JPH0227795A - ヴィアホール形成法 - Google Patents
ヴィアホール形成法Info
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- JPH0227795A JPH0227795A JP17716688A JP17716688A JPH0227795A JP H0227795 A JPH0227795 A JP H0227795A JP 17716688 A JP17716688 A JP 17716688A JP 17716688 A JP17716688 A JP 17716688A JP H0227795 A JPH0227795 A JP H0227795A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用公費〉
本発明は多層配線板の内層配線導体と表面層導体とを電
気的に接続するヴイアホールを形成する方法に関する。
気的に接続するヴイアホールを形成する方法に関する。
〈従来の技術〉
従来の多層配線板におけるヴイアホールの形成は、第２
図（ａｌ〜（ｆｌに示される工程に従って行なわれる。
図（ａｌ〜（ｆｌに示される工程に従って行なわれる。
まず、第２図（ａ）に示すように基板ｌ上に内層配線導
体２を配設し、これらの上には例えばポリイミド樹脂な
どの有機樹脂絶縁膜３を被覆し、更にその上にクロムな
どの無機Ｍ４を形成すると共にその上にフォトレジスト
５を塗布し、ベーキングを行なう。
体２を配設し、これらの上には例えばポリイミド樹脂な
どの有機樹脂絶縁膜３を被覆し、更にその上にクロムな
どの無機Ｍ４を形成すると共にその上にフォトレジスト
５を塗布し、ベーキングを行なう。
次に、第２図（ｂｌに示すようにフォトリソグラフィに
より７オトレジスト５の所定位置を露光、現像した後、
フォトレジスト５をエツチングマスクとして無機膜４を
エツチングする。
より７オトレジスト５の所定位置を露光、現像した後、
フォトレジスト５をエツチングマスクとして無機膜４を
エツチングする。
引き続き、第２図ｔｃ＋に示すようにフォトレジスト５
を除去する。その後、第１図（ｄｌに示すようにエツチ
ングされた無機膜４をエツチングマスクとした有機樹脂
Ｓ縁膜３をウェットエツチングあるいはアクティブイオ
ンエツチングなどによりエツチングし、内層配球導体２
まで達するホールＨを形成した後、無機膜４を除去する
。更に、第２図ｔｅｌに示すように有機樹脂Ｓ縁膜３及
びホールＨの上に蒸着ないしはスパッタリングなどの方
法で導体１１１！１６を形成し、さらにその上に７７ｉ
トレジスト５１を塗布しベーキングを行う。そして、再
びフォトリソグラフィによりフォトレジスト５１を露光
、現像してホールＨ上にのみフォトレジスト５１を残し
て、これをエツチングマスクとして導体膜６をエツチン
グする。更に、第２図（ｆｌに示すように、本−ルＨ上
のフォトレジスト５１を除去してヴイアホールを形成す
る。このようにして形成されたヴイアホールに対し表面
層導体（図示省略）が接続されろ。
を除去する。その後、第１図（ｄｌに示すようにエツチ
ングされた無機膜４をエツチングマスクとした有機樹脂
Ｓ縁膜３をウェットエツチングあるいはアクティブイオ
ンエツチングなどによりエツチングし、内層配球導体２
まで達するホールＨを形成した後、無機膜４を除去する
。更に、第２図ｔｅｌに示すように有機樹脂Ｓ縁膜３及
びホールＨの上に蒸着ないしはスパッタリングなどの方
法で導体１１１！１６を形成し、さらにその上に７７ｉ
トレジスト５１を塗布しベーキングを行う。そして、再
びフォトリソグラフィによりフォトレジスト５１を露光
、現像してホールＨ上にのみフォトレジスト５１を残し
て、これをエツチングマスクとして導体膜６をエツチン
グする。更に、第２図（ｆｌに示すように、本−ルＨ上
のフォトレジスト５１を除去してヴイアホールを形成す
る。このようにして形成されたヴイアホールに対し表面
層導体（図示省略）が接続されろ。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、従来の方法では所要工程が多く、特にフォトリ
ソグラフィ工程が二度もあり、煩雑である。また、マス
ク設計や製造に時間がかかり、更に設計変更等による修
