JPH0611716A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0611716A JPH0611716A JP10144192A JP10144192A JPH0611716A JP H0611716 A JPH0611716 A JP H0611716A JP 10144192 A JP10144192 A JP 10144192A JP 10144192 A JP10144192 A JP 10144192A JP H0611716 A JPH0611716 A JP H0611716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- polyvinylidene fluoride
- film
- oriented films
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶分子配向の均一性に優れた液晶装置。
【構成】 基板上に透明電極、ポリフッ化ビニリデン、
ポリフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体
またはポリフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン
共重合体からなる強誘電体の非線形素子および液晶配向
膜とを少なくとも備え、液晶を保持してなる液晶表示装
置において、液晶配向膜が蒸着重合法によって形成され
たポリイミドであることを特徴とする液晶表示装置。
ポリフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体
またはポリフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン
共重合体からなる強誘電体の非線形素子および液晶配向
膜とを少なくとも備え、液晶を保持してなる液晶表示装
置において、液晶配向膜が蒸着重合法によって形成され
たポリイミドであることを特徴とする液晶表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は直視型、投射型ディスプ
レイとしての液晶表示装置又は同種の装置を用いた光情
報処理装置などのデバイスに関するものである。
レイとしての液晶表示装置又は同種の装置を用いた光情
報処理装置などのデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、大面積型液晶表示装置としては主
にスーパーツイステッドネマティック表示モードを用い
た単純マトリクス型液晶表示装置が用いられていたが、
走査線数が増えるに従い、クロストークが発生し易くな
り、表示品位が低下してしまうという問題点があり、エ
ンジニアリングワークステーションなどの用途には用い
ることが困難であった。これに対し、ポリフッ化ビニリ
デンとトリフルオロエチレンの共重合体の強誘電性を用
いて二端子素子を形成することによりクロストークを防
止したディスプレイが報告されている。このタイプの液
晶表示装置では一般にツイステッドネマティックまたは
スーパーツイステッドネマティックの表示モードが用い
られているが、これらのモードでは基板間に挟持されて
いる液晶分子を一様な方向に配向させるために基板上に
ポリイミド樹脂による配向膜を形成し、布等を用いてラ
ビング処理することが一般的である。
にスーパーツイステッドネマティック表示モードを用い
た単純マトリクス型液晶表示装置が用いられていたが、
走査線数が増えるに従い、クロストークが発生し易くな
り、表示品位が低下してしまうという問題点があり、エ
ンジニアリングワークステーションなどの用途には用い
ることが困難であった。これに対し、ポリフッ化ビニリ
デンとトリフルオロエチレンの共重合体の強誘電性を用
いて二端子素子を形成することによりクロストークを防
止したディスプレイが報告されている。このタイプの液
晶表示装置では一般にツイステッドネマティックまたは
スーパーツイステッドネマティックの表示モードが用い
られているが、これらのモードでは基板間に挟持されて
いる液晶分子を一様な方向に配向させるために基板上に
ポリイミド樹脂による配向膜を形成し、布等を用いてラ
ビング処理することが一般的である。
【０００３】
【発明を解決しようとする課題】ポリフッ化ビニリデン
またはこれの共重合体からなる強誘電体は耐溶剤性に余
り優れておらず、ポリイミド配向膜の形成法として一般
的に用いられているポリイミドワニスをスピンコート法
やオフセット印刷法で基板上に塗布する方法を用いて配
向膜をこれらの強誘電体上に形成した場合、ポリイミド
の溶剤であるｎ−メチルピロリドンやγ−ブチロラクト
ンなどの有機溶剤によって強誘電体の表面が侵され平坦
な配向膜表面が得られなくなり液晶分子を一様な方向に
配向させることが困難であるといった問題点があった。
またはこれの共重合体からなる強誘電体は耐溶剤性に余
り優れておらず、ポリイミド配向膜の形成法として一般
的に用いられているポリイミドワニスをスピンコート法
やオフセット印刷法で基板上に塗布する方法を用いて配
向膜をこれらの強誘電体上に形成した場合、ポリイミド
の溶剤であるｎ−メチルピロリドンやγ−ブチロラクト
ンなどの有機溶剤によって強誘電体の表面が侵され平坦
な配向膜表面が得られなくなり液晶分子を一様な方向に
配向させることが困難であるといった問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、透明電極が
一対の基板上に形成され、ポリフッ化ビニリデン、ポリ
フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体また
はポリフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重
合体からなる強誘電体の非線形素子が一方の透明電極上
に形成され、一対の液晶配向膜が前記金属電極および他
方の透明電極上に形成された後、配向処理され、スペー
サが前記配向膜間に散布され、液晶が前記配向膜間に注
入された後、封止させることからなる液晶表示装置にお
いて、液晶配向膜が蒸着重合法によって形成されたポリ
尿素かつ／またはポリイミドである液晶表示装置を提供
する。
一対の基板上に形成され、ポリフッ化ビニリデン、ポリ
フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体また
はポリフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重
合体からなる強誘電体の非線形素子が一方の透明電極上
に形成され、一対の液晶配向膜が前記金属電極および他
方の透明電極上に形成された後、配向処理され、スペー
サが前記配向膜間に散布され、液晶が前記配向膜間に注
入された後、封止させることからなる液晶表示装置にお
いて、液晶配向膜が蒸着重合法によって形成されたポリ
尿素かつ／またはポリイミドである液晶表示装置を提供
する。
【０００５】基板としては透光性の基板が用いられ、通
常ガラス基板が使われる。基板にはそれぞれＩｎ０3,Ｓ
ｎＯ2,ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）な
どの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電極が形
成される。強誘電体の非線形素子が一方の透明電極上に
形成される。本発明においては、強誘電体の非線形素子
がポリフッ化ビニリデンまたはこれらの共重合体からな
る強誘電体、例えばポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化
ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体またはポリ
フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合体が
利用される。
常ガラス基板が使われる。基板にはそれぞれＩｎ０3,Ｓ
ｎＯ2,ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）な
どの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電極が形
成される。強誘電体の非線形素子が一方の透明電極上に
形成される。本発明においては、強誘電体の非線形素子
がポリフッ化ビニリデンまたはこれらの共重合体からな
る強誘電体、例えばポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化
ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体またはポリ
フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合体が
利用される。
【０００６】ついで、金属電極が前記強誘電体の非線形
素子上に形成される。金属組成物はアルミニウムやスズ
等が好適であり、蒸着法などにより所望の形状にパター
ニングされる。その上に通常、絶縁性膜が形成される
が、これは場合によっては省略できる。絶縁性膜は例え
ば、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3 などの無機系薄膜、
ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有
機系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜が無機系
薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法などによっ
て形成出来る。また、絶縁性膜が有機系薄膜の場合には
有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用い
て、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷
法、ロール塗布法、などで塗布し、所定の硬化条件（加
熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ
（Langumuir-Blodgett）法などで形成することもでき
る。
素子上に形成される。金属組成物はアルミニウムやスズ
等が好適であり、蒸着法などにより所望の形状にパター
ニングされる。その上に通常、絶縁性膜が形成される
が、これは場合によっては省略できる。絶縁性膜は例え
ば、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3 などの無機系薄膜、
ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有
機系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜が無機系
薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法などによっ
