JP3367870B2 - 半導体装置樹脂封止金型及び半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置樹脂封止
金型及びその封止方法に係り、特に半導体装置の樹脂封
止工程において使用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の樹脂封止工程は、通
常大気圧下で行われ作業性に優れているが、樹脂封止用
金型の残留ガス又は溶融した樹脂から発生するガスがモ
ールド材の中に気泡となって取り込まれ、不良発生の原
因となっていた。

【０００３】図６に従来の半導体装置樹脂封止金型の断
面を模式的に示す。金型は一対の上型２７と下型２９か
ら構成され、その対向する当接面を閉じることにより内
部にキャビティー３４が形成される。

【０００４】あらかじめ半導体チップがダイボンド、ワ
イヤボンドされたリードフレームを用意し、金型が開い
た状態でリードフレームを上下の金型２７、２９の間に
置き、半導体チップがキャビティーの中央部にくるよう
に配置する。このようにして前記上下の金型を前記リー
ドフレームを挟んで閉じれば、リードフレームで支持さ
れた半導体チップがキャビティー３３の中央部に固定さ
れる。

【０００５】その後、樹脂タブレット３２を昇温溶融
し、下型２９に設けたプランジャー３１を用いて溶融し
た樹脂を、３３から前記キャビティー３４に流入成型す
れば、半導体チップの外周を隙間なく樹脂モールドする
ことができる。しかし前述のように流入する樹脂に気泡
が混入することがあり、信頼性の低下を招くという問題
があった。

【０００６】図７を用いて、大気圧で使用する従来の半
導体装置樹脂封止金型の構造をさらに詳細に説明する。
図７の左右に、従来の金型の異なる奥行きにおける断面
構造が示されている。

【０００７】図７に示す従来の上型は、キャビティーブ
ロック１、キャビティーホルダー２、エジェクタホルダ
ー３、エジェクタープレート４、締結ボルト７、押し下
げピン８、サポートピン１０から構成される。キャビテ
ィーブロックには溶融した樹脂を溜める３３、エジェク
ターホルダー３はキャビティー中で成型された樹脂を離
型するためのエジェターピン３６を備えている。なおキ
ャビティーブロックにはキャビティーとリードフレーム
との位置合わせを行うリードピンの受け穴３９が形成さ
れる。

【０００８】下型はキャビティーブロック１１、キャビ
ティーホルダー１２、エジェクタホルダー１３、エジェ
クタープレート１４、締結ボルト１７、押し上げピン１
８、サポートピン２０から構成される。キャビティーブ
ロックにはキャビティー３４、エジェクターホルダー１
３はキャビティー中で成型された樹脂を離型するための
エジェターピン３７を備えている。なおキャビティーブ
ロックにはキャビティーとリードフレームとの位置合わ
せを行うリードピン３８が形成される。３１は溶融した
樹脂を押し出すプランジャー機構である。

【０００９】図７では、キャビティーが下型キャビティ
ーブロックに形成される例を示したが、図６でのべたよ
うに、キャビティーを上下のキャビティーブロックに形
成するのが一般的である。

【００１０】エジェクターピン３６、３７は、押し下げ
ピン８と押し上げピン１８とを用いて上型の２と３、及
び下型の１２と１３との間を密着させることにより、モ
ールド材の成型面に押し出され、これを離型させる。な
お樹脂封止に先立ちダイクリーナを用いて残留した樹脂
や微細な塵埃等が除去される。

【００１１】このような従来の金型において、成形中に
樹脂の流れる面を減圧環境にできる金型の構造が提案さ
れている。樹脂封止を行う前に、上下金型の間の大気や
樹脂中に含まれるガスを十分脱気しておけば、成型品の
内部に気泡が含まれる問題を回避することができる。

【００１２】減圧仕様の金型であって、金型の当接面に
Ｏリング４０を配置した例を図８に示す。また、図９に
上下の金型が互いにはまり合う構造で、その摺動面にＯ
リング４１を配置した例が示されている。その他の部分
は図７に説明した金型と同様であるため説明を省略す
る。

【００１３】図８、図９に示す従来の半導体樹脂封止用
金型の例では、Ｏリング等のシールが上下金型の間に加
えられる圧力で強制的に潰されて、上下金型の当接面が
接触する強制シール方式を採用している。

