JPH02294653A - 電子写真用有機フォトレセプタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 允亙百１遣 １９３８年にＣ．Ｃａｒｌｓｏｎが（ギリシア語で［乾
式複写法（ｄｒｙ　ｗｒｉｔｉｎｇ）Ｊを意味する）ゼ
ログラフィー（Ｘｅｒｏｇｒａｐｈｙ）を発明して以来
、この技術を利用する新たな機器，例えばゼロックスコ
ビー機、レーザープリンター及び光学式プリンターは、
文書を複写する上で安価で便利、且つ敏速なサービスを
提供し、オフィスオートメーシゴンの中で重要な役割を
もつようになった． ゼログラフィー技術の中心は、光に暴露される前には電
気的絶縁性を示すが、暴露後は導電性を示す光字素子で
あるフォトレセブタ（ｐｈｏｔｏｒｅｃｃｐＬｏｒ）に
ある．ゼログラフィ一方法は主に５つのステップ、即ち
（１）充電、（２）光放電、（３）像転送、く４》現像
及び（５）クリーニングから成る９品質の高い印刷像を
得るためには，フ才トレセブタは高い飽和帯電電位、低
い暗伝導性、及び速い光伝導性（即ち高感度）を有する
必要がある。

フォトレセブタは無機性のものと有機性のものとに分類
することができる．生産コス１〜が低く、非毒性であり
、しかも可撓性が高いことから、有機フォトレセプタ（
ＯＰＣ）は無機フ才１−レセプタＣことって代わり、工
業的利用フォ１・レセブタにおいて一躍有名となった． フォトレセブタの横遣は、（１）単層タイプ、（２》機
能的分割ラミネートタイプ、及び（３）１Ｍ細結晶分布
タイプに分類できる．ｖ１能約分割ラミネート層タイプ
は、電荷生成層（ＣＣＬ）と！荷転送層（ＣＴＬ）とを
別々に包含し、それぞれの層に対する材料の選択にとて
も融通がきくので、最も好ましい，　ＣＧし若しくはＣ
ＴＬにおける特性及び要件は、それぞれ独立して希望通
りに調整され得る．この種のフォトレセプタは現存のフ
ォトレセプタのなかでは主流を占める． 機能的分割ラミネートタイプフォトレセプ夕は−ｍ的に
、伝導性支持体、電荷生成層及び電荷転送層から成る．
伝導性支持体と電荷生成層との間に必要によっては障壁
層を挿入してもよい．この種のフォトレセプタを製造す
るには、電荷生成材料及びポリマー結合剤から成る電荷
生成層を伝導性支持体上に塗布し、次いで、′４荷転送
材料及び他のポリマー結合剤から成る電荷転送層を塗布
する． レーザープリンター用の光源のなかでは、ヘリウム若し
くはネオンレーザーは波長６３３ｎ一を有し、半導体レ
ーザー（例えばヒ素アルミニウムガリウムレーザー）は
波長７８０ｎｍ若しくはそれ以上を有ずる．このような
波長をもつ光源は通常「近赤外線」光と分類される．半
導体レーザーは最も小さい横造物にも導入され得るし、
信頼性が高く、高速で作動できるために、！＆ら一最的
に使用されている．半導体レーザーを鑑みれば、半導体
レーザープリンターのＯＰＣに使用される電荷生成材料
は、７８０ｎｍ若しくはそれ以上の波長に対して高い感
度を示さねばならない． 米国特許第４，４２６，４３４号明細書は、近赤外線波
長の範囲内の光に優れた感度を示すＯＰＣを製造するた
めに、伝導性支持体にクロロアルミニウムフタロシアニ
ン若しくはクロロアルミニウムモノクロ口フタ口シアニ
ンを真空蒸着し，溶剤蒸気で処理する、ＯＰＣ製造方法
を開示している．しかしながら該方法は、高価な装置が
！ピ・要であり、しかも非常に長い処理時間を要する真
空蒸着のステップを倉むので，コストは極めて高くなり
、該方法の実施はほとんど実用性がない． 米国特許第３，８２４，０９９号明細書は、スクアリリ
ウムピグメント（ｓｑｕａｒｙｌｉｕｍ　ｐｉｇｍｅｎ
ｔ）が近赤外線範囲の波長に高感度を示すことを開示し
ている．スクアリリウムピグメントは通常、スクアリン
酸（ｓｑｕａｒｉｅ　ａｃｉｄ）　１当量とＮ，Ｎ−ジ
アルキルアニリン誘導体２当量とを共沸溶剤中で反応さ