正も困難である。
ソグラフィ工程が二度もあり、煩雑である。また、マス
ク設計や製造に時間がかかり、更に設計変更等による修
正も困難である。
本発明は、フォトリソグラフィの工程を不要とした簡略
な工程でヴイアホールを形成する方法を提供することを
目的とするものである。
な工程でヴイアホールを形成する方法を提供することを
目的とするものである。
く課題を解決するための手段〉
斯かる目的を達成する本発明のヴイアホール形成方法に
係る構成は、基板上に内層配線導体を配設し、前記基板
及び前記内層配線導体上に有機樹脂絶縁膜を被覆し、更
に該有機前ｆｆＮ１Ｊｐｉ縁膜表面に他の有機樹脂膜を
形成した後、前記有機樹脂絶縁膜及び前記有機樹Ｉｌ！
膜の両者が吸収して光分解する波長の光を前記有機樹脂
膜の所定位置に照射して前記有機樹脂絶縁膜及び前記有
機樹脂膜を蒸発させることにより、前記有８！樹脂絶縁
膜には前記内層配線導体（ζ達する小ホールを、前記有
機樹脂膜には前記小ホールよりも大径な大ホールを各々
形成し、その後、前記有機！Ｍｆｆｌ膜表面及び該大、
小ホールの表面に一体に導体を積層し、更に、前記有機
樹脂膜及びその表面上の前記導体とをリフトオフ法によ
って同時に除去することを特徴とする。
係る構成は、基板上に内層配線導体を配設し、前記基板
及び前記内層配線導体上に有機樹脂絶縁膜を被覆し、更
に該有機前ｆｆＮ１Ｊｐｉ縁膜表面に他の有機樹脂膜を
形成した後、前記有機樹脂絶縁膜及び前記有機樹Ｉｌ！
膜の両者が吸収して光分解する波長の光を前記有機樹脂
膜の所定位置に照射して前記有機樹脂絶縁膜及び前記有
機樹脂膜を蒸発させることにより、前記有８！樹脂絶縁
膜には前記内層配線導体（ζ達する小ホールを、前記有
機樹脂膜には前記小ホールよりも大径な大ホールを各々
形成し、その後、前記有機！Ｍｆｆｌ膜表面及び該大、
小ホールの表面に一体に導体を積層し、更に、前記有機
樹脂膜及びその表面上の前記導体とをリフトオフ法によ
って同時に除去することを特徴とする。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明ず
ろ。
ろ。
第１図（ｎｌ−（ｄｌに本発明の一実施例の形成工程を
示す。まず、第１図（ａｌに示すように有機樹脂Ｓ縁膜
３の表面に他の有機樹脂膜７を形成する。有機樹脂絶縁
膜３は、基板１及びその上に配設された内層配球導体２
を被覆しているものである。次に、第１図（ｂｌに示す
ように有機樹脂絶縁膜３及び有機樹脂膜７の両者が吸収
して光分解する波長の光８を有機４１１＠膜７表面の所
定位置に照射し、分子結合を直接光分解して蒸発させる
蒸散過程により有機樹脂膜７及び有機樹脂絶縁Ｗ！Ａ３
を除去する。
示す。まず、第１図（ａｌに示すように有機樹脂Ｓ縁膜
３の表面に他の有機樹脂膜７を形成する。有機樹脂絶縁
膜３は、基板１及びその上に配設された内層配球導体２
を被覆しているものである。次に、第１図（ｂｌに示す
ように有機樹脂絶縁膜３及び有機樹脂膜７の両者が吸収
して光分解する波長の光８を有機４１１＠膜７表面の所
定位置に照射し、分子結合を直接光分解して蒸発させる
蒸散過程により有機樹脂膜７及び有機樹脂絶縁Ｗ！Ａ３
を除去する。
ここで、例えば第３図に示すように照射する光８の空間
パワー分布を周辺部において弱くすると、有機樹脂絶縁
Ｍ３には内層配線導体２まで達する小ホールＨ１が形成
されると共に有機樹脂膜７には小ホールＨ，より大径な
大ホールＨａが形成されることになる。これにより大、
小のホールＨ，，Ｈ，の径の差に相当する部分の有機樹
脂絶縁膜３の表面が露出され、この部分はその後、有機
樹脂絶縁膜３の表面に積層される表面層配線導体（図示
省略）との接続に利用されることになる。
パワー分布を周辺部において弱くすると、有機樹脂絶縁
Ｍ３には内層配線導体２まで達する小ホールＨ１が形成
されると共に有機樹脂膜７には小ホールＨ，より大径な
大ホールＨａが形成されることになる。これにより大、
小のホールＨ，，Ｈ，の径の差に相当する部分の有機樹
脂絶縁膜３の表面が露出され、この部分はその後、有機
樹脂絶縁膜３の表面に積層される表面層配線導体（図示
省略）との接続に利用されることになる。
この後、第１図（Ｃ）に示すように、蒸着ないしはスパ