【００１４】Ｏリングは従来からシール材として多く用
いられているが、一般に圧縮させて使用するものであ
り、図８の場合には型締めの方向にＯリング４０を圧縮
するための力が必要になる。すなわち型締め機構として
より強力なサーボモータを必要とし、金型の当接面にＯ
リング４０を設けるためのスペースが必要となる。

【００１５】一方、排気速度を考えれば、上下の金型が
完全に当接する前に金型の当接面間に若干のギャップを
設けて内部を脱気することが望ましいが、Ｏリング４０
を圧縮する上記の構造では、このような微妙なギャップ
の設定が困難である。

【００１６】図９に示す場合には、図８のようにＯリン
グ４０への直接の圧縮力に対して、側面におけるＯリン
グ４１での滑り抵抗を考慮すれば良いので上記の問題は
緩和されるが、スペース的には図９よりも大きなシール
エリアを必要とする。また、図７に示すようなチェイス
金型（上型と下型とを一括してチェイス金型と呼ぶ）交
換方式の金型では、図９のような滑り型のＯリング４１
を備えた構造とすることが困難である。

【００１７】なお半導体装置の樹脂封止工程において、
封止工程の前にダイクリーナを用いて樹脂の残渣や塵埃
を除去することが重要であるが、図９の滑り型のＯリン
グ４１を備えた構造では、一般的なダイクリーナを使用
することができない欠点がある。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の減圧仕様の半導体装置樹脂封止金型及びその封止方法
において、金型の当接面にＯリングを配置した構造で
は、Ｏリング配置のためのスペースを必要とすること、
Ｏリングを押し潰す強力なサーボモータを必要とするこ
と、さらに減圧速度を高めるためには当接面間の微妙な
ギャップの調整が必要となること等多くの問題点があっ
た。

【００１９】また金型の側面にＯリングを配置する構造
では、大きなシールエリヤを必要とし、さらに一般的な
ダイクリーナを使用することができないため樹脂封止前
に樹脂の残渣や塵埃等の除去を十分に行うことが困難に
なるという問題があった。

【００２０】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、上下金型の一方の外周、又は前記上下金型を
保持する上下ダイセットの一方の外周にシールを設ける
ことにより、上記の問題点を解決することができる減圧
仕様の半導体装置樹脂封止金型とその封止方法を提供す
ることを目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置樹脂
封止金型は、上下金型のいずれか一方の当接面の外周に
シールが形成された半導体樹脂封止金型であって、前記
シールは、前記上下金型の当接面が接触する前に、前記
シールの先端部の内面が他方の当接面の外周に接触する
ように形成され、かつ前記シールと前記上下金型の当接
面とで形成される空間に連結された排気用の開口部を備
え、前記シールは、前記空間に連結された排気用の開口
部から排気することにより自己シール性を示すものであ
ることを特徴とする。

【００２２】また本発明の半導体装置樹脂封止金型は、
上下ダイセットのいずれか一方の外周にシールが形成さ
れた半導体樹脂封止金型であって、前記シールは、前記
上下ダイセットによりそれぞれ保持された上下金型の当
接面が接触する前に、前記シールの先端部の内面が他方
のダイセットの外周に接触するように形成され、かつ前
記シールと前記上下金型の当接面とで形成される空間に
連結された排気用の開口部を備え、前記シールは、前記
空間に連結された排気用の開口部から排気することによ
り自己シール性を示すものであることを特徴とする。

【００２３】前記シールは前記空間に連結された排気用
の開口部から排気することにより自己シール性を示すも
のであることを特徴とする。好ましくは前記シールの先
端部の内面が接触する前記他方の当接面の外周は、上下
金型の合わせ方向に沿って前記シールの先端部が広がる
ようにテーパー角が付与されたものであることを特徴と
する。

【００２４】また他方の当接面の外周には、前記他方の
当接面の周辺部を囲むように突起物が形成され、前記シ
ールの先端部の内面は前記突起物の外周に接触するよう
にすることを特徴とする。