せる「酸ルー　ト（ａｃｉｄ　ｒｏｕｔｅ）Ｊによって
調製される，合成反応は全く油純で収率も高い．しかし
ながら、この方法によって合成されたスクアリリウムは
、フォトレセブタのための電荷生成材料として使用した
場合に、暗伝導性が高く且つ飽和帯電電位が低い．これ
ら２つの欠点の影響を最小にするためには電荷生成層の
厚みを非常に薄くせねばならないが、かかる厚みでは、
フォトレセブタの入射光を吸収する能力は小さくなって
多量の入射光が反射し、その結果激しい干渉が起こり、
印刷される像若しくは文字の品質及び分解ｌｍは瘉めて
劣ｆヒする．銅フタロシアニンビグメン１・は着色価（
ｃｏｌｏｒａＬｉｏｎ　ｖａｌｕｅ）、耐光性、耐熱性
及び耐桑品性が高く、非毒性でもあって，緑一青ビグメ
ントとして一般に使用されている．このビグメンｌ一は
、８つの結晶形、即ちα−、β〜、ε−、γ一，δ−、
　π一，ρχ−で存在することが公知であるが、α−、
β一及究されているが、感度が低いために、工業的利用
の段階までは至っていない． 免肌Ω１Ｊ！ 以上から本発明の目的は、感度が高く、晴伝導性が低く
、且つ！和帯電電位が高い電荷生成材料を提供すること
である． 本発明の別の目的は、電子写真用のラミネートタイプフ
才トレセプタに使用するための、惑度が高く、暗伝導性
が低く、且つ飽和帯電電位が高い電荷生成材料を提供す
ることである． 本発明の更に別の目的は、本発明の電荷生成材ｔ１でで
きた電荷生成珊を含むラミネートフォトレセブタを提（
共することである． 本発明は広義には、伝導性支持体と、前記伝導性支持体
上に塗布された電荷生成層と、前記電新生成層上に塗布
された電荷転送層とがら成るラミネートタイプフォｌ−
レセブタであって、前記電荷生成層がポリマー結合剤と
、銅フタロシアニンピグメント及びスクアリリウムピグ
メントを特定の相対比で含む混合物を粉砕することによ
って製造される誘導α型電荷生成材料とから成るフォト
レセプタを包含する． 九朋聯」』 結晶楕遣を誘導α型に変換するために、銅フタロシアニ
ンピグメント及びスクアリリウムピグメントを特定の相
対比で含む混合物を粉砕することによってｍ製された誘
導α型結晶楕遣の電荷生成材料でできたフォトレセブタ
は予期せずして、晴伝導性が低く，飽和帯電電位が高く
、且つ近赤外線光に対して高感度を示すことが認知され
た．本発明の個々の素子を詳細に説明する。

「銅フタ口シアニン」とは通常、フタロニｌ・リルを塩
化第一銅と一緒に加熱することで生成できる式Ｃｊ２１
’ｌ，．Ｎ．Ｃｕの明青色ビグメントを指す．このピグ
メントはｒＰｉＨｍｅｎｔ　Ｂｌｕｅ　１５」と指称さ
れることも多い．本発明に使用する銅フタロシアニンピ
グメントは市場から直接購入することができ、更にＭｇ
！する必要がないので利用コス１・を大幅に削減するこ
とができる．前記したように銅フタロシアニンピグメン
トには少なくとも８つの異なる結晶構造があるが、本発
明に好ましい結晶構造はα型及びε型のものである．銅
フタ口シアニンの具体例には、ＢＡＳＦ　Ｃｏ．製のＩ
ｌｅｌｅｉｌｌｅｎ　Ｂｌｕｅ　Ｌ６７００及びＴｏｙ
ｏ　Ｉｎｋ　Ｃｏ．製のＬｉｏｎｏｎ　Ｂｌｕｅ　ＥＳ
がある・スクアリリウムピグメントは通常、米国特許出
願第３．８１７，２７０号、．第３，８２４，０９９号
、第４，１７５，９５６号，第４，４８６，５２０号及
び第４，５０８，８０３号に記載のような酸ルートで調
製される．これは、単純な方法及び装置で実施され得、
反応時間も短く，収串も高い．従ってスクアリリウムピ
グメントは極めて安価であって、容易に入手できる．本
発明に使用する好ましいスクアリリウムピグメントは、
楕遣式（１） Ｏ一 ［式中、Ｘはヒドロキシ、水素若しくはＣ＋−Ｓアルキ
ル、好ましくはヒドロキシ、水素若しくはメチルである
