JP3220187B2 - 露光データ作成装置及び露光データ作成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 〔目次〕 産業上の利用分野 従来の技術（図10，11） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１〜３） 作用 実施例 （図４〜９） 発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、露光データ作成装置及
び露光データ作成方法に関するものであり、更に詳しく
言えば、１チップの被設計ＬＳＩ（半導体集積回路装
置）に係る露光データを作成する装置及びその方法に関
するものである。

【０００３】近年、ＬＳＩ装置の高集積化，高密度化に
伴いＬＳＩマスク等の製作において、ホトリソグラフィ
に代わって、高速，高画質である荷電粒子線を用いる方
法，例えば、所定の露光パターンデータに基づいて半導
体ウエハの被露光領域に電子ビームを偏向し、ＬＳＩパ
ターンを焼き付ける電子ビーム露光装置が使用されてい
る。

【０００４】これによれば、半導体ウエハの被露光領域
が主偏向領域（フィールド）と副偏向領域（サブフィー
ルド）に分割され、その被露光パターンに係るマトリク
ス配置パターンの最外郭露光パターン部が単独配置処理
されている。

【０００５】このため、最外郭露光パターン部の照射量
補正，寸法補正等の近接効果の補正についても、単独配
置パターン部と同様に各サブフィールド毎に行わなけれ
ばならない。このことで、被設計ＬＳＩの大容量化，高
機能化に伴いＬＳＩ設計データＤINが増大化する中で、
その照射量補正及び寸法補正等を必要とするパターン数
の増加が余儀無くされ、その補正処理に要する計算量も
大幅に膨れ上がっている。

【０００６】そこで、マトリクス配置された最外郭露光
パターン部を単純にデータ展開することなく、ある基準
パターンを設けて、該基準パターンに基づいてデータ展
開処理をし、その補正処理やデータ処理の高速化を図る
ことができる装置及び方法が望まれている。

【０００７】

【従来の技術】図10，11は、従来例に係る露光データ作
成方法の説明図（その１，２）である。なお、本発明者
が先に特許出願（特願平０２−２１７８３８）をした露
光データ作成方法を一例にして説明をする。

【０００８】例えば、図11（ａ）に示すような１チップ
マイコン等の被露光パターン４に係るＬＳＩ設計データ
ＤINに基づいて露光パターンデータＤOUT の自動作成を
する装置は、図10において、メモリ部１，ＣＰＵ（中央
演算処理装置）２及びデータ処理補助エディタ３から成
る。

【０００９】当該装置の機能は、例えば、ＣＰＵ２の制
御フローチャートに示すように、まず、ステップＰ１で
ＬＳＩ設計データＤINに基づいて単独配置パターン部Ｓ
Ｐとマトリクス配置パターン部ＭＰとの分類処理をする
（図11（ｂ）参照）。

【００１０】その後、ステップＰ２で単独配置パターン
部ＳＰとマトリクス配置パターン部ＭＰを露光処理系の
サブフィールド毎に登録処理をする（図11（ｃ）参
照）。次いで、ステップＰ３で登録処理に基づいて単独
配置パターン部ＳＰの単独配置処理をし、かつ、ステッ
プＰ４でマトリクス配置パターン部ＭＰのマトリクス配
置処理をする。この際に、マトリクス配置パターン部Ｍ
Ｐの最外郭のサブフィールドに登録された複数の最外郭
露光パターン部ＭP1〜ＭPiが単独配置処理される。

【００１１】さらに、ステップＰ５で単独配置パターン
部ＳＰとマトリクス配置パターン部ＭＰとの境界部分の
補正処理をする。この際に、マトリクス配置パターン部
ＭＰの最外郭のサブフィールドに登録された複数の最外
郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiやそれに隣接する単独配置
パターン部ＳＰの近接効果ε〔μｍ〕の補正がサブフィ
ールド毎に行われる。

【００１２】また、最外郭のサブフィールドに登録され
た複数の最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPi以外のマトリ
クス配置パターン部ＭＰについては、マトリクス基準パ
ターンＭＲに基づいてマトリクス配置データが一斉に補
正処理される（図11（ｄ）参照）。

【００１３】これにより、ＬＳＩ設計データＤINに基づ
いて露光パターンデータＤOUT が自動作成され、最外郭
露光パターン部ＭP1〜ＭPi以外のマトリクス配置パター
ン部ＭＰについて、データ処理の高速化が図れられてい
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
ればマトリクス配置パターン部ＭＰの最外郭のサブフィ
ールドに登録された複数の最外郭露光パターン部ＭP1〜
ＭPiは単独配置処理されている。

【００１５】このため、最外郭露光パターン部ＭP1〜Ｍ
Piの照射量補正，寸法補正等の近接効果ε〔μｍ〕の補
正についても、単独配置パターン部ＳＰと同様に各サブ
フィールド毎に行わなければならない。このことで、被
設計ＬＳＩの大容量化，高機能化に伴いＬＳＩ設計デー
タＤINが増大化する中で、その照射量補正及び寸法補正
等を必要とするパターン数の増加が余儀無くされ、その
補正処理に要する計算量も大幅に膨れ上がることとな
る。例えば、 256Ｍビット以上の新規なメモリ品種に係
る設計データに基づいて露光パターンデータＤOUT を自
動作成しようとすると、周辺回路パターン部とそのメモ
リ部に係る最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの補正処理
に多く処理時間を要する。