【００２５】好ましくは前記シールと前記上下金型の当
接面とで形成される空間における前記当接面の間隔は、
０．１ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であることを特徴とす
る。このようにすれば、高い排気効率を維持しつつ排気
の際のシール変形を最小限に抑制し、かつ前記シールの
摺動性と自己シール性を十分に発揮させることができ
る。

【００２６】本発明の半導体装置樹脂封止金型の封止方
法は、上下金型のいずれか一方の当接面の外周にシール
を備え、上下金型の当接面を互いに近接し、前記上下金
型の当接面を互いに接触する前に、前記上下金型のいず
れか一方の当接面の外周に配置されたシールの先端部を
他方の金型の外周に接触し、かつ、接触した状態でシー
ルと上下金型の当接面とで囲まれた空間を排気すること
により、さらにシールを自己シールする工程と、この自
己シールされた上下金型の当接面を互いに接触した後
に、封止用樹脂を流入する工程とを備えたことを特徴と
する。

【００２７】また本発明の半導体装置樹脂封止金型の封
止方法は、上下金型をそれぞれ保持する上下ダイセット
のいずれか一方の外周にシールを備え、上下金型の当接
面が互いに接触する前に、上下金型をそれぞれ保持する
上下ダイセットのいずれか一方の外周に配置されたシー
ルの先端部を他方のダイセットの外周に接触し、かつ、
接触した状態でシールと、シールと上下ダイセットの当
接面及び上下金型の当接面とで囲まれた空間を排気する
ことにより、さらに前記シールを自己シールする工程
と、この自己シールにより減圧環境にされた上下金型の
当接面を互いに接触した後、封止用樹脂を流入する工程
とを備えたことを特徴とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１乃至図３は、本発明の
第１の実施の形態に係る半導体装置樹脂封止金型（以下
単に金型と略称する）の構造と、これを用いた封止方法
を示す断面図である。図１乃至図３は、従来の金型の説
明で使用した図７と同一方向から見たときの本発明の金
型の断面を示している。

【００２９】本発明の金型は減圧環境で使用される。本
発明の趣旨は減圧環境下で樹脂封止を行うための金型の
構造とその封止方法を示すことにあるため、金型の減圧
構造とは直接関連しないキャビティ、プランジャー等を
含まない部分の断面を示している。

【００３０】図１に示す金型は上型と下型とからなり、
前記上型は樹脂を流入するキャビティーを備えたキャビ
ティーブロック１、これを保持するキャビティーホルダ
ー２、キャビティー（図示せず）で成形された樹脂を離
型するためのエジェクターピン（図示せず）を支持する
エジェクターホルダー３、これを固定するエジェクター
プレート４からなる。

【００３１】さらに前記上型は本発明の主要部をなすシ
ール５、これを固定するシールホルダー６を備えてい
る。７は締結ボルト、８は側面にＯリング９を備えた押
し下げピンであり、前記エジェクターホルダー３をキャ
ビティホルダー２に密着させることにより、エジェクタ
ーホルダー３に固定されたエジェクターピンをキャビテ
ィー中に突き出し、樹脂モールドされた半導体装置を前
記キャビティーから離型する。押し下げピン８に設けた
Ｏリング９は、シール５と共に金型の減圧環境を保持す
る。１０は前記押し下げ機構をサポートするサポートピ
ンである。

【００３２】前記下型は上型と同様キャビティーブロッ
ク１１、キャビティーホルダー１２、エジェクターホル
ダー１３、エジェクタープレート１４からなる。前記下
型はテーパー角１５を設けたシール受けテーパーブロッ
ク１６を備えている。前記テーパー角は上型と下型を近
接させてシール５の先端部をシール受けに接触させ、さ
らに上型と下型とを当接させる際、前記シール５の先端
部が外側に押し広げられるように形成する。

【００３３】このほか締結ボルト１７、エジェクターピ
ンを押し上げる押し上げピン１８、Ｏリング１９、サポ
ートピン２０を有する。なお前記下型はモールド材のタ
ブレットを溶融してキャビティ中に供給するプランジャ
ー機構を備えているが、これも本発明と直接関連しない
ので図示されていない。図１では上下の金型がまだ閉じ
ていない状態が示されている。