］ で表される． 式（１）のスクアリリウムは、式（Ｉ［）のスクアリン
酸１当量を、式（ＩＩＩ）入 のＮ，Ｎ−ジメチルアニリン誘導ｆ水２当量と共沸溶剤
中で反応させることによって調製できる．共沸溶剤の具
体例はトルアン及びｎ−ブタノールである．本発明の電
荷生成材料を製造するためには、銅フタロシアニンビグ
メンｌ・及びスクアリリウ！、ビグメントを重量比１０
０：３〜１００：３０、好ましくは１００：５〜１００
：２０で混合し、次いで、この混合物を粉砕して「誘導
α型」電荷生成材料に変換する．「誘導α型」電荷生成
材料は、Ｂｒａｇｇ角（２０±０．２度）６．８”，１
５．５゜、２５．３゜，　２６．８’、２７．４”、２
８、７゜、３１、５゜及び３２．８・で強い回折線を生
じるＸ線回折パターンを示す．誘導α型電荷生成材料へ
の変換はＸ線回折分析器によって検出することができる
．本発明に使用される微粉砕機は、例えばボールミル、
サントミル、アトリッター、ロールミル若しくは超微粉
砕機であるが、ステンレススチール粉砕ビーズを備えた
ボールミルが好ましい． 前記したような、電荷生成材料の結合剤として使用し得
るポリマー結合剤には、ポリエステル、ポリビニルブチ
ラール、ポリカーボネート、ボリアミド、酢酸酪酸セル
ロース、フェノール樹脂及びフェノキシ樹脂が含まれる
． 本発明のフォトレセプタの！荷生成層は、前記のように
調製した電荷生成材料とポリマー結合剤とを適当な比で
分散微粉砕機によって混合し、得られた混合物を伝導性
支持体上に塗布し，この塗膜をオーブン中の高温の空気
に゜よって乾燥することで調製される．電荷生成材ｔ１
とポリマー結合剤との重量比は好ましくは３：１〜１：
３である．電荷生成層の乾燥後の厚さは０．１〜１　．
０ｇ／ｒａ２であるのが好ましい．適した分散微粉砕機
には、例えば超微粉砕機、ボールミル及びサンドミルが
含まれる．電荷生成層を塗布するのに適した方法は、例
えばナイフ塗布、吹付け塗り、漬け塗り及びＭｅｙｅｒ
−Ｂａｒ塗布である， フォトレセブタを製造するためには、上記Ｔｆ１荷生成
層を塗布した伝導性支持体に更に電荷転送層を塗布する
必要がある．電荷転送層は、電荷転送材料を別のポリマ
ー結合斉Ｉに溶解し、得られた混合物を電荷生成層上に
塗布し、その塗膜を乾燥することにより製造される．一
辺的に使用される電荷転送材料は、例えば、ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒドーＮ，Ｎ−ジフエニルヒドラ
ゾン、■｝−ジエチルアミノベンズアルデヒドーＮ一α
−ナフチルー旧フェニルヒドラゾンのごときヒドラゾン
化合物２トフエニルー訃（ｐ−ジエチルアミノスチリル
）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ビラゾリンの
ごときとラゾリン化合物、及びビス（４−ジエチルアミ
ノー２メチルフエニル）一フェニルメタンのごとき１−
リアリールメタンである． 電荷転送材料と一緒に使用するのに適したポリマー結合
剤には、例えば、ボリスチレン、スチレンーアクリロニ
トリルコポリマー、アクリル樹脂、スチレンーＭＭ＾コ
ポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、エボキシ
樹脂、フェノール樹脂及びフェノキシ樹脂が含まれる．
電荷転送層を塗布するのに適した方法には、例えば、ナ
イフ塗布、吹付塗り、漬け塗り、Ｍｅｙｅｒ−Ｂａｒ塗
布及び流し塗りがある． 電荷転送材料とそれに関係するポリマー結合剤との重量
比は３：１〜１：３が好ましく、電荷転送層の乾燥後の
厚さは１０〜３０ＩＪＩ１であるのが好ましい．更に好
ましい具体例においては、伝導性支持体から電荷生成層
へ電子が逆に侵入するのを防止するために、伝導性支持
体と電荷生成層との間に障壁層を挿入してもよい．この
ような障壁層に使用するのに適した材料は例えば、ボリ
