JPS6329415A - 化合物超電導線の製造方法 - Google Patents
化合物超電導線の製造方法Info
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- JPS6329415A JPS6329415A JP61171180A JP17118086A JPS6329415A JP S6329415 A JPS6329415 A JP S6329415A JP 61171180 A JP61171180 A JP 61171180A JP 17118086 A JP17118086 A JP 17118086A JP S6329415 A JPS6329415 A JP S6329415A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高磁界を発生する超電シコイルの巻線材とし
て用いられる化合物超電導ｔ９の製造方法に関するもの
である。
て用いられる化合物超電導ｔ９の製造方法に関するもの
である。
最近、Ｉ亥融合、商工ぶルギー物理、核磁気共鳴装置、
物性研究用などの分野において、高磁界を発生できる超
電導コイルの製作が退めらている。
物性研究用などの分野において、高磁界を発生できる超
電導コイルの製作が退めらている。
高磁界超電導コイルの巻線材として用いられる化合物超
電導、腺は、主として、フィラメント状のＮＪＳｎ、
Ｖ３Ｇａなどの超電導化合物層とＣｕなどの安定化金属
層、ブロンズ層、Ｎｂ、Ｔａなどの拡散障壁層からなっ
ている。このような構成を持つ線は、Ｎ ｂ ｚ Ｓ
ｎ Ｌ９を例にとると、文献［に、Ｙｏｓｈｉｚａｋｉ
ｅＬ ａｌ：１ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｍａｇ、
Ｖｏｌ、Ｍａ（（−２１（１９８５）、３０１ Ｊに示
されるように、各構成成分であるＮｈ３Ｓｎ、Ｃｕなど
を一体として伸線し、最終寸法で軌処理することによっ
て内部的にＮｂＪＳｎを生成させろ、いわゆる複合加工
法で製造されている。第５図及び第６図に、従来の代表
的な化合物超電導線であるＮｂ１Ｓｎ線の熱処理前と熱
処理後の横断面を示す。図において、（１）はＣ８層、
（２）はＳｎ層、（３）は拡散障壁）ｉｂｉ、（４）は
Ｎｂ層、（５）はＮｂ、Ｓｉ層、（６）はブロンズ層を
示している。第１図において、中央に配置されたＳｎが
、熱処理によってＣｕマトリックス中に拡散し、Ｎｂの
表面にＮｂ１Ｓｎ を生成させ、Ｃｕマトリフクスをブ
ロンズに変え、第２図に示す構造になる。なお、最外層
に配置されたＣｕは拡散障壁によってＳｎの汚染から守
り、高電気伝導性を保っているので、局部的に超電導状
態が破壊しても、それが全体に伝搬することを防ぐ安定
化金属としての役割を果たしている。
電導、腺は、主として、フィラメント状のＮＪＳｎ、
Ｖ３Ｇａなどの超電導化合物層とＣｕなどの安定化金属
層、ブロンズ層、Ｎｂ、Ｔａなどの拡散障壁層からなっ
ている。このような構成を持つ線は、Ｎ ｂ ｚ Ｓ
ｎ Ｌ９を例にとると、文献［に、Ｙｏｓｈｉｚａｋｉ
ｅＬ ａｌ：１ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｍａｇ、
Ｖｏｌ、Ｍａ（（−２１（１９８５）、３０１ Ｊに示
されるように、各構成成分であるＮｈ３Ｓｎ、Ｃｕなど
を一体として伸線し、最終寸法で軌処理することによっ
て内部的にＮｂＪＳｎを生成させろ、いわゆる複合加工
法で製造されている。第５図及び第６図に、従来の代表
的な化合物超電導線であるＮｂ１Ｓｎ線の熱処理前と熱
処理後の横断面を示す。図において、（１）はＣ８層、
（２）はＳｎ層、（３）は拡散障壁）ｉｂｉ、（４）は