て形成出来る。また、絶縁性膜が有機系薄膜の場合には
有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用い
て、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷
法、ロール塗布法、などで塗布し、所定の硬化条件（加
熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ
（Langumuir-Blodgett）法などで形成することもでき
る。
【０００７】絶縁性膜の上には液晶配向膜が形成され
る。ただし、絶縁性膜が省略された場合には前記金属電
極と他方の透明電極の上に直接液晶配向膜が形成され
る。液晶配向膜には無機系の層を用いる場合と有機系の
層を用いる場合とがある。無機系の液晶配向膜を用いる
場合、よく用いられる方法としては酸化ケイ素の斜め蒸
着がある。また、回転蒸着などの方法も用いることもで
きる。有機系の液晶配向膜を用いる場合、ナイロン、ポ
リビニルアルコール、ポリイミド，ポリ尿素等を用いる
ことができ、通常この上をラビングする。このうち、蒸
着重合で得られるポリイミド、ポリ尿素が好適である。
また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させたり、磁場
による配向、スペーサエッジ法による配向なども可能で
ある。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着法、その上を
ラビングする方法も可能である。
る。ただし、絶縁性膜が省略された場合には前記金属電
極と他方の透明電極の上に直接液晶配向膜が形成され
る。液晶配向膜には無機系の層を用いる場合と有機系の
層を用いる場合とがある。無機系の液晶配向膜を用いる
場合、よく用いられる方法としては酸化ケイ素の斜め蒸
着がある。また、回転蒸着などの方法も用いることもで
きる。有機系の液晶配向膜を用いる場合、ナイロン、ポ
リビニルアルコール、ポリイミド，ポリ尿素等を用いる
ことができ、通常この上をラビングする。このうち、蒸
着重合で得られるポリイミド、ポリ尿素が好適である。
また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させたり、磁場
による配向、スペーサエッジ法による配向なども可能で
ある。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着法、その上を
ラビングする方法も可能である。
【０００８】昇華しやすいジアミン成分と昇華し易い芳
香族ジイソシアネート成分との蒸着重合によってポリ尿
素が作製される。ここに、昇華し易い芳香族ジイソシア
ネート成分としては４、４’−ジフェニルメタンジイソ
シアネート、トルエンジイソシアネート、１，３−フェ
ニレンジイソシアネート、１，２−フェニレンジイソシ
アネートなどが挙げられるが、このうち、４、４’−ジ
フェニルメタンジイソシアネートが好適である。
香族ジイソシアネート成分との蒸着重合によってポリ尿
素が作製される。ここに、昇華し易い芳香族ジイソシア
ネート成分としては４、４’−ジフェニルメタンジイソ
シアネート、トルエンジイソシアネート、１，３−フェ
ニレンジイソシアネート、１，２−フェニレンジイソシ
アネートなどが挙げられるが、このうち、４、４’−ジ
フェニルメタンジイソシアネートが好適である。
【０００９】芳香族ジアミン成分としては、１、４−フ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエ−テル、ジア
ミノジフェニルメチレン等が挙げられる。このうち、ジ
アミノジフェニルエ−テルとジアミノジフェニルメチレ
ンが好ましい。同様に昇華しやすいジアミン成分と昇華
し易いテトラカルボン酸成分との蒸着重合によってポリ
イミドも作製される。
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエ−テル、ジア
ミノジフェニルメチレン等が挙げられる。このうち、ジ
アミノジフェニルエ−テルとジアミノジフェニルメチレ
ンが好ましい。同様に昇華しやすいジアミン成分と昇華
し易いテトラカルボン酸成分との蒸着重合によってポリ
イミドも作製される。
【００１０】上記の真空蒸着重合法に使用される縮合重
合の昇華し易いジアミン成分としては、１、４−フェニ
レンジアミン、ジアミノジフェニルエ−テル、ジアミノ
ジフェニルメチレン等があげられる。このうち、ジアミ
ノジフェニルエ−テルとジアミノジフェニルメチレンが
好ましい。また、昇華し易いテトラカルボン酸成分とし
ては、無水ピロメリット酸、１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸類、１，２，３，４−シクロペン
タンテトラカルボン酸類、２，３，５−トリカルボキシ
シクロペンチル酸類、３，５，６−トリカルボキシ−ノ
ルボルナン−２−酢酸類、５−（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフリル）−３−メチル−シクロヘキセンジカル
ボン酸類、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−エ
ン−テトラカルボン酸、１，２，３，４−フランテトラ
カルボン酸類、３，３’，４，４’−パーフルオロイソ
プピリデンテトラカルボン酸類などがある。このうち、
無水ピロメリット酸が好ましい。
合の昇華し易いジアミン成分としては、１、４−フェニ