アミド、ポリビニルアルコール、カゼイン、二ｌ−ロセ
ルロース及びメチルセルロースである。接着層の厚さは
通常０．１〜３．０ｐｍである． 前記したように，本発明は、感度が高く、暗伝導性が低
く、しかも高い飽和帯Ｔ１電位があるフォトレセ１夕を
製造するための、便利で低コストな方法を提供する．従
来は実用化が困難であった２つの電荷生成材料を組み合
わせると、予期せずして、そのいずれの成分も単独では
実現できなかった優れた光伝導特性を発揮する．この結
果は有機光伝導性材料の分野においてめったに見ること
ができない． 本発明のフォトレセブタは、例えばコピー機、レーザー
プリンター、ファクシミリ機、及び電子写真技術を使用
する他の光学式プリンターに幅広い用途が見いだされる
． いかなる操作理論に制約されずとも、本発明の電荷生成
材料は以下のように機能することが理解される．第１図
は、本発明の「誘導α型Ｊ電荷生成材科のＸ線回折グラ
フである．第２図は、通常のα型銅フタ口シアニンのＸ
１１回折グラフである．これら２つのグラフを比較する
と判るように、本発明の誘導α型電荷生成材料の主ピー
クの回折角（２θ）位置はα型鋼フタ口シアニンのそれ
と非常に類似する．しかし、結晶構造はより粗い．この
現象は恐らく，機械的粉砕操作において銅フタ口シアニ
ンの結晶楕遣を変換させるときにスクアリリウムが銅フ
タ口シアニンの結晶構造中に浸透し、このことで結晶構
造が密に配置されるのが妨げられるからである．得られ
た結晶構造が、本発明が暗絶縁、飽和帯電電位及び感度
を向上させる主な要因であると考えられる．更に、かか
る結晶渭遣は、加工には望ましい優れた分散性を提供し
得る．本発明を理解する上での助けとなるように以下に
実施例を与えるが、これらの実施例は本発明の範囲を制
限しないものと解釈されたい．特に記述がない限り、全
ての部及びパーセンテージは重量によるものである。

銅フタ口シアニン５０，と、表ｒに示した種類及び履の
スクアリリウム化合晰とを、粉砕ビーズとしてステンレ
ススチールビーズを使用してボールミル中で４８時間粉
砕した． 表』 諸実施例の誘導α型電荷生成材料 １二本　明のフォＩ〜レセブタの調 スクアリリウム 重量（ｙ） 表■に挙げた組成の障壁層を厚さ０，２ｌのアルミニウ
ムプレ−１・上に浸け塗り法によって塗布し、オーブン
内８０℃の高温空気中で乾燥し、アルミニウム支持体上
に厚さ１．０ｙ／＋ｎ２の障壁層を得た．艮１ 障壁層の組成 成分　　　　　　　　　　　重！（Ｓ）ε型（ＢＡＳＦ
製 Ｈｅｌｅｉｇｅｎ　　Ｂｌｕｅ Ｌ６７００） ５．０ （Ｔｏｒａｙ（日本）製のＣＭ　８０００）α型（ＢＡ
ＳＦ製 ｝１ｅｌｅｉｇｅｎ　　Ｂｌｕｅ １０．０ ２．５ ２．５ メタノール ｎ−ブタノール 表■の電荷生成材料、ポリマー結合剤及び溶剤を混合し
、サンドミルによって約２０分間分散した。

次いで、得られた混合物をｎ壁層に塗布し、オーブン内
８０℃の高温空気中で約３０分間乾燥し、約０．３ｙ／
＋２の電荷生成層を得た．表１ 電荷生成層の成分 成分 重量（ｇ） 電荷生成材科（１） ボリビニルブチラール （Ｓｅｋｉｓｕｉ　Ｃｂｅｍｉｃａｌ（日本）製叶シク
ロヘキサノン ブタノン 上の 厚さ の電荷転送材ｆｌ１０，、スチレン−メチルメタクリレ
ートコポリマー結合剤（Ｓｅｉｔｅｔｓｕ　Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ（日本）製ＭＳ２００）１５ｇ、及びトルエン８
０ｇの混合物を電荷生成層上にＭｅｙｅｒ−Ｂａｒ法に
よって塗布し、オーブン内１００℃の高温空気中で６０
分間屹燥し、厚さ約２０１Ｉｍの！荷転送層を得た． 得られた有機フ才１・レセブタ企、ＫａｗａＨｕｃｈｉ
　Ｅ６ｃｔｒｉｃ（日本）製のＥｌｅｃｔｒｏｓｔａＬ
ｉｃ　Ｐａｐｅｒ＾ｎａｌｙｚｅｒＭｏｄｅｌ　ＥＰ＾