ッタリングなどの方法で、有機樹脂膜７の表面に導体膜
６１及び大、小のホールＨ，，Ｈ２の表面に導体膜６を
一体に形成する。
ッタリングなどの方法で、有機樹脂膜７の表面に導体膜
６１及び大、小のホールＨ，，Ｈ２の表面に導体膜６を
一体に形成する。
（−１，ｒ、第１ ｒＩ！Ｊ（ｄ）ｌζ示ｆ、Ｊ： ウ
ニＷｍｆＭ脂膜７を除去することにより、有機樹脂膜７
上の導体６１も同時に除去するリフトオフ工程を行い、
ヴイアホールを完成させろ。その後、有（幾樹脂絶！ｉ
膜３上に表面層配線導体を積層すると、導体６を通じて
内層配線導体２に電気的に接続されることになる。
ニＷｍｆＭ脂膜７を除去することにより、有機樹脂膜７
上の導体６１も同時に除去するリフトオフ工程を行い、
ヴイアホールを完成させろ。その後、有（幾樹脂絶！ｉ
膜３上に表面層配線導体を積層すると、導体６を通じて
内層配線導体２に電気的に接続されることになる。
尚、上記実施例において使用されろ照射光８としては、
波長２００止以下の紫外線を用いろと良い。例えば、ビ
ーム径１００−に集光した波長１９３ｍのエキシマレー
ザ光を厚さ２５−のポリイミド樹脂絶縁膜に照射した場
合、パルスエネルギー密度的５０ ｍＪ ／ ｃｓｌ
。
波長２００止以下の紫外線を用いろと良い。例えば、ビ
ーム径１００−に集光した波長１９３ｍのエキシマレー
ザ光を厚さ２５−のポリイミド樹脂絶縁膜に照射した場
合、パルスエネルギー密度的５０ ｍＪ ／ ｃｓｌ
。
照射総エネルギー約１．２ｍＪにより、約４０声径のホ
ールを形成することができた。
ールを形成することができた。
更に、上記実施例では、第３図に示すように周辺部の強
度の弱い照射光８を用いて、回の照射により、有機樹脂
絶縁膜３に小ホールＨを形成すると同時に有機樹脂！Ｉ
！ｊＩ７に大ホールＨ２を形成するようにしていたが、
これに限るものではない。例えば、−回の照射により、
内層配線導体２まで達するホールが形成できないときは
、達するまで照射を繰り返しても良い。また、有機４！
を脂膜７に形成されろ大ホールＨ２の大きさが不十分の
ときは、第４図に示すように照射光８よりもビーム直径
が大きく、かつ、パワーの小さな照射光８１を同一中心
で照射して、蒸散過程により有機樹脂膜７のみを除去し
ても良い。
度の弱い照射光８を用いて、回の照射により、有機樹脂
絶縁膜３に小ホールＨを形成すると同時に有機樹脂！Ｉ
！ｊＩ７に大ホールＨ２を形成するようにしていたが、
これに限るものではない。例えば、−回の照射により、
内層配線導体２まで達するホールが形成できないときは
、達するまで照射を繰り返しても良い。また、有機４！
を脂膜７に形成されろ大ホールＨ２の大きさが不十分の
ときは、第４図に示すように照射光８よりもビーム直径
が大きく、かつ、パワーの小さな照射光８１を同一中心
で照射して、蒸散過程により有機樹脂膜７のみを除去し
ても良い。
又、本発明は上記実施例のようにヴイアホールを新設す
る場合にも適用できるが、既成のヴイアホールに不良箇
所があった場合、その修正にも適用できるものである。
る場合にも適用できるが、既成のヴイアホールに不良箇
所があった場合、その修正にも適用できるものである。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
は光照射による蒸散反応によりフォトマスクを用いずに
有機樹脂絶縁膜、有機ＩＩ！ＩＩＩ膜にそれぞれ大ホー
ル、小ホールを形成し、その後にリフトオフ工程により
不要な導体膜を除去するので、フォトリソグラフィの工
程を省略して少ない工程数でヴイアホールを形成するこ
とができる。更に、フォトマスク等が不要で簡ｌなため
不完全なヴイアホールの修正にも適用できろ。
は光照射による蒸散反応によりフォトマスクを用いずに
有機樹脂絶縁膜、有機ＩＩ！ＩＩＩ膜にそれぞれ大ホー
ル、小ホールを形成し、その後にリフトオフ工程により
不要な導体膜を除去するので、フォトリソグラフィの工
程を省略して少ない工程数でヴイアホールを形成するこ
とができる。更に、フォトマスク等が不要で簡ｌなため
不完全なヴイアホールの修正にも適用できろ。
第１図ｔａ＋〜（ｄｉはそれぞれ本発明の一実施例の工
程図、第２図（ａｌ〜（ｆ）はそれぞれ従来のヴイアホ
ール形成方法の工程図、第３図は照射光の光強度分布を