【００３４】本第１の実施の形態の金型は、上型のキャ
ビティーホルダー２の外周にＬ字断面のシール５とこれ
を固定するシールホルダー６を有し、下型のキャビティ
ーホルダー１２の外周にテーパー角１５を備えたシール
受けテーパーブロック１６を有することに特徴がある。

【００３５】シール５は、水平部分と垂直部分を押さえ
金型で押さえて上型のシールホルダー６に固定される。
スカート状に下方に伸びたシール５の先端部分は、その
厚さ方向のたわみに対して十分な剛性と長さを有してい
る。シールホルダー６とシール受けテーパーブロック１
６の４つのコーナには、シール５の構成に無理を生じな
いように適度な大きさの曲率半径を設けている。

【００３６】図２に示すように上下の金型の合わせ面を
近接させれば、Ｌ字型断面シール５の下部先端の内側
が、シール受けテーパーブロック１６の外周のテーパー
面１５と接触し、さらに両者を近接させれば、前記シー
ル５の先端はテーパー面１５と接触を保ちつつこれに沿
って前記シール５の先端を広げながら滑り、シール５の
材料の適度な剛性によりシール５とテーパー面１５との
密着状態が増強される。

【００３７】上下の金型のキャビティーブロック１、１
１の合わせ面の間のギャップとシール５等で構成される
空間２１から、別に設けた排気孔（図示せず）を通じて
内部の空気が排気される。前記空間が減圧されるに従っ
て、薄いＬ字型シール５は外部から大気圧によりさらに
テーパー面１５に押し付けられ、気密性に優れた自己シ
ール性を示すようになる。

【００３８】このように上下の金型の当接面の間に一定
のギャップを設けた状態で、樹脂封止の障害となる金型
内部の脱気を行えば、図８で説明したように当接面にＯ
リング４０を設け、これを押し潰して上下金型の当接面
を密着させた後排気する方法に比べて、排気抵抗が小さ
いために短時間で十分な脱気を行うことができる。

【００３９】排気抵抗を十分小さくするためには、前記
ギャップの大きさは大きい方が望ましいが、これが過大
となれば自己シール性に優れた薄いシール５が大気圧に
より変形し、逆に気密性に問題を生じるようになる。こ
のため、実用上最適なギャップの大きさは約１ｍｍであ
る。シール５の材質と形状を選択すれば、ギャツプの大
きさを２０ｍｍ程度まで拡大することができる。

【００４０】排気抵抗の小さい空間２１を通じて金型内
部の十分な脱気を行った後、図３に示すように、上下の
金型のキャビティーブロック１、１１の合わせ面を当接
させ、プランジャー（図示せず）を用いて封止用樹脂を
キャビティーブロックに設けたキヤビティ（図示せず）
に流入し、半導体装置チップを樹脂封止する。

【００４１】半導体チップは薄いリードフレームにダイ
ボンド、ワイヤボンドされ、キャビティブロック１、１
１は、前記リードフレーム（図示せず）を挟んで合わせ
面が当接されるので、当接状態での前記ギャップの最小
値は、リードフレームの厚さ０．１ｍｍ程度となる。

【００４２】このように、上下のキャビティブロック
１、１１をリードフレームを介して密着させた後に排気
すれば、排気速度はＯリング等を用いた従来法と同程度
まで低下するが、本発明のシール５を具備する金型は、
このような従来同様の封止方法に対応するギャップの値
に達するまで使用することができる。

【００４３】したがって、本発明が従来法に比べて優れ
た高速脱気の性能を発揮するギャップの値は０．１ｍｍ
以上、２０ｍｍ以下の範囲内である。なお、図１乃至図
３においてシール５は上型に備えられ、下型にシールと
接触するテーパー部を配置したが、このような配置は金
型のダイクリーニングの便を考慮して定めたものであ
る。ダイクリーニングの方法を変更すればシール５を下
型に設け、シール受けテーパーブロック１６を上型に設
けることも可能である。

【００４４】次に図４に基づき本発明の第２の実施の形
態について説明する。図４は、本発明の第２の実施の形
態に係る金型の断面構造を示す図である。前記第１の実
施の形態とは逆に、上型にシール受けブロック２３を設
け下型にシール２４を設ける構造に設計されている。図
４は第１の実施の形態の図２に対応し、上下の金型が閉
じる前の脱気状態を示している。