【００１６】これにより、補正計算等の処理時間の増加
により被設計ＬＳＩの開発期間の長期化を招いたり、当
該装置のデータ処理の高速化の妨げとなるという問題が
ある。

【００１７】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、マトリクス配置された最外郭露光
パターン部を単純にデータ展開することなく、ある基準
パターンを設けて、該基準パターンに基づいてデータ展
開処理をし、その補正処理やデータ処理の高速化を図る
ことが可能となる露光データ作成装置及び露光データ作
成方法の提供を目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】図１は、本発明に係る露
光データ作成装置の原理図であり、図２は、本発明に係
る露光データ作成方法の原理図（その１）であり、図３
（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る露光データ作成方法の
原理図（その２）をそれぞれ示している。

【００１９】本発明の露光データ作成装置は、図１に示
すように、単独配置可能な第１の露光パターン部ＳＰと
マトリクス配置可能な第２の露光パターン部ＭＰとを含
む被露光パターン１６に係るＬＳＩ設計データＤINに基
づいて露光パターンデータＤOUT の自動作成をする装置
であって、前記露光パターンデータＤOUT の作成に係る
各種データＤIN，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，ＤOUT を記憶する
記憶手段１１と、前記ＬＳＩ設計データＤINを単独配置
に係る第１のパターンデータＤ１とマトリクス配置に係
る第２のパターンデータＤ２とに分類するデータ分類手
段１２と、前記第１，第２のパターンデータＤ１，Ｄ２
を露光装置の単位副偏向領域毎に登録するデータ登録手
段１３と、前記第１，第２のパターンデータＤ１，Ｄ２
を補正する補正手段１４と、前記記憶手段１１，データ
分類手段１２，データ登録手段１３及び補正手段１４の
入出力を制御する制御手段１５とを具備し、前記制御手
段１５が、前記第２の露光パターン部ＭＰの最外郭露光
パターン部ＭP1〜ＭPiのうちの一つを基準パターンＭＲ
として設定し、前記基準パターンＭＲにおいて、前記各
々の最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiへマトリクス配置
可能な部分を第２の最外郭露光パターン部ＭＢとし、前
記第２の最外郭露光パターン部ＭＢの近接効果の補正処
理をし、前記補正処理後の前記第２の最外郭露光パター
ン部ＭＢを、前記最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの各
々の対応する部分へマトリクス配置することを特徴とす
る。また、前記露光データ作成装置において、前記制御
手段１５が、前記最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの各
々において、単独配置可能な部分を第１の最外郭露光パ
ターン部ＭＡとし、前記各々の第１の最外郭露光パター
ン部ＭＡについて、該第１の最外郭露光パターン部ＭＡ
に隣接する前記単位副偏向領域との近接効果の補正処理
をすることを特徴とする。

【００２０】本発明の露光データ作成方法は、図３
（ａ）に示すように、少なくとも、単独配置可能な第１
の露光パターン部ＳＰとマトリクス配置可能な第２の露
光パターン部ＭＰとを含む被露光パターン１６に係るＬ
ＳＩ設計データＤINに基づいて露光パターンデータＤOU
T を自動作成する方法であって、図２のフローチャート
に示すように、まず、ステップＰ１で前記ＬＳＩ設計デ
ータＤINに基づいて単独配置に係る第１の露光パターン
部ＳＰとマトリクス配置に係る第２の露光パターン部Ｍ
Ｐとの分類処理（図３（ｂ）参照）をし、次に、ステッ
プＰ２で前記第１，第２の露光パターン部ＳＰ，ＭＰを
露光処理系の単位副偏向領域毎に登録処理（図３（ｃ）
参照）をし、その後、ステップＰ３で前記登録処理に基
づいて、前記第１の露光パターン部ＳＰの単独配置処理
をし、ステップＰ４で前記登録処理に基づいて、前記第
２の露光パターン部ＭＰのうち、最外郭露光パターン部
ＭP1〜ＭPi以外の前記第２の露光パターン部ＭＰのマト
リクス配置処理をし、ステップＰ５で前記第２の露光パ
ターン部ＭＰの前記最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiに
基準パターンＭＲの設定処理（図３（ｄ）参照）をし、
前記基準パターンＭＲにおいて、前記各々の最外郭露光
パターン部ＭP1〜ＭPiへマトリクス配置可能な部分を第
２の最外郭露光パターン部ＭＢとし、ステップＰ６で前
記第２の最外郭露光パターン部ＭＢの近接効果の補正処
理をし、前記補正処理後の前記第２の最外郭露光パター
ン部ＭＢを、前記最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの各
々の対応する部分へマトリクス配置することことを特徴
とする。

【００２１】なお、前記露光データ作成方法において、
前記最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの各々において、
単独配置可能な部分を第１の最外郭露光パターン部ＭＡ
とし、前記各々の第１の最外郭露光パターン部ＭＡにつ
いて、該第１の最外郭露光パターン部ＭＡに隣接する前
記単位副偏向領域との近接効果の補正処理をすることを
特徴とする。

【００２２】

【００２３】

【作用】本発明の露光データ作成装置によれば、図１に
示すように記憶手段１１，データ分類手段１２，データ
登録手段１３，補正手段１４及び制御手段１５が具備さ
れ、制御手段１５がマトリクス配置された第２の露光パ
ターン部ＭＰの最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiに基準
パターンＭＲを設定している。

