JPH02288231A - 薄膜の膜質改善方法 - Google Patents
薄膜の膜質改善方法Info
- Publication number
- JPH02288231A JPH02288231A JP11044889A JP11044889A JPH02288231A JP H02288231 A JPH02288231 A JP H02288231A JP 11044889 A JP11044889 A JP 11044889A JP 11044889 A JP11044889 A JP 11044889A JP H02288231 A JPH02288231 A JP H02288231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- temperature
- thin film
- thin
- foundation material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- -1 4...AP Substances 0.000 description 1
- 101100136092 Drosophila melanogaster peng gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置などに多用されている物理的気
相成膜法で作られた薄膜の膜質改善方法に関する。
相成膜法で作られた薄膜の膜質改善方法に関する。
物理的気相成膜法は、真空蒸着法、気体放電を利用する
反応性蒸着法、或いはスパッタリング法などがあり、工
業的にも広く使われている。
反応性蒸着法、或いはスパッタリング法などがあり、工
業的にも広く使われている。
ところで、この物理的気相成膜法で、例えば酸化物又は
窒化物の誘電体膜を形成する場合、所望の電気絶縁性、
比誘電率及び誘電損失で評価される電気的特性、或いは
下地材（基板）との密着性を得るために、下地温度、ガ
ス圧、放電パワー等の製造条件を変えて最適値を得るこ
とが行なわれている。これは、金属薄膜と下地材の良密
着性を得る場合も同様である。
窒化物の誘電体膜を形成する場合、所望の電気絶縁性、
比誘電率及び誘電損失で評価される電気的特性、或いは
下地材（基板）との密着性を得るために、下地温度、ガ
ス圧、放電パワー等の製造条件を変えて最適値を得るこ
とが行なわれている。これは、金属薄膜と下地材の良密
着性を得る場合も同様である。
所望の性質の薄膜を従来通りの物理的酸■り法によって
形成する場合、膜の堆積速度を（成長速度）を遅くせざ
るを得なかったり、下地材の温度を高くせざるを得なか
ったりすることが多い。
形成する場合、膜の堆積速度を（成長速度）を遅くせざ
るを得なかったり、下地材の温度を高くせざるを得なか
ったりすることが多い。
これは、特に酸化物や窒化物については、多くの場合、
堆積速度が早過ぎたり、下地温度が低過ぎたりすると構
成元素間の結合が不安定になり、所望の電気的特性を得
難いこと、また、金属薄膜についても云えることである
が、これ等の気相成膜は一般に低温で実施されるため、
下地温度が低いと下地材と堆積膜との界面で適度な相互
拡散結合が起こらず、密着性が不充分になり易いことに
よる。
堆積速度が早過ぎたり、下地温度が低過ぎたりすると構
成元素間の結合が不安定になり、所望の電気的特性を得
難いこと、また、金属薄膜についても云えることである
が、これ等の気相成膜は一般に低温で実施されるため、
下地温度が低いと下地材と堆積膜との界面で適度な相互
拡散結合が起こらず、密着性が不充分になり易いことに
よる。
ところが、膜の堆積速度を遅くすれば、生産性の低下を
招く。また、下地温度を高めると、下地材が金属板であ
る場合、堆積膜と下地金属板との熱膨張差が原因で製品
に反りを生じる。
招く。また、下地温度を高めると、下地材が金属板であ
る場合、堆積膜と下地金属板との熱膨張差が原因で製品
に反りを生じる。
なお、生産性の低下の問題は、複数あってしかもそれ等
が密接な関係をもっている製造条件を細か（調整しなけ
ればならないことによっても助長される。
が密接な関係をもっている製造条件を細か（調整しなけ
ればならないことによっても助長される。
そこで、この発明は、これ等の問題点を無くずことを課
題としている。
題としている。
上記の課題を解決するため、この発明においては、下地
材上に形成された薄膜の膜質を、３５０℃以下の低温で
所定時間アニールして改質する方法を採る。この方法で
は、電気絶縁性、比誘電率、誘電を１失、下地材との密
着性の全てを改善の対象とするとかできる。勿論、それ
