスなどが挙げられる。チタニウム源
としてはテトラエチルオルトチタネート、テトラプロピ
ルオルトチタネート等のチタンアルコキシドがあげられ
る。また、これらのアルコキシドはモノマーでもオリゴ
マーでも使用できる。含窒素有機塩としては水酸化アル
キルアンモニウム、好ましくは水酸化テトラプロピルア
ンモニウムを使用できる。
一方ジルコノシリケートはチタニウム源に代わりジルコ
ニウム源を使用し、上記と同様にして得ることができる
。この際に使用されるジルコニウム源としてはテトライ
ソプロピルオルトジルコネート等のジルコニウムアルコ
キシドが挙げられる。
ニウム源を使用し、上記と同様にして得ることができる
。この際に使用されるジルコニウム源としてはテトライ
ソプロピルオルトジルコネート等のジルコニウムアルコ
キシドが挙げられる。
またチタノジルコノシリケートのような複合化したメタ
ロシリケートもチタニウム源及びジルコニウム源を併用
することで同様に製造できる。更にアルミニウムを含有
したメタロシリケートはチタニウム源及び/またはジル
コニウム源に加えてアルミニウム源を併用することで製
造される。アルミニウム源としてはアルミニウムアルコ
キシド、水酸化アルミニウム、硫酸アルミニウム、ハロ
ゲン化アルミニウムが挙げられる。
ロシリケートもチタニウム源及びジルコニウム源を併用
することで同様に製造できる。更にアルミニウムを含有
したメタロシリケートはチタニウム源及び/またはジル
コニウム源に加えてアルミニウム源を併用することで製
造される。アルミニウム源としてはアルミニウムアルコ
キシド、水酸化アルミニウム、硫酸アルミニウム、ハロ
ゲン化アルミニウムが挙げられる。
上記のようにして得られたメタロシリケート触媒は、さ
らに酸処理して活性することもできる。
らに酸処理して活性することもできる。
メタロシリケートの酸処理は無機酸または有機酸のいず
れでも行うことができる。酸処理条件は特に限定される
ものではないが、通常酸水溶液中で実施され、その濃度
はO,OO1mof/ 1〜4.0mol/lが好まし
い。これ以下の濃度では本発明に示す効果は小さく、−
刃高濃度過ぎるとゼオライトの結晶性を損ない好ましく
ない。また処理温度は10〜200℃で、処理時間は3
0分〜30時間が適当である。処理方式はバッチ式が好
ましく、固液比は1〜30 (液/固体:重量比)とす
ることが好ましい。
れでも行うことができる。酸処理条件は特に限定される
ものではないが、通常酸水溶液中で実施され、その濃度
はO,OO1mof/ 1〜4.0mol/lが好まし
い。これ以下の濃度では本発明に示す効果は小さく、−
刃高濃度過ぎるとゼオライトの結晶性を損ない好ましく
ない。また処理温度は10〜200℃で、処理時間は3
0分〜30時間が適当である。処理方式はバッチ式が好
ましく、固液比は1〜30 (液/固体:重量比)とす
ることが好ましい。
酸処理に使用できる酸は、無機酸、有機酸のいずれでも
よい。無機酸としては例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸
等を挙げることができ、また、有機酸としては、カルボ
ン酸、スルホン酸等を挙げることができる。特に有機酸
の場合トリフルオロメタンスルホン酸のような超強酸を
使用することもできる。上記と同一内容の処理を複数回
繰り返すこともできる。酸処理を終えたメタロシリケー
トは、脱イオン水で充分洗浄した後、高温(例えば、2
00〜600℃)で2〜6時間熱処理することにより本
発明の触媒とすることができる。
よい。無機酸としては例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸
等を挙げることができ、また、有機酸としては、カルボ
ン酸、スルホン酸等を挙げることができる。特に有機酸
の場合トリフルオロメタンスルホン酸のような超強酸を
使用することもできる。上記と同一内容の処理を複数回
