JPH02270209A - 含浸用絶縁材料 - Google Patents
含浸用絶縁材料Info
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Landscapes
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野]
本発明は、ケーブル、トランス、コンデンサ等の油浸絶
縁材料の改良に関する。
縁材料の改良に関する。
[従来の技術]
ポリ4メチルペンテン1(以下PMPと略称する)はそ
の構成中に極性基を有していないために誘電損失が小さ
く、また融解温度が約240℃とポリオレフィンの中で
は、最も高い樹脂にはいる。
の構成中に極性基を有していないために誘電損失が小さ
く、また融解温度が約240℃とポリオレフィンの中で
は、最も高い樹脂にはいる。
したがって、絶縁油、絶縁気体等を含浸して使用される
電カケープル、油浸コンデンサ、トランス、モーター等
の絶縁材料として期待される特性を有している。
電カケープル、油浸コンデンサ、トランス、モーター等
の絶縁材料として期待される特性を有している。
ここで、絶縁油とはドデシルベンゼン(DDB)、鉱物
油、ジアリルアルカン、植物油、シリコーン油等を指し
、絶縁気体とはフロン、SF6等を指す。
油、ジアリルアルカン、植物油、シリコーン油等を指し
、絶縁気体とはフロン、SF6等を指す。
しかしながら、従来PMPは一般的に絶縁油に対する耐
膨潤性に劣り、耐膨潤性を良好とするために絶縁紙と積
層して用いることが提案されている。(実公昭51−3
898号、特公昭63−53653号、同63−536
5〜号等)[発明が解決しようとする課題] しかしながら、PMPと絶縁紙とを張り合わすことはP
MPが本来有している低誘電損失を損なうことになるば
かりか、PMPと絶縁紙との剥離によって絶縁破壊する
可能性も秘めており信頼性の点で十分とは言えない。
膨潤性に劣り、耐膨潤性を良好とするために絶縁紙と積
層して用いることが提案されている。(実公昭51−3
898号、特公昭63−53653号、同63−536
5〜号等)[発明が解決しようとする課題] しかしながら、PMPと絶縁紙とを張り合わすことはP
MPが本来有している低誘電損失を損なうことになるば
かりか、PMPと絶縁紙との剥離によって絶縁破壊する
可能性も秘めており信頼性の点で十分とは言えない。
本発明は、PMPのポリマ物性について検討を進めた結
果、次のような構成を付与することによリPMP単独で
も十分に低膨潤な特性を有する含浸用絶縁材料を見出し
たものである。
果、次のような構成を付与することによリPMP単独で
も十分に低膨潤な特性を有する含浸用絶縁材料を見出し
たものである。
[課題を解決するための手段1
すなわち、本発明はアイソタクチックインデックスが9
3%以上、メルトフローインデックスが5〜120g/
10分であるポリ4メチルペンテン1より構成されてな
る含浸絶縁材料に関するものである。
3%以上、メルトフローインデックスが5〜120g/
10分であるポリ4メチルペンテン1より構成されてな
る含浸絶縁材料に関するものである。
本発明においてPMPとは、4メチル1ペンテンモノマ
一単位をその主要構成要素とするものであって、4メチ
ル1ペンテン以外のαオレフィン(エチレン、ブテン、
ヘキセン、デセン等)コモノマーを含有することは許さ
れるが、該PMPの5モル%以下としておくことが電気
特性、耐油性を良好とする上で好ましい。
一単位をその主要構成要素とするものであって、4メチ
ル1ペンテン以外のαオレフィン(エチレン、ブテン、
ヘキセン、デセン等)コモノマーを含有することは許さ
れるが、該PMPの5モル%以下としておくことが電気
特性、耐油性を良好とする上で好ましい。
耐油性を良好とする上で立体規則性の目安であるアイソ
タクチックインデックス(I I)が93%以上、好ま
しくは95%以上であることが必要である。IIが93
