JPH02294618A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH02294618A JPH02294618A JP11691889A JP11691889A JPH02294618A JP H02294618 A JPH02294618 A JP H02294618A JP 11691889 A JP11691889 A JP 11691889A JP 11691889 A JP11691889 A JP 11691889A JP H02294618 A JPH02294618 A JP H02294618A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
？産業上の刊用分野１
本発明は液晶表示装置の配向処理技術に関する．
［従来の技術］
液晶の配向処理には水平配向及び垂直配向かあり，水手
配向にはラビング法，斜方蒸着法が広く用いられている
．ラビング法は液晶層をはさむ透明Ｘｊ４電繰上にスビ
ン才ングラスＳｉＯ■やポリイミド，あるいはＰＶＡな
との高分子膿を形成し、配向膜としその表面を布などで
一方向にこすることにより配向を得る方法である。斜方
蒸着法はＳｉＯや他のあらゆる蒸着可能な酸化物、フッ
化物あるいはＡｕやＡ１などの金属を液晶層とはさむ透
明導［膜上に基板法線より６０゜から８５゜の角度で蒸
着し配向を得る方法である．次に垂直配向であるが有機
シランなど両親媒性の界面剤の塗布により配向させるも
の、斜方蒸着法でティルト角θ゜をもつように作り，そ
れに有機シラン等の界面剤を塗布し余角（ｌ８０゜−θ
゜）の方向に配向させるものがある． 〔発明が解決しようとする課題］ しかし前述の従来技術は全て液晶層をはさむ透明電極膿
の形成後配向膜を形成し配向処理を付加するものであり
構造が複雑になり製造工程数も多く製造歩留りが低くな
るという問題点を有する．特にラビング法については配
向膜をこすることによりゴミが発生し、また静電気が発
生しアクティブマトリクスパネルの場合スイッチング素
子が破壊されるなど製造歩留りが更に低下しやすいとい
う問題点を有する． そこで本発明はこの問題点を解決するものであって、そ
の目的とするところは配向に関する製造歩留りを向上さ
せることにある． ［課題を解決するための手段１ 液晶層をはさむ透明導電膜を斜方蒸着法により形成し，
配向膜を省略することを特徴としている． ［実施例−１〕 まず透明ガラス基板上にマトリクス状に形成されたＭ
Ｉ Ｍ素子に連結する画素透明電極をＩＴＯの斜方蒸着
により形成した．蒸着角度は基板法線より７５゜で行な
い蒸着膜厚は１ ０００人であった．画素Ｔ４極のバタ
ーニングは通常のボジレジストパターン形成、ウエット
エッチングによって行なった．また，素子基板に対向す
る基板の電極も全く同様にＩＴＯの７５゜斜方蒸着によ
り形成しパターンニングした． 次にこれら両基板をこのまま組み合わせ、液晶注入し、
その光学特性を測定したところ、通常の配向膜形成、ラ
ビングによる光学特性と同様の結果であった．ただしＩ
ＴＯの抵抗は通常蒸着のものより２０％程度高かった．
また液晶プレティルト角の再現性に若干問題があり製造
歩留りも７０％程度であった． ［実施例−２］ 本実施例は実施例一ｌとＩＴＯの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法構造で行なった．本実施例ではまず４
５゜の角度でＩＴＯを蒸着し、次に基板を９０６回転さ
せ更に８５゜の角度で若干量ＩＴＯを蒸着した．トータ
ルＩＴＯＩＩＩ厚は１０００人であった．この時のパネ
ル光学特性は実施例−１と同様であり優れていた。ただ
しＩＴＯの抵抗は通常のＩＴＯ蒸着膜と全く同じで実施
例一Ｉの様な抵抗増大はなかった．また液晶のプレティ
ルト角の安定性，再現性には全く問題がなく，配向に関
する歩留りは１００％であった．これは従来のラビング
法、斜方蒸着法よりも優れている状態であった． ［実施例−３１ 本実施例は実施例−１とＩＴＯの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法、構造で行なった．本実施例では６０
”の角度でＩＴＯを斜方蒸看しながら基板を回転させた
．回転速度は回転角により異なり回転角０゜で回転速度
２Ｏｒｐｍ、９０Ｄで４０ｒｐｍ．１８０′″で２０ｒ
ｐｍ．２７０”で５４ｒｐｍとし，それらの間の角度の
回転速度はなめらかに制御させた．この時のパネル光学
特性は実施例−１、２と同様であり優れていた．ただし
ＩＴＯの抵抗には問題なく液晶プレティルト角の安定性
，再現性も良く，配自製造歩留りは１００％であった．
また実施例−１．２、３では透明導電膜にＩＴＯを用い
ているが酸化スズ，酸化亜鉛等の他の透明導電材料でも
全く同じ効果を有していた． ［発明の効果］ 以上述べた様に液晶層とはさむ透明導電膜を斜方蒸着法
により形成し、配向膜を省略したことによりパネル構造
，配向処理工程が簡略化され，少なくとも配向にかかわ
る製造歩留りは１００％を達成できた．また絶縁破壊し
やすい素子の静電破壊もなくなり，ゴミ等による欠陥も
なくなりトータルの製造歩留りを大幅に上昇させること
ができた． 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
配向にはラビング法，斜方蒸着法が広く用いられている
．ラビング法は液晶層をはさむ透明Ｘｊ４電繰上にスビ
ン才ングラスＳｉＯ■やポリイミド，あるいはＰＶＡな
との高分子膿を形成し、配向膜としその表面を布などで
一方向にこすることにより配向を得る方法である。斜方
蒸着法はＳｉＯや他のあらゆる蒸着可能な酸化物、フッ
化物あるいはＡｕやＡ１などの金属を液晶層とはさむ透
明導［膜上に基板法線より６０゜から８５゜の角度で蒸
着し配向を得る方法である．次に垂直配向であるが有機
シランなど両親媒性の界面剤の塗布により配向させるも
の、斜方蒸着法でティルト角θ゜をもつように作り，そ