Ｎｂ層、（５）はＮｂ、Ｓｉ層、（６）はブロンズ層を
示している。第１図において、中央に配置されたＳｎが
、熱処理によってＣｕマトリックス中に拡散し、Ｎｂの
表面にＮｂ１Ｓｎ を生成させ、Ｃｕマトリフクスをブ
ロンズに変え、第２図に示す構造になる。なお、最外層
に配置されたＣｕは拡散障壁によってＳｎの汚染から守
り、高電気伝導性を保っているので、局部的に超電導状
態が破壊しても、それが全体に伝搬することを防ぐ安定
化金属としての役割を果たしている。
超電導コイルには、コンパクトで、安定な運転が可能で
、効率よく、高磁界が発生できることが強く要求されて
いる。そのためには、超電導ｉ！！１温度、）ｎ界も■
界、臨界電流密度の基本特性のうち、鴨１に臨界電流密
度が十分高いことが必要である。
、効率よく、高磁界が発生できることが強く要求されて
いる。そのためには、超電導ｉ！！１温度、）ｎ界も■
界、臨界電流密度の基本特性のうち、鴨１に臨界電流密
度が十分高いことが必要である。
現在、複合加工法で製作されている前述の断面構成を持
った化合物超電導線では、加工上の制限から、超電導層
であるＮｂ、Ｓｎ層（５）と常電導層であるブロンズ層
（６）の面積比は、例えば、上述の文献が示すように、
せいぜい１：２程度と超電導層の面積比率が小さく、安
定化材を除く超電導層とブロンズ層の合計断面積当たり
の臨界電流密度が低いので、高磁界を発生するには効率
的ではないという欠点を持っていた。また、Ｎｂ３Ｓｎ
生成後のマトリックスのＳｎ濃度はせいぜい３ｗｔｏＡ
程度であるため、その電気抵抗が低く、磁界が変動した
場合の損失の原因となるフィラメント間の電気的な結合
を防ぐには十分でないので、いわゆる交流１員失が大き
かった。
った化合物超電導線では、加工上の制限から、超電導層
であるＮｂ、Ｓｎ層（５）と常電導層であるブロンズ層
（６）の面積比は、例えば、上述の文献が示すように、
せいぜい１：２程度と超電導層の面積比率が小さく、安
定化材を除く超電導層とブロンズ層の合計断面積当たり
の臨界電流密度が低いので、高磁界を発生するには効率
的ではないという欠点を持っていた。また、Ｎｂ３Ｓｎ
生成後のマトリックスのＳｎ濃度はせいぜい３ｗｔｏＡ
程度であるため、その電気抵抗が低く、磁界が変動した
場合の損失の原因となるフィラメント間の電気的な結合
を防ぐには十分でないので、いわゆる交流１員失が大き
かった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、Ｈｎ界電流特性に優れ、交流損失の少ない化
合物超電導線を製造する方法を得ることを目的とする。
たもので、Ｈｎ界電流特性に優れ、交流損失の少ない化
合物超電導線を製造する方法を得ることを目的とする。
この発明に係る化合物超電導線の製造方法は、少なくと
も英着及び析出のいずれかにより、線状超電導膜層と常
電導膜層を基板に交互に積層して多層膜をけいっセいす
るものである。
も英着及び析出のいずれかにより、線状超電導膜層と常
電導膜層を基板に交互に積層して多層膜をけいっセいす
るものである。
この発明においては基板上に、線状超電導膜層と常電導
膜層を交互に積層するので、超電導層の占積率を高くす
ることができ、口ｎ界電流特性に優れた超電導線を得る
ことができる。また、常電導層の電気抵抗も高くできる
ので、交流損失の小さい超電導線も得られる。
膜層を交互に積層するので、超電導層の占積率を高くす
ることができ、口ｎ界電流特性に優れた超電導線を得る
ことができる。また、常電導層の電気抵抗も高くできる
ので、交流損失の小さい超電導線も得られる。
〔実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ないし第３図は各々この発明の一実施例に係る化合物