【００２４】例えば、ＬＳＩ設計データＤINが記憶手段
１１から読み出されると、該ＬＳＩ設計データＤINがデ
ータ分類手段１２により単独配置に係る第１のパターン
データＤ１とマトリクス配置に係る第２のパターンデー
タＤ２とに分類される。

【００２５】また、当該露光パターンデータＤOUT が採
用される，例えば、電子ビーム露光装置の単位副偏向領
域（以下サブフィールドともいう）毎に第１，第２のパ
ターンデータＤ１，Ｄ２がデータ登録手段１３により登
録される。さらに、第１，第２のパターンデータＤ１，
Ｄ２が補正手段１４により補正される。

【００２６】この際に、制御手段１５を介して第２の露
光パターン部ＭＰの最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiに
基準パターンＭＲが設定され、単独配置された第１の露
光パターン部ＳＰとマトリクス配置された第２の露光パ
ターン部ＭＰとの境界部分の補正処理，例えば、近接効
果ε〔μｍ〕の補正処理を該基準パターンＭＲを参照し
ながらデータ補正処理をする最外郭マトリクス処理を実
行することが可能となる。なお、補正された第１，第２
のパターンデータＤ１，Ｄ２が露光パターンデータＤOU
T として記憶手段１１に格納される。

【００２７】このため、マトリクス配置された最外郭露
光パターン部を単純にデータ展開することなく、最外郭
露光パターン部ＭPiに設けられた基準パターンＭＲに基
づいてデータ展開処理をすることが可能となる。また、
その補正処理の高速化を図ることが可能となる。

【００２８】これにより、従来例に比べて短時間に露光
パターンデータＤOUT の自動作成をすることが可能とな
る。また、本発明の露光データ作成方法によれば、図２
のフローチャートに示すように、ステップＰ５で第２の
露光パターン部ＭＰの最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPi
に基準パターンＭＲの設定処理（図３（ｄ）参照）を
し、その後、ステップＰ６で基準パターンＭＲに基づい
て第１の露光パターン部ＳＰと第２の露光パターン部Ｍ
Ｐとの境界部分の補正処理をしている。

【００２９】例えば、第２の露光パターン部ＭＰの最外
郭の単位副偏向領域に登録された複数の最外郭露光パタ
ーン部ＭP1〜ＭPiの分類処理に基づいて、その中ら一つ
の単位副偏向領域に登録された最外郭露光パターン部Ｍ
P1が抽出処理され、該抽出処理された最外郭露光パター
ン部ＭP1が基準パターンＭＲとして単独配置可能な第１
の最外郭露光パターン部ＭＡとマトリクス配置可能な第
２の最外郭露光パターン部ＭＢとに分類処理されてい
る。

【００３０】このため、基準パターンＭＲの単独配置に
係る第１の最外郭露光パターン部ＭＡと、他の最外郭露
光パターン部ＭPi，第１の露光パターン部ＳＰ及び第２
の露光パターン部ＭＰとが近接効果ε〔μｍ〕の補正処
理され、残る単位副偏向領域に登録された最外郭露光パ
ターン部ＭP2〜ＭPiのマトリクス配置可能な第２の最外
郭露光パターン部ＭＢの照射量補正，寸法補正等の近接
効果ε〔μｍ〕の補正については、基準パターンＭＲに
基づいて一括変換処理をすることが可能となる。

【００３１】このことで、最外郭露光パターン部ＭP1〜
ＭPiの照射量補正，寸法補正等の近接効果ε〔μｍ〕の
補正処理を従来例のように単独配置パターン部ＳＰと同
様に各サブフィールド毎に行うことが回避される。

【００３２】また、被設計ＬＳＩの大容量化，高機能化
に伴いＬＳＩ設計データＤINが増大化した場合であって
も、その照射量補正及び寸法補正等を必要とするパター
ン数の増加が極力抑制され、その補正処理に要する計算
量を大幅に減少させることが可能となる。

【００３３】これにより、補正計算等の処理時間が短縮
されることから新規ＬＳＩの短期開発を図ることが可能
となる。また、当該装置のデータ処理の高速化を図るこ
とが可能となる。

【００３４】

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図４〜９は、本発明の実施例に係る露
光データ作成装置及び露光データ作成方法を説明する図
である。図４は、本発明の実施例に係る露光データ作成
装置の構成図を示している。

【００３５】例えば、図６に示すような被露光パターン
１６に係るＬＳＩ設計データＤINに基づいて露光パター
ンデータＤOUT を自動作成する装置は、図４において、
設計データメモリ21Ａ，中間データメモリ21Ｂ，露光デ
ータメモリ21Ｃ，データ分類エディタ２２，データ登録
エディタ２３，データ補正エディタ２４，ＣＰＵ（中央
演算処理装置）２５，キーボード26Ａ，ディスプレイ装
置26Ｂ及びシステムバス２７から成る。

