JPH02276262A - 露光データ生成方法 - Google Patents

露光データ生成方法

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JPH02276262A
JPH02276262A JP1098106A JP9810689A JPH02276262A JP H02276262 A JPH02276262 A JP H02276262A JP 1098106 A JP1098106 A JP 1098106A JP 9810689 A JP9810689 A JP 9810689A JP H02276262 A JPH02276262 A JP H02276262A
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functional block
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exposure data
chip
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JP1098106A
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Yasuo Manabe
康夫 真鍋
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、露光データ生成方法に関し、特に、複数の機
能ブロック(セル)を組み合わせて大規模集積回路を構
成する際の露光データ生成方法に関する。
近年、大規模集積回路、特に、ASIC(特定用途向け
IC)の設計に、ビルディング・ブロック形式の手法が
採られるようになってきている。
〔従来の技術〕
ビルディング・ブロックは、予めライブラリ化された多
品種の機能ブロック(例えば、CPUブロック、RAM
ブロック、ROMブロックなど)のなかから必要なもの
を選んでこれを適当にレイアウトして所望の大規模集積
回路を構成するもので、回路設計の生産性が高い特長を
持っている。
ライブラリから取出される機能ブロックの情報は露光デ
ータの形で与えられる。そして、lチップの露光データ
は各機能ブロックの露光データを組み合わせて作られる
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来の露光データ生成方法に
あっては、例えば、一部の機能ブロックを入れ替える場
合に、チップ露光データの全てを作り直す必要があった
。このため、チップ露光データの再構成に多大な処理時
間を要し、製造コストの増大や納期が長くなるといった
問題点を生じていた。また各機能ブロックの露光データ
のルール(パターンルール)を一致させる必要があり、
互換性に欠けるといった問題点もあった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
一部の機能ブロックを入れ替えた場合に、チップ露光デ
ータの処理時間増加を抑えることができるとともに、互
換性をも改善した露光データ生成方法を提供することを
目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る露光データ生成方法は上記目的を達成する
ために、複数の機能ブロックの露光データを、露光対象
チップの露光平面に相当する矩形領域にレイアウトし、
1つのチップの露光データを生成する露光データ生成方
法において、前記レイアウトした各機能プロ・ツクの露
光データの周囲にデータ抽出領域を設け、該データ抽出
領域によって抽出されたデータを、近接効果補正のため
の参照データとして用いるように構成している。
〔作用〕
本発明では、1つの機能ブロックを入れ替えた場合、こ
の機能ブロックに隣接する他の機能ブロックの露光デー
タの一部、すなわちデータ抽出領域によって抽出された
データを用いて、上記1つの機能ブロックの露光データ
に対する近接効果補正が行われる。
したがって、チップ全体の露光データを作り直さなくて
もよいから、データ処理時間の増加を抑えることができ
る。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1〜9図は本発明に係る露光データ生成方法の一実施
例を示す図である。
第1図は、ビルデイグ・ブロック形式の手法を用いたチ
ップ露光データ生成処理の概略図である。
この図において、1はライブラリ部であり、ライブラリ
部1は、それぞれ異なった機能の機能ブロック(例えば
、cpu、メモリー 110・・・・・・その他)の設