繰り返すこともできる。酸処理を終えたメタロシリケー
トは、脱イオン水で充分洗浄した後、高温(例えば、2
00〜600℃)で2〜6時間熱処理することにより本
発明の触媒とすることができる。
本発明に使用する触媒は、それ自体パウダー状で使用す
ることもできる。また、圧縮成形することでベレット状
、タブレット状などの成形物として使用することもでき
る。成形物として使用する場合、結合剤としてアルミナ
ゾル、シリカゾルなどを添加して成形物とすることもで
きる。
ることもできる。また、圧縮成形することでベレット状
、タブレット状などの成形物として使用することもでき
る。成形物として使用する場合、結合剤としてアルミナ
ゾル、シリカゾルなどを添加して成形物とすることもで
きる。
酸処理により得られるメタロシリケートは極めて熱安定
性の高い三次元結晶であり、ZSM−5゜ZSM−11
,ZSM−34などと類似のペンタシル型構造を有して
いる。
性の高い三次元結晶であり、ZSM−5゜ZSM−11
,ZSM−34などと類似のペンタシル型構造を有して
いる。
本発明の製造法に供される芳香族アミン化合物は下記の
一般式で表わされる。
一般式で表わされる。
R’ R’
(式中、R1,R2、R3、R4及びR5はそれぞれ水
素原゛子、アルキル基またはアルコキシ基、ハロゲン原
子、二゛トリル基又はアルコキシカルボニル基を示す) アルキル基、アルコキシ基、及びアルコキシカルボニル
基はいずれも炭素数が1〜4であることが好ましい。
素原゛子、アルキル基またはアルコキシ基、ハロゲン原
子、二゛トリル基又はアルコキシカルボニル基を示す) アルキル基、アルコキシ基、及びアルコキシカルボニル
基はいずれも炭素数が1〜4であることが好ましい。
具体的には、R1,R5がすべて水素原子であるアニリ
ン;(o+、m−又はp−)メチル−12゜4−ジメチ
ル−12,4,6−)リメチルーアニリン、(o +、
m−又はp−)エチル−12,4−ジエチル−12,
4,6−)リエチルーアニリ7、(o+、m−又はp−
)イソプロピルアニリン類などのアルキル基置換アニリ
ン誘導体、(0+、m−又はp −)クロロ−12,4
−ジクロロ−アニリン、(0−、m−又はp −)ブロ
モアニリン類、(o−、m−又はp−)フルオロアニリ
ン類などのハロゲン置換アニリン誘導体、(0−1m−
又はp−)メトキシ−1(o−、m−又はp−)エトキ
シ−アニリンなどのアルコキシ置換誘導体、(o−、m
−又はp−)メトキシ力ルポニルー、(o+、m=又は
p −)エトキシカルボニル−1(o−、m−又はp−
)プロポキシカルボニルアニリンなどのアルコキシカル
ボニル置換アニリン誘導体また上記のようなアルキル基
、ハロゲン原子、アルコキシ基、ニトリル基及びアルコ
キシカルボニル基の2種以上で置換されたアニリン誘導
体等を挙げることができる。
ン;(o+、m−又はp−)メチル−12゜4−ジメチ
ル−12,4,6−)リメチルーアニリン、(o +、
m−又はp−)エチル−12,4−ジエチル−12,
4,6−)リエチルーアニリ7、(o+、m−又はp−
)イソプロピルアニリン類などのアルキル基置換アニリ
ン誘導体、(0+、m−又はp −)クロロ−12,4
−ジクロロ−アニリン、(0−、m−又はp −)ブロ
モアニリン類、(o−、m−又はp−)フルオロアニリ
ン類などのハロゲン置換アニリン誘導体、(0−1m−
又はp−)メトキシ−1(o−、m−又はp−)エトキ
シ−アニリンなどのアルコキシ置換誘導体、(o−、m
−又はp−)メトキシ力ルポニルー、(o+、m=又は
p −)エトキシカルボニル−1(o−、m−又はp−
)プロポキシカルボニルアニリンなどのアルコキシカル
ボニル置換アニリン誘導体また上記のようなアルキル基
、ハロゲン原子、アルコキシ基、ニトリル基及びアルコ
キシカルボニル基の2種以上で置換されたアニリン誘導
体等を挙げることができる。
過酸化水素の使用量は芳香族アミン化合物に対して0.
