JPH02277238A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH02277238A JPH02277238A JP9841089A JP9841089A JPH02277238A JP H02277238 A JPH02277238 A JP H02277238A JP 9841089 A JP9841089 A JP 9841089A JP 9841089 A JP9841089 A JP 9841089A JP H02277238 A JPH02277238 A JP H02277238A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、薄膜の形成方法に関し、更に詳しくは、ＦＯ
ＲプラズマＣＶＤ法及び液相ＣＶＤ法を用いて膜質の向
上を図った薄膜の形成方法に係るものである。
ＲプラズマＣＶＤ法及び液相ＣＶＤ法を用いて膜質の向
上を図った薄膜の形成方法に係るものである。
［発明の概要］
本発明は、薄膜の形成方法において、
段差を有する基体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により第
１の薄膜を形成し、次いで連続的に前記第１の薄膜上に
液相ＣＶＤ法により第２の薄膜を形成することにより、 薄膜のパターン依存性を解決して平坦化を可能となし、
しかも膜質の向上を可能としたものである。
１の薄膜を形成し、次いで連続的に前記第１の薄膜上に
液相ＣＶＤ法により第２の薄膜を形成することにより、 薄膜のパターン依存性を解決して平坦化を可能となし、
しかも膜質の向上を可能としたものである。
［従来の技術］
近年、デバイスの高集積化と伴に層間膜の平坦化が重要
な課題となっている。従来、この種の層間膜の平坦化技
術としては、第３図に示すように、アルミ配線２ａ、２
ｂが表面に形成された、ＳｉＯ２で成る絶縁膜ｌの上に
、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いて、Ｓｉｎ、
で成る平坦化絶縁膜３を形成するものが知られている。
な課題となっている。従来、この種の層間膜の平坦化技
術としては、第３図に示すように、アルミ配線２ａ、２
ｂが表面に形成された、ＳｉＯ２で成る絶縁膜ｌの上に
、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いて、Ｓｉｎ、
で成る平坦化絶縁膜３を形成するものが知られている。
この方法に用いられる装置としては、第２図に示すよう
なものがある。この装置においては、マイクロ波（２，
４５ＧＨ７）が、マグネットコイルで構成される磁場に
よって、ＥＣＲ現象によりプラズマ室６のガスに吸収さ
れ、プラズマを発生させる。そしてＥＣＲプラズマによ
り生成した電子は磁気勾配によってプラズマ室６の外へ
流れ出し、イオンも電子の流れにより形成された電場に
よりプラズマ室６から引き出され反応室７に至る。
なものがある。この装置においては、マイクロ波（２，
４５ＧＨ７）が、マグネットコイルで構成される磁場に
よって、ＥＣＲ現象によりプラズマ室６のガスに吸収さ
れ、プラズマを発生させる。そしてＥＣＲプラズマによ
り生成した電子は磁気勾配によってプラズマ室６の外へ
流れ出し、イオンも電子の流れにより形成された電場に
よりプラズマ室６から引き出され反応室７に至る。
この時イオンが持つエネルギーはプラズマポテンシャル
に相当する１０〜３０Ｖ程度あり、ウェハ７に入射する
ときはさらに、シースポテンシャルの１０〜２０Ｖがベ
クトル加算される。なお、積極的にイオンを加速する必
要がある時は、ＲＦバイアスを用いることにより比較的
自由にイオンエネルギーを設定することができる。
に相当する１０〜３０Ｖ程度あり、ウェハ７に入射する
ときはさらに、シースポテンシャルの１０〜２０Ｖがベ
クトル加算される。なお、積極的にイオンを加速する必
要がある時は、ＲＦバイアスを用いることにより比較的
自由にイオンエネルギーを設定することができる。
このようにＲＦバイアスを印加することによって、同装
置内で平坦化絶縁膜３を形成することが可能となる。
置内で平坦化絶縁膜３を形成することが可能となる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の薄膜形成方法において
は、第３図に示すように、アルミ配線２ａ、２ｂのパタ
ーン等に起因して平坦化絶縁膜３に段差部３ａが生じる
問題点があった。これは、上記のような方法で層間膜の
平坦化を行なった場合、パターン依存性があることを示
している。即ぢ、ド地のアルミ配線２ａ、２ｂの面積が
広い場所で盛り上った形状となるのは、例えばアルゴン
イオンのスパッタエツチングの作用を利用して平坦化を
行なう場合、このスパッタエツチングがエツチング率の
角度依存性を有するため、このような面積の広い平坦な
場所では、堆積率の方がエツチング率よりも大きくなる
ためである。