【００３６】すなわち、設計データメモリ21Ａは記憶手
段１１の一部を構成し、被設計ＬＳＩの被露光パターン
１６に係るＬＳＩ設計データＤINを記憶するものであ
る。なお、ＬＳＩ設計データＤINは、露光装置のサブフ
ィールド単位に存在する第１の露光パターン部（以下単
独配置パターン部という）ＳＰに係る第１のパターンデ
ータ（以下単独配置データという）Ｄ１と、第２の露光
パターン部（マトリクス配置パターン部）ＭＰに係る第
２のパターンデータ（以下マトリクス配置データとい
う）Ｄ２から成る（図６参照）。

【００３７】また、単独配置パターン部ＳＰは、サブフ
ィールド単位に単独で配置され、マトリクス配置パター
ン部ＭＰは、同じデータで１サブフィールド毎に複数連
続して配置されるものである。さらに、ＬＳＩ設計デー
タＤINは、データを種別するため配置情報と位置情報か
ら成る。位置情報は、被露光パターン１６に係る配置
数，配置番号，配置範囲を含むものである。

【００３８】中間データメモリ21Ｂは記憶手段１１の一
部を構成し、被露光パターン１６のＬＳＩ設計データＤ
INから分離された単独配置データＤ１やマトリクス配置
データＤ２を一時記憶するものである。

【００３９】露光データメモリ21Ｃは記憶手段１１の一
部を構成し、被露光パターン１６の単独配置データＤ１
やマトリクス配置データＤ２を補正した単独配置補正デ
ータＤ３やマトリクス配置補正データＤ４を露光パター
ンデータＤOUT として格納するものである。

【００４０】データ分類エディタ２２はデータ分類手段
１２の一実施例であり、ＬＳＩ設計データＤINを単独配
置データＤ１とマトリクス配置データＤ２とに分類する
ものである。また、マトリクス配置データＤ２から最外
郭マトリクス配置データＤ21，最外郭基準配置データＤ
Ｒやマトリクス基準配置データＤ５を分類するものであ
る。

【００４１】データ登録エディタ２３は第２のデータ登
録手段１３の一実施例であり、単独配置データＤ１とマ
トリクス配置データＤ２とを当該露光パターンデータＤ
OUTが採用される，例えば、電子ビーム露光装置のサブ
フィールド毎に登録をするものである。

【００４２】データ補正エディタ２４は補正手段１４の
一実施例であり、単独配置データＤ１とマトリクス配置
データＤ２とを補正するものである。例えば、照射量補
正や寸法補正等をする。ここで、照射量補正とは、露光
パターンサイズ毎に電子ビームの照射量を補正する処理
をいい、電子の後方散乱や前方散乱による露光パターン
解像度の低下を防止するものである。

【００４３】また、寸法補正とは半導体ウエハの特性
上，直線パターン部等が膨れあがった状態でパターン露
光されるため、これらの部分の寸法を補正する処理をい
う。なお、照射量補正や寸法補正等は、サブフィールド
に登録された隣接露光パターンの相手方の情報と当該露
光パターンの情報に基づいて補正処理される。

【００４４】ＣＰＵ（中央演算処理装置）２５は制御手
段１５の一実施例であり、設計データメモリ21Ａ，中間
データメモリ21Ｂ，露光データメモリ21Ｃ，データ分類
エディタ２２，データ登録エディタ２３，データ補正エ
ディタ２４，キーボード26Ａ及びディスプレイ装置26Ｂ
等の入出力を制御するものである。

【００４５】例えば、ＣＰＵ２５は単独配置された単独
配置パターン部ＳＰとマトリクス配置パターン部ＭＰと
の境界部分の補正をする際に、マトリクス配置パターン
部ＭＰの最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiに基準パター
ンＭＲを設定するものである。また、ＣＰＵ２５はメモ
リ品種等の繰り返しパターンが連続するマトリクス配置
パターン部ＭＰについては、それをマトリクス展開可能
であると識別する。例えば、ＣＰＵ２５は、マトリクス
配置データＤ２に基づいてマトリクス展開部の繰り返し
数Ｘ，Ｙを識別処理する。

【００４６】なお、キーボード26Ａはオペレータが当該
露光データ作成装置を起動する場合に、制御文などの外
部入力データＤ６を入力するものである。また、ディス
プレイ装置26Ｂは表示データＤ７に基づいて被設計ＬＳ
Ｉの被露光パターン１６やその座標数値等を必要に応じ
て表示するものである。

【００４７】システムバス２７は、設計データメモリ21
Ａ，中間データメモリ21Ｂ，露光データメモリ21Ｃ，デ
ータ分類エディタ２２，データ登録エディタ２３，デー
タ補正エディタ２４，ＣＰＵ２５，キーボード26Ａ及び
ディスプレイ装置26Ｂ等を接続し、各データＤ１〜Ｄ７
を伝送するものである。

【００４８】このようにして、本発明の実施例に係る露
光データ作成装置によれば、図４に示すように設計デー
タメモリ21Ａ，中間データメモリ21Ｂ，露光データメモ
リ21Ｃ，データ分類エディタ２２，データ登録エディタ
２３，データ補正エディタ２４，ＣＰＵ（中央演算処理
装置）２５，キーボード26Ａ及びディスプレイ装置26Ｂ
が具備され、該ＣＰＵ２５が単独パターン部ＳＰとマト
リクス配置パターン部ＭＰとの境界部分の補正をする際
に、該マトリクス配置パターン部ＭＰの最外郭露光パタ
ーン部ＭP1〜ＭPiに基準パターンＭＲを設定している。