05〜3.0モル比、好ましく0.1〜2.0モル比で
ある。過酸化水素の使用量が少ないとアゾキシベンゼン
化合物収率は低くなる。一方過剰量使用すると副生成物
を生じ易くアゾキシベンゼン化合物への選択率は低下す
るので好ましくない。
05〜3.0モル比、好ましく0.1〜2.0モル比で
ある。過酸化水素の使用量が少ないとアゾキシベンゼン
化合物収率は低くなる。一方過剰量使用すると副生成物
を生じ易くアゾキシベンゼン化合物への選択率は低下す
るので好ましくない。
反応は回分式または流通式のいずれかの方法でも実施で
きるが、溶媒の存在下に行なうことが好ましい。使用さ
れる溶媒としては、特に限定されないが、水、炭素数1
〜10のアルコール類(メタノール、エタノーノペブロ
パノール、ブタノール、ペンタノール)、ケトン類(ア
セトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、ジイソ
プロピルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、
ベンゾフェノン)、グリコール類(エチレングリコーノ
ペブロビレングリコール、ジエチレングリコール)、エ
ーテル類(エーテノペジイソブロピルエーテル、アニソ
ール、テトラヒドロフラン)、ニトリル類(アセトニト
リル、バレロニトリル、ベンジエ) IJル)等の極性
溶媒が好ましいものとして挙げられる。このなかでも、
アルコール類としてはメタノール、エタノーノペケトン
類としてはアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、またニトリル類としてはアセトニトリルが好ま
しいものとして挙げられる。反応温度は20〜150℃
の範囲とすることが適当であり、より好ましくは50〜
120℃である。この温度範囲とすることで過酸化物の
自己分解反応が抑制され、触媒の劣化も少ない。反応時
間は0.5〜30時間が適当である。
きるが、溶媒の存在下に行なうことが好ましい。使用さ
れる溶媒としては、特に限定されないが、水、炭素数1
〜10のアルコール類(メタノール、エタノーノペブロ
パノール、ブタノール、ペンタノール)、ケトン類(ア
セトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、ジイソ
プロピルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、
ベンゾフェノン)、グリコール類(エチレングリコーノ
ペブロビレングリコール、ジエチレングリコール)、エ
ーテル類(エーテノペジイソブロピルエーテル、アニソ
ール、テトラヒドロフラン)、ニトリル類(アセトニト
リル、バレロニトリル、ベンジエ) IJル)等の極性
溶媒が好ましいものとして挙げられる。このなかでも、
アルコール類としてはメタノール、エタノーノペケトン
類としてはアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、またニトリル類としてはアセトニトリルが好ま
しいものとして挙げられる。反応温度は20〜150℃
の範囲とすることが適当であり、より好ましくは50〜
120℃である。この温度範囲とすることで過酸化物の
自己分解反応が抑制され、触媒の劣化も少ない。反応時
間は0.5〜30時間が適当である。
メタロシリケート触媒の使用量は一般式(I)の芳香族
アミン化合物100重量部に対して、0.01〜30重
量部、好ましくは0.1〜20重量部とすることが適当
である。
アミン化合物100重量部に対して、0.01〜30重
量部、好ましくは0.1〜20重量部とすることが適当
である。
反応生成物であるアゾキシベンゼン化合物(一般式(■
))として以下のものが例示できる。
))として以下のものが例示できる。
アルキル基置換アニリン誘導体から得られる化合物:
2.2′−ジメチル、3,3′−ジメチル、4゜4′−
ジメチル、2.2’、4.4’−テトラメチル、2.2
’、4.4’、6.6’−ヘキサメチルアゾキシベンゼ
ン。
ジメチル、2.2’、4.4’−テトラメチル、2.2
’、4.4’、6.6’−ヘキサメチルアゾキシベンゼ
ン。
2.2′−ジエチル、3.37−ジエチル、4゜4′−
ジエチル、2.2’、4.4’−テトラエチル、2.