等の中の一部の性質のみを改善の対象となすことも任意
である。改質する薄膜の種類や下地材が金属であるか否
かも問わない。
材上に形成された薄膜の膜質を、３５０℃以下の低温で
所定時間アニールして改質する方法を採る。この方法で
は、電気絶縁性、比誘電率、誘電を１失、下地材との密
着性の全てを改善の対象とするとかできる。勿論、それ
等の中の一部の性質のみを改善の対象となすことも任意
である。改質する薄膜の種類や下地材が金属であるか否
かも問わない。
〔作用］
今、薄膜の製造過程において、堆積速度を犠牲にしない
成膜、及び製品の反りを抑えるための低温での成膜を行
なったとすると、生産性の向上、製品の反りの防止は計
れる反面、膜質が犠牲になる。しかし、この発明の方法
、即ち、後工程における３５０’Ｃ以下の低温熱処理を
実施すれば、それまで不安定であった構成元素の結合が
安定化し、また、積層界面での相互熱拡散が充分に進行
して下地材と薄膜の密着性も高まり、成膜速度を早めた
こと、下地材温度を低く抑えたことに起因する膜質の低
下が充分に補われる。
成膜、及び製品の反りを抑えるための低温での成膜を行
なったとすると、生産性の向上、製品の反りの防止は計
れる反面、膜質が犠牲になる。しかし、この発明の方法
、即ち、後工程における３５０’Ｃ以下の低温熱処理を
実施すれば、それまで不安定であった構成元素の結合が
安定化し、また、積層界面での相互熱拡散が充分に進行
して下地材と薄膜の密着性も高まり、成膜速度を早めた
こと、下地材温度を低く抑えたことに起因する膜質の低
下が充分に補われる。
ここで、アニール温度の上限を３５０℃に限定したのは
、これ以上の温度であると、物質によっては部分的には
更に若干の改質が進むことは考えられても、下地材との
過度の相互拡散の進展により薄膜自体の構成が変化する
恐れがあり、また、下地材が低融点材料の場合、軟化が
起って機械的強度の低下、それによる反りの発生がある
など、逆効果になることによる。勿論、製造プロセス面
から見ても、過度の高温処理はコスト高を招くため好ま
しくない。
、これ以上の温度であると、物質によっては部分的には
更に若干の改質が進むことは考えられても、下地材との
過度の相互拡散の進展により薄膜自体の構成が変化する
恐れがあり、また、下地材が低融点材料の場合、軟化が
起って機械的強度の低下、それによる反りの発生がある
など、逆効果になることによる。勿論、製造プロセス面
から見ても、過度の高温処理はコスト高を招くため好ま
しくない。
なお、この発明の方法を実施すると従来に比べて工程が
１つ増加するが、成膜時のシビアな条件調整が不要にな
ること、また、アニールは成膜と違って多数の製品を一
括して実施可能なこと等を考えると、発明の効果は存分
に発揮される。
１つ増加するが、成膜時のシビアな条件調整が不要にな
ること、また、アニールは成膜と違って多数の製品を一
括して実施可能なこと等を考えると、発明の効果は存分
に発揮される。
〔実施例１〕
※ Ｆｅ −４２％Ｎｉ圧延板上に真空蒸着した５ｉＯ
ｚ膜の改質 熱膨張率の小さいアンバー材、具体的には厚さ０．２５
鵬のＰｅ−４２％Ｎｉ基板の絶縁被覆を目的としてその
基板に、溶融シリカを遺発源として電子銃による電子線
加熱で蒸着を行なった。このときの条件は、真空度を５
Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒとし、また、膜の圧縮応力による
反りの曲率半径を４００ｃｍ以上に抑えるため、基板温
度を１００℃にした。そして、電子線加熱により５分間
で１５ｐ＋ｓ厚のＳｉＯ□膜を成膜した。また、その後
、同様の真空蒸着により基板温度１００℃でＳｉＯ□膜
上に電極となるＡ２薄膜層を形成した。以上によって得
られたサンプルの断面を第１図に示す。図の１はＡ／２
薄膜、２はＳｉＯ□月桑、３は基板である。
ｚ膜の改質 熱膨張率の小さいアンバー材、具体的には厚さ０．２５
鵬のＰｅ−４２％Ｎｉ基板の絶縁被覆を目的としてその
基板に、溶融シリカを遺発源として電子銃による電子線
加熱で蒸着を行なった。このときの条件は、真空度を５
Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒとし、また、膜の圧縮応力による
反りの曲率半径を４００ｃｍ以上に抑えるため、基板温
度を１００℃にした。そして、電子線加熱により５分間
で１５ｐ＋ｓ厚のＳｉＯ□膜を成膜した。また、その後
、同様の真空蒸着により基板温度１００℃でＳｉＯ□膜
上に電極となるＡ２薄膜層を形成した。以上によって得
られたサンプルの断面を第１図に示す。図の１はＡ／２
薄膜、２はＳｉＯ□月桑、３は基板である。
次に、上記サンプルを大気中で２５０℃１１５分間の熱
