JPH02290301A - 集中定数型サーキュレータ及びアイソレータ - Google Patents
集中定数型サーキュレータ及びアイソレータInfo
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- JPH02290301A JPH02290301A JP23766089A JP23766089A JPH02290301A JP H02290301 A JPH02290301 A JP H02290301A JP 23766089 A JP23766089 A JP 23766089A JP 23766089 A JP23766089 A JP 23766089A JP H02290301 A JPH02290301 A JP H02290301A
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- conductor
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- conductor film
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Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＶＨＦ，ＵＨＦ，ＳＨＦ帯などにおいて用い
られる集中定数型サーキュレータ及びアイソレータに関
するものである． （従来の技術） 従来の集中定数型アイソレータの側面図を第４図に、平
面図を第７図に，その従来例の中心導体の平面図を第５
図に、その中心導体と磁性体とを組み合わせた中心導体
部の斜視図を第６図に示す．この従来の集中定数型アイ
ソレータについてａ明する。中心導体２０２は，円板状
のシールド板２０１より放射状に３本突出させて形成さ
れており、その先に端子２０３が形成されている。この
シールド板２０１上に磁性体２０４を配置し、中心導体
２０２の一つを折り曲げ、その上に絶縁シ一ト２０５を
配置し、更に次の一つの中心導体２０２を折り曲げ，そ
の上に絶縁シート２０５を配置し、最後の中心導体２０
２を折り曲げて、中心導体部を構成している。また静電
容量を構成する絶縁体基板２０６には、一面に静電容量
を構成する３つの導体膜２０７とダミー抵抗膜２０９と
ダミー抵抗膜のアース電極２１０が形成され、その裏面
にはほぼ全面に導体膜２０８が形成されており、上記一
面のアース電極２１０と裏面の導体膜２０８とはスルー
ホールにて導通されている．この絶縁体基板２０６には
、中心部に上記の中心導体部の挿入される貫通孔が形成
されている． この絶縁体基板２０６をアース台２１１上に配置し、そ
の絶縁体基板２０６に形成された貫通孔に中心導体部を
挿入し、中心導体２０２の端子２０３を絶縁体基板２０
６に形成された静電容量用導体膜２０７にそれぞれ接続
して集中定数型アイソレー夕を構成した。尚、中心導体
部に直流磁界を印加するための磁石を中心導体部の上部
に配置したが、上記の説明では省いている。
られる集中定数型サーキュレータ及びアイソレータに関
するものである． （従来の技術） 従来の集中定数型アイソレータの側面図を第４図に、平
面図を第７図に，その従来例の中心導体の平面図を第５
図に、その中心導体と磁性体とを組み合わせた中心導体
部の斜視図を第６図に示す．この従来の集中定数型アイ
ソレータについてａ明する。中心導体２０２は，円板状
のシールド板２０１より放射状に３本突出させて形成さ
れており、その先に端子２０３が形成されている。この
シールド板２０１上に磁性体２０４を配置し、中心導体
２０２の一つを折り曲げ、その上に絶縁シ一ト２０５を
配置し、更に次の一つの中心導体２０２を折り曲げ，そ
の上に絶縁シート２０５を配置し、最後の中心導体２０
２を折り曲げて、中心導体部を構成している。また静電
容量を構成する絶縁体基板２０６には、一面に静電容量
を構成する３つの導体膜２０７とダミー抵抗膜２０９と
ダミー抵抗膜のアース電極２１０が形成され、その裏面
にはほぼ全面に導体膜２０８が形成されており、上記一
面のアース電極２１０と裏面の導体膜２０８とはスルー
ホールにて導通されている．この絶縁体基板２０６には
、中心部に上記の中心導体部の挿入される貫通孔が形成