2’、 4. 4’、 6. 6’−ヘキサエチル
アゾキシベンゼン。
ジエチル、2.2’、4.4’−テトラエチル、2.
2’、 4. 4’、 6. 6’−ヘキサエチル
アゾキシベンゼン。
2.2′−ジイソブロピノペ3,3′−ジイソプロピル
、4.4’−ジイソプロピルアゾキシベンゼン。
、4.4’−ジイソプロピルアゾキシベンゼン。
ハロゲン置換アニリン誘導体から得られる化合物:2.
2′−ジクロロ、3.3′−ジクロロ、4゜4′−ジク
ロロ、2.2’、4.4’−テトラクロロアゾキシベン
ゼン。
2′−ジクロロ、3.3′−ジクロロ、4゜4′−ジク
ロロ、2.2’、4.4’−テトラクロロアゾキシベン
ゼン。
2.2′−ジブロモ、3.3′−ジブロモ、4゜4′−
ジブロモアゾキシベンゼン。
ジブロモアゾキシベンゼン。
2.2′−ジフルオロ、3.3′−ジフルオロ、4.4
’−ジフルオロアゾキシベンゼン。
’−ジフルオロアゾキシベンゼン。
アルコキシ置換誘導体から得られる化合物:2.2′−
ジメトキシ、3.3′−ジメトキシ、4.4′−ジメト
キシアゾキシベンゼン。
ジメトキシ、3.3′−ジメトキシ、4.4′−ジメト
キシアゾキシベンゼン。
2.2′−ジェトキシ、3.3′−ジェトキシ、4.4
’ −’;エトキシアゾキシベンゼン。
’ −’;エトキシアゾキシベンゼン。
ニトリル置換誘導体から得られる化合物:2.2′−ジ
シアノ、3.3′−ジシアノ、4゜47−ジシアノアゾ
キシベンゼン。
シアノ、3.3′−ジシアノ、4゜47−ジシアノアゾ
キシベンゼン。
エステル置換誘導体から得られる化合物:2.2′−ジ
メトキシカルボニル、3,3′−ジメトキシカルボニル
、4.4’−ジメトキシカルボニルアゾキシベンゼン。
メトキシカルボニル、3,3′−ジメトキシカルボニル
、4.4’−ジメトキシカルボニルアゾキシベンゼン。
2.2′−ジェトキシカルボニル、3.3′−ジェトキ
シカルボニル、4.4’ −ジェトキシカルボニルアゾ
キシベンゼン。
シカルボニル、4.4’ −ジェトキシカルボニルアゾ
キシベンゼン。
2.2′−ジプロポキシカルボニル、3.3’−ジブロ
ボキシカルボニノベ4.4′−ジプロポキシカルボニル
アゾキシベンゼン。
ボキシカルボニノベ4.4′−ジプロポキシカルボニル
アゾキシベンゼン。
特に有用なアゾキシベンゼン化合物としては、2゜2′
−ジクロロアゾキシベンゼン(染料中間体)及び3〜1
0の炭素原子を有する4、4′−ジアルキルアゾキシベ
ンゼン(液晶)が挙げられる。
−ジクロロアゾキシベンゼン(染料中間体)及び3〜1
0の炭素原子を有する4、4′−ジアルキルアゾキシベ
ンゼン(液晶)が挙げられる。
(発明の効果)
本発明の製造方法によれば、芳香族アミン化合物と過酸
化水素を反応させて副生成物が著しく少なく (即ち高
い選択率で)且つ少ない過酸化水素使用量でも高い収率
でアゾキシベンゼン化合物ヲ製造できる。本発明のこれ
らの特長は工業化に際して大きな利益となる。
化水素を反応させて副生成物が著しく少なく (即ち高
い選択率で)且つ少ない過酸化水素使用量でも高い収率
でアゾキシベンゼン化合物ヲ製造できる。本発明のこれ
らの特長は工業化に際して大きな利益となる。
(実施例)
以下、本発明に実施例によりさらに説明するが、本発明
は下記の実施例に限定されるものではない。
は下記の実施例に限定されるものではない。
触媒製造例1
内容量1000 mlの三つロフラスコにテトラエチル
オルトチタネート42g及びテトラエチルオルトチタネ
−1−198gを窒素気流下で入れ、撹拌しながら均一