%よりも低い場合、その低下と共に急激に油膨潤率が増
大し、単体で絶縁材料として用いるとケーブル、コンデ
ンサ等の素子内の圧力が上昇し絶縁破壊を生じ易くなる
。
タクチックインデックス(I I)が93%以上、好ま
しくは95%以上であることが必要である。IIが93
%よりも低い場合、その低下と共に急激に油膨潤率が増
大し、単体で絶縁材料として用いるとケーブル、コンデ
ンサ等の素子内の圧力が上昇し絶縁破壊を生じ易くなる
。
また、メルトフローインデックス(Ml)は5〜120
g/10分の範囲であることが必要であり、好ましくは
20〜100g/10分の範囲である。Mlが5g/1
0分より小さい範囲では、膨潤率が増大する。一方、1
20g/10分を越える範囲では、機械的に脆く、また
耐寒性に劣ったものになる。
g/10分の範囲であることが必要であり、好ましくは
20〜100g/10分の範囲である。Mlが5g/1
0分より小さい範囲では、膨潤率が増大する。一方、1
20g/10分を越える範囲では、機械的に脆く、また
耐寒性に劣ったものになる。
PMP樹脂の分子量分布(M w / M n )は、
6以下、好ましくは2〜5といった比較的狭い範囲が膨
潤率を小さくし、成形性を良好とする上で好ましい。
6以下、好ましくは2〜5といった比較的狭い範囲が膨
潤率を小さくし、成形性を良好とする上で好ましい。
また、油含浸性を良好として、取り扱い性を良好とする
上で、本発明含浸用絶縁材料は、表面が粗面化されてい
ることが好ましく、表面粗れの目安であるスペースファ
クター(S F)が3〜100%の範囲が絶縁破壊電圧
を低下させる事無く、油含浸性を良好とする上で好まし
く、より好ましい範囲としてはSFが10〜50%の範
囲である。
上で、本発明含浸用絶縁材料は、表面が粗面化されてい
ることが好ましく、表面粗れの目安であるスペースファ
クター(S F)が3〜100%の範囲が絶縁破壊電圧
を低下させる事無く、油含浸性を良好とする上で好まし
く、より好ましい範囲としてはSFが10〜50%の範
囲である。
このように表面を粗面化する方法としては、PMPを溶
融押出し、シート状に成形する際に冷却ドラム表面に凹
凸を設けておき転写する方法、シート状に成形した後に
エンボスロール間で加圧して凹凸を転写する方法などが
あげられる。この時、エンボスパターンとしては、電気
特性を良好とするうえで1cm2当たり10個以上の突
起を有することが好ましく、さらに好ましくは20〜2
00個である。
融押出し、シート状に成形する際に冷却ドラム表面に凹
凸を設けておき転写する方法、シート状に成形した後に
エンボスロール間で加圧して凹凸を転写する方法などが
あげられる。この時、エンボスパターンとしては、電気
特性を良好とするうえで1cm2当たり10個以上の突
起を有することが好ましく、さらに好ましくは20〜2
00個である。
また、こうした表面を粗面化しないで油含浸性を良好と
する方法としては、本発明含浸用絶縁材料の表面濡れ張
力を30〜58dyne/cm。
する方法としては、本発明含浸用絶縁材料の表面濡れ張
力を30〜58dyne/cm。
さらには35〜50 d y n e / c mの範
囲にしておくことが望ましい。もちろん、粗面化処理を
施してさらに表面濡れ張力を上記範囲にしてもよい。
囲にしておくことが望ましい。もちろん、粗面化処理を
施してさらに表面濡れ張力を上記範囲にしてもよい。
ここで、この様に表面濡れ張力を大きくするには、本発
明絶縁材料の表面に窒素原子が付加されていることが好
ましく、通常表面窒素原子数としては、窒素/炭素原子
数比(N/C)において、0.01〜0.3の範囲であ
ることが好ましい。通常この様に窒素原子を絶縁材料表
面に付加する方法としては、少なくとも窒素ガスを含む
不活性ガス中でコロナ放電処理、低温プラズマ処理等を
行なうことができる。ここで不活性ガスとは酸素、ハロ
ゲン等を5%未満とした雰囲気をさす。