【００４５】図４において、下型のシール２４の形状は
全体を薄くしたＬ字構造と異なり、キャビティーホルダ
ー１２に固定した厚いシール材の内周からから薄いシー
ル材が上方に伸びた形状となっている。またシール受け
ブロック２３は、上型のキャビティーホルダー２から突
出し、キャビティーブロック１を取り囲むように形成さ
れ、かつ突出部分にテーパーを設ける代わりに、前記突
出部の外周がシール２４の内周よりもやや小さくなるよ
うに設計した。このように必ずしもシール受けブロック
２３の外周にテーパー角を設けなくても、シール２４の
先端部が十分な長さと弾性を備えていれば、シール材の
自己シール性を用いて気密な構造とし、樹脂封止前の高
速脱気の目的を達することができる。金型内部の十分な
脱気を行った後、上下の金型のキャビティーブロック
１、１１の合わせ面を当接させ、プランジャー（図示せ
ず）により封止用樹脂を前記キャビティーブロック１、
１１に設けたキヤビティ（図示せず）に流入し、半導体
装置のチップを樹脂封止することができる。

【００４６】本第２の実施の形態の金型では、金型内部
の脱気が上下キャビティーブロック１、１１の当接面間
の空間２１のみならず、前記キャビティーブロック１、
１１の両側の空間２２を通じて行われるので、前記第１
の実施の形態に比べて排気抵抗がさらに低減される。図
１乃至図３に対応する参照番号を付したその他の部分の
基本機能は、前記第１の実施の形態とほぼ同様である。

【００４７】次に図５に基づき本発明の第３の実施の形
態について説明する。図５は、第３の実施の形態に係る
金型の断面構造を示す図である。図５は前記第１、第２
の実施の形態の金型の説明で使用した、図１乃至図４と
同一方向から見た本発明の金型の断面構造を示してい
る。

【００４８】本発明の金型は、前記第１、第２の実施の
形態と同様に減圧環境で使用されるが、本第３の実施の
形態においては、シール２６とシール受けの役割を果た
すテーパー面３０とが、上型２７と下型２９を保持する
上型ダイセット２５と下型ダイセット２８の外周にそれ
ぞれ形成される点が異なる。

【００４９】本発明の趣旨は、前記上型及び下型ダイセ
ットの外周にに設けたシール２６とテーパー面３０とを
用いて、減圧環境下で樹脂封止を行うための金型の構造
とその封止方法を示すことにあるため、下型に設けたプ
ランジャ３１とその上の溶融前の樹脂タブレット３２、
溶融した樹脂を溜める３３、及び半導体チップが樹脂モ
ールドされるキャビティー３４については、簡単のた
め、従来の金型の断面構造を概念的に示す図６をそのま
ま用いた。ただし、下型ダイセット２８と下型２９、及
び下型２９とプランジャ３１との間には従来法による真
空シールが施されている。

【００５０】ここに上型、下型の断面構造の詳細は、下
型に設けた真空シールの部分を除き図７に示す減圧機能
のない従来の上型及び下型の構造と同様である。図５で
は上下の金型がまだ閉じていない状態が示されている。

【００５１】上下の金型２７、２９及びこれらを保持す
る上下のダイセット２５、２８及びシール２６等で構成
される空間３５から、別に設けた排気孔（図示せず）を
通じて内部の空気が排気される。前記空間が減圧される
に従って、シール２６の先端は大気圧により、さらにテ
ーパー面３０に押し付けられ、気密性に優れた自己シー
ル性を示すようになる。

【００５２】このように本発明のシール２６とシール受
け３０を上下のダイセットの当接面の周辺に形成する構
造であっても、樹脂封止前の高速脱気の目的を達成する
ことができる。金型内部の十分な脱気を行った後、上下
の金型の合わせ面を当接させ、封止用樹脂タブレット３
２を溶融してプランジャー３１によりキヤビティ３４に
流入し、半導体装置のチップを樹脂封止する。