計データを露光データ生成処理21〜2XL、各々の露
光データI −Xをデータ保持装置3I〜3xに格納し
たものである。
第2図(a)〜(e)は上記露光データ■〜Xの一例を
示す図で、実線はフィールドラインを示し、破線はサブ
フィールドラインを示している。
また、ハンチング領域はパターン群(例えば、CPU1
メモリー Iloなどの回路パターン群)を示している
。なお、本実施例では、ライブラリ内の各露光データの
フィールドサイズやサブフィールドサイズを統一する必
要はない。すなわち、各露光データパターンルールを統
一する必要はない。
再び第1図において、2はチップ露光データ生成処理部
であり、チップ露光データ生成処理部2は、ライブラリ
内の多種類の機能ブロックを適当に組み合わせ、所望の
大規模集積回路装置のチップ露光データを作るもので、
その処理ステップは、大きく分けて、矩形領域設定処理
Pl、レイアウト処理P 2 、データ抽出領域設定処
理および補正処理P3、パターンデータ並べ替えおよび
圧縮処理P4、などの各処理を含んでいる。
以下、各処理について説明する。
L 露光対象チップの露光平面に相当する矩形領域を設定す
る処理である。すなわち、露光対象チップは、仕様要求
に基づく大規模集積回路装置のベースとなるチップであ
り、露光平面はそのチップの機能ブロック配置領域(内
部領域ともいう)である。第3図は露光対象チップを示
す図で、4はそのチップの周辺部(■10バッファや人
出力パソドを作り込む部分)、5は内部領域である。内
部領域5が上記矩形領域に相当する。なお、この処理に
おいては、周辺部4および内部領域5(但し、この段階
では内部パターンデータなし)の露光データが作られる
ライブラリから取り出した各機能ブロックの露光データ
を、P2で設定した矩形領域(内部領域5)内に、レイ
アウトする処理である。レイアウトは、内部領域5内に
機能ブロック毎の配置基準点および配置枠の大きさを指
定することにより行われる。第4図は、配置基準点(イ
)〜(ホ)および配置枠の大きさ(破線で示す)を指定
した一例を示す図である。この例では、それぞれの機能
ブロックが第2図(a)〜(e)に対応している。
第5図は、配置基準点および配置枠の指定に従ってレイ
アウトの完了した内部領域5内の状況を示す図である。
この処理では、大別して2つの処理を行う。その1つは
データ抽出領域設定処理Pemであり、もう1つは補正
処理psbである。
(P3.)レイアウトした各機能ブロックの周囲にデー
タ抽出のための所定幅のデータ抽出領域を設定する処理
で、例えば、第6図において、機能ブロックDに注目す
ると、そのブロック外形線の外側に、所定幅りのデータ
抽出領域Daを設けている。なお、第7図は第6図のF
部を拡大した図である。データ抽出領域Daの所定幅り
は、近接効果の大きさを考慮して決定する。
すなわち、一般に、荷電粒子ビームを用いてチップ上に
近接パターンを描画する場合、レジスト内での前方散乱
や基板面での後方散乱によって、実際に描かれるパター
ンがわずかに拡大されてしまう(近接効果)。上記所定
幅りはこの近接効果の波及する範囲(言い換えれば近接
効果の大きさ)を考慮して決めればよい。例えば、Lを
3〜5μm程度に設定すると好ましいものになる。勿論
この値は、露光装置の種類によって当然異なる。
(P:+b)補正処理は、近接パターン同士の距離等を
考慮して、パターンの寸法を適当に縮少したり、あるい
は照射量を増減したりするいわゆる近接効果補正を含む
処理であり、この補正処理では、1つの機能ブロックに
ついて上記補正を行う際に、データ抽出領域によって抽
出されたその機能ブロックに隣接する他の機能ブロック
の一部データ(データ抽出領域内のデータ)を、補正参
照用データ、すなわち補正対象パターンの寸法を決定す
る際に参照するそのパターンに近接する他のパターン寸
法等のデータに含めることを行う。これにより、補正処
理実行中の機能ブロックの周辺部のパターン補正が、隣
接する他の機能ブロックの周辺部のパターンによっても
近接補正することができる。
この処理では、1つの機能ブロック内のパターンデータ
を並べ替えたり、圧縮処理したりすることを行う。これ
は、1つの機能ブロックの周辺部のパターンが近接効果
補正されたことにより、当該ブロック内の他のパターン
についても同様に補正を行う必要があるからである。
以上のP t ””” P aまでの処理を終了すると
、1つの機能ブロックの補正済露光データが得られる。
そして、機能ブロックの故だけ、P’r 、Paを繰り
返して実行すると、チップ全体の露光データが完成する
このように、本実施例では、レイアウトした各機能ブロ