明絶縁材料の表面に窒素原子が付加されていることが好
ましく、通常表面窒素原子数としては、窒素/炭素原子
数比(N/C)において、0.01〜0.3の範囲であ
ることが好ましい。通常この様に窒素原子を絶縁材料表
面に付加する方法としては、少なくとも窒素ガスを含む
不活性ガス中でコロナ放電処理、低温プラズマ処理等を
行なうことができる。ここで不活性ガスとは酸素、ハロ
ゲン等を5%未満とした雰囲気をさす。
本発明含浸用絶縁材料の厚みは通常10〜1000μm
の範囲で目的により適宜選択される。
の範囲で目的により適宜選択される。
また、本発明含浸用絶縁材料には目的に反しない範囲で
、公知の熱安定剤、酸化防止剤、スリップ剤等を添加す
ることが許される。ここで、熱安定剤/酸化防止剤とし
てはアルキル基の炭素数が12〜18のジアルキルチオ
ジプロピオネート、2.6−ジー1−ブチル−Pクレゾ
ール[BIT] 、2゜6−ジーt−ブチル−Pフェノ
ール、テトラキシ[メチレン−3−(3,5−ジー1−
ブチル−4−ヒドロキシフェノール)−プロピオネート
1メタン[Irganox 1010]等に例示される
フェノール系酸化防止剤等が例示される。
、公知の熱安定剤、酸化防止剤、スリップ剤等を添加す
ることが許される。ここで、熱安定剤/酸化防止剤とし
てはアルキル基の炭素数が12〜18のジアルキルチオ
ジプロピオネート、2.6−ジー1−ブチル−Pクレゾ
ール[BIT] 、2゜6−ジーt−ブチル−Pフェノ
ール、テトラキシ[メチレン−3−(3,5−ジー1−
ブチル−4−ヒドロキシフェノール)−プロピオネート
1メタン[Irganox 1010]等に例示される
フェノール系酸化防止剤等が例示される。
次に本発明含浸用絶縁材料の製造方法について説明する
。
。
PMP樹脂を250〜320℃の溶融温度にて押出機よ
り溶融押出し、T型口金よりシート状に押出し、冷却ド
ラム上で固化する。ここで、溶融シートをドラム上に密
着させる方法としては、直流高電圧を印加する方法が成
形されるシートの均一性に優れるので好ましい。具体的
にはキャストする溶融シートとドラムとの接地線近くに
、はぼ全シート幅に渡ってタングステン等の導線を設け
、冷却ドラムとの間に約3kv〜10kvの直流電圧を
印加する方法が例示される。
り溶融押出し、T型口金よりシート状に押出し、冷却ド
ラム上で固化する。ここで、溶融シートをドラム上に密
着させる方法としては、直流高電圧を印加する方法が成
形されるシートの均一性に優れるので好ましい。具体的
にはキャストする溶融シートとドラムとの接地線近くに
、はぼ全シート幅に渡ってタングステン等の導線を設け
、冷却ドラムとの間に約3kv〜10kvの直流電圧を
印加する方法が例示される。
ここで、冷却ドラム温度としては20〜170℃の範囲
が好ましく、特にドラム表面を粗面化させこれをシート
に転写させることを目的とする場合、70〜170℃の
温度範囲が転写性が良好となるので好ましい。
が好ましく、特にドラム表面を粗面化させこれをシート
に転写させることを目的とする場合、70〜170℃の
温度範囲が転写性が良好となるので好ましい。
このようにして得られた冷却シートは必要に応じて上述
の方法でエンボス処理を施す。ここで、エンボス加工時
の温度は50〜230℃、好ましくは70〜200℃、
特に好ましくは80〜160℃の範囲であるとエンボス
時のクラックを生じることか少なく絶縁破壊電圧が高く
良好となる。
の方法でエンボス処理を施す。ここで、エンボス加工時
の温度は50〜230℃、好ましくは70〜200℃、
特に好ましくは80〜160℃の範囲であるとエンボス
時のクラックを生じることか少なく絶縁破壊電圧が高く
良好となる。
以上のようにして得られたシートはさらに熱処理を施す
と膨潤率を小さく抑えることができるので好ましい。特
に、熱処理温度をパイブロンで観測される副分散ピーク
温度(約150℃)近く、具体的には130〜170℃
の範囲とすると膨潤率、絶縁破壊電圧ともに向上するの