−８１００によってテストした．コロナ充電を−５．０
ｋＶに、コロナ充電速度を５一分にセットした．サンプ
ルの初期表面電位をｖ０として記録し、１０秒間の晴崩
壊（ｄａｒｋ　ｃｆｅｃａｙ）ｆ＆の表面電位をｖ１。

とじて記録した．本発明者らは暗崩壊速度（ＤＤＲ）を
（Ｖｏ−Ｌ。》／ｖ０と定義した．次いでサンプルを強
度５ルックスのタングステン光源に１１８すると、表面
電位が低下し始めた．表面電位がｖ１。の半分に低下す
るまで（半崩１１！暴露》に消費された光エネルギーを
計算してＥＩ７２（ルックス・秒）として記録した゛．
また、光源を波長７８０ｎｍの光源と置き換えて、同じ
過程及び条件を繰り返した．表面電位がｖ１。の半分に
低下するまでに消費された光エネルギーを計算し、Ｅ：
二：（ｕＪ／ｃ＋ｍ２）として記録した。

この結果は、以下の実施例から得られた他のデータとと
もに表■に示す． ■且ユ： 材料（１）に代えて誘導α型電荷生成材料（２）を使用
して、実施例１の方法及び粂件を繰り返した．この結果
は表■に示す通りである． 及旌贋ユ： 材料《１）に代えて誘導α型電荷生成材料（３）を使用
して、実施例１の方法及び条件を繰り返した．この結果
は表■に示す通りである． 及バ遭Ｊ： 材料（１）に代えて誘導α型電荷生成材料（４）を使用
して、実施例１の方法及び条件を繰り返した．この結果
は表■に示す通りである． 衷１１』旦： 材料（１）に代えて誘導α型電荷生成材料（５）を使用
して、実施例１の方法及び条件を緑り返した。

この結果は表■に示す通りである． 火ル勇玉： 材料（１）に代えて誘導α型電荷生成材料（６）な使用
して、実施例１の方法及び条件を繰り返した。

この結果は表■に示す通りである． Ｌ較１』一 誘導α型電荷生成材Ｉ！Ｘ！　（１）に代えてε型銅フ
タ口シアニンを使用して、実施例１の方法及び条件を繰
り返した．この結果は表■の通りて゛ある。

ル五１』」 誘導α型電荷生成材料（１）に代えてα型銅フタ口シア
ニンを使用して、実施例１の方法及び条件を繰り返した
．この結果は表■の通りである．比Ｊ石殊Ｓ」 誘導α型電荷生成材Ｆｌ（１）に代えてヒドロキシスク
アリリウムを使用して、実施１１１の方法及び条件を繰
り返した．、この結果は表■の通りである．ル１Ｕ外ｐ
二 誘導α型電荷生成材料（１）に代えてε型銅フタロシア
ニン及びヒドロキシスクアリリウムを重量比１０：１で
含む混合物を使用して、実施例１の方法及び条件を縁り
返した．この結果は表■の通りである． ル剪』』二 誘導α型電荷生成材料（１）に代えてα型銅フタ口シア
ニン及びヒドロキシスクアリリウムを重量比ｌＯ：１で
含む混合物を使用して、実施例１の方法及び条件を繰り
返した．この結果は表■の通りである． 犬１１１： 電荷転送材料を式 の電荷転送材料に置き換えて実施例ｌの方法及び条件を
繰り返した．この結果は表■の通りである．夫１■３： 電荷転送材料を式 のビロリン系電荷転送材料に置き換えて実施例１の方法
及び条件を縁り返した．この結果は表■の通りである． 大ｌ自Ｉ旦： 電荷転送材料を式 Ｃ２Ｈｓ 表１ の電荷転送材料に置き換えて実施例１の方法及び条件を
繰り返した．この結果は表■の通りである．及１■旦： 電荷転送材料を式 のトリアリールメタン系電荷転送材料に置き換えて実施
例１の方法及び粂件を繰り返した．この結果は表■の通
りである． （ボル｝・）（％》Ｌｕｘ・秒　ｐＪ７ｃｍ”１　　　
　　　　　１０７０　　　　１８　　　　１．５　　　
　　　０．６２　　　　　　　１０３０　　　　１３　
　　　１。５　　　　　０．６３　　　　　　　１０８
０　　　　１９　　　　２．０　　　　　　０．６４　
　　　　　　１０７０　　　　１８　　　　４．５　　
　　　　１．５５　　　　　　　　８７０　　　　２３
　　　　４．５　　　　　　２．４６　　　　　　　　