されている． この絶縁体基板２０６をアース台２１１上に配置し、そ
の絶縁体基板２０６に形成された貫通孔に中心導体部を
挿入し、中心導体２０２の端子２０３を絶縁体基板２０
６に形成された静電容量用導体膜２０７にそれぞれ接続
して集中定数型アイソレー夕を構成した。尚、中心導体
部に直流磁界を印加するための磁石を中心導体部の上部
に配置したが、上記の説明では省いている。
また、上記集中定数型アイソレータにおいて、絶縁体基
板として、ダミー抵抗膜とダミー抵抗膜のアース電極と
の形成されてない絶縁体基板を用いて，同様に構成する
と集中定数型サーキュレータを得ることができる。
板として、ダミー抵抗膜とダミー抵抗膜のアース電極と
の形成されてない絶縁体基板を用いて，同様に構成する
と集中定数型サーキュレータを得ることができる。
（発明が解決しようとする課Ｍ）
従来の集中定数型サーキュレータ及びアイソレー夕では
、中心導体とシールド板が一体に形成されていた。この
ため、組み立て作業は、シールド板上に磁性体を配置し
、その磁性体を包み込むように中心導体を折り曲げてい
た。この従来の構造では、中心導体を折り曲げた後、そ
の中心導体自身の弾性により反りを生じ、中心導体間に
挿入された絶縁シートが移動し易く、中心導体間で電気
的短絡を生じ易いという問題点があった。また、従来の
構造では、中心導体の折り曲げ作業が煩雑であり，集中
定数型アイソレータの組み立て作業を簡素化する上で、
障害となっていた．また、従来の構造では、中心導体の
折り曲げ角度の精度に狂いが生じると、所望の特性が得
られないといった問題点があった． 本発明では，上記の事を峻みて、組み立て作業が簡単で
，中心導体間の短絡も生じない新規な構造の集中定数型
アイソレータを提供することを目的とする． （課題を解決するための手段） 本発明は、絶縁体基板の一面に、静電容量を構成するた
めの所要数の導体膜と，磁性体を配置する部分にシール
ド用導体膜が形成され、該絶縁体基板の裏面に，前記シ
ールド用導体膜と電気的に導通している導体膜が形成さ
れた絶縁体基板，該絶縁体基板のシールド用導体膜上に
配置された磁性体，該磁性体上に、互いに絶縁され一端
を前記シールド用導体膜に他端を前記静電容量構成用導
体膜に接続された所要数の中心導体、前記磁性体に直流
磁界を印加する手段とを備える集中定数型サーキュレー
タである。
、中心導体とシールド板が一体に形成されていた。この
ため、組み立て作業は、シールド板上に磁性体を配置し
、その磁性体を包み込むように中心導体を折り曲げてい
た。この従来の構造では、中心導体を折り曲げた後、そ
の中心導体自身の弾性により反りを生じ、中心導体間に
挿入された絶縁シートが移動し易く、中心導体間で電気
的短絡を生じ易いという問題点があった。また、従来の
構造では、中心導体の折り曲げ作業が煩雑であり，集中
定数型アイソレータの組み立て作業を簡素化する上で、
障害となっていた．また、従来の構造では、中心導体の
折り曲げ角度の精度に狂いが生じると、所望の特性が得
られないといった問題点があった． 本発明では，上記の事を峻みて、組み立て作業が簡単で
，中心導体間の短絡も生じない新規な構造の集中定数型
アイソレータを提供することを目的とする． （課題を解決するための手段） 本発明は、絶縁体基板の一面に、静電容量を構成するた
めの所要数の導体膜と，磁性体を配置する部分にシール
ド用導体膜が形成され、該絶縁体基板の裏面に，前記シ
ールド用導体膜と電気的に導通している導体膜が形成さ
れた絶縁体基板，該絶縁体基板のシールド用導体膜上に
配置された磁性体，該磁性体上に、互いに絶縁され一端
を前記シールド用導体膜に他端を前記静電容量構成用導
体膜に接続された所要数の中心導体、前記磁性体に直流
磁界を印加する手段とを備える集中定数型サーキュレー
タである。
また、本発明は，絶縁体基板の一面に，静電容量を構成
するための所要数の導体膜と、磁性体を配置する部分に
シールド用導体膜と、前記静電容量構成用導体膜の一つ
に接続され、他端を接地されるダミー抵抗が形成され、
該絶縁体基板の裏面に，前記シールド用導体膜と電気的
に導通している導体膜が形成された絶縁体基板、該絶縁
体基板のシールド用導体膜上に配置された磁性体、該磁