レンジアミン、ジアミノジフェニルエ−テル、ジアミノ
ジフェニルメチレン等があげられる。このうち、ジアミ
ノジフェニルエ−テルとジアミノジフェニルメチレンが
好ましい。また、昇華し易いテトラカルボン酸成分とし
ては、無水ピロメリット酸、１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸類、１，２，３，４−シクロペン
タンテトラカルボン酸類、２，３，５−トリカルボキシ
シクロペンチル酸類、３，５，６−トリカルボキシ−ノ
ルボルナン−２−酢酸類、５−（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフリル）−３−メチル−シクロヘキセンジカル
ボン酸類、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−エ
ン−テトラカルボン酸、１，２，３，４−フランテトラ
カルボン酸類、３，３’，４，４’−パーフルオロイソ
プピリデンテトラカルボン酸類などがある。このうち、
無水ピロメリット酸が好ましい。
【００１１】上記重合反応を実施する装置は公知のも
の、例えば特開昭61-78463のものが利用できる。この装
置では真空中でポリイミドやポリ尿素の原料モノマーを
蒸発させて電極基板の電極側表面にプレカーサの皮膜を
形成し、そのプレカーサをポリイミドやポリ尿素に重合
することができる。
の、例えば特開昭61-78463のものが利用できる。この装
置では真空中でポリイミドやポリ尿素の原料モノマーを
蒸発させて電極基板の電極側表面にプレカーサの皮膜を
形成し、そのプレカーサをポリイミドやポリ尿素に重合
することができる。
【００１２】ここでポリイミドやポリ尿素の原料モノマ
ーの蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが互い
に、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モノマ
ー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なプレカー
サの皮膜を形成するためで、一般に１×１０-6Ｔｏｒｒ
程度の真空度に設定する。また、グロー放電を併用する
方法によって重合されたポリイミドやポリ尿素は液晶配
向性を示す。これはグロー放電中に発生するイオンや電
子等が電場によってプレカーサの皮膜表面に水平に近い
角度で入射し、これによりラビング処理と同じ効果を生
じ、その状態でポリイミドやポリ尿素に重合されるため
であると考えられる。
ーの蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが互い
に、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モノマ
ー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なプレカー
サの皮膜を形成するためで、一般に１×１０-6Ｔｏｒｒ
程度の真空度に設定する。また、グロー放電を併用する
方法によって重合されたポリイミドやポリ尿素は液晶配
向性を示す。これはグロー放電中に発生するイオンや電
子等が電場によってプレカーサの皮膜表面に水平に近い
角度で入射し、これによりラビング処理と同じ効果を生
じ、その状態でポリイミドやポリ尿素に重合されるため
であると考えられる。
【００１３】さらに重合反応するモノマーを加熱する必
要があるときは、予め保温したモノマーを使用したり、
室温で基板上に堆積させた後その基板を加熱するような
方法が適用されている。既成の真空蒸着重合装置として
は、日本真空技術株式会社製真空蒸着重合装置ＶＥＰ−
１００Ａ型などが利用できる。
要があるときは、予め保温したモノマーを使用したり、
室温で基板上に堆積させた後その基板を加熱するような
方法が適用されている。既成の真空蒸着重合装置として
は、日本真空技術株式会社製真空蒸着重合装置ＶＥＰ−
１００Ａ型などが利用できる。
【００１４】スペーサに使用する樹脂組成物はポリスチ
レン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデン、ナイロン等
が挙げられる。このうち、ポリスチレン、シリカが好適
に利用される。スペーサ形状は基板に固定されないとき
は、できるだけ応力集中が小さい形状が適当であり、
球、円柱や楕円体の形状がよい。基板に固定されて利用
されるときは球、楕円体形状が適当である。
レン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデン、ナイロン等
が挙げられる。このうち、ポリスチレン、シリカが好適
に利用される。スペーサ形状は基板に固定されないとき
は、できるだけ応力集中が小さい形状が適当であり、
球、円柱や楕円体の形状がよい。基板に固定されて利用
されるときは球、楕円体形状が適当である。
【００１５】スペーサの大きさは１〜３０μｍが適用さ
れるが、４〜１５μｍが好適である。スペーサを散布し
た後、紫外線硬化樹脂で周囲をシールし貼り合わせ、液
晶材料が前記配向膜間に注入された後、封止される。ま
た、液晶材料としてはシアノフェニルシクロヘキサン
系、シアノビフェニル系、フッ素系、トラン系などが挙
げられる。
れるが、４〜１５μｍが好適である。スペーサを散布し
た後、紫外線硬化樹脂で周囲をシールし貼り合わせ、液
晶材料が前記配向膜間に注入された後、封止される。ま
た、液晶材料としてはシアノフェニルシクロヘキサン