処理に供し、この熱処理前後の３１０！膜の電気的性能
と引張り試験による耐剥離性能の評価、比較を行なった
。
処理に供し、この熱処理前後の３１０！膜の電気的性能
と引張り試験による耐剥離性能の評価、比較を行なった
。
その結果を表１に示す。
上表から判るように、１５ｐ厚の５ｉ０２膜を５分間で
堆積させても、その後に２５０℃の低温でアニールする
ことにより、アニール前には共に充分でなかった電気的
特性、基板との密着性を比較的満足できる数値に改善す
ることができた。
堆積させても、その後に２５０℃の低温でアニールする
ことにより、アニール前には共に充分でなかった電気的
特性、基板との密着性を比較的満足できる数値に改善す
ることができた。
〔実施例２〕
※ Ｆｅ −４２％Ｎｉ圧延基板上にスパッタリングし
たＡｆｆｉＮ膜の改質 厚み０．２５ｗのＦｅ −４２％Ｎｉ基板上にＡｌＮ薄
膜をスパッタリング法で成膜した。スパッタリング原料
には、ホットプレスでの焼結後、平面研磨したＡｌＮ焼
結体ターゲットを用い、さらに、ターゲット上での放電
密度を高めるため（スパッタ効果を上げる）、ターゲッ
ト裏面に永久磁石を配置していわゆるマグネトロンスパ
ック法にした。このときの条件は、ターゲット側に周波
数１００ＭＨｚの高周波交番電界を印加し、１０：２の
流量比でＡｒとＮ２ガスを導入し、圧力５ Ｘｌ０−’
Ｔｏｒｒ、基板温度１００″Ｃ１高周波電力５００−と
じ、２時間で１２ｐｍ厚のＡｆｆｉＮ薄膜を堆積させた
。この成膜速度は高周波電力と比例関係にある。
たＡｆｆｉＮ膜の改質 厚み０．２５ｗのＦｅ −４２％Ｎｉ基板上にＡｌＮ薄
膜をスパッタリング法で成膜した。スパッタリング原料
には、ホットプレスでの焼結後、平面研磨したＡｌＮ焼
結体ターゲットを用い、さらに、ターゲット上での放電
密度を高めるため（スパッタ効果を上げる）、ターゲッ
ト裏面に永久磁石を配置していわゆるマグネトロンスパ
ック法にした。このときの条件は、ターゲット側に周波
数１００ＭＨｚの高周波交番電界を印加し、１０：２の
流量比でＡｒとＮ２ガスを導入し、圧力５ Ｘｌ０−’
Ｔｏｒｒ、基板温度１００″Ｃ１高周波電力５００−と
じ、２時間で１２ｐｍ厚のＡｆｆｉＮ薄膜を堆積させた
。この成膜速度は高周波電力と比例関係にある。
この後、得られたＡＩＮ薄膜上にＡ２薄膜を基板温度１
００℃下で蒸着した。以上によって得られたサンプルの
断面構造は、第１図の２の層がＡ２Ｎｆ！膜に代わった
のみで他は第１図と同様である。
００℃下で蒸着した。以上によって得られたサンプルの
断面構造は、第１図の２の層がＡ２Ｎｆ！膜に代わった
のみで他は第１図と同様である。
次に、上記サンプルを大気圧のＮ、雰囲気中で２５０℃
１１５分間の低温熱処理に供し、その前後の第１実施例
と同一内容の性能についての評価比較を行なった０表２
がその結果である。
１１５分間の低温熱処理に供し、その前後の第１実施例
と同一内容の性能についての評価比較を行なった０表２
がその結果である。
表２
※１ ｋｌｌｚで測定
この場合も、スパッタリングとしては比較的速い成膜速
度のため、アニール前には不充分であった電気的特性、
基板との密着性が、反りを発生させない低温熱処理によ
って比較的満足できる数値に改善されている。
度のため、アニール前には不充分であった電気的特性、
基板との密着性が、反りを発生させない低温熱処理によ
って比較的満足できる数値に改善されている。
〔実施例３〕
※ Ｆｅ−４２％Ｎｉ圧延板上にイオンブレーティング
されたＡ１ｙＩ膜の改質 厚み０．２５ｍのＦｅ −４２％Ｎｉ圧延基板上にＡＰ
、ｉ膜をイオンブレーティング法で成膜した。蒸発源に
は５ａ角、ｌｌｌ１ｌ厚のＡｌを複数枚用い、これを電
子銃による電子線加熱で謂発させた。また、使用したイ
オンブレーティング装置は蒸発源と基板との間に高周波
誘導コイルを備え、基板には負の直流電圧がかけられる
ようになっている。
されたＡ１ｙＩ膜の改質 厚み０．２５ｍのＦｅ −４２％Ｎｉ圧延基板上にＡＰ
、ｉ膜をイオンブレーティング法で成膜した。蒸発源に
は５ａ角、ｌｌｌ１ｌ厚のＡｌを複数枚用い、これを電
子銃による電子線加熱で謂発させた。また、使用したイ
オンブレーティング装置は蒸発源と基板との間に高周波
誘導コイルを備え、基板には負の直流電圧がかけられる
ようになっている。
成膜条件は、５ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒの圧力のＡｒ
ガスを装置内に導入し、周波数１３．５６１’ｌＨｚの
高周波を２００Ｗで印加し、一方、基板印加電圧は２０
０ｖにして放電させた。基板温度は１００’Ｃである。