性体上に、互いに絶縁され一端を前記シールド用導体膜
に他端を前記静電容量構成用導体膜に接続された所要数
の中心導体、前記磁性体に直流磁界を印加する手段とを
備える集中定数型アイソレータである． （実施例） 本発明に係る一実施例の側面図を第１図に、この実施例
の絶縁体基板の両平面の平面図を第２図（ａ）．．（ｂ
）に、又この実施例の組み立て方法を示す平面図を第３
図に示す．この実施例について説明する。この実施例は
、第１図に示すように、アース台１０１上に絶縁体基板
１０２を配置し、この絶縁体基板１０２上に磁性体１０
３を配置し．その磁性体１０３の上に３つの中心導体１
０４を絶縁シート１０５を介在させて積み重ねた構造を
している。尚，図示してないが、磁性体１０３に直流磁
界を印加する永久磁石を中心導体１０４の上部に配置し
て集中定数型アイソレータを構成した， この実施例に用いた絶縁体基板１０２は、寸法が７ ｍ
ｎ Ｘ ７ ｍで，厚さ０．３ｍであり、比誘電率は１
７０である。この絶縁体基板１０２の一面には．静電容
量を構成するための導体膜１０７と、磁性体１０３の配
置される円形のシールド板の役目をするシールド用導体
膜１０８と、そのシールド用導体１１ｆｉ１０８と一つ
の静電容量構成用導体膜との間にダミー抵抗膜（ Ｒ
ｕ Ｏｘ ） １ １ ２が形成され、前記シールド用
導体膜１０８には、中心導体１０４の一端が接続される
突出部１０９が形成されている．また、この絶縁体基板
１０２の裏面には一面に導体膜１１０が形成され、一面
のシールド用導体膜１０８とスルーホール１１１により
導通している。また、磁性体１０３は、ガーネットフェ
ライトであり、大きさは、直径３■、厚さ０．５ｎｍで
あり，飽和磁化（４πＭｇ）は０．１（Ｔ）である。
するための所要数の導体膜と、磁性体を配置する部分に
シールド用導体膜と、前記静電容量構成用導体膜の一つ
に接続され、他端を接地されるダミー抵抗が形成され、
該絶縁体基板の裏面に，前記シールド用導体膜と電気的
に導通している導体膜が形成された絶縁体基板、該絶縁
体基板のシールド用導体膜上に配置された磁性体、該磁
性体上に、互いに絶縁され一端を前記シールド用導体膜
に他端を前記静電容量構成用導体膜に接続された所要数
の中心導体、前記磁性体に直流磁界を印加する手段とを
備える集中定数型アイソレータである． （実施例） 本発明に係る一実施例の側面図を第１図に、この実施例
の絶縁体基板の両平面の平面図を第２図（ａ）．．（ｂ
）に、又この実施例の組み立て方法を示す平面図を第３
図に示す．この実施例について説明する。この実施例は
、第１図に示すように、アース台１０１上に絶縁体基板
１０２を配置し、この絶縁体基板１０２上に磁性体１０
３を配置し．その磁性体１０３の上に３つの中心導体１
０４を絶縁シート１０５を介在させて積み重ねた構造を
している。尚，図示してないが、磁性体１０３に直流磁
界を印加する永久磁石を中心導体１０４の上部に配置し
て集中定数型アイソレータを構成した， この実施例に用いた絶縁体基板１０２は、寸法が７ ｍ
ｎ Ｘ ７ ｍで，厚さ０．３ｍであり、比誘電率は１
７０である。この絶縁体基板１０２の一面には．静電容
量を構成するための導体膜１０７と、磁性体１０３の配
置される円形のシールド板の役目をするシールド用導体
膜１０８と、そのシールド用導体１１ｆｉ１０８と一つ
の静電容量構成用導体膜との間にダミー抵抗膜（ Ｒ
ｕ Ｏｘ ） １ １ ２が形成され、前記シールド用
導体膜１０８には、中心導体１０４の一端が接続される
突出部１０９が形成されている．また、この絶縁体基板
１０２の裏面には一面に導体膜１１０が形成され、一面
のシールド用導体膜１０８とスルーホール１１１により
導通している。また、磁性体１０３は、ガーネットフェ
ライトであり、大きさは、直径３■、厚さ０．５ｎｍで
あり，飽和磁化（４πＭｇ）は０．１（Ｔ）である。
この実施例の組み立ては、この絶縁体基板１０２をアー
ス台１０１上に配置し、その絶縁体基板１０２のシール
ド用導体Ｂ！ｉ！ＩＣ）８上に磁性体１０３を配置し、
一つの中心導体１０４ａの一端を円形導体膜１０８より
突出した突出部１０９に接続し、磁性体１０３上を通過
した他端を、対向する静電容量形成用導体膜１０７に接
続し、更に、その中心導体１０４ａの端部を絶縁体基板