系、シアノビフェニル系、フッ素系、トラン系などが挙
げられる。
【００１６】
【作用】本発明では蒸着重合法によって配向膜を形成す
るため、配向膜形成時に溶媒を用いず、有機溶剤によっ
て強誘電体の表面が侵される事がなく、平坦な配向膜表
面が得られ、液晶分子の配向均一性に優れたディスプレ
イを得ることができる。
るため、配向膜形成時に溶媒を用いず、有機溶剤によっ
て強誘電体の表面が侵される事がなく、平坦な配向膜表
面が得られ、液晶分子の配向均一性に優れたディスプレ
イを得ることができる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。なお本発明は
以下の物質及び条件に限定されない。
以下の物質及び条件に限定されない。
【００１８】実施例１ ガラス基板上にイソジウム酸化錫（以下ＩＴＯと略す）
による透明導電膜をスパッタリングによって形成し、所
定の形状にパターニングする。次にポリフッ化ビニリデ
ン＝トリフルオロエチレン共重合体をメチルエチルケト
ンの溶液にし、スピンコートによって塗布し、１４５℃
で１時間焼成して強誘電体薄膜を形成するこの強誘電体
膜の膜厚としては２０００Å程度が適当である。また強
誘電体膜としてポリフッ化ビニリデンをポーリング処理
したもの、またはポリフッ化ビニリデン＝テトラフルオ
ロエチレン共重合体を用いることも可能である。
による透明導電膜をスパッタリングによって形成し、所
定の形状にパターニングする。次にポリフッ化ビニリデ
ン＝トリフルオロエチレン共重合体をメチルエチルケト
ンの溶液にし、スピンコートによって塗布し、１４５℃
で１時間焼成して強誘電体薄膜を形成するこの強誘電体
膜の膜厚としては２０００Å程度が適当である。また強
誘電体膜としてポリフッ化ビニリデンをポーリング処理
したもの、またはポリフッ化ビニリデン＝テトラフルオ
ロエチレン共重合体を用いることも可能である。
【００１９】次にこのようにして形成された膜上にアル
ミニウム電極を蒸着し、所定の形状にパターニングす
る。このようにして形成された基板とＩＴＯを所定の形
状にパターニングした基板の上に図１に示した構造を持
つ真空蒸着重合装置を用いてポリイミド配向膜を形成す
る。ここで１は真空槽、２は蓋、３は蒸発皿１、４は蒸
発皿２、５はモノマー１、６はモノマー２、７はヒータ
ー１、８はヒーター２、９はマスク、１０は基板、１１
は基板加熱機構、１２は膜厚モニター、１３は真空ポン
プを示す。ここでは日本真空技術株式会社製ＶＥＰ−１
００Ａ型真空蒸着重合装置を用いた。
ミニウム電極を蒸着し、所定の形状にパターニングす
る。このようにして形成された基板とＩＴＯを所定の形
状にパターニングした基板の上に図１に示した構造を持
つ真空蒸着重合装置を用いてポリイミド配向膜を形成す
る。ここで１は真空槽、２は蓋、３は蒸発皿１、４は蒸
発皿２、５はモノマー１、６はモノマー２、７はヒータ
ー１、８はヒーター２、９はマスク、１０は基板、１１
は基板加熱機構、１２は膜厚モニター、１３は真空ポン
プを示す。ここでは日本真空技術株式会社製ＶＥＰ−１
００Ａ型真空蒸着重合装置を用いた。
【００２０】また強誘電体の薄膜が形成されていない側
の基板上にはスピンコート等の方法によって配向膜を形
成しても良いが、電気特性の点から２枚の基板上の配向
膜は同一の材料であることが好ましいためここでは双方
共に蒸着重合膜を用いた。ここではモノマー１としてピ
ロメリット酸二無水物、モノマー２として４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテルを用い、それぞれ１６０℃と
１４０℃に加熱し、１×１０-4ｔｏｒｒの真空下で６分
間、２５℃に保たれた基板上に蒸着することにより膜厚
８００Åのポリイミド配向膜を得た。
の基板上にはスピンコート等の方法によって配向膜を形
成しても良いが、電気特性の点から２枚の基板上の配向
膜は同一の材料であることが好ましいためここでは双方
共に蒸着重合膜を用いた。ここではモノマー１としてピ
ロメリット酸二無水物、モノマー２として４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテルを用い、それぞれ１６０℃と
１４０℃に加熱し、１×１０-4ｔｏｒｒの真空下で６分
間、２５℃に保たれた基板上に蒸着することにより膜厚
８００Åのポリイミド配向膜を得た。
【００２１】ポリイミド配向膜を作製する材料としては
テトラカルボン酸成分としてピロメリット酸二無水物以
外に１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二
無水物、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−エン
−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロ
ペンタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，４−シク
ロペンタントリカルボキシ酢酸二無水物等を用いること
ができる。
テトラカルボン酸成分としてピロメリット酸二無水物以
外に１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二
無水物、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−エン
−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロ
ペンタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，４−シク