【００５３】なお本第３の実施の形態において、シール
受けとしてテーパー面３０を用いたが、図４のシール受
けブロック２３に示したように、シール受け部分の外周
をシール２６の内周よりやや小さくなるようにして、シ
ール２６の先端部の弾性により、自己シール性を持たせ
るようにしても良い。

【００５４】なお本発明は上記の実施の形態に限定され
ることはない。例えば第２の実施の形態において、シー
ル受けブロック２３の外周にシール２４の先端部を外側
に広げるようにテーパー角を設ければ、さらに円滑にシ
ール２４の自己シール性を発揮させることができる。こ
の時前記シール受けブロック２３の先端部分のテーパー
角は先端の薄い部分を内側にかしめることによってもほ
ぼ同様な目的を達成することができる。その他本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。

【００５５】

【発明の効果】上述したように本発明の金型によれば、
シールと対向するシール受けとを気密性に優れた自己シ
ール性の接触とすることにより、過大な圧縮力を要する
ことなく樹脂封止前の金型内部の脱気に必要な気密性を
維持することができる。

【００５６】またシールの内周面がシール受けの外周面
に沿って可動な構造となっているので、上型、下型（こ
れらをまとめてチェイス金型と呼ぶ）の当接面が閉じる
前にある量の空間をシールとチェイス金型の間に設けて
脱気の際の排気抵抗を小さくし、脱気速度を高めること
ができる。

【００５７】また、シールとシール受けとをチェイス金
型の周辺、又は上下のダイセットの周辺に設けているの
で、従来の減圧用金型の例に示されるようなスペースを
必要とせず、一般の金型からの移行も比較的簡単に行え
るという特徴がある。

【００５８】なお、チェイス金型においてシールが完結
する第１、第２の実視の形態の金型構造とすれば、吸排
気孔を除いてダイセット側には特殊なシールを設ける必
要がなくなり、そのためチェイス金型の段取り性を損な
うことなく、減圧用の金型を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の型開き状態を示す断面図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の自己シール状態を示す断面図。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の型閉じ状態を示す断面図。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の自己シール状態を示す断面図。

【図５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の自己シール状態を示す断面図。

【図６】従来の半導体樹脂封止金型の型開き状態を模式
的に示す断面図。

【図７】従来の半導体樹脂封止金型の型開き状態を示す
断面図。

【図８】Ｏリングを設けた従来の半導体樹脂封止金型の
型開き状態を示す断面図。

【図９】上下金型の嵌合面にＯリングを設けた従来の半
導体樹脂封止金型の型開き状態を示す断面図。

【符号の説明】

１、１１…キャビティーブロック ２、１２…キャビテイーホルダー ３、１３…エジェクターホルダー ４、１４…エジエクタープレート ５、２４、２６…シール ６…シールホルダー ７、１７…締結ボルト ８、１８…押し下げピンと押し上げピン ９、１９、…Ｏリング １０、２０…サポートピン １５、３０…テーパー面 １６…シール受けテーパーブロック ２１、２２、３５…排気空間 ２３…シール受けブロック ２５、２８…上型ダイセットと下型ダイセット ２７、２９…上型、下型 ３１…プランジャー ３２…樹脂タブレット ３３…溶融樹脂の溜め ３４…キャビティー ３６、３７…エジェクターピン ３８…ガイドピン ３９…ガイドピンの受け穴 ４０、４１…Ｏリング

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 英信 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会 社内 (56)参考文献 特開 平６−310553（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/56 B29C 33/10 B29C 45/02 B29C 45/34 B29L 31:34