れに有機シラン等の界面剤を塗布し余角（ｌ８０゜−θ
゜）の方向に配向させるものがある． 〔発明が解決しようとする課題］ しかし前述の従来技術は全て液晶層をはさむ透明電極膿
の形成後配向膜を形成し配向処理を付加するものであり
構造が複雑になり製造工程数も多く製造歩留りが低くな
るという問題点を有する．特にラビング法については配
向膜をこすることによりゴミが発生し、また静電気が発
生しアクティブマトリクスパネルの場合スイッチング素
子が破壊されるなど製造歩留りが更に低下しやすいとい
う問題点を有する． そこで本発明はこの問題点を解決するものであって、そ
の目的とするところは配向に関する製造歩留りを向上さ
せることにある． ［課題を解決するための手段１ 液晶層をはさむ透明導電膜を斜方蒸着法により形成し，
配向膜を省略することを特徴としている． ［実施例−１〕 まず透明ガラス基板上にマトリクス状に形成されたＭ
Ｉ Ｍ素子に連結する画素透明電極をＩＴＯの斜方蒸着
により形成した．蒸着角度は基板法線より７５゜で行な
い蒸着膜厚は１ ０００人であった．画素Ｔ４極のバタ
ーニングは通常のボジレジストパターン形成、ウエット
エッチングによって行なった．また，素子基板に対向す
る基板の電極も全く同様にＩＴＯの７５゜斜方蒸着によ
り形成しパターンニングした． 次にこれら両基板をこのまま組み合わせ、液晶注入し、
その光学特性を測定したところ、通常の配向膜形成、ラ
ビングによる光学特性と同様の結果であった．ただしＩ
ＴＯの抵抗は通常蒸着のものより２０％程度高かった．
また液晶プレティルト角の再現性に若干問題があり製造
歩留りも７０％程度であった． ［実施例−２］ 本実施例は実施例一ｌとＩＴＯの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法構造で行なった．本実施例ではまず４
５゜の角度でＩＴＯを蒸着し、次に基板を９０６回転さ
せ更に８５゜の角度で若干量ＩＴＯを蒸着した．トータ
ルＩＴＯＩＩＩ厚は１０００人であった．この時のパネ
ル光学特性は実施例−１と同様であり優れていた。ただ
しＩＴＯの抵抗は通常のＩＴＯ蒸着膜と全く同じで実施
例一Ｉの様な抵抗増大はなかった．また液晶のプレティ
ルト角の安定性，再現性には全く問題がなく，配向に関
する歩留りは１００％であった．これは従来のラビング
法、斜方蒸着法よりも優れている状態であった． ［実施例−３１ 本実施例は実施例−１とＩＴＯの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法、構造で行なった．本実施例では６０
”の角度でＩＴＯを斜方蒸看しながら基板を回転させた
．回転速度は回転角により異なり回転角０゜で回転速度
２Ｏｒｐｍ、９０Ｄで４０ｒｐｍ．１８０′″で２０ｒ
ｐｍ．２７０”で５４ｒｐｍとし，それらの間の角度の
回転速度はなめらかに制御させた．この時のパネル光学
特性は実施例−１、２と同様であり優れていた．ただし
ＩＴＯの抵抗には問題なく液晶プレティルト角の安定性
，再現性も良く，配自製造歩留りは１００％であった．
また実施例−１．２、３では透明導電膜にＩＴＯを用い
ているが酸化スズ，酸化亜鉛等の他の透明導電材料でも
全く同じ効果を有していた． ［発明の効果］ 以上述べた様に液晶層とはさむ透明導電膜を斜方蒸着法
により形成し、配向膜を省略したことによりパネル構造
，配向処理工程が簡略化され，少なくとも配向にかかわ
る製造歩留りは１００％を達成できた．また絶縁破壊し
やすい素子の静電破壊もなくなり，ゴミ等による欠陥も
なくなりトータルの製造歩留りを大幅に上昇させること
ができた． 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 液晶層をはさむ透明導電膜を斜方蒸着法により形成し、
配向膜を省略したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11691889A JPH02294618A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11691889A JPH02294618A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294618A true JPH02294618A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14698887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11691889A Pending JPH02294618A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02294618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6912031B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11691889A patent/JPH02294618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6912031B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US7164459B2 (en) | 2002-07-18 | 2007-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a liquid crystal display device having inorganic alignment film made of crystalline conductive film |
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