で好ましい。
と膨潤率を小さく抑えることができるので好ましい。特
に、熱処理温度をパイブロンで観測される副分散ピーク
温度(約150℃)近く、具体的には130〜170℃
の範囲とすると膨潤率、絶縁破壊電圧ともに向上するの
で好ましい。
ここで処理時間としては特に限定されないが、通常1分
以上であり、シートを得る工程で該熱処理ゾーンを巻取
り工程の前に設けて行なう方法、あるいはロール状に巻
取った後、所定の温度に設定されたオーブン中で熱処理
を行なう方法等が挙げられる。なお、PMP樹脂の構成
(モノマー構成、分子量等)によっては上述の副分散ピ
ークが観測されない樹脂があるが、このような樹脂では
膨潤率が大きく使用できないものがほとんどである。
以上であり、シートを得る工程で該熱処理ゾーンを巻取
り工程の前に設けて行なう方法、あるいはロール状に巻
取った後、所定の温度に設定されたオーブン中で熱処理
を行なう方法等が挙げられる。なお、PMP樹脂の構成
(モノマー構成、分子量等)によっては上述の副分散ピ
ークが観測されない樹脂があるが、このような樹脂では
膨潤率が大きく使用できないものがほとんどである。
さらに、上述した表面処理を施す場合は、良好な濡れ性
を確保するために該熱処理工程の後に行なうことが好ま
しい。
を確保するために該熱処理工程の後に行なうことが好ま
しい。
[発明の効果および用途]
本発明は、含浸用絶縁材料として、アイソタクチックイ
ンデックスが93%以上、メルトフローインデックスが
5〜120g/10分であるポリ4メチルペンテン1を
用いることにより次のような効果を奏するものである。
ンデックスが93%以上、メルトフローインデックスが
5〜120g/10分であるポリ4メチルペンテン1を
用いることにより次のような効果を奏するものである。
(1)膨潤率が小さく、絶縁破壊電圧が高いために単独
で絶縁層を構成した場合でも良好な特性を発揮できる。
で絶縁層を構成した場合でも良好な特性を発揮できる。
(2)表面粗さを特定化することにより熱抵抗が小さく
、低温時の耐クラツク特性が良好となる。
、低温時の耐クラツク特性が良好となる。
したがって、油浸高圧電カケ−プル、油浸コンデンサ、
トランス、モーターの絶縁材料として好適である。こと
に油浸高圧電カケ−プルの絶縁材料としては、該絶縁層
の最外層部に用いると、優れた耐熱性が生かされて鉛工
加工時の熱に耐え、白化等を生じる事がほとんど無い。
トランス、モーターの絶縁材料として好適である。こと
に油浸高圧電カケ−プルの絶縁材料としては、該絶縁層
の最外層部に用いると、優れた耐熱性が生かされて鉛工
加工時の熱に耐え、白化等を生じる事がほとんど無い。
[特性の評価方法及び効果の評価方法1次にこの発明に
関する特性の測定方法及び効果の評価方法をまとめて示
す。
関する特性の測定方法及び効果の評価方法をまとめて示
す。
(1)アイソタクチックインデックス(I I)試料を
130℃で2時間真空乾燥する。これから重量W (m
g)の試料を取り、ソックスレー抽出器に入れ、沸騰n
−へブタンで12時間抽出する。
130℃で2時間真空乾燥する。これから重量W (m
g)の試料を取り、ソックスレー抽出器に入れ、沸騰n
−へブタンで12時間抽出する。
次に、この試料を取出し、アセトンで十分洗浄した後、
130℃6時間真空乾燥し、その後重量W’ (mg
)を測定し、次式で求める。
130℃6時間真空乾燥し、その後重量W’ (mg
)を測定し、次式で求める。
II(%)= (W’ /W)X100(2)メルトフ
ローインデックス(Ml)ASTM−D−1238に準
じた。
ローインデックス(Ml)ASTM−D−1238に準
じた。
条件は260℃、5,000g荷重下。
(3)分子量の測定
ゲル浸透クロマトグラフによって、重量平均分子量(M
w )および数平均分子量(M’ n )を求めその
比を分子量分布(Mw/Mn)とする。
w )および数平均分子量(M’ n )を求めその