示すグラフ、第４図は異なるビーム直径の照射光の説明
図である。 図 面 中、 １は基板、 ２は内層配線導体、 ３は有ａｍ脂絶ｈｉｌ［， ４は無機膜、 ５．５１はフォトレジスト、 ６．６１は導体膜、 ７は有機樹脂膜、 ８．８１は照射光である。 第４図
程図、第２図（ａｌ〜（ｆ）はそれぞれ従来のヴイアホ
ール形成方法の工程図、第３図は照射光の光強度分布を
示すグラフ、第４図は異なるビーム直径の照射光の説明
図である。 図 面 中、 １は基板、 ２は内層配線導体、 ３は有ａｍ脂絶ｈｉｌ［， ４は無機膜、 ５．５１はフォトレジスト、 ６．６１は導体膜、 ７は有機樹脂膜、 ８．８１は照射光である。 第４図
Claims (1)
- 基板上に内層配線導体を配設し、前記基板及び前記内層
配線導体上に有機樹脂絶縁膜を被覆し、更に該有機樹脂
絶縁膜表面に他の有機樹脂膜を形成した後、前記有機樹
脂絶縁膜及び前記有機樹脂膜の両者が吸収して光分解す
る波長の光を前記有機樹脂膜の所定位置に照射して前記
有機樹脂絶縁膜及び前記有機樹脂膜を蒸発させることに
より、前記有機樹脂絶縁膜には前記内層配線導体に達す
る小ホールを、前記有機樹脂膜には前記小ホールよりも
大径な大ホールを各各形成し、その後、前記有機樹脂膜
表面及び該大，小ホールの表面に一体に導体を積層し、
更に、前記有機樹脂膜及びその表面上の前記導体とをリ
フトオフ法によって同時に除去することを特徴とするヴ
ィアホール形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17716688A JP2572112B2 (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | ヴィアホール形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17716688A JP2572112B2 (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | ヴィアホール形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227795A true JPH0227795A (ja) | 1990-01-30 |
| JP2572112B2 JP2572112B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16026341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17716688A Expired - Fee Related JP2572112B2 (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | ヴィアホール形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572112B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013541195A (ja) * | 2010-09-13 | 2013-11-07 | 巨擘科技股▲ふん▼有限公司 | 多層ビア積層構造 |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17716688A patent/JP2572112B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013541195A (ja) * | 2010-09-13 | 2013-11-07 | 巨擘科技股▲ふん▼有限公司 | 多層ビア積層構造 |
| KR101439089B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2014-09-11 | 프린코 코포레이션 | 다층 쓰루홀 적층 구조체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2572112B2 (ja) | 1997-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |