JPH02273692A - 8,2’―アンヒドロ―8―メルカプト―9―β―D―リキソフラノシルプリン誘導体 - Google Patents

8,2’―アンヒドロ―8―メルカプト―9―β―D―リキソフラノシルプリン誘導体

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JPH02273692A
JPH02273692A JP1094998A JP9499889A JPH02273692A JP H02273692 A JPH02273692 A JP H02273692A JP 1094998 A JP1094998 A JP 1094998A JP 9499889 A JP9499889 A JP 9499889A JP H02273692 A JPH02273692 A JP H02273692A
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JP
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JP1094998A
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Masami Morozumi
両角 正海
Takao Ikeda
高夫 池田
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Yamasa Shoyu KK
Original Assignee
Yamasa Shoyu KK
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は2′−デオキシもしくは2’ 、3’ −ジデ
オキシプリンヌクレオシド誘導体を合成するための中間
体として有用な8,2′−アンヒドロ−8−メルカプト
−9−β−D−リキソフラノシルプリン誘導体、その製
造法および該誘導体からの2′−デオキシもしくは2’
 、3’−ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体の製造
法に関するものである。
〔従来の技術〕
2’ 、3’−ジデオキシアデノシン、3′−アジド−
2′  3′−ジデオキシアデノシン、2′−フルオロ
ー2’ 、3’−ジデオキシアラビノフラノシルアデニ
ン、2’ 、3’−ジデオキシグアノシン、2’ 、3
’−ジデオキシイノシン、3′−アジド−2’ 、3’
 −ジデオキシグアノシン。
2’ 、3’−ジデオキシリボフラノシル−2,6−ジ
アミツプリン、3′−アジド−2’ 、3’ −ジデオ
キシリボフラノシル−2,6−ジアミツプリン、3′−
フルオロ−2’ 、3’ −ジデオキシリボフラノシル
−2,6−ジアミツプリン、3′−フルオロ−2’ 、
3’−デオキシグアノシンなどの2′−デオキシもしく
は2’ 、3’ −ジデオキシプリンヌクレオシド誘導
体が抗HIV (human immunodefic
iency virus)活性を有することが報告され
、該化合物の医薬としての開発が注目されている(Pr
oc、Acad、Sci、、 tJ、 S、 A、。
83.1911−1915  (1986)、J、Ma
d。
Chew、、30.2131  2137  (198
7)  、Biochem、Phar+*aco1.、
 3 6  、 2 7 1 9 − 2 7 2 2
(1987)  、  Bioehem、Biophy
s、Rss、Commun、。
145.1080−1086  (1987)  、L
ancat、  i、  40−41  (1987)
  、 Biocha+a。
Biophys、Ras、Commun、、  L  
4 5  、 2 6 9 − 2 7 6(1987
)  、 Mo1.Pharmacol、、  33.
 243−249 (1989)など参照)。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような2′−デオキシもしくは2’ 、3’一ジデ
オキシブリンヌクレオシド誘導体は化学構造が複雑であ
るため、該化合物のmm法は長い反応工程と複雑な操作
を必要とし、大量製造を目的とするような工業的な製造
に適用するには必ずしも満足できる方法でなかった。
たとえば、3′−アジド−2’ 、3’−ジデオキシリ
ボフラノシル−2,6−ジアミツプリンを22−デオキ
シグアノシンから調製する方法が報告されている(Te
trahadron Lattars+  30 (7
)、855−858 (1989))が、該方法は■原
料の2′−デオキシグアノシンが高価で、多量に入手す
ることが困難である。■反応に使用する試薬が一般的で
なく、かつ高価である。■最終の合成収率が低い等の欠
点を有している。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、2′−デオキシもしくは2′3′−ジデ
オキシプリンヌクレオシド誘導体の簡便な調製法に関し
、研究を重ねた結果、キシロヌクレオシド誘導体から3
反応工程で式(1)〔式中、RLおよびR2は、水素原
子、保護されていてもよい水酸基または保護されていて
もよいアミノ基を示し R3は水素原子または水酸基の
保護基を示す、〕で表わされる8、2′−アンヒドロ−
8−メルカプト−9−β−D−リキソフラノシルプリン
誘導体を合成することに成功した。該化合物に関しさら
に研究を重ねた結果、該プリン誘導体から3反応工程に
より式〔■〕 〔式中、R1、R1およびR3は前記と同意義、Yはハ
ロゲン原子、アジド基、アシルオキシ基または水酸基を
示す、〕で表わされる2′−デオキシも・シ<は2″、
3′−ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体を容易に調
製できることを見い出した。
本発明者らは下記式(m〕で表される2’ 、3’−ジ
デオキシプリンヌクレオシド誘導体を調製する方法に関
し、さらに研究を重ねた結果、上記式(n)で表わされ
る化合物の中のYがハロゲン原子であるものを還元反応
に付すことにより、式〔式中 RL、R2およびR3は
前記と同意義〕で表わされる2’ 、3’ −ジデオキ
シプリンヌクレオシド誘導体を容易に調製することも見
い出し、本発明を完成した。
すなわち1本発明は、上記式(n)および(m)で表わ
される2′−デオキシもしくは2’ 、3’−ジデオキ
シプリンヌクレオシド誘導体を調製するための中間体と
して有用な上、記式(1)で表わされる8、2′−アン
ヒドロ−8−メルカプト−9−β−D−リキソフラノシ
ルプリン誘導体およびその製造法に関するものである。
また1本発明は、上記式(1)で表わされる中間体から
上記式(n)または(m)で表わされる2′−デオキシ
もしくは2’ 、3’−デオキシプリンヌクレオシド誘
導体の製造法に関するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の合成中間体は、上記式(I)で表わされるもの
である。
式中、R1、R2およびR3は前記定義のとおりのもの
であり、R1とR2は同一であっても、相異なっている
ものであってもよい。またR1とR2が水酸基またはア
ミノ基である場合、該置換基は保護基を有していてもよ
い。そのような保護基としては、水酸基またはアミノ基
を保護することのできる保護基であればいずれのもので
あってもよい。
具体的にはアセチル、プロピオニル、ブチリル、ベンゾ
イル、ナフトイルなどのアシル基を使用することができ
る。また、R3が水酸基の保護基を表わす場合には、該
保護基は水酸基を保護するのに使用されている通常の保
護基であればいずれの保護基であってもよく、具体的に
は、上述のアシル基またはトリチル基、モノメトキシト
リチル基、ジメトキシトリチル基などのトリチルまたは
その誘導体残基が好ましい。
このような本発明の合成中間体は、キシロヌクレオシド
類から下記の第1〜3反応工程を順次実施することによ
り調製することができる。
第1反応工程 下記式(2)化合物とハロゲン化剤とを反応させて下記
式(3)化合物を得る反応工程。
C式中、 R1、R”、R3オよびXは前記と同意義、
〕第3反応工程 下記式(4)化合物とアルカリとを反応させて塩基部8
位と糖部2′位を閉環せしめたのち、必要により保護基
を除去して式(1)化合物を得る反応工程。
〔式中 R”、 R2およびR3は前記と同意義、又は
ハロゲン原子を示す、〕 第2反応工程 下記式(3)化合物とメルカプト基導入剤とを反応させ
て、下記式(4)化合物を得る反応工程。
〔式中 RL、R2、およびR3は前記と同意義、〕第
1反応工程は、前記式(2)化合物の8位をハロゲン化
剤を用いてハロゲン化する反応工程である。
本反応工程のハロゲン化は臭素化、塩素化、ヨウ素化、
フッ素化のいずれであってもよい。
臭素化反応を例に挙げてさらに説明すれば、臭素化剤と
しては臭素、N−ブロモスクシンイミド。
N−ブロモアセトアミドなどの臭素化剤として通常使用
されているものを使用することができる。
このような臭素化剤を用いての臭素化反応は適当な反応
溶媒(たとえば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミド、アセトニトリル、ジオキサン、クロロホルム
など)中1式(2)化合物1モル当り臭素化剤1〜5倍
モル用いて、反応温度15〜50℃で1〜30時間反応
させることにより実施することができる。
第2反応工程は上記第1反応工程で得られた式(3)化
合物の8位にメルカプト基導入剤を用いてメルカプト基
を導入する反応工程である。
メルカプト基導入剤としては、チオ尿素、硫化水素ナト
リウム、チオ硫酸ナトリウムなどを例7することができ
る。このようなメルカプト基導入剤を用いてのメルカプ
ト基導入反応は、適当な反応溶媒(たとえばジメチルホ
ルムアミド、ブタノール、プロパツール、ジオキサン、
アセトニトリルなど)中、式(3)化合物1モルに対し
て1〜8倍のメルカプト基導入剤を用いて反応温度20
〜130℃で1〜30時間反応させることにより実施す
ることができる。
なお、本反応工程は、上記第1反応工程の反応生成物で
ある式(3)化合物を単離せずに、第1反応工程に続け
て実施することもできる。
第3反応工程は上記第2反応工程で得られた式(4)化
合物とアルカリとを反応せしめて塩基部8位と糖部2′
位を閉環せしめたのち、必要により保護基を除去する反
応工程である。
本反応工程で使用することのできるアルカリとしては、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム。
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、トリブチルアミンなどを例示することが
できる。
式(4)化合物と上記アルカリとの反応は、適当な溶媒
(たとえばピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ジオキサンなど)中、式(4)化合物1
モルに対して1〜2倍モルのアルカリを用いて1反応部
度20〜150℃で3〜30時間反応させることにより
実施することができる。
また、保護基を除去する場合には、使用した保護基で常
用されている方法に準じて行えばよく、たとえば、保護
基としてアシル基を用いた場合にはメタノール−アンモ
ニア(1: 1)の混合溶媒。
水酸化ナトリウムなどの塩基性触媒を用いた加水分解反
応によりアシル基を除去することができる。
このようにして得られた式〔!〕で表わされる本発明の
合成中間体はヌクレオシドの通常の単離精製手段(たと
えばイオン交換、吸着等の各種クロマトグラフィー法、
再結晶法など)により単離精製することができる。また
、上記各反応工程の間で生成物の単離精製が必要とされ
る場合には、上記と同様の方法で単離精製すればよい。
このようにして調製した本発明の合成中間体から前記式
〔■〕で表わされる2′−デオキシもしくは2’ 、3
’−ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体は上記第4〜
6反応工程を順次実施することにより調製することがで
きる。
第4反応工程 下記式(I)化合物を還元剤を用いる脱硫水素化分解反
応に付して下記式(5)化合物を得る反応工程。
〔式中、R1、R”、 R3は前記と同意義、〕第5反
応工程 下記式(5)化合物の5′位水酸基に保護基(R” )
および3′位に脱離基(Z)を導入して下記式(6)化
合物を得る反応工程。
〔式中、R1およびR2は前記と同意義、R”は水酸基
の保護基、Zは脱離基を示す、〕第6エ程。
下記式(6)化合物を塩基と反応させ、必要によりR”
で表わされる保護基を除去して下記式(II)化合物を
得る反応工程 〔式中、RL、 R2、R3、R” 記と同意義、〕 2およびYは前 第4反応工程は、前記式(1)で表わされる本発明の合
成中間体を還元剤を用いて脱硫水素化分解反応に付す反
応工程である。
本反応工程で使用することのできる還元剤としては、ニ
ッケル系還元剤、具体的にラネーニッケル、漆原ニッケ
ル、白金付ラネーニッケルなどを例示することができる
脱硫水素化分解反応は、反応溶媒?たとえば、水、エタ
ノール、ジメチルホルムアミドなど)中、式CI)化合
物1モルに対して還元剤1〜5倍モル用いて、反応温度
20〜90℃で1〜5時間反応させることにより実施す
ることができる。
第5反応工程は、式(5)化合物の5′位水酸基に保護
基、3′位水酸基に脱離基を導入する反応工程である。
5′位水酸基の保護基としては、1級水酸基を選択的に
保護することのできものであればよく、たとえば、ブチ
リル、ベンゾイル、トルオイルなどのアシル基、トリチ
ル、モノメトキシトリチル、ジメトキシトリチルなどの
トリチル基またはその誘導体残基を挙げることができる
また、3′位水酸基に導入する脱離基としては。
次の第6反応工程の求核試薬と反応により脱離するもの
であればよく、たとえば、メタンスルホニル(メシル)
、エタンスルホニル、p−トルエンスルホニル(トシル
)、トリイソプロピルベンゼンスルホニル、P−ブロモ
ベンゼンスルホニル、ナフタレンスルホニルなどのアル
キルまたはアリールスルホニル基を例示することができ
る。
保護基、脱離基の導入は、常法によって行うことができ
る。たとえばアシル基の導入は1式(5)化合物1モル
に対してアシル化剤を1〜2倍モル使用し、ピリジンな
どの塩基性溶媒中で反応温度0〜100℃で0.5〜2
4時間反応させることにより実施することができる。ま
た、アルキルもしくはアリールスルホニル基の導入は、
たとえばメタンスルホニルクロライド、p−トルエンス
ルホニルクロライドなどのアルキルもしくはアリールス
ルホニルハライドと5′位水酸基に上記保護基を有する
式(5)化合物を用いて、上述の5′位水酸基へのアシ
ル基の導入反応と同様の反応条件で反応させることによ
り実施することができる。
第6反応工程は、第5反応工程で得られた式(6)化合
物と求核試薬とを反応させて式(Ill化合物を得る反
応工程である。
式(n)中のYとしてアジド基を導入する場合に使用す
る求核試薬としては、アジ化ナトリウム、アジ化リチウ
ムなどのアジ化アルカリ金属を使用することができる。
Yとしてアシルオキシ基を導入する場合の求核試薬とし
ては、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウムなどの芳
香族カルボン酸のアルカリ金属塩を使用することができ
る。
さらに、Yとしてハロゲン原子を導入する場合の求核試
薬は、臭化ナトリウム、臭化リチウム、塩化リチウム、
フッ化リチウム、ヨウ化リチウムなどのハロゲン化アル
カリ金属を用いることができる。
このような求核試薬との反応は、式(6)化合物1モル
に対して上記求核試薬1〜5倍モル使用し、反応溶媒(
たとえば、ジメチルホルムアミド。
ジオキサン、アセトニトリルなど)中1反応部度20〜
130℃で1〜10時間反応させることにより実施する
ことができる。
また、Yとして水酸基を有する化合物の調製は。
上述のYとしてアシルオキシ基を有する化合物を前述の
アシル基の脱保護反応と同様の反応条件で加水分解反応
に付することにより実施することができる。
R″′で表わされる保護基を除去する必要がある場合に
は、使用した保護基で常用されている方法に従って行え
ばよく、たとえば保護基としてアシル基を用いた場合に
は前述と同様の方法によりアシル基を除去することがで
きる。
かくして得られた式(n)で表わされる2′デオキシも
