JPH02288845A - ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体 - Google Patents

ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体

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JPH02288845A
JPH02288845A JP2023444A JP2344490A JPH02288845A JP H02288845 A JPH02288845 A JP H02288845A JP 2023444 A JP2023444 A JP 2023444A JP 2344490 A JP2344490 A JP 2344490A JP H02288845 A JPH02288845 A JP H02288845A
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ring
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lower alkoxy
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JP2023444A
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Tameo Iwasaki
岩崎　為雄
Hiroshi Omizu
大水　博
Masami Takahashi
政巳 高橋
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Tanabe Seiyaku Co Ltd
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Tanabe Seiyaku Co Ltd
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    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、抗脂血剤として有用なナフタレン誘導体の製
法及びその合成中間体に関する。
（従来の技術） １−（３−及び／又は４−低級アルコキシフェニル）−
２，３−ビス（低級アルコキシカルボニル）−４−ヒド
ロキシナフタレン類化合物及び１（３−及び／又は４−
低級アルコキシフェニル）−３−ヒドロキシメチル−４
−ヒドロキシ−２ナフト工酸ラクトン類化合物は優れた
抗脂血作用を有する有用な医薬化合物である。
従来、これら化合物は、２−（α−ヒドロキシ３−及び
／又は４−低級アルコキシベンジル）ベンズアルデヒド
化合物又はそのジ低級アルキルアセタールとアセチレン
ジカルボン酸ジ低級アルキルエステルとを反応さ−Ｕ、
必要に応じて生成物を還元的ラクトン化反応に付すこと
により、製造しうろことが知られている（特開昭６１−
２６７５４１号）。
（発明の構成及び効果） 本発明の発明者らは、鋭意研究の結果、既知の製法と全
く反応経路の異なる、ナフタレン誘導体の新規製法を確
立した。
即ち、本発明によれば、−形式 ル基であるか、又は互いに結合して式：ぐ？Ｏで示され
る基を形成していることを表し、Ｒ″及びＲ４は一方が
水素原子又は低級アルコキシ基、他方が低級アルコキシ
基であることを表し、環Ａは置換又は非置換ベンゼン環
を表す。） で示されるナフタレン誘導体は、−形式（但し、Ｒ５は
水酸基の保護基を表し、ＲＩ　、　Ｒ４及び環Ａは前記
と同一意味を有する。）で示される３化合物を反応させ
、生成物を酸処理して一般式 （但シ、Ｒ１及びＲ′は低級アルコキシ力ルボニ（但し
、Ｒ１−Ｒ５及び環Ａは前記と同一意味を有する。） で示される保護されたオキシ−テトラヒドロナフタレン
化合物を製し、該化合物又はその塩をフッ素イオン供与
体で処理して生成する一般式（但し、Ｒ１−Ｒ４及び環
Ａは前記と同一意味を有する。） で示されるオキソ−テトラヒドロナフタレン化合物又は
そのエノール型互変異性体を酸化して製造することがで
きる。
原料化合物（ｎ）〜（ＩＶ）の反応は、脱酸剤の存在下