【００４９】例えば、ＬＳＩ設計データＤINが設計デー
タメモリ21Ａから読み出されると、該ＬＳＩ設計データ
ＤINがデータ分類エディタ２２により単独配置データＤ
１とマトリクス配置データＤ２とに分類される。

【００５０】また、当該露光パターンデータＤOUT が採
用される電子ビーム露光装置のサブフィールド毎に単独
配置データＤ１とマトリクス配置データＤ２がデータ登
録エディタ２３により登録される。さらに、単独配置デ
ータＤ１とマトリクス配置データＤ２がデータ補正エデ
ィタ２４により補正される。

【００５１】この際に、ＣＰＵ２５を介してマトリクス
配置パターン部ＭＰの最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPi
に基準パターンＭＲが設定され、単独配置パターン部Ｓ
Ｐとマトリクス配置パターン部ＭＰとの境界部分の近接
効果ε〔μｍ〕の補正処理を該基準パターンＭＲを参照
しながらデータ処理（最外郭マトリクス処理）を実行す
ることが可能となる。

【００５２】ここで、補正された単独配置補正データＤ
３とマトリクス配置補正データＤ４が露光パターンデー
タＤOUT として露光データメモリ21Ｃに格納される。こ
のため、マトリクス配置された最外郭露光パターン部Ｍ
P1〜ＭPiを単純にデータ展開することなく、最外郭露光
パターン部ＭPiに設けられた基準パターンＭＲに基づい
てデータ展開処理をすることが可能となる。また、その
補正処理の高速化を図ることが可能となる。

【００５３】これにより、従来例に比べて短時間に露光
パターンデータＤOUT の自動作成をすることが可能とな
る。次に、本発明の実施例に係る露光データ作成方法に
ついて、当該装置の動作を補足しながら説明をする。

【００５４】図５〜９は、本発明の実施例に係る露光デ
ータ作成方法の説明図であり、図５はそのメインルーチ
ン処理に係る露光パターンデータの作成フローチャート
を示している。なお、図６〜８はその補足説明図であ
り、図９はそのサブルーチン処理に係る基準パターン設
定処理フローチャートをそれぞれ示している。

【００５５】なお、本発明の実施例の説明を簡略化する
ため、あるＬＳＩチップの被露光領域が１フィールドＦ
に収まり、該フィールドＦ内において、１単独配置パタ
ーン部ＳＰと１マトリクス配置パターン部ＭＰとを有す
る場合を仮定して説明をする。

【００５６】例えば、図６（ａ）に示すように、単独配
置パターン部ＳＰとマトリクス配置パターン部ＭＰとを
含む被露光パターン１６に係るＬＳＩ設計データＤ１に
基づいて露光パターンデータＤOUT の自動作成をする場
合に、図５のフローチャートに示すように、まず、ステ
ップＰ１でＬＳＩ設計データＤINの入力処理をする。

【００５７】この際に、キーボード26Ａを介して、制御
文などの外部入力データＤ６が入力されると、当該露光
データ作成装置が起動され、設計データメモリ21Ａから
被設計ＬＳＩの被露光パターン１６に係るＬＳＩ設計デ
ータＤINが読み出される。

【００５８】次いで、ステップＰ２でＬＳＩ設計データ
ＤINに基づいて単独配置パターン部ＳＰとマトリクス配
置パターン部ＭＰとの分類処理をする。（図６（ｂ）参
照）。この際に、データ分類エディタ２２によりＬＳＩ
設計データＤINが単独配置データＤ１とマトリクス配置
データＤ２とに分類され、該単独配置データＤ１やマト
リクス配置データＤ２が中間データメモリ21Ｂに一時記
憶される。

【００５９】なお、被露光パターン１６の単独配置パタ
ーン部ＳＰとマトリクス配置パターン部ＭＰは、配置
数，配置番号，配置範囲等の位置情報に基づいて分類さ
れる。次に、ステップＰ３で単独配置パターン部ＳＰと
マトリクス配置パターン部ＭＰを露光処理系の各サブフ
ィールド毎に登録処理をする。また、単独配置パターン
部ＳＰに隣接する単独配置パターン部ＳＰも各サブフィ
ールド毎に登録処理する（図６（ｃ）参照）。この際
に、データ登録エディタ２３により単独配置データＤ１
とマトリクス配置データＤ２とが当該露光パターンデー
タＤOUT を採用する，例えば、電子ビーム露光装置のサ
ブフィールド毎に登録される。

【００６０】その後、ステップＰ４で登録処理に基づい
て単独配置パターン部ＳＰの単独配置処理をする。この
際に、図７に示すように単独配置パターン部ＳＰが１サ
ブフィールドを格子単位とするメモリ領域上にデータ展
開される。

【００６１】併せて、ステップＰ５でマトリクス配置パ
ターン部ＭＰをマトリクス配置処理をする（図７参
照）。この際に、マトリクス配置データＤ２に基づいて
マトリクス展開部の繰り返し数Ｘ，ＹがＣＰＵ２５によ
り識別処理される。例えば、メモリ品種等の繰り返しパ
ターンが連続するマトリクス配置パターン部ＭＰについ
ては、ＣＰＵ２５によりそれがマトリクス展開可能であ
ると識別される。