しくは2’ 、3’ −ジデオキシプリンヌクレオシド
誘導体は前述したヌクレオシドの通常の単離精製手段に
より単離精製することができる。
このようにして調製した式(II)で表わされる化合物
のうち、Yがハロゲン原子であるものを還元反応に付す
ことにより前記式(m)で表わされる2’ 、3’−ジ
デオキシプリンヌクレオシド誘導体を調製することがで
きる。
反応に使用する還元剤としてはニッケル系還元剤、具体
的にはラニーニッケル、漆原ニッケル、白金付ラネーニ
ッケルなど例示することができる。
還元反応は、反応溶媒(゛たとえば、水、エタノール、
ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドなど)中
、式[n)化合物1モルに対して還元剤1〜5倍モル使
用して1反応部度20〜100℃で1〜5時間反応させ
ることにより実施することができる。
かくして得られた前記式(m)で表わされる2’ 、3
’ −ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体は前述した
ヌクレオシドの通常の単離精製手段により単離精製する
ことができる。
〔実施例〕
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
実施例 1 ■ N”、N’−ジベンゾイル−2’   3’   
5’−トリー〇−ベンゾイル−9−β−D−キシロフラ
ノシル−2,6−シアミツプリンの合成N2. Ni−
ジベンゾイル−2,6−シアミツプリン18.82 g
 (50mmol)をアセトニトリル200mMに懸濁
させ、トリメチルシリルクロリド2.5−およびヘキサ
メチルジシラザン3.8mQを加えて室温で6時間撹拌
反応させた。
反応後、反応液に1−0−アセチル−2,3゜5−トリ
ー〇−ベンゾイルーβ−D−キシロフラノース30.3
 g (6011mol)を溶解し、塩化第二スズ10
−を加えて室温で一夜撹拌反応させた。
反応後1反応液にクロロホルムおよび水を加え、分配し
てクロロホルム層を分取した。クロロホルム層を減圧上
濃縮し、さらに水を加えて粉末化し、N2. N’−ジ
ベンゾイル−2’ 、3’ 、5’ −トリー〇−ベン
ゾイル−9−β−D−キシロフラノシル−2,6−シア
ミツプリンの粗精製物48.1 gを得た。
’H−NMR(DMSO−d、) δ :  11. 29  (LH,s)、  10.
95  (LH,s)、8.68  (IH,s)、 
 7.3−8.1  (25H,m)  、6.62 
 (IH−t)  、6.50  (LH,d)、6.
 19  (LH,q)。
5.07  (IH,m)、4.80  (2H,m)
■ N”、Ni−ジベンゾイル−2’ 、3’ 、5’
−トリー〇−ベンゾイル−9−β−D−キシロフラノシ
ル−8−ブロモ−2,6−シアミツプリンの合成 ■で得たN”、 N’−ジベンゾイル−2’ 、3’5
′−トリー〇−ベンゾイル−9−β−D−キシロフラノ
シル−2,6−ジアミツプリン48.1gをジメチルホ
ルムアミド(DMF)loomQに溶解し、さらにN−
ブロモスクシンイミド40gを添加して40℃で24時
間反応させた。
反応液を冷却後、20%亜硫酸ナトリウム溶液lidを
加えて未反応のN−ブロモスクシンイミドを分解させ、
反応液に水を加えて目的生成物を沈澱させてN”、N’
−ジベンゾイル−2’ 、3’5′−トリー〇−ベンゾ
イル−9−β−D−キシロフラノシル−8−ブロモ−2
,6−シアミツプリンの粗精製物52.1g (収率9
8.6%)を得た。
1H−N M、 R(D M S O−d 、 )δ:
 10.89 (LH,s)、10.82 (LH,s
)、7.3〜8.15 (25H,m)、6.96 (
LH,d)、6.12 (2H,m)、4.95 (L
H,m)、4.65〜4.85(2H,m) UV  λmax 234,302nm (0,05N
塩酸150%エタノール) ■ NZ、 NG−ジベンゾイル−2’ 、3’ 、5
’−トリー〇−ベンゾイル−9−β−D−キシロフラノ
シル−8−メルカプト−2,6−シアミツプリンの合成 ■で得たN”、N’−ジベンゾイル−2’ 、3’5′
−トリー〇−ベンゾイル−9−β−D−キシロフラノシ
ル−8−ブロモ−2,6−シアミツプリンの粗精製物5
2.igをDMF100顧に溶解し、さらにチオ尿素2
0gを添加して室温で一夜反応させた。
反応後、反応液に水を加えて目的生成物を粉末化し、こ
の粉末をクロロホルムに再溶解後、エタノールを加えて
結晶化させて、N2. N’−ジベンゾイル−2’ 、
3’ 、5’ −)−リーO−ベンゾイルー9−β−D
−キシロフラノシル−8−メルカプト−2,6−シアミ
ツプリンの結晶22.4g(収率45.3%)を得た。
1H−NMR(DMSO−dG) δ:12.86 (LH,s)、11.45 (]H1
s)、10.96 (LHls)、7.:2−8.2 
(26H,m) 、6.79 (IH,d)、6.34
 (LH,t)、4.75〜5.1 (3H,m) mp(’C)  206 UV  λwax  347nm (70%エタノール
)λmin  310nm (70%エタノール)■ 
N 2 、 N G−ジベンゾイル−3′  5′−ジ
○−ベンゾイルー8,2′−アンヒドロ−8−メルカプ
ト−9−β−D−リキソフラノシルー2,6−シアミツ
プリンの合成 ■で得たN2. NG−ジベンゾイル−2′  3′5
′−トリー〇−ベンゾイル−9−β−D−キシロフラノ
シル−8−メルカプト−2,6−ジアミツプリン22.