で実施することができる。脱酸剤としては、慣用の脱酸
剤をいずれも用いることができ、とりわけ、リチウムア
ミド（例えば、リチウムジイソプロピルアミド）、アリ
ールリチウム（例えば、フェニルリチウム）、アルキル
リチウム（例えば、ｎ−ブチルリチウム）を用いるのが
好適である。保護されたオキシ−アセトニトリル化合物
（＋１　）におＣ）ろ水酸基の保護基（Ｒ５）としては
、慣用の水酸基の保護基をいずれも用いることができ、
例えば、モノ−、ジー又はトリ低級アルキルシリル基（
例えば、メチルシリル基、ジメチルシリル基、トリメチ
ルシリル基、Ｌｅｒｔ、−ブチルジメチルシリル基）、
低級アルコキシ低級アルキル基（例えば、メトキシメチ
ル基）、低級アルコキシ−低級アルコキシ−低級アルキ
ル基（例えば、メトキシエトキシメチル基）、フェニル
低級アルキル基（例えば、ベンジル基）をとりわけ好適
に用いることができる。また、置換エチレン化合物（■
）においてＲ１及びＲ２が低級アルコキシカルボニル基
である場合、これらが二重結合にシス型又はトランス型
に置換した化合物をいずれも用いることができる。反応
は冷却下、例えば、−７８〜−４０°Ｃで実施するのが
好適である。当該反応は適当な溶媒中で実施することが
できる。溶媒としては慣用の有機溶媒、例えば、テトラ
ヒドロフラン、エーテル、ジグライ、ム、ヘキサン、ト
ルエン、キシレンを用いることができる。また、当該器 反応に際しては、保護されたオキシ−アセトニトリル化
合物（ＩＩ）と置換エチレン化合物（ＩＩ［）とを反応
させた後、アルデヒド化合物（ＩＶ）を反応系に加える
のが好ましい。
生成物の酸処理は、常法により実施することができる。
酸としては、有機酸及び無機酸をいずれも用いることが
できるが、とりわけ、有機酸（例えば、トリフルオロ酢
酸、メタンスルホン酸、トルエンスルボン酸）を用いる
のが好適である。酸処理は室温〜加温下、例えば、１０
〜５０℃で実施することができる。当該反応は適当な溶
媒中で実施することができ、溶媒としては、上記３化合
物の反応と同一の溶媒を用いるのが好ましい。
続く保護されたオキシーテトラヒドロナフタレン化合物
（Ｖ）又はその塩のフッ素イオン供与体による処理は、
常法により実施することができる。
フッ素イオン供与体としては、慣用のものをいずれも用
いることができ、とりわけフッ化アルカリ金属（例えば
、フッ化カリウム）、フン化アンモニウム、フッ化テト
ラ低級アルキルアンモニウム（例えば、フッ化テトラメ
チルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム）
の如きフッ素化合物と酸（例えば、酢酸、トリフルオロ
酢酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸）との混
合物、フッ化水素等を使用するのが好ましい。当該反応
は適当な溶媒中、室温付近で充分実施することができ、
溶媒としては慣用の有機溶媒、例えば、塩化メチレン、
クロロホルムを用いることができる。
こうして得られるオキソ−テトラヒドロナフタレン化合
物（Ｖｌ）又はそのエノール型互変異性体の酸化反応は
常法に従って実施することができる。
当該酸化反応は化合物（Ｖｌ）又はその互変異性体を酸
化剤で処理するか、又はハロゲン化剤で処理した後、塩
基で処理して行うことができる。酸化剤としては、慣用
のものをいずれも使用することができるが、例えば、二
酸化セレン、２，３−ジクロロ−４，５−ジシアノベン
ゾキノン、酸素ガスを用いるのが好ましく、また空気酸
化も可能である。一方、ハロゲン化剤としては、慣用の
ハロゲン化剤をいずれも使用することができ、とりわけ
臭化アルカリ金属（例えば、臭化リチウム、臭化すトリ
ウム）の存在下、遷移金属臭化物（例えば、臭化銅（■
）〕を使用するのが好ましい。また、塩基としては有機
塩基及び無機塩基をいずれも使用することができ、とり
わけトリエチルアミン、トリブチルアミン、１８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）ウンデク−７−エン、水酸化
アルカリ金属、炭酸アルカリ金属を用いるのが好適であ
る。上記化合物（Ｖｌ）の酸化反応は、酸化の方法に応
じ、氷冷〜加熱下で実施することができる。