より突出させ、端子１０６とし、次にその磁性体１０３
上の中心導体１０４ａ上に絶縁シ一ト１０５を配置し、
次の一つの中心導体１０４ｂの一端を円形導体膜１０８
の突出部１０９に、磁性体１０３上を通過した他端を静
電容量形成用導体膜１０７に接続し、更に絶縁シート１
０５を配置し，最後の中心導体１０４ｃの一端を円形導
体膜１０８の突出？１０９に接続し，磁性体１０３上を
通過した他端を静電容量形成用導体膜１０７に接続し、
更にその延長端を絶縁体基板１０２より突出させ端子と
し、磁性体１０３に直流磁界を印加する永久磁石を配置
して集中定数型アイソレータを構成した。
ス台１０１上に配置し、その絶縁体基板１０２のシール
ド用導体Ｂ！ｉ！ＩＣ）８上に磁性体１０３を配置し、
一つの中心導体１０４ａの一端を円形導体膜１０８より
突出した突出部１０９に接続し、磁性体１０３上を通過
した他端を、対向する静電容量形成用導体膜１０７に接
続し、更に、その中心導体１０４ａの端部を絶縁体基板
より突出させ、端子１０６とし、次にその磁性体１０３
上の中心導体１０４ａ上に絶縁シ一ト１０５を配置し、
次の一つの中心導体１０４ｂの一端を円形導体膜１０８
の突出部１０９に、磁性体１０３上を通過した他端を静
電容量形成用導体膜１０７に接続し、更に絶縁シート１
０５を配置し，最後の中心導体１０４ｃの一端を円形導
体膜１０８の突出？１０９に接続し，磁性体１０３上を
通過した他端を静電容量形成用導体膜１０７に接続し、
更にその延長端を絶縁体基板１０２より突出させ端子と
し、磁性体１０３に直流磁界を印加する永久磁石を配置
して集中定数型アイソレータを構成した。
この実施例の集中定数型アイソレータのアイソレーショ
ンと挿入損失特性を第８図に示す．この実施例の集中定
数型アイソレータは、十分に実用レベルにあることがわ
かる． また、上記実施例では、ダミー抵抗をシールド用導体膜
と静電容量構成用導体膜との間に形成したが、別の実施
例を第９図に示す．この第９図は，本発明に係る第２実
施例の絶縁体基板の平面図である．この絶縁体基板９０
１は、中央にシールド用導体膜９０２が形成され、その
外側に３つの静電容量構成用導体膜９０３が形成され、
その一つの静電容量構成用導体膜９０３に導通したダミ
ー抵抗膜（ＲｕＯ■）９０４が絶縁体基板９０１の端部
に形成され、更にこのダミー抵抗膜９０４に導通したア
ース電極９０５が形成されている．この絶縁体基板９０
１の裏面には、ほぼ全面に導体膜が形成されており５こ
の導体膜とシールド用導体膜９０２及びアース電極９０
５とはスルーホールにて導通している．この絶縁体基板
９０１を用い、上記実施例と同様の構造とし、集中定数
型アイソレータを得た． また、本発明に係る第３実施例の集中定数型サーキュレ
ータの平面図を第１１図に、この実施例の絶縁体基板の
平面図を第１０図に示す．この実施例の集中定数型サー
キュレータは、上記実施例とほぼ同一の構造を有してい
る。この実施例の絶縁体基板１１には、中央にシールド
用導体膜１２が形成され，その外側に静電容量構成用の
導体膜１３が形成されている．この絶縁体基板１ｌのシ
ールド用導体膜１２上にガーネットを配置し、そのガー
ネット上に３つの中心導体１４を互いに絶縁して配置し
、その中心導体１４の一端をシールド用導体膜１２の突
起部１５に接続し，他端を静電容量構成用の導体膜１３
に接続し、更にその中心導体１４が基板１１外へ突出し
、入出力端子を構成している．このガーネットに直流磁
界を印加する永久磁石を、ガーネットの上部に配置して
集中定数型サーキュレータを構成した． この実施例では、一面上で中心導体の接続が可能であり
，組立作業が容易である。又、中心導体間の絶縁シート
も中心導体で固定され．移動することなく、中心導体間
で短絡が生じることもない。
ンと挿入損失特性を第８図に示す．この実施例の集中定
数型アイソレータは、十分に実用レベルにあることがわ
かる． また、上記実施例では、ダミー抵抗をシールド用導体膜
と静電容量構成用導体膜との間に形成したが、別の実施
例を第９図に示す．この第９図は，本発明に係る第２実
施例の絶縁体基板の平面図である．この絶縁体基板９０
１は、中央にシールド用導体膜９０２が形成され、その
外側に３つの静電容量構成用導体膜９０３が形成され、