4gをDMFloo−に溶解し、さらに炭酸カリウム4
.5gを加えて120”Cで6時間反応させた。
冷却後、反応液を水およびクロロホルムで分配し、クロ
ロホルム層をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
出剤:クロロホルム・メタノール混合液)処理に付し、
目的生成物を含有する両分を減圧上濃縮後、エタノール
から結晶化させてN2.N’−ジベンゾイル−3’ 、
5’ −ジー○−ベンゾイルー8,2′−アンヒドロ−
8−メルカプト−9−β−D−リキソフラノシルー2,
6−ジアミツプリン17.4g(収率91.0%)を得
た。
1H−NMR(DMSO−da) δ: 11.19 (LH,s)、11.06 (1H
,s)、  7.4〜8. 1  (20H,m)  
、6.69  (IH,d、J=6.8Hz)、6.0
0(LH,q、J=6.8,6.3Hz)、5.62(
LH,t、J =6.3Hz)、4.90  (LH,
m)  、4.45〜4.70  (2H,m)mp(
’C)   159 UV   λmax233、277、315nm(50
%エタノール) 1m1n273.296n醜(50%エタノール) ■ N”、 N’−ジベンゾイル−8,2′−アンヒド
ロ−8−メルカプト−9−β−D−リキソフラノシルー
2,6−シアミツプリンの合成■で得たN”、N’−ジ
ベンゾイル−3’ 、5’−ジー0−ベンゾイル−8,
2′−アンヒドロ−8−メルカプト−9−β−D−リキ
ソフラノシル−2,6−ジアミツプリン17.4gをピ
リジン100dに溶解し、この溶液にIN水酸化ナトリ
ウム200−を加えて室温で90分間反応させた。
反応液を中和した後、減圧上濃縮し、冷却した後沈澱を
濾取し−NZ、 NG−ジベンゾイル−8,27g(収
率95.1%)を得た。
’H−NMR(DMSO−d、) δ :  11. 11  (LH,s)、  11.
03  (IH,s)、  7.95〜8. 10  
(5H,m)  、7.45〜8.20  (5H,m
)、  6.40(LH,d、  J=6.4Hz)、
  5.82  (IH,d)、5.22  (LH,
t、J=6.4Hz)、4.71  (LH,t)、4
.5  (LH,m)  、4、 12  (LH,m
)、  3. 5〜3.58  (2H,m) UV  λmax 252.315nm (水)1m1
n220 、275nm(水) 実施例 2 ■ NZ、 NG−ジベンゾイル−9−β−D−2′−
デオキシキシロフラノシル−2,6−シアミツプリンの
合成 実施例1の■で得たN”、N″″−ジベンゾイル−リキ
ソ−8,2′−アンヒドロ−8−メルカプト−9−β−
D−リキソフラノシルー2,6−ジアミツプリン11.
7gをジメチルホルムアミド(DMF)50−に溶解し
、この溶液にラネーニッケル20mQを加えて100’
Cで2時間反応させた。
反応後、ラネーニッケルを濾去し、濾液にクロロホルム
および水を加えて分配し、クロロホルム層を分取した。
クロロホルム層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(展開溶媒:クロロホルム・メタノール混合液
)処理に付した。目的生成物を含有する両分を減圧上濃
縮し、冷却した後、沈澱を濾取し、NZ、NG−ジベン
ゾイル−9−β−D−2′−デオキシキシロフラノシル
−2,6−シアミツプリン7.0g (収率63.8%
)を得た。
’H−NMR(DMSO−d、) δ: 11.21  (LH,s)、11.03 (L
H,s)、8.62 (LH,s)、7.5−8.1 
 (IOH,m)、6.37 (LH,d、J=7.8
Hz)、5.45  (LH,d、J=3 、9 Hz
 )、4.71  (LH,t、J=5.37Hz)、
3.98  (LH,m)、3.6〜3.8(2H,m
)、2.8  (LH,m)、2.38(LH% d、
J=14.65Hz) mp  (’C)  147 −UV  λwax 255nm (水)λwin 2
21n+m (水) −−キシロフラノシル−2,6−ジアミツプリンの合成 ■で得たN * 、 N @−ジベンゾイルー9−β−
D−2′−デオキシキシロフラノシル−2,6−ジアミ
ツプリン7.0gをピリジン50mjlに溶解し。
この溶液に塩化ベンゾイル2−を加えて室温で一夜反応
させた。
反応後1反応液にクロロホルムを加えて分配し、クロロ
ホルム層を分取し、クロロホルム層をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム・メタル
ール混合液)処理に付した。
目的生成物を含有する両分を濃縮し、冷却後、沈澱を濾
取し、N”、N”−ジベンゾイル−5′−〇−ベンゾイ
ルー9−β−D−2′−デオキシキシロフラノシル−2
,6−ジアミツプリン6.5g(収率75.7%)を得
た。
H−NMR(DMSO−d、) δ: 11.23 (LH,s) 、11.03 (L
H,s)、8.67 (IH,s)、7.5〜8.1 
(15H,m)、6.44 (LH,d、J”7.3H
z)、5.80 (LH,d、J=4.4Hz)、4.