に溶解させた。水酸化テトラプロピルアンモニウム水溶
液(25%溶液)346gを滴下ロートでゆっくり滴下
後、室温で1時間撹拌した。撹拌後、混合物は無色均一
溶液になった。この三つ日丸底フラスコを油浴で約90
℃に加熱し、加水分解によって生じたエタノール、及び
水を蒸留除去(255mi)した。蒸留除去された混合
物に水100gを加えた後、内容量500mf!のハス
テロイ製オートクレーブに充填し、自圧下、165℃ま
で2時間で昇温させた後、50時間、165℃で撹拌し
た。オートクレーブの内容物を濾過分離し、60℃のイ
オン交換水で充分洗浄した。得られた白色粉末固体を9
0℃で一昼夜乾燥後、500℃にて5時間熱処理した。
オルトチタネート42g及びテトラエチルオルトチタネ
−1−198gを窒素気流下で入れ、撹拌しながら均一
に溶解させた。水酸化テトラプロピルアンモニウム水溶
液(25%溶液)346gを滴下ロートでゆっくり滴下
後、室温で1時間撹拌した。撹拌後、混合物は無色均一
溶液になった。この三つ日丸底フラスコを油浴で約90
℃に加熱し、加水分解によって生じたエタノール、及び
水を蒸留除去(255mi)した。蒸留除去された混合
物に水100gを加えた後、内容量500mf!のハス
テロイ製オートクレーブに充填し、自圧下、165℃ま
で2時間で昇温させた後、50時間、165℃で撹拌し
た。オートクレーブの内容物を濾過分離し、60℃のイ
オン交換水で充分洗浄した。得られた白色粉末固体を9
0℃で一昼夜乾燥後、500℃にて5時間熱処理した。
得られた白色粉末50gを0.80moI!/βの塩酸
水溶液500+nj!に懸濁させ、95℃で2時間撹拌
した後に、濾過分離し、イオン交換水で充分洗浄した。
水溶液500+nj!に懸濁させ、95℃で2時間撹拌
した後に、濾過分離し、イオン交換水で充分洗浄した。
得られたゼオライトを90℃で一昼夜乾燥後、500℃
にて5時間熱処理してチタノシリケートを得た。
にて5時間熱処理してチタノシリケートを得た。
触媒製造例2
アルミニウムイソプロポキサイド0.603 gを水酸
化テトラプロピルアンモニウム水溶!(25%溶液)8
7.8gに溶解した。別の容器において、テトラエチル
オルトチタネ−)4.53gをテトラエチルオルトシリ
ケート92.2 gに溶解し、その混合溶液を先に調整
した溶液に撹拌しながら、ゆっくり滴下した。その混合
溶液を60℃で4時間撹拌した後、純水310mfを加
えた。得られた混合物をハステロイ製オートクレーブに
充填し、自圧下、170℃まで2時間で昇温させ、5時
間撹拌した。オートクレーブの内容物を遠心分離し、6
0℃のイオン交換水で充分洗浄した。得られた白色粉末
を90℃で一昼夜乾燥後、550℃にて5時間熱処理し
てチタノアルミノシリケートを得た。
化テトラプロピルアンモニウム水溶!(25%溶液)8
7.8gに溶解した。別の容器において、テトラエチル
オルトチタネ−)4.53gをテトラエチルオルトシリ
ケート92.2 gに溶解し、その混合溶液を先に調整
した溶液に撹拌しながら、ゆっくり滴下した。その混合
溶液を60℃で4時間撹拌した後、純水310mfを加
えた。得られた混合物をハステロイ製オートクレーブに
充填し、自圧下、170℃まで2時間で昇温させ、5時
間撹拌した。オートクレーブの内容物を遠心分離し、6
0℃のイオン交換水で充分洗浄した。得られた白色粉末
を90℃で一昼夜乾燥後、550℃にて5時間熱処理し
てチタノアルミノシリケートを得た。
触媒製造例3
内容量500m1の三つロフラスコにテトライソプロピ
ルオルトジルコネート4.2 g及びテトラエチルオル