超電導線を製造工程ｊ頓に示す断面図である。図におい
て、（１１は基板でＣｕ線、（５）は線状超電導膜層で
Ｎｂ、Ｓｎ層である。（７）は面伏常′電導１１９層で
５ｉｎＮａ 層である。
図ないし第３図は各々この発明の一実施例に係る化合物
超電導線を製造工程ｊ頓に示す断面図である。図におい
て、（１１は基板でＣｕ線、（５）は線状超電導膜層で
Ｎｂ、Ｓｎ層である。（７）は面伏常′電導１１９層で
５ｉｎＮａ 層である。
まず第１図において厚さ２００μｍ、幅６鳳１のテープ
形状のＣｕ線（１）を連続的に供給して、化学気相法（
以下ＣＶ Ｄ ？Ａと記す）によって、表面にＮｂ３Ｓ
ｎ薄膜層（５）を生成させた。Ｎｂ３Ｓｎ 薄膜層（５
）は厚さ約５μｍ、幅約２０μ爆とし、この層を間隔約
１０μｍの細線状に多数並行配置したもので、ＣＶＤ法
によるＮｂ３Ｓｎ薄膜層（５）の形成は、常圧下、約３
：１の割合で混合したＮｂＣ１ｎ ガスと５ｎＣ１ｓ
ガスを杓５〜５０ｍ１／ｎ＋ｉｎの流量で気密性を持っ
た反応管中に流し、水素ガスで還元して、３００〜１０
０“Ｃに加熱したＣｕ、ｖｌｔｏの上に生成させた。ま
た、Ｎｂ３Ｓｎ層（５）を細線状に生成させるために、
スリットを持ったステンレススチール類のマスクをＣｕ
線＋１１の上に置いておき、部分的にＮｂ３Ｓｎ層（５
）を生成させた。なお、マスク表面には、レジストとし
て酸化マグネノウムの粉末を塗布して、ＮＪＳｎ層を生
成させないようにした。
形状のＣｕ線（１）を連続的に供給して、化学気相法（
以下ＣＶ Ｄ ？Ａと記す）によって、表面にＮｂ３Ｓ
ｎ薄膜層（５）を生成させた。Ｎｂ３Ｓｎ 薄膜層（５
）は厚さ約５μｍ、幅約２０μ爆とし、この層を間隔約
１０μｍの細線状に多数並行配置したもので、ＣＶＤ法
によるＮｂ３Ｓｎ薄膜層（５）の形成は、常圧下、約３
：１の割合で混合したＮｂＣ１ｎ ガスと５ｎＣ１ｓ
ガスを杓５〜５０ｍ１／ｎ＋ｉｎの流量で気密性を持っ
た反応管中に流し、水素ガスで還元して、３００〜１０
０“Ｃに加熱したＣｕ、ｖｌｔｏの上に生成させた。ま
た、Ｎｂ３Ｓｎ層（５）を細線状に生成させるために、
スリットを持ったステンレススチール類のマスクをＣｕ
線＋１１の上に置いておき、部分的にＮｂ３Ｓｎ層（５
）を生成させた。なお、マスク表面には、レジストとし
て酸化マグネノウムの粉末を塗布して、ＮＪＳｎ層を生
成させないようにした。
次いで、第２図に示すようにＣＶＤ法によって厚さ約１
μｌの５ｉｚＮ４薄膜層（７）を、マスクを用いないで
、腺の全表面に生成させた。 ５ｉ））１４薄＋１’層
（７）は、常圧下、約３：４の割合で混合した５ｉＣ１
４ガスとアンモニアガスを、約１００〜５００ｍ１／ｗ
ｉｎの’ｔＪｔ １で気密性を持った反応管中に’ｔＡ
シ、３００〜８００℃に加熱した線の上に形成させた。
μｌの５ｉｚＮ４薄膜層（７）を、マスクを用いないで
、腺の全表面に生成させた。 ５ｉ））１４薄＋１’層
（７）は、常圧下、約３：４の割合で混合した５ｉＣ１
４ガスとアンモニアガスを、約１００〜５００ｍ１／ｗ
ｉｎの’ｔＪｔ １で気密性を持った反応管中に’ｔＡ
シ、３００〜８００℃に加熱した線の上に形成させた。
さらに、この線の表面に、前述と同し方法で、Ｆｉｔ
ｔａ ｋＭ 状（７） Ｎｂ３Ｓｎ薄膜層（５）の生成
と５ｉ）Ｎ４薄膜層（７）の前面生成を交互に行った。
ｔａ ｋＭ 状（７） Ｎｂ３Ｓｎ薄膜層（５）の生成
と５ｉ）Ｎ４薄膜層（７）の前面生成を交互に行った。
このようにして、第３図に示されるように、ＮｂｎＳｎ
超電導薄膜層（５）と５１ｚＮａ常電導薄膜層（７）が
多層に積層されたＮｂ３Ｓｎ化合物超電導線を得た。
超電導薄膜層（５）と５１ｚＮａ常電導薄膜層（７）が
多層に積層されたＮｂ３Ｓｎ化合物超電導線を得た。
このようにして得られた８ｉ電”Ａ 、＆Ｓを１２Ｔの