3〜4.73 (4H,m)。
2.9 (LH,m) 、2.47 (LH,d、J=
11Hz) mp (’C)   160 (分解)UV  λma
x235.255nm(50%エタノール) 1m1n223.245nm(50%エタノール) 次に N Z 、 N l−ジベンゾイル−5′−〇−
ベンゾイルー9−β−D−2′−デオキシキシロフラノ
シル−2,6−ジアミツプリン6.5gをピリジン50
II11に溶解し、冷却後、メタンスルホニルクロライ
ド2.0−を加えて室温で一夜反応させた。
反応後1反応液にクロロホルムを加えて分配し、クロロ
ホルム層を分取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒:クロロホルム・メタノール混合液)処理
に付した。目的生成物を含有する両分を濃縮し、冷却後
、沈澱を濾取し u2N6−ジベンゾイル−5′−〇−
ベンゾイル−2′−デオキシ−31−メシル−9−β−
D−キシロフラノシルー2,6−ジアミツプリン6.5
g(収率88.4%)を得た。
J(−NMR(DMSO−d、) δ: 11.25 (LH,s)、11.04 (LH
,s)、8.46 (LH,s)、7.45〜8.15
 (1,5H,m)、6.52 (LH,m)、5.6
2 (LH,m)、4.64 (3H,m)。
3.37 (3H,s) 、2.9〜3.5 (2H1
m) mp(’C)   136 UV  λmax  255n+s (50%エタノー
ル)λwin  245nm (50%エタノール)■
 N”、 N’−ジベンゾイル−5′−〇−ベンゾイル
ー3′−アジドー2’ 、3’ −ジデオキシ−9−β
−D−リボフラノシルー2,6−ジアミツプリンの合成 ■で得たN2. NG−ジベンゾイル−5’ −0−ベ
ンゾイル−2′−デオキシ−3′−メシル−9−β−D
−キシロフラノシルー2,6−ジアミツプリン6.5g
trDMF50mAに溶解し、さらにアジ化ナトリウム
1.4gを加えて80℃で5時間反応させた0反応後、
反応液に水およびクロロホルムを加えて分配し、クロロ
ホルム層を分取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒:クロロホルム・メタノール混合液)処理
に付した。
目的生成物を含有する両分を濃縮し、冷却後、沈澱を濾
取し、NZ、 NG−ジベンゾイル−5′−〇−ベンゾ
イルー3′−アジドー2’ 、3’ −ジデオキシ−9
−β−D−リボフラノシルー2,6−ジアミツプリン4
.2g(収率70.7%)を得た。
’H−NMR(DMSO−d、) δ: 11.2 (LH,s)、11.0 (LH。
s)、8.53 (IH,s)、7.4〜8.1(15
H,m)、6.43 (IHl(1)、5.63(IH
,q)、4.60 (2H,m)、4.23(LH,m
)、3.18 (IH,m)、2.68(LH,m) mp(”C)   82 UV  λwax 236.255nm (50%エタ
ノール) λsin 245nm (50%エタノール)■ 3′
−アジド−2’ 、3’−ジデオキシ−9−β−D−リ
ボフラノシルー2,6−ジアミツプリンの合成 ■で得たN”、 N”−ジベンゾイル−5’ −0−ベ
ンゾイル−3′−アジド−2’ 、3’−ジデオキシ−
9−β−D−リボフラノシルー2,6−ジアミツプリン
4.2gをメタノール5−に溶解し。
さらにナトリウムメトキシド0.8gを加えて40℃で
一夜反応させた。
反応後1反応液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(展開溶媒:クロロホルム−メタノール混合液
)処理に付し、目的物を含有する両分を濃縮後、エタノ
ールを加えて結晶化して3′−アジド−2’ 、3’−
ジデオキシ−9−β−D−リボフラノシルー2,6−ジ
アミツプリン1.1g (収率54.3%)を得た。
’H−NMR(DMSO−d、) δ: 7.93 (IH,s) 、6.77 (LHl
br)、6.12 (LH,t)、5.81 (IH,
b r)、5.38 (LH,t)、4.61(IH,
m)、3.91 (IH,m)、3.58(LH,m)
、2.85 (IH,m) 、2.4(LHlm) mp(’C)   201 UV   λmax209、252、2 9 1nm 
 (0,IN塩酸) 215.255,279nm(水) 219.255.279nm (0,IN水酸化ナトリ
ウム) λwin 231,270nm (0,IN塩酸)23
6、265n曹 (水) 236.264nm(0,IN水酸 化ナトリウム) 実施例 3 NZ、 N6−ジベンゾイル−2,6−ジアミツプリン
の代わりにN′−ベンゾイルアデニン28gを用いて実
施例1の■と同様に反応させてN’ −ベンゾイル−2
’ 、3’ 、5’ −トリー〇−ベンゾイル−9−β
−D−キシロフラノシルアデニンを合成した。
反応後、反応液にN−ブロモスクシンイミド50gおよ
びジメチルホルムアミド(DMF)200allを加え
、30で一夜反応させ1次に、チオ尿素46gを加えて
30℃で一夜落応させた。
