JPH02268469A - 薄膜半導体デバイスとそれを製造する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜半導体デバイスに関する。より詳しくは、
活性層のピンホールタイプ欠陥における短絡を最小限に
おさえるために、一つの電極を備えた界面金属層を有す
る薄膜デバイスに関する。

〔従来の技術〕

薄膜デバイス特に光起電力デバイスは、透明な「窓」電
極として働く金属酸化物被覆を有するガラス基板上に付
着させられることが多い。整流接合を含む半導体層が窓
層上に付着させられ、次に裏電極が付着させられてデバ
イスが完成する。しかし、不都合なことに、多くの薄膜
半導体は不均一に付着する傾向があるので二つの電極を
つなぐピンホール、ボイド、薄い場所その他の構造欠陥
ｃ以下、まとめて「ピンホールタイプ欠陥」と呼ぶ）が
発生する。このような欠陥は導電路を形成し、この導電
路はデバイスを短絡して使いものにならないようにする
ことがある。

ピンホールタイプ欠陥を少くするため、またはこの欠陥
が形成された場合に生ずる短絡路を修復するために、い
ろいろな方法が試みられているが、そのような方法は限
られた成功しかおさめていない。酸化スズの窓電極とア
ルミニウムの＝ｍ合電極とを有する薄膜シリコン光電池
の場合、デバイスの通常の極性とは逆の電圧を加えると
、窓電極を通して見える光の点滅が生じるのが観察され
る。

試験によれば、この方法で処理された光電池は動作効率
が高まるということがわかっている。これは、ピンホー
ルタイプ欠陥の少くとも一部が除か除かれるということ
を示している。

しかし、不都合なことに、逆バイアス電圧を加えること
によってすべての薄膜デバイス構造物が「修復」できる
というわけではない。酸化スズおよびアルミニウム以外
の周知の電極材料が使用された場合、逆バイアス電圧は
短絡路の存在に対してほとんどまたはまったく影響をお
よぼさないことが多い。これは、薄膜シリコン含有層を
有するデバイスに窓電極として酸化亜鉛が使用された場
合、事実である。そのようなデバイスは、第２の電極が
従来提案されている金属から選択された場合、大きな短
絡を示し、かつ修復効果を示さない。

〔発明が解決しようとする課題〕

したがって、多くの使用において、シリコン含有半導体
層のピンホールタイプ欠陥における短絡を最小限におさ
えかつそのような短絡の修復を容易にするデバイスと該
デバイスの製造方法とを提供するのが望ましい。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、金属酸化物窓層を有する薄膜半導体デバイス
に、活性層に適合しかつ活性層のピンホールタイプ欠陥
における短絡を最小限におさえるように選択された界面
金属部分を有する裏電極層が備えられる、構造物と方法
とを提供する。この界面部分は、ピンホールタイプ欠陥
の位置における第１および第２電極間の電気抵抗を増大
させることにより、短絡を最小限におさえる。

界面部分に使用する材料は、スズ、金、チタン、パラジ
ウム、およびメンタルである。界面部分は一つ以上のこ
れらの材料の層を含むことができ、全厚を少くとも５０
Ｘとすべきである。必要であれば、界面部分は、導電性
および環境安定性にもと１いて選んだ、他のもつと普通
の電極材料の層で裏打ちすることができる。

したがって、本発明は、 シリコンを含み、前面と裏面を有する薄膜活性層、 り 前記活性層の前記前面に一層誤光透過性金属酸化物を有
する第１の電極、 前記活性層の前記裏面に界面層を有する第２の電極であ
って、前記界面層が、前記活性層のピンホールタイプ欠
陥に隣接する前記第１および第２の電極間の電気抵抗を
増大させる金属を含む、第２の電極、 ジウム、およびタンタルから成るグループから選択され
る一つ以上の金属から成るのが好ましい。

