JPH02288113A - 金属―酸化物超電導体の複合体の製造方法 - Google Patents
金属―酸化物超電導体の複合体の製造方法Info
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- JPH02288113A JPH02288113A JP1110621A JP11062189A JPH02288113A JP H02288113 A JPH02288113 A JP H02288113A JP 1110621 A JP1110621 A JP 1110621A JP 11062189 A JP11062189 A JP 11062189A JP H02288113 A JPH02288113 A JP H02288113A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化物超電導体の利用技術に関するものであり
、特に酸化物超電導体をその超電導特性を低下させる事
なく金属基体で補強して、優れた超電導特性並びにＲ械
的強度を有する金属−酸化物超電導体の複合体となす方
法に関するものである。
、特に酸化物超電導体をその超電導特性を低下させる事
なく金属基体で補強して、優れた超電導特性並びにＲ械
的強度を有する金属−酸化物超電導体の複合体となす方
法に関するものである。
近年、アルカリ上金属、希土類元素、銅、ビスマス、タ
リウム等の元素及び酸素からなるＹ−Ｂａ −Ｃｕ −
０系、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系或いはＴ Ｉ
ｔ −Ｂ ａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系等の酸化物超電
導体が見出され、その臨界温度（Ｔ、）が高い事から、
磁気シールド、マグネット等への応用が期待されており
、これらの物質の実用化に向けて様々な研究がなされて
いる。
リウム等の元素及び酸素からなるＹ−Ｂａ −Ｃｕ −
０系、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系或いはＴ Ｉ
ｔ −Ｂ ａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系等の酸化物超電
導体が見出され、その臨界温度（Ｔ、）が高い事から、
磁気シールド、マグネット等への応用が期待されており
、これらの物質の実用化に向けて様々な研究がなされて
いる。
然しなから、これらの酸化物超電導体は層状ペロブスカ
イト構造の酸化物であって、脆く、機械的強度が弱い為
、酸化物超電導体単独では実使用に耐え得る強度を持つ
大型の或いは長尺の成形体となす事が困難であった。
イト構造の酸化物であって、脆く、機械的強度が弱い為
、酸化物超電導体単独では実使用に耐え得る強度を持つ
大型の或いは長尺の成形体となす事が困難であった。
そこで酸化物超電導体を例えばセラミックス基体（例え
ばＺ ｒ Ｏｔ、 Ｍ ｇ ＯｌＡ ｌ ｚ Ｏｘ等）
や金属基体（例えばＮｉ系合金、Ｆｅ系合金、Ａｇ、Ｐ
ｔ等）と複合化し、これらの基体によって酸化物超電導
体を補強する事によって、前記強度の問題を改善する試
みがなされている。
ばＺ ｒ Ｏｔ、 Ｍ ｇ ＯｌＡ ｌ ｚ Ｏｘ等）
や金属基体（例えばＮｉ系合金、Ｆｅ系合金、Ａｇ、Ｐ
ｔ等）と複合化し、これらの基体によって酸化物超電導
体を補強する事によって、前記強度の問題を改善する試
みがなされている。
然しなから前記基体の内、セラミックス基体の場合は大
型化が困難であるという限界があり、又例えばＮｉ系合
金、Ｆｅ系合金等の一般の金属材料を基体として用いる
場合は、加熱処理時に酸化物超電導体となす酸化物層と
金属基体とが反応し、ＮｉやＦｅ等の金属元素が前記酸
化物層中に拡散して得られる酸化物超電導体層の超電導
特性を害するという問題があった。
型化が困難であるという限界があり、又例えばＮｉ系合
金、Ｆｅ系合金等の一般の金属材料を基体として用いる
場合は、加熱処理時に酸化物超電導体となす酸化物層と
金属基体とが反応し、ＮｉやＦｅ等の金属元素が前記酸
化物層中に拡散して得られる酸化物超電導体層の超電導
特性を害するという問題があった。
一方、金属基体の材料としてＡｇ、ＰＬ等を用いれば、
前記加熱処理時における酸化物層と金属基体との反応に
よる酸化物超電導体層の超電導特性の低下は起らないも
のの、ＡｇやＰＬ自体は機械的強度があまり強くない為
、これらの金属では酸化物超電導体を充分に補強する事
が出来なかった。
前記加熱処理時における酸化物層と金属基体との反応に
よる酸化物超電導体層の超電導特性の低下は起らないも
のの、ＡｇやＰＬ自体は機械的強度があまり強くない為
、これらの金属では酸化物超電導体を充分に補強する事
が出来なかった。
本発明は上記の点に鑑み鋭意検討の結果なされたもので
あり、その目的とするところは、超電導特性に優れ、且
つ機械的強度にも優れた金属−酸化物超電導体の複合体
の製造方法を提供する事である。
あり、その目的とするところは、超電導特性に優れ、且
つ機械的強度にも優れた金属−酸化物超電導体の複合体
の製造方法を提供する事である。