トシリケート80gを窒素気流下で入れ、撹拌しながら
均一に溶解させた。水酸化テトラプロピルアンモニウム
水溶液(25%溶液)140、5 gを滴下ロートでゆ
っくり滴下後、室温で1時間撹拌した。この三つ日丸底
フラスコを油浴で約90℃に加熱し、加水分解によって
生じたエタノール、及び水を蒸留除去(150+yl)
した。蒸留除去された混合物に水240gを加えた後、
内容量500mAのハステロイ製オートクレーブに充填
し、自圧下、165℃まで2時間で昇温させた後、5時
間、165℃で撹拌した。オートクレーブの内容物を濾
過分離し、60℃のイオン交換水で充分洗浄した。得ら
れた白色粉末固体を90℃で一昼夜乾燥後、500℃に
て5時間熱処理してジルコノシリケートを得た。
ルオルトジルコネート4.2 g及びテトラエチルオル
トシリケート80gを窒素気流下で入れ、撹拌しながら
均一に溶解させた。水酸化テトラプロピルアンモニウム
水溶液(25%溶液)140、5 gを滴下ロートでゆ
っくり滴下後、室温で1時間撹拌した。この三つ日丸底
フラスコを油浴で約90℃に加熱し、加水分解によって
生じたエタノール、及び水を蒸留除去(150+yl)
した。蒸留除去された混合物に水240gを加えた後、
内容量500mAのハステロイ製オートクレーブに充填
し、自圧下、165℃まで2時間で昇温させた後、5時
間、165℃で撹拌した。オートクレーブの内容物を濾
過分離し、60℃のイオン交換水で充分洗浄した。得ら
れた白色粉末固体を90℃で一昼夜乾燥後、500℃に
て5時間熱処理してジルコノシリケートを得た。
実施例1
内容量100m1の四ツロフラスコにアニリン2.0g
(21,5ミリモル)、触媒製造例1で得たチタノシリ
ケー)0.1g、メタノール10+niを装入し温度を
65℃とした後、撹拌下5%過酸化水素水19g(28
ミ!Jモル)を1時間かけて加えた。その後、73℃に
て14時間反応させた。
(21,5ミリモル)、触媒製造例1で得たチタノシリ
ケー)0.1g、メタノール10+niを装入し温度を
65℃とした後、撹拌下5%過酸化水素水19g(28
ミ!Jモル)を1時間かけて加えた。その後、73℃に
て14時間反応させた。
得られた反応混合物を濾過し触媒を除去した後、2−ア
セトナフトンを内部標準として高速液体クロマトグラフ
で分析した。この結果、アゾキシベンゼンの生成量は1
.8g (9,18ミIJモル)、また未反応アニリン
は0.16g(1,’NIJモル)であった。このこと
からアニリンの転化率は92%であり、アゾキシベンゼ
ンへの選択率は93%と高いものであった。
セトナフトンを内部標準として高速液体クロマトグラフ
で分析した。この結果、アゾキシベンゼンの生成量は1
.8g (9,18ミIJモル)、また未反応アニリン
は0.16g(1,’NIJモル)であった。このこと
からアニリンの転化率は92%であり、アゾキシベンゼ
ンへの選択率は93%と高いものであった。
比較例1
触媒を使用しないこと以外、実施例1と同様にして行な
った。この結果、アニリンの転化率は47%であり、ア
ゾキシベンゼンへの選択率は61%であった。即ち、ゼ
オライト触媒を使用しない場合は転化率及び選択率共に
著しく低くなった。
った。この結果、アニリンの転化率は47%であり、ア
ゾキシベンゼンへの選択率は61%であった。即ち、ゼ
オライト触媒を使用しない場合は転化率及び選択率共に
著しく低くなった。
実施例2
5%過酸化水素水を15g(22,5ミリモル)とした
こと以外、実施例1と同様にして行なった。
こと以外、実施例1と同様にして行なった。