本発明の前記の特徴およびその他の特徴は、添付の図面
を用いた以下の詳しい説明によって、さらに十分に理解
できるであろう。

第１図において、本発明の好ましい実施態様にしたがっ
て作られた光起電力半導体デバイスまたはその他の半導
体デバイス１０は、透明な第１の電極１４と不透明な第
２の電極１６との間に配置された薄膜活性層１２を有し
ている。第１の電極１４は透明な導電性金属酸化物で作
られ、ガラス基板ｌ台上に付着させられて、活性層１２
上への光（ｈｖ　）の受入れのための「窓」層として働
く。この窓層の金属酸化物は、酸化スズ、インジウムス
ズ酸化物、酸化亜鉛、または大きな導電性と光透過性を
有する他の任意の材料とすることができる。しかし、以
下の説明では、窓層としての酸化亜鉛の使用に焦点を当
てて述べることにする。酸化亜鉛を使用する場合に、短
絡の問題が特に大きいからである。

活性層１２は、半導体接合を定める異なった導電タイプ
の複数の部分膚から成る薄膜シリコン含有層である。第
２の電極１６は、活性層１２への接続を完全なものとす
るために、活性層１２上に付着させられる。

第２の電極１６は互いに重ね合わされた複数の層から成
り、層接合電極の通常の機能を果し、また電極１６を複
数の層としない場合に活性層１２の「ピンホールタイプ
」欠陥で発生しうる短絡を減少させる。第２の電極１６
は、もつとも簡単な形態の場合、界面層銀と外側１四と
から成る。界面層には、窓層が酸化亜鉛で作られている
場合でも、シリコン含有活性層１２の任意のピンホール
タイプ欠陥付近に高抵抗領域を形成するのに役立つ金属
から成り、またこの金属はデバイスに逆バイアス電圧を
加えることによって、活性層を通しての短絡をさらに減
少させる能力を示すものである。これらの特性を有する
金属をここでは「修復能力を持つ」金属と呼ぶことにす
る。これらの金属には、スズ、金、チタン、パラジウム
、およびメンタルが含まれる。外側層ｎは、米国特許筒
４，７６９，０８６号明細書に述べであるタイプの主に
ニッケルから成る層とすることができ、この主にニッケ
ルから成る層はデバイス１０に対してすぐれた環境から
の保護を与える。

デバイス１０の第２の電極の代替実施例を第２Ａ％２Ｂ
、および２Ｃ図に示す。これらの図では、簡明なように
、デバイスの他の部分は省略しである。

各電極構造物は、前述の「修復能力を持つ」金属すなわ
ちスズ、金、チタン、パラジウム、およびタンタルのグ
ループから選択される金属の一つ以上の個別層から成る
界面層を有する。＠に第２Ａ図において、第２の電極１
６Ａは均一な界面層２ＯＡを有し、この界面層は第１図
の界面１頭と似ているが、かなり薄い。界面層加入は多
層部分飢によりて裏打ちされ、多層部分送は、電極１６
Ａの全面積抵抗を低下させかつ界面層２ＯＡを環境から
保護するために選択された金属の個別層を有する。本発
明の好ましい実権態様において、多層部分送は一対の薄
い層２２Ａとあとの間にアルミニウムまたは類似の導電
材料で作られた中央層５を有している。層２２Ａは環境
からの保護のためにニッケルを含むのが好ましく、−力
層塾はニッケル、または界面層２ＯＡの「修復能力を持
つ」金属に適合する任意の他の金属とすることができる
。

第１および２人図の実施例において、界面層は、活性層
１２の任意のピンホールタイプ欠陥付近に高抵抗領域を
作り出し、かつ相互接続の所定領域において前面窓電極
との高信頼性の接合を形成するのに十分な厚さを有する
「修復能力を持つ」金属の均一層とするのが好ましい。