【００６２】さらに、ステップＰ６でマトリクス配置パ
ターン部ＭＰの最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiに１つ
の基準パターンＭＲの設定処理をする。この際の設定処
理は、図９のサブルーチン処理において、まず、ステッ
プＰ6Aで単独配置パターン部ＳＰに接するマトリクス配
置パターン部ＭＰの最外郭のサブフィールドＳF1〜ＳFi
に登録された複数の最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの
分類処理をする。

【００６３】ここで、データ分類エディタ２２によりマ
トリクス配置データＤ２から複数の最外郭露光パターン
部ＭP1〜ＭPiに係る最外郭マトリクス配置データＤ21が
分類され、該配置データＤ21が中間データメモリ21Ｂに
一時記憶される。

【００６４】その後、ステップＰ6Bで分類処理に基づい
て複数の最外郭露光パターン部ＭP1〜ＭPiの中ら１つの
サブフィールドＳF1に登録された最外郭露光パターン部
ＭP1の抽出処理をする。この際に、データ分類エディタ
２２によりマトリクス配置データＤ２から最外郭露光パ
ターン部ＭP1に係る最外郭基準配置データＤＲが分類さ
れる。

【００６５】さらに、ステップＰ6Cで抽出処理された最
外郭露光パターン部ＭP1を基準パターンＭＲとして登録
処理する。この際に、データ登録エディタ２３により基
準パターンＭＲに係る最外郭基準配置データＤＲが登録
される。

【００６６】次に、ステップＰ6Dで基準パターンＭＲを
最外郭マトリクス単独配置パターン部ＭＡと最外郭マト
リクス配置パターン部ＭＢとに分類処理をする。ここ
で、図８に示すように、最外郭マトリクス単独配置パタ
ーン部ＭＡは第１の最外郭露光パターン部ＭＡの一例で
あり、各サブフィールド境界において、近接効果の影響
を受ける範囲ε〔μｍ〕のパターン部分であり、この部
分のみを単独配置処理するものである。なお、各サブフ
ィールドＳF1〜ＳFiについて、最外郭マトリクス単独配
置パターン部ＭＡが近接効果ε〔μｍ〕の補正をする部
分となる。

【００６７】また、最外郭マトリクス配置パターン部Ｍ
Ｂは、第２の最外郭露光パターン部ＭＡの一例であり、
他のサブフィールドＳF2〜ＳFiに登録された最外郭露光
パターン部ＭP1の照射量補正や寸法補正の基準パターン
となるものである。（図８参照）。

【００６８】ここで、データ分類エディタ２２によりマ
トリクス配置データＤ２から最外郭マトリクス単独配置
パターン部ＭＡと最外郭マトリクス配置パターン部ＭＢ
とに係るマトリクス基準配置データＤ５が分類される。

【００６９】次いで、図５のメインルーチン処理に戻っ
て、ステップＰ７で基準パターンＭＲに基づいて単独配
置パターン部ＳＰとマトリクス配置パターン部ＭＰとの
境界部分の補正処理をする。この際に、サブフィールド
ＳF1の基準パターンＭＲの最外郭マトリクス単独配置パ
ターン部ＭＡと、他のサブフィールドＳF2の最外郭露光
パターン部ＭP2，単独配置パターン部ＳＰ及びサブフィ
ールドＳFiの最外郭露光パターン部ＭPiとの近接効果ε
〔μｍ〕の補正をする。

【００７０】ここで、最外郭マトリクス単独配置パター
ン部ＭＡの補正処理については、各サブフィールド境界
において、各サブフィールドＳF1〜ＳFi毎に、近接効果
ε〔μｍ〕が補正される。また、残りのサブフィールド
ＳF2〜ＳFiに係る最外郭マトリクス配置パターン部ＭＢ
については、サブフィールドＳF1の最外郭マトリクス配
置パターン部ＭＢを基準パターンＭＲにして一括変換処
理される（以下最外郭マトリクス処理という）。

【００７１】この際に、データ補正エディタ２４により
単独配置データＤ１とマトリクス配置データＤ２とが補
正，例えば、サブフィールドに登録された隣接露光パタ
ーンの相手方の情報と当該露光パターンの情報に基づい
て照射量補正や寸法補正等が行われる。

【００７２】これにより、被露光パターン１６の単独配
置データＤ１やマトリクス配置データＤ２を補正した単
独配置補正データＤ３やマトリクス配置補正データＤ４
が露光データメモリ21Ｃに露光パターンデータＤOUT と
して格納され、１チップの被設計ＬＳＩに係る露光パタ
ーンデータＤOUT を自動作成することができる。

【００７３】このようにして、本発明の実施例に係る露
光データ作成方法によれば、図５のフローチャートに示
すように、ステップＰ６でマトリクス配置パターン部Ｍ
Ｐの最外郭露光パターン部ＭP1に基準パターンＭＲの設
定処理（図８参照）をし、その後、ステップＰ７で基準
パターンＭＲに基づいて単独配置パターン部ＳＰとマト
リクス配置パターン部ＭＰとの境界部分の補正処理をし
ている。