８２５　　　　３０　　　　１．５　　　　　　０．５
＾　　　　　　１０８０　　　　１８　　　　１２　　
　　　　４．８８　　　　　　　　２８０　　　　７７
　　　　　本　　　　　　才ＣＩ７０５８車亭 ０　　　　　　　　４７０　　　　７９　　　　　庫　
　　　　　　市Ｅ　　　　　　　　２００　　　　８０
　　　　　＊　　　　　　　末７　　　　　　　　９８
０　　　　１９　　　　２．０　　　　　　０．７８　
　　　　　　１０００　　　　２４　　　　１．５　　
　　　　０．５９　　　　　　　　９７０　　　　２１
　　　　３．１　　　　　　１．０１０　　　　　．１
１００　　　　１３　　　　＋．５　　　　　　０．５
率暗崩墳が激しいために値が低過ぎて検出不可能実施例
１〜１０の結果を比較例八〜Ｅの結果と比較すると判る
ように、市場から直接入手可能な銅フタロシアニンピグ
メントと、酸ルートによって便宜的に合成し得るスクア
リリウムとを使用する本発明のフォトレセブタは、飽和
帯電電位が高く暗伝導性が低いのみでなく、可視光線及
び近赤外線光両方に高い感度を示す．２つの通常は有効
でない電荷生成材料を組み合わせるとフォトレセプタの
ための予想外に優れた電荷生成材料を形成し得る． 本発明を限定的な具体例を示して説明したが、本発明の
変更例（そのなかには上記したものもある）は当業者に
は容易に実施され得ることを理解されたい．従って本発
明者らは、添付の特許請求の範囲が本明細書中に記述し
た変更例及び本発明の真の主旨及び範囲にある他の全て
の変更例を包含するものとみなす．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の「誘導α型」電荷生成材料のＸ線回折
グラフであり、第２図は通常のα型銅フタロシアニンの
Ｘ線回折グラフである．

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）伝導性支持体と、前記伝導性支持体上に塗布され
   た電荷生成層と、前記電荷生成層上に塗布された電荷転
   送層とから成るフォトレセプタであって、前記電荷生成
   層がポリマー結合剤と、銅フタロシアニンピグメント及
   びスクアリリウムピグメントを重量比１００：３〜１０
   ０：３０で含む混合物を粉砕することによって調製され
   る誘導α型電荷生成材料とから成るフォトレセプタ。
2. （２）前記銅フタロシアニンピグメントと前記スクアリ
   リウムピグメントとの相対比が１００：５〜１００：２
   ０である請求項１に記載のフォトレセプタ。
3. （３）前記銅フタロシアニンピグメントがα型結晶構造
   若しくはε型結晶構造である請求項１に記載のフォトレ
   セプタ。
4. （４）前記スクアリリウムを式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｘはヒドロキシ、水素若しくはＣ＿１＿−＿５
   アルキルである］ の化合物から選択する請求項１に記載のフォトレセプタ
   。
5. （５）Ｘがヒドロキシ、水素若しくはメチルである請求
   項４に記載のフォトレセプタ。
6. （６）前記ポリマー結合剤を、ポリエステル、ポリビニ
   ルブチラール、ポリカーボネート、ポリアミド、酢酸酪
   酸セルロース、フェノール樹脂及びフェノキシ樹脂から
   選択する請求項１に記載のフォトレセプタ。
7. （７）前記電荷生成材料と前記ポリマー結合剤との重量
   比が１：３〜３：１である請求項１に記載のフオトレセ
   プタ。
8. （８）前記粉砕に使用する微粉砕機を、ボールミル、サ
   ンドミル、アトリッター、ロールミル若しくは超微粉砕
   機かち選択する請求項１に記載のフォトレセプタ。
9. （９）前記微粉機が、ステンレス粉砕ビーズを備えたボ
   ールミルである請求項８に記載のフォトレセプタ。