すなわち、界面層銀および２ＯＡはそれぞれ少くとも鉋
Ａの厚さとし、好ましくは３００〜２０００　Ａの厚さ
とし、さらに好ましくは５００〜１５００　Ａの厚さと
する。第１図の実施例の場合のように、界面層が導電率
に大きな寄与をなすことを意図する場合には、界面層は
少くとも１０００　Åの厚さとし、好ましくは少くとも
１５００　Åの厚さとする。導電率を高めるために、中
央層かのような補助層を使用する場合、界面層の厚さは
少くとも５０Ａとし、好ましくは少くとも３００＾、さ
らに好ましくは約５０ＯＡとする。

前述のように、界面１頒および２０Ａは、酸化亜鉛前面
電極を有する薄膜シリコン含有デバイスの場合に修復能
力を持つと本明細書で述べた一つ以上の金属から成る。

もつとも大きな短絡減少を示ス金属はスズであり、スズ
はピンホールタイプ欠陥付近に高抵抗領域を形成する効
果が非常に大きいので、逆バイアス法が不要になること
が多い。

スズは、これを使用しない場合に半導体層を通る短絡を
発生させうる欠陥のうち大きな割合のものを自動的に「
修復する」ので、ここでの目的のために理想的である。

その唯一の欠点は反射能力が低いことでちり、そのため
、半導体ｌ内だ逆戻りする光の量が減少し、したがって
光電池として使用する場合にはデバイスの出力電流が減
少する。

これに対して金は反射能力が大きいが、しかし通常、短
絡を大きく減少させるためには逆バイアス電圧を必要と
する。また、金は非常に高価でおり、さらに、多くの状
況下でシリコンベース半導体に十分には付着しない。チ
タン、バラジクム、およびタンタルはすべてシリコーン
ベース半導体に十分に付着するが、良い反射体ではない
。

修復能力を持つそれぞれの金属が異なる反射、付着、お
よびコスト要因を持つという事実を活用するために、全
体的な特性を改良するために選択態様を二つ第２Ｂおよ
び２Ｃ図に例として示す。

各実施例は修復能力を持つ第１の金属たとえばスズまた
はチタンの非常に薄い層を有する。この第１の金属は十
分な修復能力を有し、かつ薄膜アモルファスシリコンに
付着するが、前述の他いくつかの金属に比べて導電率と
反射率とが劣る。そのため、この第１の金属の層は、も
つと反射能力の大きい、修復能力を持つ金属たとえば金
のもつと厚り第２の層で補充される。いずれも修復能力
を持つ非常に薄い層ともつと厚い第２の層とのこの組合
せは、短絡を最小限におさえるように働く一万で、透過
光を反射して半導体層内に逆戻りさせる。

第２Ｂ図において、第１図の界面層加と同じ機能を果す
層２０Ｂは、シリコンベース合金に十分に付着する修復
能力を持つ第１の金属の非常に薄い層間と、もつと反射
能力の大きい第２の「修復能力を持つ」金属のもつと厚
い１諺とから成る。好ましい実施例において、非常に薄
い１加はスズまたはチタンであり、もつと厚い１諺は金
である。

次に、デバイスを環境から保護するために、ニッケルそ
の他の適当な材料から成る外側層２２Ｂが厚い層３２上
に形成される。非常に薄い層Ｉの厚さは、好ましくは３
０〜１００Ａであり、より好ましくは（資）＾　である
。第２の１諺の厚さは、第１図の界面１加に関して前述
した範囲にある。すなわち、第２の層の厚さは少くとも
５０Ａ、好ましくは３００〜２０００　Ａ１さらに好ま
しくは５００〜１５００　ＡであるＯ 第２Ｃ図は、第２Ｂ図の層２０Ｂの材料に関するものと
同じ基本考察のもとに同じ材料グループから選択した界
面層２０Ｃｔｔ有する第２の電！１６Ｇを示す。この場
合も、界面層２０Ｃは非常に薄い層（至）Ｃともつと厚
い第２の層３２　Ｃとから成る。唯一の違いは、デバイ
スの製造コストを下げるために、第２の層′３２Ｃが第
２Ｂ図の゛第２の層３２よりも薄くなっているという点
である。第２の層３２　Ｃと非常に薄い層３０Ｃとの合
計厚さが少くとも５０Ａ、好ましくは約３００〜５００
　Ａであるならば、これらの層は望ましい修復および反
射特性を与える。次に、銅その他の適当な導体から成る
５００　Ａよりも大きな厚さの補助導電層あを、第２の
層３２　Ｃ上に直接付着させることにより、導電率が高
められる。この場合も、デバイスを密封して環境から隔
離するために、ニッケル含有外側層２２Ｃが備えられる
。