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上下金型のいずれか一方の当接面の外周
   にシールが形成された半導体樹脂封止金型であって、 前記シールは、前記上下金型の当接面が接触する前に、
   前記シールの先端部の内面が他方の当接面の外周に接触
   するように形成され、 かつ前記シールと前記上下金型の当接面とで形成される
   空間に連結された排気用の開口部を備え、前記シール
   は、前記空間に連結された排気用の開口部から排気する
   ことにより自己シール性を示すものであることを特徴と
   する半導体装置樹脂封止金型。
2. 【請求項２】 上下ダイセットのいずれか一方の外周に
   シールが形成された半導体樹脂封止金型であって、 前記シールは、前記上下ダイセットによりそれぞれ保持
   された上下金型の当接面が接触する前に、前記シールの
   先端部の内面が他方のダイセットの外周に接触するよう
   に形成され、 かつ前記シールと前記上下金型の当接面とで形成される
   空間に連結された排気用の開口部を備え、前記シール
   は、前記空間に連結された排気用の開口部から排気する
   ことにより自己シール性を示すものであることを特徴と
   する半導体装置樹脂封止金型。
3. 【請求項３】 前記シールの先端部の内面が接触する前
   記他方の当接面の外周は、前記上下金型の合わせ方向に
   沿って前記シールの先端部が広がるようにテーパー角が
   付与されたものであることを特徴とする請求項１記載の
   半導体装置樹脂封止金型。
4. 【請求項４】 前記シールの先端部の内面が接触する前
   記他方のダイセットの外周は、前記上下金型の合わせ方
   向に沿って前記シールの先端部が広がるようにテーパー
   角が付与されたものであることを特徴とする請求項２記
   載の半導体装置樹脂封止金型。
5. 【請求項５】 前記他方の当接面の外周には、前記他方
   の当接面の周辺部を囲むように形成された突起物が形成
   され、前記シールの先端部の内面は前記突起物の外周に
   接触することを特徴とする請求項１記載の半導体装置樹
   脂封止金型。
6. 【請求項６】 前記空間における前記当接面の間隔は、
   ０．１ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であることを特徴とする
   請求項１、２のいずれか１つに記載の半導体装置樹脂封
   止金型。
7. 【請求項７】 上下金型のいずれか一方の当接面の外周
   にシールを備えた半導体樹脂封止金型の封止方法であっ
   て、 前記上下金型の当接面を互いに近接し、 前記上下金型の当接面が互いに接触する前に、前記シー
   ルの先端部を他方の金型の外周に接触し、 かつ、前記接触した状態で前記シールと前記上下金型の
   当接面とで囲まれた空間を排気することにより、さらに
   前記シールを自己シールし、 前記自己シールされた前記上下金型の当接面を互いに接
   触した後に、封止用樹脂を流入することを特徴とする半
   導体装置樹脂封止金型の封止方法。
8. 【請求項８】 上下金型をそれぞれ保持する上下ダイセ
   ットのいずれか一方の外周にシールを備えた半導体樹脂
   封止金型の封止方法であって、 前記上下金型の当接面が互いに接触する前に、前記シー
   ルの先端部を他方のダイセットの外周に接触し、 かつ、前記接触した状態で前記シールと前記上下ダイセ
   ットの当接面及び前記上下金型の当接面とで囲まれた空
   間を排気することにより、さらに前記シールを自己シー
   ルし、 前記自己シールにより減圧環境にされた前記上下金型の
   当接面を互いに接触した後に、封止用樹脂を流入するこ
   とを特徴とする半導体装置樹脂封止金型の封止方法。
9. 【請求項９】 前記空間における前記当接面の間隔は、
   ０．１ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であることを特徴とする
   請求項８、９のいずれか１つに記載の半導体装置樹脂封
   止金型の封止方法。
10. 【請求項１０】 上下金型の当接面を互いに近接し、 前記上下金型の当接面を互いに接触する前に、前記上下
    金型のいずれか一方の当接面の外周に配置されたシール
    の先端部を他方の金型の外周に接触し、 かつ、前記接触した状態で前記シールと前記上下金型の
    当接面とで囲まれた空間を排気することにより、さらに
    前記シールを自己シールする工程と、 前記自己シールされた前記上下金型の当接面を互いに接
    触した後に、封止用樹脂を流入する工程とを備えたこと
    を特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
11. 【請求項１１】上下金型の当接面が互いに接触する前
    に、前記上下金型をそれぞれ保持する上下ダイセットの
    いずれか一方の外周に配置されたシールの先端部を他方
    の前記ダイセットの外周に接触し、 かつ、前記接触した状態で前記シールと前記シールと前
    記上下ダイセットの当接面及び前記上下金型の当接面と
    で囲まれた空間を排気することにより、さらに前記シー
    ルを自己シールする工程と、 前記自己シールにより減圧環境にされた前記上下金型の
    当接面を互いに接触した後に、封止用樹脂を流入する工
    程とを備えたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止方
    法。