ロペンタントリカルボキシ酢酸二無水物等を用いること
ができる。
【００２２】またジアミン成分としては４，４’−ジア
ミノジフェニルエーテル以外に４，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、ｐ−フェニレンジアミン、２，２−ジア
ミノジフェニル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパンなどを用いることができる。材料系が異な
る場合には蒸着条件や、焼成条件が変化する場合があ
る。
ミノジフェニルエーテル以外に４，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、ｐ−フェニレンジアミン、２，２−ジア
ミノジフェニル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパンなどを用いることができる。材料系が異な
る場合には蒸着条件や、焼成条件が変化する場合があ
る。
【００２３】このようにして作製した膜を２００℃で３
０分間焼成した後、ラビング法によって配向処理を行
い、スペーサを散布し、紫外線硬化樹脂で周囲をシール
して両基板を貼り合わせ、液晶を注入した後注入口を封
止し、液晶表示装置を得た。このようにして作製した液
晶表示装置の正面図を図２に示した。ここで１４は下側
ガラス基板、１５はＩＴＯ絵素電極、１６はアルミニウ
ム電極、１７は対向ＩＴＯ電極、１８は上側ガラス基
板、１９はシール、２０は封止樹脂、２１は液晶領域、
２２はスペーサを示す。
０分間焼成した後、ラビング法によって配向処理を行
い、スペーサを散布し、紫外線硬化樹脂で周囲をシール
して両基板を貼り合わせ、液晶を注入した後注入口を封
止し、液晶表示装置を得た。このようにして作製した液
晶表示装置の正面図を図２に示した。ここで１４は下側
ガラス基板、１５はＩＴＯ絵素電極、１６はアルミニウ
ム電極、１７は対向ＩＴＯ電極、１８は上側ガラス基
板、１９はシール、２０は封止樹脂、２１は液晶領域、
２２はスペーサを示す。
【００２４】また図３は図２のＡ−Ｂ間の断面図で、２
３は下側ガラス基板、２４はシール、２５はＩＴＯ絵素
電極、２６はフッ化ビニリデントリフルオロエチレン強
誘電体膜、２７はアルミニウム電極、２８は下側配向
膜、２９は上側配向膜、３０は対向ＩＴＯ電極、３１は
上側ガラス基板、３２は液晶、３３はスペーサを示す。
３は下側ガラス基板、２４はシール、２５はＩＴＯ絵素
電極、２６はフッ化ビニリデントリフルオロエチレン強
誘電体膜、２７はアルミニウム電極、２８は下側配向
膜、２９は上側配向膜、３０は対向ＩＴＯ電極、３１は
上側ガラス基板、３２は液晶、３３はスペーサを示す。
【００２５】実施例２ 実施例１とアルミニウム電極のパターニングまでは同様
であるがここでは蒸着重合ポリ尿素膜をラビングして配
向膜として用いた。この場合モノマー１として４，４’
−ジフェニルメタンジイソシアナート、モノマー２とし
て４，４’−ジアミノジフェニルメタンを用い、槽内を
５×１０-4ｔｏｒｒ以下の真空に引いた後、それぞれを
１２０℃及び７０℃に加熱して昇華させ基板上で合成し
てポリ尿素膜を得ることができる。この条件の場合は８
分間の蒸着で２２４０Åの膜厚を得ることができた。
であるがここでは蒸着重合ポリ尿素膜をラビングして配
向膜として用いた。この場合モノマー１として４，４’
−ジフェニルメタンジイソシアナート、モノマー２とし
て４，４’−ジアミノジフェニルメタンを用い、槽内を
５×１０-4ｔｏｒｒ以下の真空に引いた後、それぞれを
１２０℃及び７０℃に加熱して昇華させ基板上で合成し
てポリ尿素膜を得ることができる。この条件の場合は８
分間の蒸着で２２４０Åの膜厚を得ることができた。
【００２６】４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナ
ートとｐ−フェニレンジアミンから合成したポリ尿素な
ど他の構造のポリ尿素でも配向膜を得ることができる。
もう１枚のＩＴＯを所定の形状にパターニングした基板
の配向膜はポリイミドでもポリ尿素でもよいがここでは
同種のポリ尿素蒸着重合膜とした。これ以後の作製法も
実施例１と同様である。
ートとｐ−フェニレンジアミンから合成したポリ尿素な
ど他の構造のポリ尿素でも配向膜を得ることができる。
もう１枚のＩＴＯを所定の形状にパターニングした基板
の配向膜はポリイミドでもポリ尿素でもよいがここでは
同種のポリ尿素蒸着重合膜とした。これ以後の作製法も
実施例１と同様である。
【００２７】以上の２種の実施例とポリイミドワニスを
オフセット印刷することにより作製した同種の液晶表示
装置を比較令として試作し表示を行った結果、実施例で
はいずれも良好な表示特性が得られた。表示特性を表１
に示した。ここで実施例２はややコントラストが小さい
がこれはポリ尿素がポリイミドと比較し、液晶分子の配
向規制力がやや弱いことによると考えられる。これに対
し比較例ではコントラストが小さく、均一性も良くない
ためディスプレイやその他のデバイスとして用いる場合
に不利であることがわかる。
オフセット印刷することにより作製した同種の液晶表示
装置を比較令として試作し表示を行った結果、実施例で
はいずれも良好な表示特性が得られた。表示特性を表１
に示した。ここで実施例２はややコントラストが小さい
がこれはポリ尿素がポリイミドと比較し、液晶分子の配
向規制力がやや弱いことによると考えられる。これに対
し比較例ではコントラストが小さく、均一性も良くない