ガスを装置内に導入し、周波数１３．５６１’ｌＨｚの
高周波を２００Ｗで印加し、一方、基板印加電圧は２０
０ｖにして放電させた。基板温度は１００’Ｃである。
以上の設定条件の下で、２分間で６ｎ厚のＡｌ薄膜を基
板上に堆積させた。これによって得られたサンプルの断
面を第２図に示す０図の４はＡｌ薄膜、５はＦｅ −４
２％Ｎｉ基板である。
板上に堆積させた。これによって得られたサンプルの断
面を第２図に示す０図の４はＡｌ薄膜、５はＦｅ −４
２％Ｎｉ基板である。
次に、このサンプルを実施例１と同一条件で熱処理し、
その前後の４．５間の剥離強度を調べた。
その前後の４．５間の剥離強度を調べた。
その評価値を表３に示す。
表３
金属薄膜の場合、堆積速度を速くしたり、基板温度を下
げたりすると電気的特性は別としても下地材との密着性
は確実に悪くなる。実施例３の結果は、その悪化した密
着性を有効に改善できることを表わしている。
げたりすると電気的特性は別としても下地材との密着性
は確実に悪くなる。実施例３の結果は、その悪化した密
着性を有効に改善できることを表わしている。
以上述べたように、この発明の方法によれば、物理的気
相成膜法によって形成された薄膜の膜質、例えば、誘電
体の酸化物、窒化物等については電気的特性と下地材と
の密着性を、また、絶縁膜については電気絶縁性と下地
材との密着性を、さらに、金属ｆｊｌＢについては少な
くとも下地材との密層性を、それぞれ後工程での低温ア
ニールによって改善するので、成膜時には膜質よりも膜
の堆積速度を重視し、さらに、アニールは多数個を一括
処理して薄膜製品の生産性を向上させることが可能にな
る。また、成膜時の下地材温度を低くして膜と下地材と
の熱膨張差に起因した製品の反りも防止することができ
、高品質で信顛性の高い薄膜製品を量産して安価に提供
するのに役立つ。
相成膜法によって形成された薄膜の膜質、例えば、誘電
体の酸化物、窒化物等については電気的特性と下地材と
の密着性を、また、絶縁膜については電気絶縁性と下地
材との密着性を、さらに、金属ｆｊｌＢについては少な
くとも下地材との密層性を、それぞれ後工程での低温ア
ニールによって改善するので、成膜時には膜質よりも膜
の堆積速度を重視し、さらに、アニールは多数個を一括
処理して薄膜製品の生産性を向上させることが可能にな
る。また、成膜時の下地材温度を低くして膜と下地材と
の熱膨張差に起因した製品の反りも防止することができ
、高品質で信顛性の高い薄膜製品を量産して安価に提供
するのに役立つ。
第１図は、実施例１．２によって得られたサンプルの断
面図、第２図は実施例３によって得られたサンプルの断
面図である。 １・・・・・・Ａｊ２薄膜、 ２・・・・・・ＳｉＯ□又はＡＩＮ薄膜、３・・・・・
・Ｆｅ −４２％Ｎｉ基板、４・・・・・・ＡＰ、薄膜
、５・・・・・・Ｆｅ−４２％Ｎｉ基）反。 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 １） 文 第１図 第２図
面図、第２図は実施例３によって得られたサンプルの断
面図である。 １・・・・・・Ａｊ２薄膜、 ２・・・・・・ＳｉＯ□又はＡＩＮ薄膜、３・・・・・
・Ｆｅ −４２％Ｎｉ基板、４・・・・・・ＡＰ、薄膜
、５・・・・・・Ｆｅ−４２％Ｎｉ基）反。 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 １） 文 第１図 第２図
Claims (5)
- （１）物理的気相成膜法によって下地材上に形成された
薄膜を３５０℃以下の低温で所定時間アニールして薄膜
の電気絶縁性、比誘電率、誘電損失、或いは下地材との
密着性等の特性を改善することから成る薄膜の膜質改善
方法。 - （２）アニールする薄膜が酸化物又は窒化物である請求
項（１）記載の薄膜の膜質改善方法。 - （３）アニールする薄膜が誘電体である請求項の（１）
又は（２）記載の薄膜の膜質改善方法。 - （４）アニールする薄膜が金属膜である請求項（１）記
載の薄膜の膜質改善方法。 - （５）前記下地材が金属である請求項（１）乃至（４）