【００７４】例えば、図９のサブルーチン処理におい
て、ステップＰ6Aでマトリクス配置パターン部ＭＰの最
外郭のサブフィールドＳFiに登録された複数の最外郭露
光パターン部ＭP1〜ＭPiの分類処理に基づいて、ステッ
プＰ6Bでその中ら一つのサブフィールドＳF1に登録され
た最外郭露光パターン部ＭP1が抽出処理され、ステップ
Ｐ6Cで該抽出処理された最外郭露光パターン部ＭP1が基
準パターンＭＲとして登録され、ステップＰ6Dでそれが
最外郭マトリクス単独配置パターン部ＭＡとマトリクス
配置パターン部ＭＢとに分類処理されている。

【００７５】このため、基準パターンＭＲの最外郭マト
リクス単独配置パターン部ＭＡと、他の最外郭露光パタ
ーン部ＭPi，単独配置パターン部ＳＰ及びマトリクス配
置パターン部ＭＰとが近接効果ε〔μｍ〕の補正処理さ
れ、残るサブフィールドＳFiに登録された最外郭露光パ
ターン部ＭP2〜ＭPiの最外郭マトリクス配置パターン部
ＭＢの照射量補正，寸法補正等の近接効果ε〔μｍ〕の
補正については、基準パターンＭＲに基づいて一括変換
処理をすることが可能となる。

【００７６】このことで、最外郭露光パターン部ＭP1〜
ＭPiの照射量補正，寸法補正等の近接効果ε〔μｍ〕の
補正処理を従来例のように単独配置パターン部ＳＰと同
様に各サブフィールドＳFi毎に行うことが回避される。

【００７７】また、被設計ＬＳＩの大容量化，高機能化
に伴いＬＳＩ設計データＤINが増大化した場合であって
も、その照射量補正及び寸法補正等を必要とするパター
ン数の増加が極力抑制され、その補正処理に要する計算
量を大幅に減少させることが可能となる。

【００７８】例えば、 256Ｍビット以上の新規なメモリ
品種に係る設計データに基づいて露光パターンデータＤ
OUT を作成する場合であっても、その周辺回路パターン
部とそのメモリ部に係る最外郭露光パターン部ＭP1〜Ｍ
Piの補正処理を短縮化することができるので、該パター
ンデータＤOUT を短時間に自動作成することが可能とな
る。

【００７９】これにより、補正計算等の処理時間が短縮
されることから新規ＬＳＩの短期開発を図ることが可能
となる。また、当該装置のデータ処理の高速化を図るこ
とが可能となる。

【００８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光デー
タ作成装置によれば、記憶手段，データ分類手段，デー
タ登録手段，補正手段及び制御手段が具備され、該制御
手段がマトリクス配置された最外郭露光パターン部に基
準パターンを設定している。

【００８１】このため、マトリクス配置された最外郭露
光パターン部を単純にデータ展開することなく、最外郭
露光パターン部に設けられた１つの基準パターンに基づ
いて残りの最外郭露光パターン部のデータ展開処理をす
ることが可能となる。また、その補正処理の高速化を図
ることが可能となる。このことで、従来例に比べて短時
間に露光パターンデータの自動作成をすることが可能と
なる。

【００８２】また、本発明の露光データ作成方法によれ
ば、マトリクス配置された最外郭露光パターン部に基準
パターンの設定処理をし、その後、基準パターンに基づ
いて単独配置パターン部とマトリクス配置パターン部と
の境界部分の補正処理をしている。

【００８３】このため、基準パターンの最外郭マトリク
ス単独配置パターン部に基づいて、他の最外郭露光パタ
ーン部，単独配置パターン部及びマトリクス配置パター
ン部との近接効果ε〔μｍ〕が補正処理され、残る単位
副偏向領域に登録された最外郭露光パターン部の最外郭
マトリクス配置パターン部の近接効果ε〔μｍ〕の補正
については、基準パターンに基づいて一括変換処理をす
ることが可能となる。

【００８４】このことで、被設計ＬＳＩの大容量化，高
機能化に伴いＬＳＩ設計データが増大化した場合であっ
ても、その照射量補正及び寸法補正等を必要とするパタ
ーン数の増加が極力抑制され、その補正処理に要する計
算量を大幅に減少させることが可能となる。

【００８５】これにより、補正計算等の処理時間が短縮
されることから新規ＬＳＩの短期開発を図ることが可能
となる。また、当該装置のデータ処理の高速化を図るこ
とが可能となる。このことで、 256〔Ｍ〕ＤＲＡＭ以上
の超微細ＬＳＩの早期製品化に寄与するところが大き
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る露光データ作成装置の原理図であ
る。

