JPH02297946A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH02297946A JPH02297946A JP11811189A JP11811189A JPH02297946A JP H02297946 A JPH02297946 A JP H02297946A JP 11811189 A JP11811189 A JP 11811189A JP 11811189 A JP11811189 A JP 11811189A JP H02297946 A JPH02297946 A JP H02297946A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置を樹脂を用いてトランスファ成形法
における封止技術に関する。
における封止技術に関する。
半導体装置を樹脂を用いて封止するには、粉末成形材料
若しくは固形成形材料を金型内で溶融流動させ封止する
がこの時の金型は一般的には第３図（ａ）及び第３図（
ｂ）に示すようにパッケー・ジの成形部分にトランスフ
ァで圧力を掛けられた成形材料が流れ込む、順序はラン
ナ一部３、を通り樹脂流入口２へ、次に成形部１へ、こ
の時の流入「口」樹脂流入口は一ケ所である。
若しくは固形成形材料を金型内で溶融流動させ封止する
がこの時の金型は一般的には第３図（ａ）及び第３図（
ｂ）に示すようにパッケー・ジの成形部分にトランスフ
ァで圧力を掛けられた成形材料が流れ込む、順序はラン
ナ一部３、を通り樹脂流入口２へ、次に成形部１へ、こ
の時の流入「口」樹脂流入口は一ケ所である。
最近のパッケージは多ピン化成るいは超多ピン化、大形
化が進んで来ているがこれ以上に端子数に増加に対する
要求が高まって来ており３００ビンを超えるものも出し
きている。当然ながら多ピン化に伴ってパッケージ封止
形状も大形となってきている。この様な要求は今後ます
ます高まって行くと考えられるが、この様な多ピン、大
形の半導体装置を樹脂で封止する場合に問題となるのは
次の点である。
化が進んで来ているがこれ以上に端子数に増加に対する
要求が高まって来ており３００ビンを超えるものも出し
きている。当然ながら多ピン化に伴ってパッケージ封止
形状も大形となってきている。この様な要求は今後ます
ます高まって行くと考えられるが、この様な多ピン、大
形の半導体装置を樹脂で封止する場合に問題となるのは
次の点である。
多ピン化に伴いシリコン素子のバットピッチは極力小と
しなければならない。何故ならば技術的にも経済的にも
シリコン素子を際限なく大きくはできない。又リードフ
レームも当然ながらリードピッチを極力小さくすること
とリード中を小さくしなければ多ピン対応のリードフレ
ームはできないが一応の限度が生じてくる。この様にリ
ードフレームの制約が生じて来る為にシリコン素子のバ
ットとリードフレームのインナーリード部間に張るワイ
ヤーを長くせざるを得ない。この様な半導体装置を樹脂
で封止するには、第２図に示すリードフレームのインナ
ーリード部８、シリコン素子６、アイランド７、ワイヤ
ー５の変形及び移動か生じ封止そのものが非常に困難で
ある。
しなければならない。何故ならば技術的にも経済的にも
シリコン素子を際限なく大きくはできない。又リードフ
レームも当然ながらリードピッチを極力小さくすること
とリード中を小さくしなければ多ピン対応のリードフレ
ームはできないが一応の限度が生じてくる。この様にリ
ードフレームの制約が生じて来る為にシリコン素子のバ
ットとリードフレームのインナーリード部間に張るワイ
ヤーを長くせざるを得ない。この様な半導体装置を樹脂
で封止するには、第２図に示すリードフレームのインナ
ーリード部８、シリコン素子６、アイランド７、ワイヤ
ー５の変形及び移動か生じ封止そのものが非常に困難で
ある。
本発明は上記の課題を解決すべくなされたもので半導体
装置を樹脂で封止する際の金型の成形部分に成形材料が
流れ込む「口」樹脂流入「口」を複数にする事により品
質上問題なく多ビンのパッケージ及び大形化のパッケー
ジの封止が可能となり高密度の半導体装置の組立てを容
易にする事を目的とするものである。
装置を樹脂で封止する際の金型の成形部分に成形材料が
流れ込む「口」樹脂流入「口」を複数にする事により品
質上問題なく多ビンのパッケージ及び大形化のパッケー
ジの封止が可能となり高密度の半導体装置の組立てを容
易にする事を目的とするものである。
本発明にかかる半導体装置の封止の方法は、半導体装置
を樹脂で封止する際に成形する部分の金型に成形材料が
流れ込む「口」樹脂流入口を複数以上にする事により金
型成形部内での成形材料の流れのバランスが取れ、リー
ドフレームのインナーリード部、シリコン素子、アイラ
ンド、ワイヤー、の変形及び移動がなく封止され、封止
が要因での特性に関係なくシリコン素子本来の特性を引
き出す事ができるのが特徴である。
を樹脂で封止する際に成形する部分の金型に成形材料が
流れ込む「口」樹脂流入口を複数以上にする事により金
型成形部内での成形材料の流れのバランスが取れ、リー
ドフレームのインナーリード部、シリコン素子、アイラ
ンド、ワイヤー、の変形及び移動がなく封止され、封止
が要因での特性に関係なくシリコン素子本来の特性を引
き出す事ができるのが特徴である。
成形金型下形平面図第１図（ａ）第１図のＡ−Ａ′断面
図である第１図（ｂ）及び第２図は本発明の実施例の成
型金型の断面模式図である。パッケージ成形部である第
１図（ａ）１、第１図（ｂ）１、第２図１に粉末成形材
料若しくは固形成形材料が金型内で溶融され圧力により
流れ込む「口」樹脂流入口、第１図（ａ）２、第１図（
ｂ）２、第２図（２）、を四方向に設ける。又成形材料
が溶融し樹脂流入口第１図（ａ）１、第１図（ｂ）１、
第２図１、から成形部第１図（ａ）、第１図（ｂ）１、
第２図１に流れ込む、ランナ一部第１図（ａ）３、第１
図（ｂ）３、を成形部第１図（ａ）１、第１図（ｂ）１
、を挟み込むように設ける。この様な状態で粉末成形材
料若しくは固形成形材料を金型内で圧力を掛は溶融流動
させ成形することにより成形材料が成形部第１図（ａ）
１、第１図（ｂ）１、第２図１に流れ込む際のバランス
が最適となる。第２図は成形部の断面である成形材料が