ためディスプレイやその他のデバイスとして用いる場合
に不利であることがわかる。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】本発明を用いることにより大面積、かつ
大容量で、品位の高い液晶表示装置を安価に得ることが
できた。
大容量で、品位の高い液晶表示装置を安価に得ることが
できた。
【図１】図１は真空蒸着重合装置の図。
【図２】図２は本発明の液晶表示装置の平面図。
【図３】図２の断面図である。
１ 真空槽 ２ 蓋 ３ 蒸発皿１ ４ 蒸発皿２ ５ モノマー１ ６ モノマー２ ７ ヒーター１ ８ ヒーター２ ９ マスク １０ 基板 １１ 基板加熱機構 １２ 膜厚モニター １３ 真空ポンプ １４ 下側ガラス基板 １５ ＩＴＯ絵素電極 １６ アルミニウム電極 １７ 対向ＩＴＯ電極 １８ 上側ガラス基板 １９ シール ２０ 封止樹脂 ２１ 液晶領域 ２２ スペーサ ２３ 下側ガラス基板 ２４ シール ２５ ＩＴＯ絵素電極 ２６ フッ化ビニリデントリフルオロエチレン強誘電体
膜 ２７ アルミニウム電極 ２８ 下側配向膜 ２９ 上側配向膜 ３０ 対向ＩＴＯ電極 ３１ 上側ガラス基板 ３２ 液晶 ３３ スペーサ
膜 ２７ アルミニウム電極 ２８ 下側配向膜 ２９ 上側配向膜 ３０ 対向ＩＴＯ電極 ３１ 上側ガラス基板 ３２ 液晶 ３３ スペーサ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５１０ 9018−2Ｋ // Ｃ０８Ｌ 27/12 ＬＧＬ 9166−4Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に透明電極とポリフッ化ビニリデ
ン、ポリフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重
合体またはポリフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチ
レン共重合体からなる強誘電体の非線形素子および液晶
配向膜とを少なくとも備え、液晶を保持してなる液晶表
示装置において、液晶配向膜が蒸着重合法によって形成
されたポリイミドまたはポリ尿素であることを特徴とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144192A JPH0611716A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144192A JPH0611716A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611716A true JPH0611716A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=14300782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10144192A Pending JPH0611716A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611716A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10186408A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-07-14 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| US6940566B1 (en) | 1996-11-26 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions |
| US7637013B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing ink jet recording head |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP10144192A patent/JPH0611716A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10186408A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-07-14 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| US6862050B2 (en) | 1996-11-26 | 2005-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays using organic insulating material for a gate insulating layer and/or having photolithographic formed spacers |
| US6940566B1 (en) | 1996-11-26 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions |
| US7637013B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing ink jet recording head |
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