比を分子量分布(Mw/Mn)とする。
条件は以下の通り。
■装 置: G P C−150C(WATER8
)■カ ラ ム: 5hodex KF−80M
(昭和電工)■溶 媒:0−ジクロルベンゼン(0
,1%アイオノール添加、135℃) ■試料濃度: 0.2 (wt/vol)%■流
速:1ml/min ■分子量校正:単分散ポリスチレン (4)スペースファクター(S F) 試料を10cm角の正方形に切り出し10枚重ねる。こ
の時マイクロメーターで測定した試料1枚あたりの平均
厚み(マイクロメータ平均値:MMV)を求める。一方
該試料10枚より求められる1枚あたりの平均重量(w
[g] )及び真比重(d [g/cm3] )を用
いて計算される重量平均厚み(WMV)よりSFは以下
の式で求められる。
)■カ ラ ム: 5hodex KF−80M
(昭和電工)■溶 媒:0−ジクロルベンゼン(0
,1%アイオノール添加、135℃) ■試料濃度: 0.2 (wt/vol)%■流
速:1ml/min ■分子量校正:単分散ポリスチレン (4)スペースファクター(S F) 試料を10cm角の正方形に切り出し10枚重ねる。こ
の時マイクロメーターで測定した試料1枚あたりの平均
厚み(マイクロメータ平均値:MMV)を求める。一方
該試料10枚より求められる1枚あたりの平均重量(w
[g] )及び真比重(d [g/cm3] )を用
いて計算される重量平均厚み(WMV)よりSFは以下
の式で求められる。
SF= (MMV−WMV)/WMVx 100[%]
ここで、真比重(d)は密度勾配管(25℃)テ測定し
、WMVはWMV=W/ (dxloo)で求める。
、WMVはWMV=W/ (dxloo)で求める。
(5)表面窒素/炭素原子数比(N/C)以下の方法で
サンプル表面の炭素(C)isに起因する積分強度Ac
および窒素(N)isに起因する積分強度Anを測定し
、 N/C=An/1.7 / A c で求める。ここで1.7は窒素原子の炭素原子に対する
相対感度である。
サンプル表面の炭素(C)isに起因する積分強度Ac
および窒素(N)isに起因する積分強度Anを測定し
、 N/C=An/1.7 / A c で求める。ここで1.7は窒素原子の炭素原子に対する
相対感度である。
■装 置:島津X線光電子分光装置ESCA7
50 ■励起 X 線:Mg−にα (1253,6e V) ■出 カニ6kv−30mA■測定真空度:
1.0XIO−’Pa■Pa用ギー補正:C1sメイ
ンピークの結合エネルギーを284.6e Vに補正。
50 ■励起 X 線:Mg−にα (1253,6e V) ■出 カニ6kv−30mA■測定真空度:
1.0XIO−’Pa■Pa用ギー補正:C1sメイ
ンピークの結合エネルギーを284.6e Vに補正。
■測 定 温 度:室温
(6)膨潤率
サンプルを39mm角に切り出し、室温(約25°C)
にて厚み(Dl)を測定する。次いで、該サンプルを1
kg/cm2の荷重下にて100℃のドデシルベンゼン
ハードタイプ(以下ハードタイプDDBと略称する)に
24時間浸漬した後取り出し、室温まで急冷しすぐさま
厚み(D2)を測定して次式で膨潤率を求めた。
にて厚み(Dl)を測定する。次いで、該サンプルを1
kg/cm2の荷重下にて100℃のドデシルベンゼン
ハードタイプ(以下ハードタイプDDBと略称する)に
24時間浸漬した後取り出し、室温まで急冷しすぐさま
厚み(D2)を測定して次式で膨潤率を求めた。
膨潤率= (D2−DI )/DI xloo (%)
(7)絶縁破壊電圧 ASTM D149に従って測定する。ただし、雰囲
気はDDB油中、20℃、単位はkV/mmで表わす。
(7)絶縁破壊電圧 ASTM D149に従って測定する。ただし、雰囲
気はDDB油中、20℃、単位はkV/mmで表わす。
(8)濡れ張力
JIS K6782に準じた。
(単位はdyne/cm)
(9)絶縁油の濡れ性
ハードタイプDDBを約5mm幅でサンプル表面上に筋