即ち本発明は、金属基体上にＣｕ又はＣｕ合金或いはＢ
ｉとＳ「、Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素からなる複合
酸化物層を介してＡｇ層を形成し、更にその上に酸化物
超電導体となる酸化物層を形成した後、加熱処理してこ
れらを一体化する事を特徴とする金属−酸化物超電導体
の複合体の製造方法である。
ｉとＳ「、Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素からなる複合
酸化物層を介してＡｇ層を形成し、更にその上に酸化物
超電導体となる酸化物層を形成した後、加熱処理してこ
れらを一体化する事を特徴とする金属−酸化物超電導体
の複合体の製造方法である。
本発明方法は、基体としてステンレス、鋼等の機械的強
度を存する一般の金属材料を用い、加熱処理時に酸化物
超電導体となす酸化物層と金属基体とが反応するのを防
止する為前記両者の間にＡｇ層を介在させると共に、前
記Ａｇ層と金属基体との間にＣｕ又はＣｕ合金層或いは
ＢｉとＳｒ。
度を存する一般の金属材料を用い、加熱処理時に酸化物
超電導体となす酸化物層と金属基体とが反応するのを防
止する為前記両者の間にＡｇ層を介在させると共に、前
記Ａｇ層と金属基体との間にＣｕ又はＣｕ合金層或いは
ＢｉとＳｒ。
Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素からなる複合酸化物層を
介在させた積層構造とした後、これらを加熱して一体化
しようとするものである。
介在させた積層構造とした後、これらを加熱して一体化
しようとするものである。
即ち、加熱処理により、酸化物超電導体となる酸化物層
が溶融してＡｇ層に接合されると共に、Ｃｕ又はＣｕ合
金層とＡｇ層との反応層（Ｃｕ−Ａｇ合金層）或いはＢ
ｊとＳｒ、Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素からなる複合
酸化物層が溶融する事により、Ａｇ層と金属基体とを接
合させるものである。
が溶融してＡｇ層に接合されると共に、Ｃｕ又はＣｕ合
金層とＡｇ層との反応層（Ｃｕ−Ａｇ合金層）或いはＢ
ｊとＳｒ、Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素からなる複合
酸化物層が溶融する事により、Ａｇ層と金属基体とを接
合させるものである。
本発明方法において用いる金属基体の材質は特に限定さ
れるものではないが、酸化物超電導体の形成は通常酸素
を含有する雰囲気中で熱処理する事により行なわれる為
、例えばステンレス等の耐熱合金を用いる事が望ましい
。
れるものではないが、酸化物超電導体の形成は通常酸素
を含有する雰囲気中で熱処理する事により行なわれる為
、例えばステンレス等の耐熱合金を用いる事が望ましい
。
金属基体上にＢｉを含むＳｒ、Ｃａ、Ｃｕ等との複合酸
化物層を設ける場合は、Ｂｉ基以外金属元素が１種類以
下であると、熱処理時に脆い化合物が形成されて、この
上にＡｇ層をしっかりと設ける事が出来ない。従ってＢ
ｉとＳｒ、Ｃａ、ＣＵの内２種以上の元素からなる複合
酸化物層を設ける必要がある。尚前記Ｂｉを含む複合酸
化物層の厚さは、通常２０〜５００μｍ程度の厚さにす
るのが望ましい。
化物層を設ける場合は、Ｂｉ基以外金属元素が１種類以
下であると、熱処理時に脆い化合物が形成されて、この
上にＡｇ層をしっかりと設ける事が出来ない。従ってＢ
ｉとＳｒ、Ｃａ、ＣＵの内２種以上の元素からなる複合
酸化物層を設ける必要がある。尚前記Ｂｉを含む複合酸
化物層の厚さは、通常２０〜５００μｍ程度の厚さにす
るのが望ましい。
又金属基体上にＣｕ又はＣｕ合金層を設ける場合、その
厚さはその上のＡｇ層の厚さや熱処理時間等にも関係す
るが、通常Ａｇ層の厚さの１％未満であると、Ａｇ層と
金属基体とをしっかりと接合させる事が困難となるので
、Ａｇ層の厚さの１％以上、２０％以下である事が望ま
しい。
厚さはその上のＡｇ層の厚さや熱処理時間等にも関係す
るが、通常Ａｇ層の厚さの１％未満であると、Ａｇ層と
金属基体とをしっかりと接合させる事が困難となるので
、Ａｇ層の厚さの１％以上、２０％以下である事が望ま
しい。
Ｃｕ又はＣｕ合金層或いはＢｉとＳ「、Ｃａ。
Ｃｕの内２種以上の元素からなる酸化物層の上に設けら
れるＡｇ層の厚さは、酸化物超電導体となる酸化物層と
金属基体との間の反応を阻止するのに充分な厚さであれ
ば良（、通常１００〜１０００μｍ程度の厚さにするの
が望ましい。
れるＡｇ層の厚さは、酸化物超電導体となる酸化物層と
金属基体との間の反応を阻止するのに充分な厚さであれ
ば良（、通常１００〜１０００μｍ程度の厚さにするの
が望ましい。
酸化物超電導体の材質は特に限定されるものではな（、
例えばＢ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｙ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体を用いる事が出来る。
例えばＢ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｙ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体を用いる事が出来る。