反応液に水およびクロロホルムを加えて分配し。
クロロホルム層をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶出剤:クロロホルム−メタノール混合液)処理に付
し、目的物含有画分を濃縮後、エタノールから結晶化さ
せてN′′−ベンゾイル−213’、 5’ −トリー
〇−ベンゾイルー8−メルカプト−9−β−D−キシロ
フラノシルアデニン39.4gを得た。
N″−ベンゾイル−2’ 、3’ 、5’ −トリー〇
−ベンゾイルー8−メルカプト−9−β−D−キシロフ
ラノシルアデニン39.4gをDMF200−に溶解し
、炭酸カリウム8gを加えて120℃で4時間反応させ
た。
反応液を冷却後、IN水酸化ナトリウム200−を加え
、室温で90分間反応させた0反応液を中和後、減圧上
濃縮し、冷却して沈澱を濾取し、N@−ベンゾイル−8
,2′−アンシトロ−8−メルカプト−9−β−D−リ
キソフラノシルアデニン28.1.を得た。さらに、上
記化合物28.1gをDMF70dに溶解し、さらにラ
ネーニッケル20−を加え、80℃で2時間反応させた
反応液からラネーニッケルを濾去後、反応液を濃縮乾固
した。
残渣をピリジン200mQに溶解し、塩化ベンゾイル5
−を加えて室温で一夜反応させた後、メタンスルホニル
クロリド6−を加えて室温で一夜反応させた。
反応後、溶媒を留去し、クロロホルムおよび水を加えて
分配し、クロロホルム層を濃縮乾固してN6−ペンゾイ
ルー5′−〇−ベンゾイルー21−デオキシー3′−メ
シル−9−β−D−キシロフラノシルアデニンの粗製物
18.ogを得た。
N6−ペンゾイルー5′−〇−ベンゾイルー2′−デオ
キシー3′−メシル−9−β−D−キシロフラノシルア
デニン9.0gをDMF50dに溶解し、安息香酸ナト
リウム4.5gを加えて120で3時間反応させた。
反応液に35%水酸化ナトリウム溶液10−Ωを加え、
50℃で1時間反応させた0反応後、反応液を中和し、
減圧上濃縮乾固した。
残渣をメタノールに溶解後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(溶出剤:クロロホルム−メタノール混合液
)処理に付し、目的物含有画分を濃縮後、エタノールか
ら結晶化させて2′−デオキシアデノシン3.2gを得
た。
実施例 4 実施例3で得たN″−ベンゾイル−5’ −0−ベンゾ
イル−2′−デオキシ−3′−メシル−9−β−D−キ
シロフラノシルアデニン9.0gをジメチルホルムアミ
ド(DMF)50dに溶解し、さらに臭化ナトリウム3
.0gを加えて110℃で3時間反応させN1−ベンゾ
イル−5’ −0−ベンゾイル−2′−デオキシ−3′
−ブロモ−9−β−D−キシロフラノシルアデニンを得
た。
これをDMF50−に溶解し、ラネーニッケルll11
1を加え、80℃で1時間反応させた後、35%水酸化
ナトリウム溶液8−を加え、50℃で1時間反応させた
反応後、反応液を中和し、濃縮乾固した。残渣をメタノ
ールに溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶出剤:クロロホルム−メタノール混合液)処理に付
し、目的物含有画分を濃縮後、エタノールから結晶化さ
せて2’、 3’−ジデオキシアデノシン2.7gを得
た。
〔発明の効果〕
本発明の前記式(1)で表される合成中間体は、容易に
入手可能なキシロヌクレオシドから極め単純な3反応工
程により収率よく導くことができる。
また1本発明の前記式[1)で表される合成中間体は、
3′位の水酸基がスレオ配位であり、この部分に脱離基
をスレオ配位に導入できる(式(b)化合物参照)、こ
のため、種々の置換基(マジド基、ハロゲン原子、水酸
基など)は式(II)化合物に示されているようにエリ
スロ配位で導入することができる。
さらに、本発明中間体から、2′−デオキシもしくは2
’ 、3’ −ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体の
製造は、特別な装置か試薬を必要とせず、簡便な方法で
収率よ〈実施することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、R^1およびR^2は、水素原子、保護されて
    いてもよい水酸基または保護されてもよいアミノ基を示
    し、R^3は水素原子または水酸基の保護基を示す。〕
    で表わされる8,2′−アンヒドロ−8−メルカプト−
    9−β−D−リキソフラノシルプリン誘導体。 2)式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、R^1およびR^2は水素原子、保護されてい
    てもよい水酸基または保護されていてもよいアミノ基を
    示し、R^3は水素原子または水酸基の保護基を示す。 〕で表わされる8,2′−アンヒドロ−8−メルカプト
    −9−β−D−リキソフラノシルプリン誘導体の製造法
    であって、下記第1〜3反応工程を順次行って目的化合
    物を調製することを特徴とする8,2′−アンヒドロ−