ハロゲン化剤との反応は加熱下、とりわけ５０〜８０°
Ｃで、続く塩基処理は室温伺近、例えば、０〜２５°Ｃ
で実施することができる。いずれの反応も、適当な溶媒
中で実施するのが好ましく、溶媒としては慣用の有機溶
媒、例えばアセトニトリル、プロピオニトリル、クロロ
ボルムを用いることできる。
上記反応において、１菫Ａが水酸基で置換されたベンゼ
ン環である原料化合物（■）、及び中間体（Ｖ）〜（Ｖ
ｌ）の塩、並びに中間体（Ｖｌ）のエノール型互変異性
体の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩
等をあげることができ、遊離の化合物と同様、反応に供
することができる。
また、中間体（Ｖ）及び（Ｖｌ）には、その３〜４個の
不斉炭素原子に基づぐ１、異性体が存在するが、いずれ
の異性体及びその混合物も本発明の方法に使用すること
ができる。
上記本発明の方法によれば、環への種類に関わりなく、
特開昭第６１−２６７５４１号記載の各ナフタレン誘導
体を工業的有利に製造することができ、例えば、環Ａが
非置換ベンゼン環又は低級アルキレンジオキシ基で置換
されたベンゼン環であるか、又は低級アルコキシ基、低
級アルキル基、フェニル−低級アルコキシ基、水酸基及
びハロゲン原子から選ばれる１〜３個で置換されたベン
ゼン環である化合物（■）、或いはＲ１及びＲ２が低級
アルコキシカルボニル基、Ｒ３及びＲ４が低級アルコキ
シ基、環へが式： （但し、Ｒｄ　、、、　Ｒｆは低級アルキル基を表す。
）で示される置換ベンゼン環であるナフタレン誘導体（
１）をいずれも好適に製造することができる。
また、こうして得られるナフタレン誘導体（１）は、所
望により、水素化アルカリ金属、水酸化アルカリ金属、
水酸化アルカリ土類金属、水酸化第４級アンモニウム等
で、適宜処理することにより薬理的に許容しうる塩とす
ることができる。
本発明の製法は、従来既知の方法とは合成経路が全く異
なる新規反応であり、また、３種の原料化合物（ＩＩ）
〜（ＩＶ）を−気に反応させて、中間体であるオキシ−
テトラヒドロナフタレン化合物（Ｖ）を得ることができ
るため、簡便な反応操作で抗脂血剤として有用なナフタ
レン誘導体を製造しうるという工業上の利点を得ること
もできる。
尚、本発明の方法において、中間体として得られるオキ
ソ−テトラヒドロナフタレン化合物（■）は溶媒中では
、次式で示す通り、そのエノール型互変異性体との平１
鼾状態にあるが、いずれも本発明の方法に使用すること
ができる。
（但し、Ｒ１−Ｒ４及び環Ａは前記と同一意味を有する
。） また、当該中間体（Ｖｌ）のうち、環Ａが低級アルキレ
ンジオキシ基で置換されたベンゼン環であり、Ｒ１及び
Ｒ２が互いに結合して式：／？０で示される基を形成し
ており、Ｒ″及びＲ４が低級アルコキシ基である化合物
以外は全て新規化合物である。
本発明の原料化合物（Ｉｌ）は−形式 （但し、環へは前記と同一意味を有する。）で示される
ヘンズアルデヒド化合物をルイス酸〔例えば、ヨウ化亜
鉛（■）〕の存在下、シアン化アルカリ金属及び−形式 ％式％（） （但し、Ｘはハロゲン原子を表し、ＲＳは前記と同一意
味を有する。） で示される化合物とを反応させて製することができる。
実施例　１ （１−ａ）　　３．　４．　５−）ジメトキシベンズア
ルデヒド５０ｇをアセトニトリル（五酸化リンと蒸留し
て調製）２５０ｄに溶解する。該溶液にシアン化カリウ
ム２４．９ｇ、ヨウ化亜鉛（ＩＩ）　８．　１ｇ及びｔ
ｅｒｔ、−ブチルジメチルシリルクロリド４６．１ｇを
加え、室温で一夜攪拌する。反応液よりアセトニトリル
を留去し、残渣にジエチルエーテルを加えて不溶物をろ
去する。ろ液を水洗、乾燥後、減圧濃縮し、残渣をシリ
カゲルカラム〔溶媒：ｎ−ヘキサン−酢酸エチル（３：
１））で精製後、ｎ−ヘキサン及びイソプロピルエーテ
ルの混液から再結晶することにより、（３，４，５−ト
リメトキシフェニル）　　（ｔｅｒｔ、−ブチルジメチ
ルシリルオキシ）アセトニトリル６７ｇを無色結晶とし
て得る。収率ニア８％ Ｍ、ｐ、４３”Ｃ （１−ｂ）３，４．５−）ジメトキシベンズアルデヒド
、アセトニトリル、シアン化カリウム、ヨウ化亜鉛（Ｉ
Ｉ）及びトリメデルシリルクロリドを上記（１−ａ）と