この結果、アニリンの転化率は78%であり、アゾキシ
ベンゼンへの選択率は94%であった。
ベンゼンへの選択率は94%であった。
実施例3
触媒としてチタノシリケートに代わり、触媒製造例2で
得たチタノアルミノシリケートを使用したこと以外、実
施例1と同様にして行なった。アニリンの転化率は90
%であり、アゾキシベンゼンへの選択率は90%であっ
た。
得たチタノアルミノシリケートを使用したこと以外、実
施例1と同様にして行なった。アニリンの転化率は90
%であり、アゾキシベンゼンへの選択率は90%であっ
た。
実施例4
触媒としてチタノシリケートに代わり、触媒製造例3で
得たジルコノシリケートを使用したこと以外、実施例1
と同様にして行なった。アニリンの転化率は68%であ
り、アゾキシベンゼンへの選択率は62%であった。
得たジルコノシリケートを使用したこと以外、実施例1
と同様にして行なった。アニリンの転化率は68%であ
り、アゾキシベンゼンへの選択率は62%であった。
比較例2
触媒としてルチル型チタニア0.1 gを使用したこと
以外、実施例1と同様にして行なった。この結果、アニ
リンの転化率は59%であり、アゾキシベンゼンへの選
択率は55%であった。即ち、ゼオライト触媒を使用し
ないで金属酸化物を触媒として使用した場合は転化率及
び選択率共に著しく低く、満足されない結果であった。
以外、実施例1と同様にして行なった。この結果、アニ
リンの転化率は59%であり、アゾキシベンゼンへの選
択率は55%であった。即ち、ゼオライト触媒を使用し
ないで金属酸化物を触媒として使用した場合は転化率及
び選択率共に著しく低く、満足されない結果であった。
実施例5
5%過酸化水素水を5g(6,7ミIJモル)としたこ
と以外、実施例1と同様にして行なった。この結果、ア
ニリンの転化率は35%であり、アゾキシベンゼンへの
選択率は87%であった。
と以外、実施例1と同様にして行なった。この結果、ア
ニリンの転化率は35%であり、アゾキシベンゼンへの
選択率は87%であった。
実施例6及び実施例7
溶媒としてメタノールに代わり、実施例6ではアセトニ
ドIJ )ぺ実施例7では水を各10mA使用したこと
以外、実施例5と同様にして行なった。
ドIJ )ぺ実施例7では水を各10mA使用したこと
以外、実施例5と同様にして行なった。
この結果、実施例6ではアニリンの転化率は33%であ
り、アゾキシベンゼンへの選択率は84%であった。実
施例7ではアニリンの転化率は47%であり、アゾキシ
ベンゼンへの選択率は78%であった。
り、アゾキシベンゼンへの選択率は84%であった。実
施例7ではアニリンの転化率は47%であり、アゾキシ
ベンゼンへの選択率は78%であった。
実施例8〜10
アニリンに代わり、実施例8ではp−)ルイジン2.3
g(21,5ミリモル)、実施例9ではp−クロロアニ
リン2.8g(21,5ミリモル)実施例10では4−
アミノ安息香酸エチル3.6 g (21,5ミリモル
)を使用し、また5%過酸化水素を7.5g(11,2
ミ!Jモル)としたこと以外、実施例1と同様にして行
なった。実施例1と同様の方法にて分析した結果、実施
例8では4.4′−ジメチルアゾキシベンゼンが生成し
、p−トルイジンの転化率は42%であり、4.4′−
ジメチルアゾキシベンゼンへの選択率は87%であった
。一方、実施例9では4,4′−ジクロロアゾキシベン
ゼンが生成し、p−クロロアニリンの転化率は40%で
td)、4. 4’−ジクロロアゾキシベンゼンへの選
択率は83%であった。また、°実施例1゜では、4.