状に塗布した時に、約3秒後の形態を以下の分類でラン
ク分けした。
状に塗布した時に、約3秒後の形態を以下の分類でラン
ク分けした。
ランクC:筋状した筋が切れ目な(周辺部に拡張してい
く。
く。
ランクB:はぼ塗布した時の形状を維持する。
ランクC:筋状の塗布痕の面積が減少し、切れ目を生じ
る。
る。
ここで、ランクA、 Bであれば問題無く含浸絶縁材
料として用いられる。ランクCの場合は含浸性を付与す
るために補助手段が必要となる。
料として用いられる。ランクCの場合は含浸性を付与す
るために補助手段が必要となる。
(10)パイブロンの分散ピーク
東洋ボールドウィン社製自動粘弾性測定器を用いて以下
の条件にて測定した。
の条件にて測定した。
周波数:110Hz
昇温速度:2℃/min
サンプル長:4cm
本発明にておいては、複素弾性項E”において約150
℃近くに現われるブロードなピークを副分散ピークとし
た。
℃近くに現われるブロードなピークを副分散ピークとし
た。
[実施例]
次にこの発明の実施例及び比較例を示し、この発明の効
果をより具体的に説明する。
果をより具体的に説明する。
実施例I
PMP樹脂として、アイソタクチックインデックスが9
6%、メルトフローインデックスが80g/10分、M
w / M nが4.3の樹脂を用いて、40mmφ
単軸押出機より押出温度280℃にて溶融押出し、T型
口金よりシート状に押し出した。
6%、メルトフローインデックスが80g/10分、M
w / M nが4.3の樹脂を用いて、40mmφ
単軸押出機より押出温度280℃にて溶融押出し、T型
口金よりシート状に押し出した。
該溶融シートを120℃の冷却ドラム上に6に■の直流
電圧をタングステン線に印加して密着キャストした。こ
こで冷却ドラムは平均表面粗さ10μmと粗れており、
得られたフィルムのドラム密着面には該粗さパターンが
転写された。
電圧をタングステン線に印加して密着キャストした。こ
こで冷却ドラムは平均表面粗さ10μmと粗れており、
得られたフィルムのドラム密着面には該粗さパターンが
転写された。
こうして得られたフィルム厚みは30μmであり、スペ
ースファクターは10%であった。また該粗面側の濡れ
張力は30 d y n e / c mであった。
ースファクターは10%であった。また該粗面側の濡れ
張力は30 d y n e / c mであった。
絶縁材料としての特性を調べた結果、膨潤率が3.0%
と小さく、絶縁破壊電圧も280 k v/mmと高か
った。なお、絶縁油に対する濡れ性はランクBとほぼ問
題無く使用できるレベルにあることがわかった。
と小さく、絶縁破壊電圧も280 k v/mmと高か
った。なお、絶縁油に対する濡れ性はランクBとほぼ問
題無く使用できるレベルにあることがわかった。
実施例2
実施例1と同じ樹脂を用いて、今度は冷却ドラムとして
鏡面ドラムを用い、30℃にて実施例1と同じ高圧印加
装置を用いて厚さ100μmのシートを得た。次いで該
シートを80℃に加熱したエンボスロールへ紙ロール間
に通して、25個/Cm2の突起を有するエンボスロー
ルパターンを転写させ、次いで150℃にて1分間熱処
理して巻取った。この結果、フィルム厚みは150μm
となり、スペースファクターは50%となった。
鏡面ドラムを用い、30℃にて実施例1と同じ高圧印加
装置を用いて厚さ100μmのシートを得た。次いで該
シートを80℃に加熱したエンボスロールへ紙ロール間
に通して、25個/Cm2の突起を有するエンボスロー
ルパターンを転写させ、次いで150℃にて1分間熱処
理して巻取った。この結果、フィルム厚みは150μm
となり、スペースファクターは50%となった。
こうして得られたシートは膨潤率が1.5%と小さく絶
縁破壊電圧も250kv/mmと高く優れていた。
縁破壊電圧も250kv/mmと高く優れていた。
実施例3
実施例1で得られたシートを150℃の加熱ロールに接
触させながら2分間熱処理し室温迄冷却した後、70℃