ックの周囲に、データ抽出領域を設け、このデータ抽出
領域内のデータ(すなわち隣接する他の機能ブロックの
一部データ)を、近接効果補正のための参照データとし
て用いているようにしたので、一部の機能ブロックを入
れ替えた場合に、そのブロック内の露光データのみを補
正すればよく、チップ全体の露光データ生成処理の時間
増加を抑えることができる。また、ライブラリ内の各機
能ブロックについては、その露光データのフィールドサ
イズやサブフィールドサイズを一致する必要がな(、様
々なパターンルールの機能ブロックを使用することがで
き、互換性を改善することもできる。
第8図は、チップの内部領域の全てに隙間なく機能ブロ
ック■〜0をレイアウトした例である。
このレイアウトの場合にも、各機能ブロックの周囲には
データ抽出領域が設定される。第9図は代表して1つの
機能ブロック■の周囲に設定された所定幅りのデータ抽
出領域■aを示す図である。
すなわち、このレイアウト例では、例えば機能ブロック
■を修正あるいは改版した場合に、機能ブロック■に隣
接する機能ブロック■、■、■、■、■、[相]、■の
一部データを、データ抽出領域■aによって抽出し、こ
の抽出したデータを用いて機能ブロック■の周辺部分の
パターンデータに対する近接効果補正を行うことになる
。したがって、1つの機能ブロック(この場合■)のデ
ータを補正するだけでよいから、チップ全体の露光デー
タを作り直す必要がなく、データ処理時間の増加を抑え
ることができる。また、第9図中の破線で示すように、
各々の機能ブロックのサブフィールドサイズ(勿論フィ
ールドサイズも)は異なっていてもよく、各種サイズの
機能ブロックとの互換性を改善することもできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、一部の機能ブロックの入れ替え、修正
および改版などの場合に、チップ露光データの全部を作
り直す必要がなく、露光データの生成処理時間の増加を
抑えるこができる。また、各機能ブロックのフィールド
サイズやサブフィールドサイズを一致させなくてもよい
ので、互換性を改善することもできる。
【図面の簡単な説明】
第1〜9図は本発明に係る露光データ生成方法の一実施
例を示す図であり、 第1図はその全体処理概略図、 第2図(a)〜(e)はその各機能ブロックの一例をそ
れぞれ示す図、 第3図はその矩形領域を示す図、 第4図はその矩形領域に配置基準および配置枠を指定し
た図、 第5図はその矩形領域に機能ブロックをレイアウトした
図、 第6図はその1つの機能ブロックの周囲のデータ抽出領
域を示す図、 第7図は第6図のF部の拡大図、 第8図はその機能ブロックを隙間なくレイアウトした図
、 第9図はその1つの機能ブロックの周囲のデータ抽出領
域を示す図である。 5・・・・・・内部領域(矩形領域)、Ea、■a・・
・・・・データ抽出領域。 代 理 人 弁理士 井  桁 貞 一実施例の全体処理概略図 矩形領域を示す図 ・:配置基準点 7−]:配置枠の大きさ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 複数の機能ブロックの露光データを、 露光対象チップの露光平面に相当する矩形領域にレイア
    ウトし、 1つのチップの露光データを生成する露光データ生成方
    法において、 前記レイアウトした各機能ブロックの露光データの周囲
    にデータ抽出領域を設け、 該データ抽出領域によって抽出されたデータを、近接効
    果補正のための参照データとして用いることを特徴とす
    る露光データ生成方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862058A (en) * 1996-05-16 1999-01-19 International Business Machines Corporation Optical proximity correction method and system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262420A (ja) * 1984-06-11 1985-12-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子線描画方法及び装置
JPH02130815A (ja) * 1988-11-10 1990-05-18 Toshiba Corp 荷電ビーム描画装置

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