印加磁界のもとで臨界電流の測定を行ったところ、Ｃｕ
を除く線断面積当たりの臨界電流密度は１ｘｌＯ’Ａ／
ｃ＋ｊと非常に高く、従来の約２倍であった。これは、
上記実施例の超電導線では、Ｃｕを除く線断面積に占め
る超電導ＮＪＳｎ層（５）の面積比率は約６０％で、従
来の複合加工法で作成された超電導線の約２倍であった
ためと考えられる。
印加磁界のもとで臨界電流の測定を行ったところ、Ｃｕ
を除く線断面積当たりの臨界電流密度は１ｘｌＯ’Ａ／
ｃ＋ｊと非常に高く、従来の約２倍であった。これは、
上記実施例の超電導線では、Ｃｕを除く線断面積に占め
る超電導ＮＪＳｎ層（５）の面積比率は約６０％で、従
来の複合加工法で作成された超電導線の約２倍であった
ためと考えられる。
なお、この発明による・超電導線では、超電厚膜層、常
電導膜層の厚さ、間隔を自由にコントロールして、変化
させることができるので、Ｒ界電流をさらに高くできる
という優れた特徴を持っている。
電導膜層の厚さ、間隔を自由にコントロールして、変化
させることができるので、Ｒ界電流をさらに高くできる
という優れた特徴を持っている。
また、磁界の変動に対する安定性を知るために、約ＬＯ
Ｔ／ｓｅｃの急峻な変動磁界下での交／ＩｉＬ…失を測
定したところ、従来の約り０％小さい値となり、上記実
施例の超電導線が、変動磁界に対して特に安定であるこ
とがわかった。これは、従来の構成の超電導線では、第
６図に示すように、超電導フィラメント間は比較的電気
抵抗の低いブロンズであったので、磁界が変動した場合
、フィラメント間の電気的結合がある程度起こっていた
が、上記実施例の超電導線では、非常に電気抵抗の高い
Ｓｉ、Ｎ。
Ｔ／ｓｅｃの急峻な変動磁界下での交／ＩｉＬ…失を測
定したところ、従来の約り０％小さい値となり、上記実
施例の超電導線が、変動磁界に対して特に安定であるこ
とがわかった。これは、従来の構成の超電導線では、第
６図に示すように、超電導フィラメント間は比較的電気
抵抗の低いブロンズであったので、磁界が変動した場合
、フィラメント間の電気的結合がある程度起こっていた
が、上記実施例の超電導線では、非常に電気抵抗の高い
Ｓｉ、Ｎ。
であるので、結合はほとんど起こらなかったためと考え
られる。このようにこの発明による超電導線は特に交流
機器用の超電導線としてもイ夏れでいる。さらに、基板
として用いたＣｕは安定化材として十分機能した。
られる。このようにこの発明による超電導線は特に交流
機器用の超電導線としてもイ夏れでいる。さらに、基板
として用いたＣｕは安定化材として十分機能した。
第４図はこの発明の他の実施例による製造方法で１８１
造された化合物超１を導線を示す断面図であり、図にお
いて（８）はＮｂ、Ｇｅ層で超電導膜層、（９）はＡＩ
Ｎ層で常電導膜層、Ｑｌはステンレススチールテープ、
ａＯはＣｕ層である。
造された化合物超１を導線を示す断面図であり、図にお
いて（８）はＮｂ、Ｇｅ層で超電導膜層、（９）はＡＩ
Ｎ層で常電導膜層、Ｑｌはステンレススチールテープ、
ａＯはＣｕ層である。
まず、Ｃｕよりも機械的強度の大きい厚さ１００μ鴫、
輻５璽履のステンレススチールテープ 法によって、厚さＳμ鶴、輻杓２０μ鶴、間隔ｙ】１０
μｍの極細線状のＮｂ＝Ｇｅ薄膜層（８）を生成させた
。Ｎｂ，Ｇｅ薄膜層（８）は、常圧下、約３；１の割合
で混合したＮｂＣｌａガスとＧｅＣｌｓを、約５ 〜２
０ｍｌ／ｌｌｉｎのｉｔで気密性を持った反応管中に流
し、水素ガスで還元して、５００〜９００ ℃にカロク
へしたステンレススチールテープＯｌの上に形成した。
輻５璽履のステンレススチールテープ 法によって、厚さＳμ鶴、輻杓２０μ鶴、間隔ｙ】１０
μｍの極細線状のＮｂ＝Ｇｅ薄膜層（８）を生成させた
。Ｎｂ，Ｇｅ薄膜層（８）は、常圧下、約３；１の割合