その一つの静電容量構成用導体膜９０３に導通したダミ
ー抵抗膜（ＲｕＯ■）９０４が絶縁体基板９０１の端部
に形成され、更にこのダミー抵抗膜９０４に導通したア
ース電極９０５が形成されている．この絶縁体基板９０
１の裏面には、ほぼ全面に導体膜が形成されており５こ
の導体膜とシールド用導体膜９０２及びアース電極９０
５とはスルーホールにて導通している．この絶縁体基板
９０１を用い、上記実施例と同様の構造とし、集中定数
型アイソレータを得た． また、本発明に係る第３実施例の集中定数型サーキュレ
ータの平面図を第１１図に、この実施例の絶縁体基板の
平面図を第１０図に示す．この実施例の集中定数型サー
キュレータは、上記実施例とほぼ同一の構造を有してい
る。この実施例の絶縁体基板１１には、中央にシールド
用導体膜１２が形成され，その外側に静電容量構成用の
導体膜１３が形成されている．この絶縁体基板１ｌのシ
ールド用導体膜１２上にガーネットを配置し、そのガー
ネット上に３つの中心導体１４を互いに絶縁して配置し
、その中心導体１４の一端をシールド用導体膜１２の突
起部１５に接続し，他端を静電容量構成用の導体膜１３
に接続し、更にその中心導体１４が基板１１外へ突出し
、入出力端子を構成している．このガーネットに直流磁
界を印加する永久磁石を、ガーネットの上部に配置して
集中定数型サーキュレータを構成した． この実施例では、一面上で中心導体の接続が可能であり
，組立作業が容易である。又、中心導体間の絶縁シート
も中心導体で固定され．移動することなく、中心導体間
で短絡が生じることもない。
又、中心導体間の角度の狂いもなく、特性も安定してい
る． （発明の効果） 本発明により、組立作業が容易で，自動組立も可能であ
り，又、中心導体間の短絡も生じない集中定数型アイソ
レータを得ることができるものである．
る． （発明の効果） 本発明により、組立作業が容易で，自動組立も可能であ
り，又、中心導体間の短絡も生じない集中定数型アイソ
レータを得ることができるものである．
第１図は、本発明に係る一実施例の側面図であり、第２
図は、本発明に係る一実施例の絶縁体基板の両平面の平
面図であり、第３図は、本発明に係る一実施例の組み立
て方法を示す平面図であり，第４図は、従来例の側面図
であり、第５図は、従来例の中心導体の平面図であり、
第６図は、従来例の中心導体部の斜視図であり、第７図
は、従来例の平面図であり、第８図は、本発明に係る一
実施例の特性図であり、第９図は，本発明に係る第２実
施例の絶縁体基板の平面図であり、第１０図は，本発明
に係る第３実施例の絶縁体基板の平面図であり、第１１
図は、本発明に係る第３実施例の平面図である。 １０１・・・アース台、１０２，９０１．１１・・・絶
縁体基板、１０３・・・磁性体、１０４．１４・・・中
心導体，１０５・・・絶縁シート、１０６・・・端子、
１０７，９０３．１３・・・静電容量形成用導体膜、１
０８，９０２．１２・・・シールド用導体膜、１１０・
・・導体膜、１１１・・・スルーホール、１１２・・・
ダミー抵抗膜。 第１図 第４図 第２図 （ａ） 第５図 第３図 第７図 第８図 ０．９０ ０． ９５ １． ００ １． ０５ １．１０ 周波数（Ｇｌ−１ｚ） 第９図
図は、本発明に係る一実施例の絶縁体基板の両平面の平
面図であり、第３図は、本発明に係る一実施例の組み立
て方法を示す平面図であり，第４図は、従来例の側面図
であり、第５図は、従来例の中心導体の平面図であり、
第６図は、従来例の中心導体部の斜視図であり、第７図
は、従来例の平面図であり、第８図は、本発明に係る一
実施例の特性図であり、第９図は，本発明に係る第２実
施例の絶縁体基板の平面図であり、第１０図は，本発明
に係る第３実施例の絶縁体基板の平面図であり、第１１
図は、本発明に係る第３実施例の平面図である。 １０１・・・アース台、１０２，９０１．１１・・・絶
縁体基板、１０３・・・磁性体、１０４．１４・・・中
心導体，１０５・・・絶縁シート、１０６・・・端子、
１０７，９０３．１３・・・静電容量形成用導体膜、１
０８，９０２．１２・・・シールド用導体膜、１１０・
・・導体膜、１１１・・・スルーホール、１１２・・・
ダミー抵抗膜。 第１図 第４図 第２図 （ａ） 第５図 第３図 第７図 第８図 ０．９０ ０． ９５ １． ００ １． ０５ １．１０ 周波数（Ｇｌ−１ｚ） 第９図