同様に処理することにより、（３，４，５−１−ジメト
キシフェニル）（トリメチルシリルオキシ）アセトニト
リルを油状物として得る。
Ｂ、ｐ、１４５〜１４７°Ｃ（１ｍｍｌ１ｇ）（ｍｍ１
ｌ　　リチウムジイソプロピルアミド溶液（ジイソプロ
ピルアミン３．０ｇのテトラヒドロフラン５０ｍ１溶液
及び１．６Ｍｎ−ブチルリチウムｎヘキサン溶液２０．
４ｍｌからドライアイス冷却下で調製）′に、上記（１
−ａ）の生成物１０ｇのテトラヒドロフラン２０ｍ！溶
液を一７０°Ｃで滴下し、同温で約５分間攪拌後、マレ
イン酸ジメチルエステル４．２７ｇのテトラヒドロフラ
ン５０ｍ１溶液を約２０分間かけて滴下する。更に、３
．４−ジメトキシベンズアルデヒド４．９３ｇのテトラ
ヒドロフラン２０ｒａ溶液を滴下した後、反応液に酢酸
３．１ｍｌ及び水５０１１１Ｊ！の混液を加え、室温で
酢酸エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥後溶媒を留去
し、残渣をシリカゲルカラム〔溶媒：ｎ−ヘキサン−酢
酸エチル（２：１．））で精製する。溶出液を濃縮し、
残渣を無水酢酸２０ｍ２に溶解して室温で２時間攪拌す
る。更にトリフルオロ酢酸ｌＯｍｌ、を加え、−夜装置
する〜。反応液を濃縮後、残渣をクロロホルムで抽出し
、抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を留去する。残渣にイソプ
ロピルエーテルを加えて結晶化し、不溶物をろ取するこ
とにより、ｒ−１−（３，４−ジメトキシフェニル）−
１２−メトキシカルボニル−ｃ−３−メトキシカルボニ
ル−４−シアノ−４−（ｔｅｒｔ、−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−６，７，８−）ジメトキシ−１，２，３
，４−テトラヒドロナフタレン１２９ｇを無色結晶とし
て得る。収率：６９％Ｍ、ｐ、１６２〜１６３°Ｃ （２−ｂ）上記（１−ｂ）の生成物、マレイン酸ジメチ
ルエステル及び３．４−ジメトキシベンズアルデヒドを
上記（２−ａ）と同様に処理することにより、ｒ−１−
（３，４−ジメトキシフェニル）　−１２−メトキシカ
ルボニル−ｃ−３−メトキシカルボニル−４−シアノ−
４−（トリメチルシリルオキシ）−６，７，８−）リフ
トキシ−１，２，３４−テトラヒドロナフタレンを油状
物として得る。
（３−ａ）上記（２−ａ）の生成物１０．１ｇをメチレ
ンクロリド１００ｍｊ！に溶解する。該溶液にＩＭフッ
化テトラｎ−ブチルアンモニウム溶液１７ｄ及び酢酸１
．　２ｄを加え、室温で２時間攪拌する。
反応液を水洗、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲル
カラム〔溶媒：ｎ−ヘキサン−酢酸エチル（２：１）’
）で精製する。溶出液を濃縮し、残渣ニジエチルエーテ
ルを加えて結晶化することにより、ｒ−１−（３，４−
ジメトキシフェニル）−ｔ−２−メトキシカルボニル−
３−メトキシカルボニル−４−ヒドロキシ−６，７，８
−トリメトキシ−１，２−ジヒドロナフタレン２．１ｇ
を無色結晶として得る。収率：２７％ Ｍ、Ｐ、１３２〜１３４°Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，δ）：　３．４〜４．０　（ｍ、
　２３１１）、　４．５（ｄ、　ＩＩＩ、　Ｊ＝２１１
ｚ）、　６．５−７．０　（ｍ、　４１１）本島は溶媒
中で、ｒ−１−（３，４−ジメトキシフェニル）−ｔ−
２−メトキシカルボニル−０３−メトキシカルボニル−
４−オキソ−６，７８−トリメトキシ−１２３，４−テ
トラヒドロナフタレンとの平衡混合物である。
更に、母液を濃縮することにより、ｒ−１−（３，４−
ジメトキシフェニル）−む−２−メ１−キシカルボニル
ーｃ−３−メトキシカルボニル−４オキソ−６，７８−
１−ジメトキシ−１２３，４−テトラヒドロナフタレン
４．８ｇをシラツブとして得る。収率：６１％ （３−ｂ）上記（２−ｂ）の生成物を上記（３−ａ）と
同様に処理することにより、ｒ−１−（３，４−ヅメ１
−キシフェニル）−ｔ−２−メトキシカルボニルｃ−３
−メトキシカルボニル−４−オキソ−６７，８−１−リ