四方向の樹脂流入口第１図（ａ）２、第１図（ｂ）２、
及び第２図２、から成形部第１図（ａ）１、第１図（ｂ
）１、第２図１へ流れ込む。
図である第１図（ｂ）及び第２図は本発明の実施例の成
型金型の断面模式図である。パッケージ成形部である第
１図（ａ）１、第１図（ｂ）１、第２図１に粉末成形材
料若しくは固形成形材料が金型内で溶融され圧力により
流れ込む「口」樹脂流入口、第１図（ａ）２、第１図（
ｂ）２、第２図（２）、を四方向に設ける。又成形材料
が溶融し樹脂流入口第１図（ａ）１、第１図（ｂ）１、
第２図１、から成形部第１図（ａ）、第１図（ｂ）１、
第２図１に流れ込む、ランナ一部第１図（ａ）３、第１
図（ｂ）３、を成形部第１図（ａ）１、第１図（ｂ）１
、を挟み込むように設ける。この様な状態で粉末成形材
料若しくは固形成形材料を金型内で圧力を掛は溶融流動
させ成形することにより成形材料が成形部第１図（ａ）
１、第１図（ｂ）１、第２図１に流れ込む際のバランス
が最適となる。第２図は成形部の断面である成形材料が
四方向の樹脂流入口第１図（ａ）２、第１図（ｂ）２、
及び第２図２、から成形部第１図（ａ）１、第１図（ｂ
）１、第２図１へ流れ込む。
以上の説明で明らかな様に本発明は半導体装置を樹脂で
封止する際に金型の成形部分に成形材料が流れ込む「口
」樹脂流入口を複数以上設けたことにより溶融流動する
成形材料がバランス良く成形部に流れ込み一般的に封止
時に見られるインナーリード部、アイランド部、シリコ
ン素子部、シリコン素子とインナーリードを結ばれたワ
イヤーの移動及び変形がなく又成形材料の流れ込み不足
や成形材料が成形部へ流れ込む際見られる空気を巻き込
んで発生する気泡の発生が押えられるために多ピンの半
導体装置、大形の半導体装置の封止が容易に行なえると
いう効果を有する。
封止する際に金型の成形部分に成形材料が流れ込む「口
」樹脂流入口を複数以上設けたことにより溶融流動する
成形材料がバランス良く成形部に流れ込み一般的に封止
時に見られるインナーリード部、アイランド部、シリコ
ン素子部、シリコン素子とインナーリードを結ばれたワ
イヤーの移動及び変形がなく又成形材料の流れ込み不足
や成形材料が成形部へ流れ込む際見られる空気を巻き込
んで発生する気泡の発生が押えられるために多ピンの半
導体装置、大形の半導体装置の封止が容易に行なえると
いう効果を有する。
第１図（ａ）は本発明の実施例のトランスファ金型の下
型の部分変面図。第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ、−
Ａ’断面図。第２図は本発明の樹脂流入時の金型上下型
が合された状態の部分断面図。 第３図（ａ）は従来のトランスファ金型技術の金型上下
型が合わされた状態の部分断面図。第３図（ｂ）は従来
トランスファ金型技術の部分平面図。 第３図（ｃ）は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図。 １・・・金型成形部 ２・・・樹脂流入口 ３・◆・金型ランナ一部 ４・・・アウターリード部 ５・・・ボンディングワイヤー ６・・拳シリコン素子 ７・・・アイランド ８・・・インナーリード部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）１
品） ′ 午勃′フーサ 第１ｒｌｌＪ ／伎避し錦第 ２、 Ｊ箱ｌｌ針丸へ０ 中 アリクーリート′ 杏Ｐ 第２図 β′ 。し （Ｃ）第
３図
型の部分変面図。第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ、−
Ａ’断面図。第２図は本発明の樹脂流入時の金型上下型
が合された状態の部分断面図。 第３図（ａ）は従来のトランスファ金型技術の金型上下
型が合わされた状態の部分断面図。第３図（ｂ）は従来
トランスファ金型技術の部分平面図。 第３図（ｃ）は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図。 １・・・金型成形部 ２・・・樹脂流入口 ３・◆・金型ランナ一部 ４・・・アウターリード部 ５・・・ボンディングワイヤー ６・・拳シリコン素子 ７・・・アイランド ８・・・インナーリード部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）１
品） ′ 午勃′フーサ 第１ｒｌｌＪ ／伎避し錦第 ２、 Ｊ箱ｌｌ針丸へ０ 中 アリクーリート′ 杏Ｐ 第２図 β′ 。し （Ｃ）第
３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置を樹脂で封止する方法として粉末成形材料
又は固形成形材料を溶融流動させて金型内で封止するト
ランスファ成形法において、 前記粉末成形材料又は固形成形材料を金型内で溶融圧流
させ金型成形部へ流れ込む樹脂流入口をすくなくても２
ケ所以上設けた事を特徴とした半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11811189A JPH02297946A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11811189A JPH02297946A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297946A true JPH02297946A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14728299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11811189A Pending JPH02297946A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02297946A (ja) |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11811189A patent/JPH02297946A/ja active Pending
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