で混合したＮｂＣｌａガスとＧｅＣｌｓを、約５ 〜２
０ｍｌ／ｌｌｉｎのｉｔで気密性を持った反応管中に流
し、水素ガスで還元して、５００〜９００ ℃にカロク
へしたステンレススチールテープＯｌの上に形成した。
その上に、フィラメント間の電気的結合を防ぐために、
絶キ（性、熱伝導性に漬れているＡ Ｉ Ｎ ｉｌ １
１９層（９）を約１．ａｍの厚さで全面に生成させた。
絶キ（性、熱伝導性に漬れているＡ Ｉ Ｎ ｉｌ １
１９層（９）を約１．ａｍの厚さで全面に生成させた。
ＡＩＮ薄膜層（９）は、ｌ：１の割合で混合したＡＩＢ
ｒ＊ガスとアンモニアガスを約５０〜２００ｍｌ ／ｍ
ｉｎのｌｆｆｉで気密性を持った反応管中に流し、線を
４００〜７００ ℃に加熱した綿の上に生成させる方法
で行った。そして、その上に安定化材としてのＩγさ約
２０μｍのＣｕ層（１）を付け、さらにその上に、上記
と同様の方法で厚さ約１，ｉｊ＃ＩのＡＩＮ薄ｊ１り層
（９）を全面生成させた。そして、これを繰り返すこと
によって、第４図に示す横断面を持ったＮｂｉＧｅ超電
導線を得た。こうして得た超電導線について、臣ｎ界電
疏、交流損失、安定性の測定を行ったところ、Ｎｂ，Ｓ
ｎの場合と同様に、非常に良好な結果が得られた。
ｒ＊ガスとアンモニアガスを約５０〜２００ｍｌ ／ｍ
ｉｎのｌｆｆｉで気密性を持った反応管中に流し、線を
４００〜７００ ℃に加熱した綿の上に生成させる方法
で行った。そして、その上に安定化材としてのＩγさ約
２０μｍのＣｕ層（１）を付け、さらにその上に、上記
と同様の方法で厚さ約１，ｉｊ＃ＩのＡＩＮ薄ｊ１り層
（９）を全面生成させた。そして、これを繰り返すこと
によって、第４図に示す横断面を持ったＮｂｉＧｅ超電
導線を得た。こうして得た超電導線について、臣ｎ界電
疏、交流損失、安定性の測定を行ったところ、Ｎｂ，Ｓ
ｎの場合と同様に、非常に良好な結果が得られた。
上記実施例では、超電導膜層がＮＪＳｎ、及び、Ｎｂ３
Ｇｅ化合物、常電導膜層がＳｉとＡ１の窒化物の場合に
ついて述べたが、このほかに、超電導膜層がＶｓＧａ−
１’ｌｂｉＧｅＸＮｂ，ＡｔなどのＡｌＳ形金属間化
合物、ＮｂＮなどのＢｌ形遷移金属窒化物、常電導層が
Ｓ ’＋ Ｃなどの金属化合物、さらに、磁界の変動が
非常に少ない場合や、交２ＡＦ員失よりも安定性を重視
した場合には、熱伝導が大きいキュプロニッケルなどの
金属層としても、上記実施例と同様の効果を示す。また
、基板はＣｕ、ステンレススチールの他、アルシナ等の
セラミクスでもよい。
Ｇｅ化合物、常電導膜層がＳｉとＡ１の窒化物の場合に
ついて述べたが、このほかに、超電導膜層がＶｓＧａ−
１’ｌｂｉＧｅＸＮｂ，ＡｔなどのＡｌＳ形金属間化
合物、ＮｂＮなどのＢｌ形遷移金属窒化物、常電導層が
Ｓ ’＋ Ｃなどの金属化合物、さらに、磁界の変動が
非常に少ない場合や、交２ＡＦ員失よりも安定性を重視
した場合には、熱伝導が大きいキュプロニッケルなどの
金属層としても、上記実施例と同様の効果を示す。また
、基板はＣｕ、ステンレススチールの他、アルシナ等の
セラミクスでもよい。
さらに作成した超電導線を、２００°Ｃ以上の温度で、
５０気圧以上の静水圧下で＋へ間部水圧処理を行うこと
は、積層した各薄膜層間の密着１’Ｌを上げ、超電導特
性を安定させるうえで非常に有効である。
５０気圧以上の静水圧下で＋へ間部水圧処理を行うこと
は、積層した各薄膜層間の密着１’Ｌを上げ、超電導特
性を安定させるうえで非常に有効である。
また、薄膜の生成方法としては、上記のＣＶＤ法のばか
に、超電導化合物の生成に良く用いられている化合物成
分をターゲツト材に用いるスパッタ法、窒素やアンモニ
アガスなどの反応ガス中でスパッタを行う反応性スパッ
タ法や化合物構成成分の同時蒸着法なども同しく有効で