【図２】本発明に係る露光データ作成方法の原理図（そ
の１）である。

【図３】本発明に係る露光データ作成方法の原理図（そ
の２）である。

【図４】本発明の実施例に係る露光データ作成装置の構
成図である。

【図５】本発明の実施例に係る露光データ作成の処理フ
ローチャートである。

【図６】本発明の実施例に係るデータ作成フローチャー
トの補足説明図（その１）である。

【図７】本発明の実施例に係るデータ作成フローチャー
トの補足説明図（その２）である。

【図８】本発明の実施例に係るデータ作成フローチャー
トの補足説明図（その３）である。

【図９】本発明の実施例に係る基準パターン設定の処理
フローチャートである。

【図10】従来例に係る露光データ作成方法の説明図（そ
の１）である。

【図11】従来例に係る露光データ作成方法の説明図（そ
の２）である。

【符号の説明】

１１…記憶手段、 １２…データ分類手段、 １３…データ登録手段、 １４…データ補正手段、 １５…制御手段、 ＤIN…ＬＳＩ設計データ、 Ｄ１，Ｄ２…第１，第２のパターンデータ、 Ｄ３…その他のデータ、 ＤOUT …露光パターンデータ、 ＳＰ…第１の露光パターン部、 ＭＰ，ＭP1〜ＭPi…第２の露光パターン部、 ＭＲ…基準パターン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単独配置可能な第１の露光パターン部
   （ＳＰ）とマトリクス配置可能な第２の露光パターン部
   （ＭＰ）とを含む被露光パターン（１６）に係るＬＳＩ
   設計データ（ＤIN）に基づいて露光パターンデータ（Ｄ
   OUT ）の自動作成をする装置であって、 前記露光パターンデータ（ＤOUT ）の作成に係る各種デ
   ータ（ＤIN，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，ＤOUT ）を記憶する記
   憶手段（１１）と、 前記ＬＳＩ設計データ（ＤIN）を単独配置に係る第１の
   パターンデータ（Ｄ１）とマトリクス配置に係る第２の
   パターンデータ（Ｄ２）とに分類するデータ分類手段
   （１２）と、 前記第１，第２のパターンデータ（Ｄ１，Ｄ２）を露光
   装置の単位副偏向領域毎に登録するデータ登録手段（１
   ３）と、 前記第１，第２のパターンデータ（Ｄ１，Ｄ２）を補正
   する補正手段（１４）と、 前記記憶手段（１１），データ分類手段（１２），デー
   タ登録手段（１３）及び補正手段（１４）の入出力を制
   御する制御手段（１５）とを具備し、 前記制御手段（１５）が、 前記第２の露光パターン部（ＭＰ）の最外郭露光パター
   ン部（ＭP1〜ＭPi）のうちの一つを基準パターン（Ｍ
   Ｒ）として設定し、 前記基準パターン（ＭＲ）において、前記各々の最外郭
   露光パターン部（ＭP1〜ＭPi）へマトリクス配置可能な
   部分を第２の最外郭露光パターン部（ＭＢ）とし、 前記第２の最外郭露光パターン部（ＭＢ）の近接効果の
   補正処理をし、 前記補正処理後の前記第２の最外郭露光パターン部（Ｍ
   Ｂ）を、前記最外郭露光パターン部（ＭP1〜ＭPi）の各
   々の対応する部分へマトリクス配置することを特徴とす
   る露光データ作成装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段（１５）が、前記最外郭露
   光パターン部（ＭP1〜ＭPi）の各々において、単独配置
   可能な部分を第１の最外郭露光パターン部（ＭＡ）と
   し、 前記各々の第１の最外郭露光パターン部（ＭＡ）につい
   て、該第１の最外郭露光パターン部（ＭＡ）に隣接する
   前記単位副偏向領域との近接効果の補正処理をすること
   を特徴とする請求項１に記載の露光データ作成装置。
3. 【請求項３】 少なくとも、単独配置可能な第１の露光
   パターン部（ＳＰ）とマトリクス配置可能な第２の露光
   パターン部（ＭＰ）とを含む被露光パターン（１６）に
   係るＬＳＩ設計データ（ＤIN）に基づいて露光パターン
   データ（ＤOUT ）を自動作成する方法であって、 前記ＬＳＩ設計データ（ＤIN）に基づいて単独配置に係
   る第１の露光パターン部（ＳＰ）とマトリクス配置に係
   る第２の露光パターン部（ＭＰ）との分類処理をし、 前記第１，第２の露光パターン部（ＳＰ，ＭＰ）を露光
   処理系の単位副偏向領域毎に登録処理をし、 前記登録処理に基づいて、前記第１の露光パターン部
   （ＳＰ）の単独配置処理をし、 前記登録処理に基づいて、前記第２の露光パターン部
   （ＭＰ）のうち、最外郭露光パターン部（ＭP1〜ＭPi）
   以外の前記第２の露光パターン部（ＭＰ）のマトリクス
   配置処理をし、 前記第２の露光パターン部（ＭＰ）の前記最外郭露光パ
   ターン部（ＭP1〜ＭPi）に基準パターン（ＭＲ）の設定
   処理をし、 前記基準パターン（ＭＲ）において、前記各々の最外郭
   露光パターン部（ＭP1〜ＭPi）へマトリクス配置可能な
   部分を第２の最外郭露光パターン部（ＭＢ）とし、 前記第２の最外郭露光パターン部（ＭＢ）の近接効果の
   補正処理をし、 前記補正処理後の前記第２の最外郭露光パターン部（Ｍ
   Ｂ）を、前記最外郭露光パターン部（ＭP1〜ＭPi）の各
   々の対応する部分へマトリクス配置することことを特徴
   とする露光データ作成方法。
4. 【請求項４】 前記最外郭露光パターン部（ＭP1〜ＭP
   i）の各々において、単独配置可能な部分を第１の最外
   郭露光パターン部（ＭＡ）とし、 前記各々の第１の最外郭露光パターン部（ＭＡ）につい
   て、該第１の最外郭露光パターン部（ＭＡ）に隣接する
   前記単位副偏向領域との近接効果の補正処理をすること
   を特徴とする請求項１に記載の露光データ作成方法。