4’−ジェトキシカルボニルアゾキシベンゼンが生成し
、4−アミノ安息香酸エチルの転化率は43%であり4
.4′−ジェトキシカルボニルアゾキシベンゼンへの選
択率は85%であった。
g(21,5ミリモル)、実施例9ではp−クロロアニ
リン2.8g(21,5ミリモル)実施例10では4−
アミノ安息香酸エチル3.6 g (21,5ミリモル
)を使用し、また5%過酸化水素を7.5g(11,2
ミ!Jモル)としたこと以外、実施例1と同様にして行
なった。実施例1と同様の方法にて分析した結果、実施
例8では4.4′−ジメチルアゾキシベンゼンが生成し
、p−トルイジンの転化率は42%であり、4.4′−
ジメチルアゾキシベンゼンへの選択率は87%であった
。一方、実施例9では4,4′−ジクロロアゾキシベン
ゼンが生成し、p−クロロアニリンの転化率は40%で
td)、4. 4’−ジクロロアゾキシベンゼンへの選
択率は83%であった。また、°実施例1゜では、4.
4’−ジェトキシカルボニルアゾキシベンゼンが生成し
、4−アミノ安息香酸エチルの転化率は43%であり4
.4′−ジェトキシカルボニルアゾキシベンゼンへの選
択率は85%であった。
実施例11
アニリンに代わり、p−アミノベンゾニトリル2.4g
(20ミリモル)を使用し、反応温度を50℃とした以
外実施例1と同様にして行なった実施例1と同様の方法
にて分析した結果、4.4′−ジシアノアゾキシベンゼ
ンが生成し、p−アミノベンゾニトリルの転化率は38
%であり4.4′−ジシアノアゾキシベンゼンへの選択
率は87%であった。
(20ミリモル)を使用し、反応温度を50℃とした以
外実施例1と同様にして行なった実施例1と同様の方法
にて分析した結果、4.4′−ジシアノアゾキシベンゼ
ンが生成し、p−アミノベンゾニトリルの転化率は38
%であり4.4′−ジシアノアゾキシベンゼンへの選択
率は87%であった。
比較例3
触媒としてHzSM−5(アルミナに対するシリカのモ
ル比50)1.0gを使用したこと以外、実施例1と同
様にして反応を行なった。この結果、アニリンの転化率
は51%であり、アゾキシベンゼンへの選択率は53%
であった。
ル比50)1.0gを使用したこと以外、実施例1と同
様にして反応を行なった。この結果、アニリンの転化率
は51%であり、アゾキシベンゼンへの選択率は53%
であった。
比較例4
酸化剤として73.6重量%のt−ブチルハイドロパー
オキシド2.5g(20,6ミリモル)を用いた以外、
実施例1と同様にして反応を行なった。
オキシド2.5g(20,6ミリモル)を用いた以外、
実施例1と同様にして反応を行なった。
この結果、アニリンの転化率は17%であり、アゾキシ
ベンゼンへの選択率は12%であった。
ベンゼンへの選択率は12%であった。
Claims (2)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3、R^4及びR^5は
それぞれ水素原子、アルキル基またはアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、ニトリル基又はアルコキシカルボニル基を
示す) で示される芳香族アミン化合物をメタロシリケートの存
在下、過酸化水素と反応させることによる下記一般式(
II)で示されるアゾキシベンゼン化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3、R^4及びR^5は
それぞれ水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトリル基又はアルコキシ
カルボニル基を示す) - (2)メタロシリケートがチタノシリケート、ジルコノ
シリケート、チタノジルコノシリケート、チタノアルミ
ノシリケート、ジルコノアルミノシリケート又はチタノ
ジルコノアルミノシリケートである請求項1記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11802989A JPH02300158A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | アゾキシベンゼン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11802989A JPH02300158A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | アゾキシベンゼン化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02300158A true JPH02300158A (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=14726296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11802989A Pending JPH02300158A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | アゾキシベンゼン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02300158A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105085329A (zh) * | 2014-05-04 | 2015-11-25 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种芳香胺氧化制备芳香氧化偶氮苯的方法 |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11802989A patent/JPH02300158A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105085329A (zh) * | 2014-05-04 | 2015-11-25 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种芳香胺氧化制备芳香氧化偶氮苯的方法 |
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