に再度加熱し窒素ガス:炭酸ガス=9:1(体積比)の
雰囲気中でコロナ放電処理を行なった。この結果、濡れ
張力は45dyne/ c mと上昇し、X線光電子分
析法(xps)で評価させる表面窒素原子導入量(N/
C)は0゜05であった。
触させながら2分間熱処理し室温迄冷却した後、70℃
に再度加熱し窒素ガス:炭酸ガス=9:1(体積比)の
雰囲気中でコロナ放電処理を行なった。この結果、濡れ
張力は45dyne/ c mと上昇し、X線光電子分
析法(xps)で評価させる表面窒素原子導入量(N/
C)は0゜05であった。
こうして得られたシートは膨潤率が2%、絶縁破壊電圧
が290kv/mmと実施例1よりも更に良好となり、
また絶縁油の濡れ性においてもランクAと優れていた。
が290kv/mmと実施例1よりも更に良好となり、
また絶縁油の濡れ性においてもランクAと優れていた。
比較例1
実施例1においてP M I)樹脂をアイツタクチ・ツ
クインデックスが90%、メルトフローインデックスが
26g/10分、M w / M nが6.5の樹脂を
用いた以外は同様に製膜した。
クインデックスが90%、メルトフローインデックスが
26g/10分、M w / M nが6.5の樹脂を
用いた以外は同様に製膜した。
こうして得られたシートは膨潤率、絶縁破壊電圧ともに
劣っていた。
劣っていた。
比較例2
実施例2においてP M I)樹脂をアイソタクチック
インデックスが75%、メルトフローインデックスが7
0g/10分の樹脂を用いた以外は同様に製膜した。
インデックスが75%、メルトフローインデックスが7
0g/10分の樹脂を用いた以外は同様に製膜した。
こうして得られたシートは、実施例2と同様に製膜した
にもかかわらず、膨潤率、絶縁破壊電圧ともに実施例2
よりも劣っていた。
にもかかわらず、膨潤率、絶縁破壊電圧ともに実施例2
よりも劣っていた。
Claims (2)
- (1)アイソタクチックインデックスが93%以上、メ
ルトフローインデックスが5〜120g/10分である
ポリ4メチルペンテン1より構成されてなる含浸用絶縁
材料。 - (2)スペースファクターが3〜100%である請求項
(1)に記載の含浸用絶縁材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9166789A JPH02270209A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 含浸用絶縁材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9166789A JPH02270209A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 含浸用絶縁材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270209A true JPH02270209A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14032834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9166789A Pending JPH02270209A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 含浸用絶縁材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02270209A (ja) |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP9166789A patent/JPH02270209A/ja active Pending
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