は、第３図に示すように、アルミ配線２ａ、２ｂのパタ
ーン等に起因して平坦化絶縁膜３に段差部３ａが生じる
問題点があった。これは、上記のような方法で層間膜の
平坦化を行なった場合、パターン依存性があることを示
している。即ぢ、ド地のアルミ配線２ａ、２ｂの面積が
広い場所で盛り上った形状となるのは、例えばアルゴン
イオンのスパッタエツチングの作用を利用して平坦化を
行なう場合、このスパッタエツチングがエツチング率の
角度依存性を有するため、このような面積の広い平坦な
場所では、堆積率の方がエツチング率よりも大きくなる
ためである。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案されたもの
であって、膜室の良好な平坦膜の形成が可能な薄膜の形
成方法を得んとするものである。
であって、膜室の良好な平坦膜の形成が可能な薄膜の形
成方法を得んとするものである。
［課題を解決するだめの手段］
そこで、本発明は、段差を有する基体上にＥＣＲプラズ
マＣＶｒ）法により第１の薄膜を形成し、次いで連続的
に前記第１の薄膜上に液相ＣＶＤ法により第２の薄膜を
形成することを、その解決手段としている。
マＣＶｒ）法により第１の薄膜を形成し、次いで連続的
に前記第１の薄膜上に液相ＣＶＤ法により第２の薄膜を
形成することを、その解決手段としている。
［作用］
Ｆ、ＣＲプラズマＣＶＤ法により形成された第１の薄膜
表面の凹凸は、液相ＣＶＤ法により形成された第２の薄
膜により是正され平坦化された薄膜の形成が可能となる
。
表面の凹凸は、液相ＣＶＤ法により形成された第２の薄
膜により是正され平坦化された薄膜の形成が可能となる
。
し実施例］
以下、本発明に係る薄膜の形成方法の詳細を図面に示す
実施例に基づいて説明する。
実施例に基づいて説明する。
本実施例は、５ｉＯｔで成る絶縁基体ｌＯ上にアルミ配
線＋１ａ、ｌｌｂがパターニングされたものの上に本発
明を適用して薄膜の形成を行なう例を示している。
線＋１ａ、ｌｌｂがパターニングされたものの上に本発
明を適用して薄膜の形成を行なう例を示している。
先ず、第１図Δは、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
（第２図に示す）を用いて、Ｓｉｎ、膜（２を平坦化形
成する。以下に上記バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤの条
件を示す。
（第２図に示す）を用いて、Ｓｉｎ、膜（２を平坦化形
成する。以下に上記バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤの条
件を示す。
導入ガス
ＳｉＨ，・・・＋２ＳＣＣＭ
Ｏ７・・・２０ＳＣＣＭ
Ａ ｒ −４３３ＣＣＭ
マイクロ波出力・・・８００Ｗ
ＲＦバイアス ・３００Ｗ
圧力 −・５×Ｉ ０−３Ｔｏ ｒ ｒ次に、
同装置内において、ウェハ（上記工程によりＳｉＯ□膜
１２膜形２されたもの）を−４０℃程度の低温に冷却し
、第２図中８で示すガス導入管によりテトラメチルシラ
ンを、また同図中９で示すガス導入管より酸素ガス（Ｏ
７）を導入し、液相ＣＶＤを行なう。この工程により、
第１図Ｂに示す、Ｆうに、５ｉＯｙ膜１３は下地の８１
０．膜１２の表面の低い所を埋めるように平坦化し、パ
ターン依存性のない膜形成が行なわれる。
同装置内において、ウェハ（上記工程によりＳｉＯ□膜
１２膜形２されたもの）を−４０℃程度の低温に冷却し
、第２図中８で示すガス導入管によりテトラメチルシラ
ンを、また同図中９で示すガス導入管より酸素ガス（Ｏ
７）を導入し、液相ＣＶＤを行なう。この工程により、
第１図Ｂに示す、Ｆうに、５ｉＯｙ膜１３は下地の８１
０．膜１２の表面の低い所を埋めるように平坦化し、パ
ターン依存性のない膜形成が行なわれる。
さらに、同装置における導入ガス系を５ｉＨａ１０、（
有機ソース）系に戻しバイアスを印加せずにＣＶＤする
ことにより、上記５ｉＯｚ膜１３の上に更にＳ ｉ Ｏ
を膜１４を形成し、必要に応じて、Ａｒガスを用いてエ
ッチバックを行なう。このように、液相ＣＶ Ｄ Ｓ
ｉ Ｏｔ Ｉ ３を有機ソースを用いたＣ Ｖ Ｄ Ｓ
ｉ Ｏを膜１２．１４で挾む構造としたことにより、
膜質の向上が可能となる。
有機ソース）系に戻しバイアスを印加せずにＣＶＤする
ことにより、上記５ｉＯｚ膜１３の上に更にＳ ｉ Ｏ
を膜１４を形成し、必要に応じて、Ａｒガスを用いてエ
ッチバックを行なう。このように、液相ＣＶ Ｄ Ｓ
ｉ Ｏｔ Ｉ ３を有機ソースを用いたＣ Ｖ Ｄ Ｓ
ｉ Ｏを膜１２．１４で挾む構造としたことにより、
膜質の向上が可能となる。
なお、上記Ｓ ｉ Ｏ＊膜１４を形成する工程は必要が
無ければ省略してもよい。
無ければ省略してもよい。
以上、実施例について説明したが、この他各種の設計変
更が可能である。
更が可能である。
上記実施例は、同一装置内で各工程を行なったが、チャ
ンバを複数化し、連続処理ができるようにしても勿論よ