メトキシ−１，２，３，４〜テトラヒドロナフタレンを
得る。
本島の物理化学的性質は上記（３−ａ）の生成物のもの
と同一である。
（４）上記（３−ａ　）又は（３−ｂ）の生成物（４−
オキソ体）２．０ｇ、臭化銅（ＩＩ）　１．　８３ｇ、
臭化リチウム３５６ｍｇ及びアセトニトリル５０ｍｆｆ
１の混合物を４時間加熱還流する。反応液よりアセトニ
トリルを留去し、残渣にクロロボルムを加えてシリカゲ
ルカラム［溶媒：クロロホルムー酢酸エチル（１：　１
）　］で精製する。溶出液を濃縮し、残渣をクロロホル
ムに溶解し、更にトリエチルアミン１０ｍ２を加えて室
温に１時間放置する。該溶液を濃塩酸で酸性とし、クロ
ロボルム層を分取し、水洗、乾燥後溶媒を留去する。残
渣にメタノールを加えて析出晶をろ取することにより、
１−（３４−ジメトキシフェニル）−２，３−ビス（メ
トキシカルボニル）−４−ヒドロキシ−６，７，８トリ
メトキシナフタレン１．１ｇを無色プリズム晶として得
る。収率：５５％ Ｍ、ｐ、１７８〜１７９°Ｃ （５）６２．５％水素化ナトリウム０．３８７ｇのテト
ラヒドロフラン１０ｍ！懸濁液に撹拌下、上記（４）の
生成物４．８６ｇのテトラヒドロフラン１００　ｍｌ溶
液を室温で加え、同温で１時間撹拌する。
反応後、３０°Ｃ以下で溶媒を減圧留去し、残渣を石油
エーテルで粉末にすることにより、１−（３４−ジメト
キシフェニル）−２，３−ビス（メトキシカルボニル）
−４−ヒドロキシ−６，７゜８−トリメトキシナフタレ
ン・ナトリウム塩４゜８ｇを粉末として得る。
ＩＲν　　　　’　　（ｃｍ−’）　　：　　１７１０
．　１６８０．　１６００実施例　２ （１）リチウムジイソプロピルアミド溶液（ジイソプロ
ピルアミン３．０ｇのテトラヒドロフラン５０ｍ！溶液
及び１．６Ｍｎ−ブチルリチウム溶液２０．４ｍＱから
ドライアイス冷却下で調製）に、（３，４，５−トリメ
トキシフェニル）　　（ｔｅｒｔ、−ブチルジメチルシ
リルオキシ）アセ１、ニトリル１０ｇのテトラヒドロフ
ラン２０ｍ！溶液を一７０°Ｃで滴下し、同温で約５分
間攪拌後、２−オキソ−２５−ジヒドロフラン２．４９
ｇのテトラヒドロフラン５０雌熔液を約２０分間かりて
滴下する。
更に、３．４−ジメトキシベンズアルデヒド４゜９３ｇ
のテトラヒドロフラン２０ｍ！溶液を加える。反応液に
酢酸３．７戒及び水５０ｍ１の混液を加え、室温で酢酸
エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥後溶媒を留去し、
残渣をメチレンクロリド２０ｒｄに溶解し、トリフルオ
ロ酢酸を加えて室温に一夜放置する。反応液をメチレン
クロリドで希釈し、水洗後、溶媒を留去する。残渣をシ
リカゲルカラム〔溶媒；クロロホルム〕で精製し、溶出
液から得られるシラツブをイソプロピルエーテルで結晶
化することにより、ｒ−１−（３４−ヅメ１−キシフェ
ニル）−ｃ−３−ヒドロキシメチル４−シアノ−４〜（
ｔｅｒｔ、−ブチルジメチルシリルオキシ）−６７，８
−１−ジメトキシ−１２３，４−テトラヒドロナフタレ
ン−ｔ−２−カルボン酸ラクトン１２．７ｇを無色結晶
として得る。
収率ニア５％ Ｍ、ｐ、、１３２〜１３５　”Ｃ （２）上記（１）の生成物５．０ｇをメチレンクロリド
５０ｍ１に溶解する。該溶液にＩＭフッ化テトラｎ−ブ
チルアンモニウム溶液１０．５ｄ及び酢酸７９１ｍｇを
加え、室温で５分間攪拌する。反応液を水洗、乾燥後溶
媒を留去し、残渣をジエチルエーテルに溶解する。該溶
液を氷冷して析出晶をろ取することにより、ｒ−１−（
３，４−ジメトキシフェニル）−、ｃ−３−ヒドロキシ
メチル−４−オキソ−６，７，８−）ジメトキシ−１，
２，３゜４−テトラヒトＵナフタレンーｔ−２−カルボ
ン酸ラクトン２’、３３ｇを無色結晶として得る。収率
：６２％ （３）上記（２）の生成物１．０ｇ、臭化銅（ＩＩ）’
１゜０４ｇ１臭化リチウム２０３ｒｒ１ｇ及びアセトニ
トリル２５ｍ１の混合物を８時間加熱還流する。反応液
よりアセトニトリルを留去し、残液にクロロボルムを加
えてシリカゲルカラム〔溶媒：クロロホルムー酢酸エチ
ル（１：１））で精製する。溶出液を濃縮し、残渣をク
ロロボルムに溶解し、水冷下でトリエチルアミン５　ｍ
ｌを加えて室温に１時間放置する。該溶液を濃塩酸で酸
性とし、クロロホルム層を分取し、水洗、乾燥後溶媒を
留去し、残渣にメタノールを加えて一旦溶解後、氷冷し
、析出品をろ取することにより、１−（３，４−ジメト
キシフェニル）−３−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキ
シ−６，７，８−）リメトキシー２−ナフトエ酸ラクト
ン５２０ｍｇを無色結晶として得る。
収率；５４％ Ｍ、Ｐ、２６１°Ｃ（分解） 実施例　３及び４ （１）対応原料化合物を実施例１−（１−ａ）と同様に
処理して下記第１表記載の化合物を得る。
注１！ｒ−１−（３，４−ジメトキシフェニル）ｔ−２
−メトキシカルボニル−ｃ−３ メトキシ力ルボニル体である（以下、同様）。
（３）上記（２）の生成物を実施例１−（３−ａ）と同
様に処理して下記第３表記載の化合物を得る。
（２）上記（１）の生成物を実施例１−（２−ａ）と同
様に処理して下記第２表記載の化合物を得る。
（４）上記（３）の生成物を実施例１−（４）と同様に
処理して下記第４表記載の化合物を得る。
第 表 第 表 実施例　５及び０ （１）対応原料化合物を実施例２−（１１と同様に処理
して下記第５表記載の化合物を得る。
注２：ｒ−１−（３，４−ジメトキシフェニル）ｃ−３
−ヒドロジメチル−Ｌ−２−カルボン酸ラクトン体であ
る（以下、同様。）（２）上記（１）の生成物を実施例
２−（２１と同様に処理して下記第６表記載の化合物を
得る。
第 表 （３）上記（２）の生成物を実施例２−（３）と同様に
処理して下記第７表記載の化合物を得る。
実施例　７〜２３ 対応原料化合物を実施例１と同様に処理することにより
、下記第８表及び９表記載の化合物を得る。
第 表 実施例　２４〜３６ 対応原料化合物を実施例２と同様に処理することにより
、下記第１０表記載の化合物を得る。
＊＋Ｂｚ １はベンジル基を表す（以下同様）。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１及びＲ＾２は低級アルコキシカルボニル
    基であるか、又は互いに結合して式：▲数式、化学式、
    表等があります▼で示される基を形成していることを表
    し、Ｒ＾３及びＲ＾４は一方が水素原子又は低級アルコ
    キシ基、他方が低級アルコキシ基であることを表し、環
    Ａは置換又は非置換ベンゼン環を表す。） で示されるオキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そ
    のエノール型互変異性体又はその塩を酸化し、所望によ
    り、生成物をその薬理的に許容しうる塩とすることを特
    徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１〜Ｒ＾４及び環Ａは前記と同一意味を有
    する。） で示されるナフタレン誘導体又はその薬理的に許容し得
    る塩の製法。 ２、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１及びＲ＾２は低級アルコキシカルボニル
    基であるか、又は互いに結合して式：▲数式、化学式、
    表等があります▼で示される基を形成していることを表
    し、Ｒ＾３及びＲ＾４は一方が水素原子又は低級アルコ
    キシ基、他方が低級アルコキシ基であることを表し、Ｒ
    ＾５は水酸基の保護基、環Ａは置換又は非置換ベンゼン
    環を表す。） で示される保護されたオキシ−テトラヒドロナフタレン
    化合物又はその塩をフッ素イオン供与体で処理し、生成
    する一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１〜Ｒ＾４及び環Ａは前記と同一意味を有
    する。） で示されるオキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そ
    のエノール型互変異性体又はその塩を酸化し、所望によ
    り、生成物をその薬理的に許容しうる塩とすることを特
    徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１〜Ｒ＾４及び環Ａは前記と同一意味を有