本発明方法においては、金属基体上にＣｕ又はＣｕ合金
層或いはＢｉとＳｒ、Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素か
らなる複合酸化物層を介してＡｇ層を形成し、更にその
上に酸化物超電導体となる酸化物層を形成した後、加熱
処理してＣｕ又はＣｕ合金層とＡｇ層との反応Ｎ（Ｃｕ
−Ａｇ合金層）或いはＢｉとＳｒ、Ｃａ、Ｃｕの内２種
以上の元素からなる酸化物層を溶融させると共に、酸化
物超電導体となる酸化物層をも溶融させて、これらを一
体止している。
層或いはＢｉとＳｒ、Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素か
らなる複合酸化物層を介してＡｇ層を形成し、更にその
上に酸化物超電導体となる酸化物層を形成した後、加熱
処理してＣｕ又はＣｕ合金層とＡｇ層との反応Ｎ（Ｃｕ
−Ａｇ合金層）或いはＢｉとＳｒ、Ｃａ、Ｃｕの内２種
以上の元素からなる酸化物層を溶融させると共に、酸化
物超電導体となる酸化物層をも溶融させて、これらを一
体止している。
従ってこの様にして製造される金属−酸化物超電導体の
複合体は、酸化物超電導体がＡｇ層を介してステンレス
等の金属基体にしっかりと接合されており、当該金属基
体によって補強されているので、充分なＩａ械的強度を
有している。又金属基体と酸化物超電導体層との間に両
者間の反応を閉止するＡｇ層が介在しているので、熱処
理時に金属基体中の例えばＦｅ、Ｎｉ等の元素が酸化物
超電導体となる酸化物層中に拡散してその超電導特性を
低下させる事がなく、優れた超電導特性を有している。
複合体は、酸化物超電導体がＡｇ層を介してステンレス
等の金属基体にしっかりと接合されており、当該金属基
体によって補強されているので、充分なＩａ械的強度を
有している。又金属基体と酸化物超電導体層との間に両
者間の反応を閉止するＡｇ層が介在しているので、熱処
理時に金属基体中の例えばＦｅ、Ｎｉ等の元素が酸化物
超電導体となる酸化物層中に拡散してその超電導特性を
低下させる事がなく、優れた超電導特性を有している。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例１
ステンレス基板（厚さ：１ｍｍ）上に銅板（厚さ：５０
μｍ）を重ね、更にその上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ
−０系超電導体粉末のペーストを５００μｍの厚さに
塗布したＡｇ牟反（厚さ＝３００μｍ）を超電導体粉末
のペースト層が上側になる様にして積層した。この様に
して得られた積層体をＮ２気流中で８００°ＣＸ２０ｍ
１ｎ熱処理して一体に接合した後、これを０２気流中で
９２０″ＣＸ３０ｍ ｉ ｎ熱処理した後、更に０□気
流中で８５０”ＣＸ１０ｈｒ熱処理した。その結果、１
０００Ａ／ｃｍ”の臨界電流密度（Ｊ、）値（ａ ｔ
７７Ｋ）を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得ら
れた。又Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度は５
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであって、酸化物超電導体層はス
テンレス基板上にしっかりと接合されていた。
μｍ）を重ね、更にその上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ
−０系超電導体粉末のペーストを５００μｍの厚さに
塗布したＡｇ牟反（厚さ＝３００μｍ）を超電導体粉末
のペースト層が上側になる様にして積層した。この様に
して得られた積層体をＮ２気流中で８００°ＣＸ２０ｍ
１ｎ熱処理して一体に接合した後、これを０２気流中で
９２０″ＣＸ３０ｍ ｉ ｎ熱処理した後、更に０□気
流中で８５０”ＣＸ１０ｈｒ熱処理した。その結果、１
０００Ａ／ｃｍ”の臨界電流密度（Ｊ、）値（ａ ｔ
７７Ｋ）を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得ら
れた。又Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度は５
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであって、酸化物超電導体層はス
テンレス基板上にしっかりと接合されていた。
実施例２
ステンレス基板（厚さ：１ｍｍ）上に銅粉を２０μｍの
厚さに塗布し、その上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ −
０系超電導体粉末のペーストを８００μｍの厚さに塗布
したＡｇ４反（厚さ： ５００μｍ）を超電導体粉末の
ペースト層が上側になる様にして積層した。この様にし
て得られた積層体に実施例１と同様な熱処理を施した。
厚さに塗布し、その上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ −
０系超電導体粉末のペーストを８００μｍの厚さに塗布
したＡｇ４反（厚さ： ５００μｍ）を超電導体粉末の
ペースト層が上側になる様にして積層した。この様にし
て得られた積層体に実施例１と同様な熱処理を施した。
その結果、１０００Ａ／ａｍ”のＪｃ値（ａｔ７７Ｋ）
を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得られた。又
Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度はやはり５
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであった。
を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得られた。又
Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度はやはり５
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであった。
実施例３
ステンレス基板（厚さ：１ｍｍ）上にＢ１−３ｒ −Ｃ
ｕ −０系酸化物粉末のペーストを２００μｍの厚さに
塗布し、更にその上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ −０
系超電導体粉末のペーストを５００μｍの厚さに塗布し
たＡｇ板（厚さ＝２００μｍ）を超電導体粉末のペース
ト層が上側になる様にして積層した。この様にして得ら
れた積層体を０□気流中で９２０°ＣＸ３０ｍ１ｎ熱処
理した後、更に０□気流中で８５０°ＣＸ１０ｈｒ熱処
理した。
ｕ −０系酸化物粉末のペーストを２００μｍの厚さに
塗布し、更にその上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ −０
系超電導体粉末のペーストを５００μｍの厚さに塗布し
たＡｇ板（厚さ＝２００μｍ）を超電導体粉末のペース
ト層が上側になる様にして積層した。この様にして得ら
れた積層体を０□気流中で９２０°ＣＸ３０ｍ１ｎ熱処
理した後、更に０□気流中で８５０°ＣＸ１０ｈｒ熱処
理した。
その結果、１００ＯＡ／ｃｍ２のＪｃ値（ａ ｔ ７７
Ｋ）を有する全屈−酸化物超電導体の複合体が得られた
。又Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度は３ ｋ
ｇ ／ ｃ ｍであって、酸化物超電導体層はステン
レス基板にしっかりと接合されている事が分かった。
Ｋ）を有する全屈−酸化物超電導体の複合体が得られた
。又Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度は３ ｋ
ｇ ／ ｃ ｍであって、酸化物超電導体層はステン
レス基板にしっかりと接合されている事が分かった。
実施例４
ステンレス基板（厚さ：１ｍｍ）上にＢ１−３ｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０系酸化物粉末のペーストを１００μｍ
の厚さに塗布し、その上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ
−０系超電導体粉末のペーストを３００μｍの厚さに塗
布したＡｇ板（厚さ：ｌＯＯμｍ）を超電導体粉末のペ
ースト層が上側になる様にして積層した。この様にして
得られた積層体に実施例３と同様な熱処理を施した。そ
の結果、８９０Ａ／ｃｍ”のＪＣ値（ａ ｔ ７７ Ｋ
）を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得られた。
ａ −Ｃｕ −０系酸化物粉末のペーストを１００μｍ
の厚さに塗布し、その上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −Ｃｕ
−０系超電導体粉末のペーストを３００μｍの厚さに塗
布したＡｇ板（厚さ：ｌＯＯμｍ）を超電導体粉末のペ
ースト層が上側になる様にして積層した。この様にして
得られた積層体に実施例３と同様な熱処理を施した。そ
の結果、８９０Ａ／ｃｍ”のＪＣ値（ａ ｔ ７７ Ｋ
）を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得られた。
又Ａｇ板とステンレス基板との間の剥離強度はやはり３
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであった。
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであった。
実施例５
ステンレス基板（厚さ：１ｍｍ）上にＢ１−３ｒ −Ｃ
ｕ −０系酸化物粉末の代わりに、Ｂ１−Ｃａ −Ｃｕ
−０系酸化物粉末を用いたペーストを２００ｔＩｍの
厚さに塗布し、以後実施例３と同様な処理を施した結果
、１０５０Ａ／ｃｍ”のＪｃ値（ａｔ７７Ｋ）を有する
金属−酸化物超電導体の複合体が得られた。又Ａ ｇ
＃Ｉｉとステンレス基板との間の剥離強度はやはり３
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであった。