い。
ンバを複数化し、連続処理ができるようにしても勿論よ
い。
また、上記実施例においては、液相ＣＶＤに際してウェ
ハを一４０℃に冷却したが、少なくとも０℃以下に冷却
するものであればよい。
ハを一４０℃に冷却したが、少なくとも０℃以下に冷却
するものであればよい。
本発明は、この他、各種構造の基板上に適用することが
出来、ＥＣＲプラズマＣｖＤ法、液相ＣＶＤ法を用いた
他の材質の膜も適用可能である。
出来、ＥＣＲプラズマＣｖＤ法、液相ＣＶＤ法を用いた
他の材質の膜も適用可能である。
膜が形成出来る効果がある。
また、液相ＣＶ Ｉ）法で形成される薄膜の上下に、例
えばＳ ｉ Ｈａｌ Ｏを系の有機ソースガスを用いて
形成した膜を形成することにより、膜質を向上させる効
果がある。
えばＳ ｉ Ｈａｌ Ｏを系の有機ソースガスを用いて
形成した膜を形成することにより、膜質を向上させる効
果がある。
第１図Ａ〜第１図Ｃは本発明に係る薄膜の形成方法の実
施例を示す工程図、第２図はＣＶＤ装置の説明図、第３
図は従来例を示す断面図である。 １０・・・絶縁基板、Ｉｌａ、Ｉｌｂ・・・アルミ配線
（段差）、１２，１３．１４・・・Ｓ ＩＯｙ膜。 ［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜の形
成方法にあっては、ＥＣＲプラズマＣｖＤ法に形成され
た第１の薄膜の上に液相ＣＶＤ法による第２の薄膜を形
成することにより、段差を有する基体上を容易に平坦化
することが出来、さらに、段差のパターンに依存するこ
となく平坦化本笑施例 第１図Ａ 水笑施例 第１図Ｂ ＣＶＤ装置の説明図 第２図
施例を示す工程図、第２図はＣＶＤ装置の説明図、第３
図は従来例を示す断面図である。 １０・・・絶縁基板、Ｉｌａ、Ｉｌｂ・・・アルミ配線
（段差）、１２，１３．１４・・・Ｓ ＩＯｙ膜。 ［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜の形
成方法にあっては、ＥＣＲプラズマＣｖＤ法に形成され
た第１の薄膜の上に液相ＣＶＤ法による第２の薄膜を形
成することにより、段差を有する基体上を容易に平坦化
することが出来、さらに、段差のパターンに依存するこ
となく平坦化本笑施例 第１図Ａ 水笑施例 第１図Ｂ ＣＶＤ装置の説明図 第２図
Claims (1)
- （１）段差を有する基体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より第１の薄膜を形成し、次いで連続的に前記第１の薄
膜上に液相ＣＶＤ法により第２の薄膜を形成することを
特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9841089A JPH02277238A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9841089A JPH02277238A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277238A true JPH02277238A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14219061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9841089A Pending JPH02277238A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02277238A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156881A (en) * | 1987-03-18 | 1992-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a film on a substrate by activating a reactive gas |
| KR100447259B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9841089A patent/JPH02277238A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156881A (en) * | 1987-03-18 | 1992-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a film on a substrate by activating a reactive gas |
| KR100447259B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
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