    する。） で示されるナフタレン誘導体又はその薬理的に許容し得
    る塩の製法。 ３、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
    、表等があります▼ 又はその塩、 （但し、Ｒ＾１及びＲ＾２は低級アルコキシカルボニル
    基であるか、又は互いに結合して式：▲数式、化学式、
    表等があります▼で示される基を形成していることを表
    し、Ｒ＾３及びＲ＾４は一方が水素原子又は低級アルコ
    キシ基、他方が低級アルコキシ基であることを表し、Ｒ
    ＾５は水酸基の保護基、環Ａは置換又は非置換ベンゼン
    環を表す。） で示される３化合物を反応させ、生成物を酸処理して一
    般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１〜Ｒ＾５及び環Ａは前記と同一意味を有
    する。） で示される保護されたオキシ−テトラヒドロナフタレン
    化合物を製し、該化合物又はその塩をフッ素イオン供与
    体で処理し、生成する一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１〜Ｒ＾４及び環Ａは前記と同一意味を有
    する。） で示されるオキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そ
    のエノール型互変異性体又はその塩を酸化し、所望によ
    り、生成物をその薬理的に許容しうる塩とすることを特
    徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１−Ｒ＾４及び環Ａは前記と同一意味を有
    する。） で示されるナフタレン誘導体又はその薬理的に許容し得
    る塩の製法。 ４、環Ａが非置換ベンゼン環；低級アルキレンジオキシ
    基で置換されたベンゼン環；又は低級アルコキシ基、低
    級アルキル基、フェニル−低級アルコキシ基、水酸基、
    ハロゲン原子から選ばれる１〜３個で置換されたベンゼ
    ン環である請求項１〜３記載の製法。 ５、Ｒ＾１及びＲ＾２が低級アルコキシカルボニル基、
    Ｒ＾３及びＲ＾４が低級アルコキシ基、環Ａが式：▲数
    式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾ｄ〜Ｒ＾ｆは低級アルキル基を表す。）で
    示される置換ベンゼン環である請求項４記載の製法。 ６、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１及びＲ＾２は低級アルコキシカルボニル
    基であるか、又は互いに結合して式：▲数式、化学式、
    表等があります▼で示される基を形成していることを表
    し、Ｒ＾３及びＲ＾４は一方が水素原子又は低級アルコ
    キシ基、他方が低級アルコキシ基であることを表し、環
    Ａは置換又は非置換ベンゼン環を表す。 但し、環Ａが低級アルキレンジオキシ基で置換されたベ
    ンゼン環であり、Ｒ＾１とＲ＾２とが互いに結合して式
    ：▲数式、化学式、表等があります▼で示される基を形
    成している場合、Ｒ＾３及びＲ＾４は一方が水素原子、
    他方が低級アルコキシ基である。） で示されるオキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そ
    のエノール型互変異性体又はその塩。 ７、環Ａが非置換ベンゼン環；又は低級アルコキシ基、
    低級アルキル基、フェニル−低級アルコ３個で置換され
    たベンゼン環である請求項６記載の化合物。 ８、Ｒ＾１及びＲ＾２が低級アルコキシカルボニル基、
    Ｒ＾３及びＲ＾４が低級アルコキシ基、環Ａが式：▲数
    式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾ｄ〜Ｒ＾ｆは低級アルキル基を表す。）で
    示される置換ベンゼン環である請求項７記載の化合物。
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