のいずれかに記載の薄膜の膜質改善方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11044889A JPH02288231A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 薄膜の膜質改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11044889A JPH02288231A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 薄膜の膜質改善方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288231A true JPH02288231A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14535975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11044889A Pending JPH02288231A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 薄膜の膜質改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128691A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法及び表示素子 |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP11044889A patent/JPH02288231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128691A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法及び表示素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4975389A (en) | Aluminum metallization for semiconductor devices | |
| CN113193109A (zh) | 一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜 | |
| JPH02288231A (ja) | 薄膜の膜質改善方法 | |
| KR101353703B1 (ko) | 방향성 전기 강판 및 그 제조 방법 | |
| JP6317056B2 (ja) | アルミニウム膜被着方法 | |
| JP2900284B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| US5370837A (en) | High temperature heat-treating jig | |
| JPH029450B2 (ja) | ||
| JP2004119938A (ja) | 酸化シリコン膜製造方法及び装置 | |
| KR20120074562A (ko) | 초고장력 코팅막을 갖는 방향성 전기 강판 및 그 제조 방법 | |
| JPH0344007A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS62243765A (ja) | 薄膜形成時における残留応力緩和方法 | |
| SU894812A1 (ru) | Способ изготовлени керамических деталей | |
| CN116200704A (zh) | 一种金属氧化物薄膜的制备方法及氧化物薄膜 | |
| JPH03150351A (ja) | 膜形成方法 | |
| JPH04116826A (ja) | シリコン窒化膜の成膜方法 | |
| Mardare et al. | The performance of Zr as barrier layer for Pt bottom electrodes in Pb (Zr, Ti) O3 thin film capacitors | |
| JPH04300270A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| CN117107203A (zh) | 一种MiniLED镀膜方法 | |
| JP3068916B2 (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| CN116209338A (zh) | 一种半导体薄膜及其制备方法 | |
| CN112538609A (zh) | 一种压电陶瓷片磁控溅射镀膜工艺及应用 | |
| TW202408796A (zh) | 積層體之製造方法 | |
| CN113726306A (zh) | 一种多层膜结构、制备方法及应用 | |
| KR20200101011A (ko) | 면상 발열체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 히터 |