    8−メルカプト−9−β−D−リキソフラノシルプリン
    誘導体の製造法。 第1反応工程 下記式(2)化合物とハロゲン化剤とを反応させて下記
    式(3)化合物を得る反応工程。 ▲数式、化学式、表等があります▼(2)→▲数式、化
    学式、表等があります▼(3) 〔式中、R^1、R^2およびR^3は前記と同意義、
    Xはハロゲン原子を示す。〕 第2反応工程 下記式(3)化合物とメルカプト基導入剤とを反応させ
    て下記式(4)化合物を得る反応工程。 ▲数式、化学式、表等があります▼(3)→▲数式、化
    学式、表等があります▼(4) 〔式中、R^1、R^2、R^3およびXは前記と同意
    義。〕第3反応工程 下記式(4)化合物とアルカリとを反応させて塩基部8
    位と糖部2′位を閉環せしめたのち、必要により保護基
    を除去して式〔 I 〕化合物を得る反応工程。 ▲数式、化学式、表等があります▼(4)→▲数式、化
    学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、R^1、R^2およびR^3は前記と同意義。 〕3)式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中、R^1およびR^2は、水素原子、保護されて
    いてもよい水酸基または保護されていてもよいアミノ基
    、R^3は水素原子または水酸基の保護基、Yはハロゲ
    ン原子、アジド基、アシルオキシ基または水酸基を示す
    。〕で表わされる2′−デオキシもしくは2′,3′−
    ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体の製造法であって
    、下記第4〜6反応工程を順次行って目的化合物を得る
    ことを特徴とする2′−デオキシもしくは2′,3′−
    ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体の製造法。 第4反応工程 下記式〔 I 〕化合物を還元剤を用いる脱硫水素化分解
    反応に付して下記式(5)化合物を得る反応工程。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕→▲数式、
    化学式、表等があります▼(5) 〔式中、R^1、R^2、R^3は前記と同意義。〕第
    5反応工程 下記式(5)化合物の5′位水酸基に保護基(R^3′
    )および3′位に脱離基(Z)を導入して下記式(6)
    化合物を得る反応工程。 ▲数式、化学式、表等があります▼(5)→▲数式、化
    学式、表等があります▼(6) 〔式中、R^1およびR^2は前記と同意義、R^3′
    は水酸基の保護基、Zは脱離基を示す。〕 第6反応工程 下記式(6)化合物と求核試薬とを反応させ、必要によ
    りR^3′で表わされる保護基を除去して下記式〔II〕
    化合物を得る反応工程 ▲数式、化学式、表等があります▼(6)→▲数式、化
    学式、表等があります▼〔II〕 〔式中、R^1、R^2、R^3、R^3′、Zは前記
    と同意義。〕 4)式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 〔式中、R^1およびR^2は、水素原子、保護されて
    いてもよい水酸基または保護されていてもよいアミノ基
    を示し、R^3は水素原子または水酸基の保護基を示す
    。〕で表わされる2′,3′−ジデオキシプリンヌクレ
    オシド誘導体の製造法であって、請求項3に記載の方法
    により調製した式〔II′〕▲数式、化学式、表等があり
    ます▼〔II′〕 〔式中、R^1、R^2およびR^3は前記と同意義、
    Y′はハロゲン原子を示す。〕で表わされる化合物を還
    元処理に付して上記式〔III〕で表わされる2′,3′
    −ジデオキシプリンヌクレオシド誘導体を得ることを特
    徴とする2′,3′−ジデオキシプリンヌクレオシド誘
    導体の製造法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019535673A (ja) * 2016-10-21 2019-12-12 ニンバス ラクシュミ, インコーポレイテッド Tyk2阻害剤およびその使用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019535673A (ja) * 2016-10-21 2019-12-12 ニンバス ラクシュミ, インコーポレイテッド Tyk2阻害剤およびその使用
US11396508B2 (en) 2016-10-21 2022-07-26 Nimbus Lakshmi, Inc. TYK2 inhibitors and uses thereof

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