Claims (2)
- １．絶縁体基板の一面に、静電容量を構成するための所
要数の導体膜と、磁性体を配置する部分にシールド用導
体膜が形成され、該絶縁体基板の裏面に、前記シールド
用導体膜と電気的に導通している導体膜が形成された絶
縁体基板、該絶縁体基板のシールド用導体膜上に配置さ
れた磁性体、該磁性体上に、互いに絶縁され一端を前記
シールド用導体膜に他端を前記静電容量構成用導体膜に
接続された所要数の中心導体、前記磁性体に直流磁界を
印加する手段とを備えることを特徴とする集中定数型サ
ーキュレータ。 - ２．絶縁体基板の一面に、静電容量を構成するための所
要数の導体膜と、磁性体を配置する部分にシールド用導
体膜と、前記静電容量構成用導体膜の一つに接続され、
他端を接地されるダミー抵抗が形成され、該絶縁体基板
の裏面に、前記シールド用導体膜と電気的に導通してい
る導体膜が形成された絶縁体基板、該絶縁体基板のシー
ルド用導体膜上に配置された磁性体、該磁性体上に、互
いに絶縁され一端を前記シールド用導体膜に他端を前記
静電容量構成用導体膜に接続された所要数の中心導体、
前記磁性体に直流磁界を印加する手段とを備えることを
特徴とする集中定数型アイソレータ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/460,802 US5017894A (en) | 1989-02-01 | 1990-01-04 | Lumped constant non-reciprocal circuit element |
| EP19900300893 EP0381412A3 (en) | 1989-02-01 | 1990-01-29 | Lumped constant non-reciprocal circuit element |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168689 | 1989-02-01 | ||
| JP1-11686 | 1989-02-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290301A true JPH02290301A (ja) | 1990-11-30 |
Family
ID=11784902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23766089A Pending JPH02290301A (ja) | 1989-02-01 | 1989-09-13 | 集中定数型サーキュレータ及びアイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290301A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639610A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-15 | Nec Corp | Lumped constant type circulator |
| JPS62258503A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Tdk Corp | 非可逆回路素子 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP23766089A patent/JPH02290301A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639610A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-15 | Nec Corp | Lumped constant type circulator |
| JPS62258503A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Tdk Corp | 非可逆回路素子 |
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