ｕ −０系酸化物粉末の代わりに、Ｂ１−Ｃａ −Ｃｕ
−０系酸化物粉末を用いたペーストを２００ｔＩｍの
厚さに塗布し、以後実施例３と同様な処理を施した結果
、１０５０Ａ／ｃｍ”のＪｃ値（ａｔ７７Ｋ）を有する
金属−酸化物超電導体の複合体が得られた。又Ａ ｇ
＃Ｉｉとステンレス基板との間の剥離強度はやはり３
ｋ ｇ ／ ｃ ｍであった。
比較例１
ステンレス基板（厚さ：１ｍｍ）上にＢ１−３ｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０系超電導体粉末のペーストを５００μ
ｍの厚さに塗布した後、実施例３と同様な熱処理を施し
たところ、液体窒素温度（７７Ｋ）では超電導状態にな
らなかった。
ａ −Ｃｕ −０系超電導体粉末のペーストを５００μ
ｍの厚さに塗布した後、実施例３と同様な熱処理を施し
たところ、液体窒素温度（７７Ｋ）では超電導状態にな
らなかった。
比較例２
Ａｇ板（厚さ：２００μｍ）上にＢ１−３ｒ−Ｃａ −
Ｃｕ −０系超電導体粉末のペーストを５００μｍの厚
さに塗布した後、実施例３と同様な熱処理を施したとこ
ろ、１０Ｂ０Ａ／ｃｍ”のＪｅ値（ａ Ｌ ７７ Ｋ）
を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得られたが、
この複合体は手を触れると節単に曲がって、酸化物超電
導体層にひびがはいってしまい、明らかに機械的強度が
不足していた。
Ｃｕ −０系超電導体粉末のペーストを５００μｍの厚
さに塗布した後、実施例３と同様な熱処理を施したとこ
ろ、１０Ｂ０Ａ／ｃｍ”のＪｅ値（ａ Ｌ ７７ Ｋ）
を有する金属−酸化物超電導体の複合体が得られたが、
この複合体は手を触れると節単に曲がって、酸化物超電
導体層にひびがはいってしまい、明らかに機械的強度が
不足していた。
本発明方法により製造した金属−酸化物超電導体の複合
体は、超電導特性に優れていると共に、ｊａ機械的強度
も優れていて、磁気シールド等への実用化が期待出来る
ものであり、工業上顕著な効果を奏するものである。
体は、超電導特性に優れていると共に、ｊａ機械的強度
も優れていて、磁気シールド等への実用化が期待出来る
ものであり、工業上顕著な効果を奏するものである。
特許出願人 古河電気工業株式会社
Claims (1)
- 金属基体上にＣｕ又はＣｕ合金層或いはＢｉとＳｒ、
Ｃａ、Ｃｕの内２種以上の元素からなる複合酸化物層を
介してＡｇ層を形成し、更にその上に酸化物超電導体と
なる酸化物層を形成した後、加熱処理してこれらを一体
化する事を特徴とする金属−酸化物超電導体の複合体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110621A JPH02288113A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 金属―酸化物超電導体の複合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110621A JPH02288113A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 金属―酸化物超電導体の複合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288113A true JPH02288113A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14540433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1110621A Pending JPH02288113A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 金属―酸化物超電導体の複合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199700A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物超電導磁気シールド体及びその製造方法 |
| JP2010107627A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | ズームレンズおよび撮像モジュール |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1110621A patent/JPH02288113A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199700A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物超電導磁気シールド体及びその製造方法 |
| JP2010107627A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | ズームレンズおよび撮像モジュール |
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