ある。
に、超電導化合物の生成に良く用いられている化合物成
分をターゲツト材に用いるスパッタ法、窒素やアンモニ
アガスなどの反応ガス中でスパッタを行う反応性スパッ
タ法や化合物構成成分の同時蒸着法なども同しく有効で
ある。
また、細線状の超１！導膜層を得るために上記実施例で
はマスクを用いたが全面に形成後、エツチング等で線状
にしてもよい。また、例えばＮｂとＡ１の粉末（粒径〜
５μｍ以下）を原子比でＮｂ：ＡＩ＝３：１の割合で混
合し、これをア七トンを溶媒としパターン印刷し、Ｎｂ
−ＡＩの混合体の部分にＣＯ２レーザーや電子ビーム
等を照射して超電ａｌｌり層（ＮｂｉＡ＋）を析出され
るようにしてもよい。
はマスクを用いたが全面に形成後、エツチング等で線状
にしてもよい。また、例えばＮｂとＡ１の粉末（粒径〜
５μｍ以下）を原子比でＮｂ：ＡＩ＝３：１の割合で混
合し、これをア七トンを溶媒としパターン印刷し、Ｎｂ
−ＡＩの混合体の部分にＣＯ２レーザーや電子ビーム
等を照射して超電ａｌｌり層（ＮｂｉＡ＋）を析出され
るようにしてもよい。
以上のように、この発明によれば少な（とも蒸着及び析
出のいずれかの方法により線状超電導膜層と常電Ｂ膜層
を基板に交互に積層して、多層膜を形成し、化合物超電
導線を製造したので、従来よりも、さらに臨界電流特性
が優れ、交ｆＬ損失の少ない超電導線が得られるように
なった。また、コンパクトで、高性能な高磁界超電導コ
イルが可能になり、核融合、電力用機器、高エネルギー
物理研究のｌｌｋ進に役立つ。
出のいずれかの方法により線状超電導膜層と常電Ｂ膜層
を基板に交互に積層して、多層膜を形成し、化合物超電
導線を製造したので、従来よりも、さらに臨界電流特性
が優れ、交ｆＬ損失の少ない超電導線が得られるように
なった。また、コンパクトで、高性能な高磁界超電導コ
イルが可能になり、核融合、電力用機器、高エネルギー
物理研究のｌｌｋ進に役立つ。
第１図ないし第３図は各々この発明の一実施例に係る化
合物超電導線の製造工程順に示す断面図、第４図はこの
発明の他の実施例による製造方法で製造された化合物超
電導線を示す断面図、並びに第５図及び第６図は各々熱
処理前及び執処理後の従来の化合物超電導線を示す断面
図である。 （１） −−Ｃｕ線、（５１−−Ｎｂ、Ｓｎ層、（７１
−−３ｉＪｚ層、（８）・・・・・・ＮｂｚＧｅ層、（
９）・・・・・・ＡＩＮ層、Ｏｌ・・・・・・ステンレ
ススチールテープ。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
合物超電導線の製造工程順に示す断面図、第４図はこの
発明の他の実施例による製造方法で製造された化合物超
電導線を示す断面図、並びに第５図及び第６図は各々熱
処理前及び執処理後の従来の化合物超電導線を示す断面
図である。 （１） −−Ｃｕ線、（５１−−Ｎｂ、Ｓｎ層、（７１
−−３ｉＪｚ層、（８）・・・・・・ＮｂｚＧｅ層、（
９）・・・・・・ＡＩＮ層、Ｏｌ・・・・・・ステンレ
ススチールテープ。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも蒸着及び析出のいずれかにより、線状
超電導膜層と常電導膜層を基板に交互に積層して多層膜
を形成した化合物超電導線の製造方法。 （２）基板は金属系基板である特許請求の範囲第１項記
載の化合物超電導線の製造方法。（３）基板はセラミク
ス系基板である特許請求の範囲第１項記載の化合物超電
導線の製造方法。 （４）常電導膜層は面状に形成した特許請求の範囲第１
項ないし第３項のいずれかに記載の化合物超電導線の製
造方法。 （５）超電導膜層と常電導膜層はＣＶＤ法により形成し
た特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載
の化合物超電導線の製造方法。 （６）超電導膜層はＮｂ＿３Ｓｎ、Ｖ＿３Ｇａ、Ｎｂ＿
３Ａｌ、Ｎｂ＿３Ｇｅ、Ｎｂ＿３Ｇａ、ＮｂＮのうちの
いずれか１つで形成される特許請求の範囲第１項ないし
第５項のいずれかに記載の化合物超電導線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171180A JPS6329415A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 化合物超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171180A JPS6329415A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 化合物超電導線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329415A true JPS6329415A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15918485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61171180A Pending JPS6329415A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 化合物超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503794A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション | 高温超電導体ワイヤのためのアーキテクチャ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370695A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Ulvac Corp | Method of producing superconductive stock and composite material |
| JPS60189813A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | 株式会社東芝 | 化合物超電導線の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61171180A patent/JPS6329415A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370695A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Ulvac Corp | Method of producing superconductive stock and composite material |
| JPS60189813A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | 株式会社東芝 | 化合物超電導線の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503794A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション | 高温超電導体ワイヤのためのアーキテクチャ |
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