第１．２Ａ１２Ｂおよび２０図の実施例は、薄膜シリコ
ン含有活性層内のピンホールタイプ欠陥における短絡の
悪影響を受けない電極構造物において、本発明の修復能
力を持つ材料の使用でなしうる多数の選択を例示するも
のである。このような選択は、修復特性を示し、シリコ
ンベース半導体に十分に付着し、かつ到達する光の大部
分を反射して半導体内に逆戻りさせる。均一層または互
いに重ね合わされた複数の層の形の界面層を与えること
によって、なされる。

第５図は、界面１美としているいろな金属を使用し、第
１図の実施例にしたがって構成された太ｌｉＩ電池構造
物に逆バイアス電圧を加えたときの効果を示す。どの場
合も、金属酸化物窓電極１４は酸化亜鉛で作っである。

第５図の縦座標は、試験された構造物の「修復能力」、
すなわち、約５■の逆バイアス電圧を加えたときに製造
収量に生じる影響を規格化したものを示す。

スズ（Ｓｎ　）および金（Ａｕ　）の界面層は収量に大
きな好影響を及ぼし、チタンｒＴｉ）、パラジウムｒＰ
ｄ）、およびタンタルｒＴａ）もやはり大きな好影響を
およぼす。鉄ｒＦｅ）およびマグネシウム〔陶〕の有意
の違いを示さず、チタン／タングステン合金（Ｔｉ／Ｗ
）と銅（Ｃｕ　）は逆バイアス処理によって悪影響をお
よぼす。

ここで挙げた金属のうちいくつかは、逆バイアス処理な
しでも、酸化亜鉛前Ｗｊ旋合電毬を有する薄膜シリコン
含有電池における短絡を最小限におさえるのに役立つ。

その良い例はスズである。しかし、前述のどの金属の場
合も、通常、製造収１は逆バイアス工程を実施した場合
の力が良い。

残念ながら、ここで開示した界面層の使用により短絡が
減少する現象は、逆バイアス処理前についても処理後に
ついても、十分には解明されていない。しかし、注目す
べきことは、界面層に使用できるということを出願者が
見出した金属はすべて大きな正の原子価を持つというこ
とである。ある金属が本発明の意味において修復能力を
持つかどうかの決定に原子価が役割を演じているかもし
れないし、そうではないかもしれない。

どんな理論とも結びついてはいないが、出願者は、スズ
、金、およびパラジウムの修復能力は蒸気から付着させ
たときこれらの金属が薄膜シリコｙ含有層の表面を「濡
らさ」ないという事実に関係があると信じている。これ
らの金属は表面を濡らさず、非常に小さな液滴として付
着し、最終的には合体して連続薄膜となる。したがって
、これらの金属は半導体のピンホールタイプ欠陥内には
いり込むことがなく、反対側の電極層への短絡路を形成
することがないと考えられる。チタンおよびタンタルの
場合、修復能力は、少くとも部分的には、これらの金属
が非導電性酸化物を形成し、この酸化物がピンホールタ
イプ欠陥の位置で電極を互いに分離する傾向があるとい
う事実によって説明されると考えられる。

短絡を最小限におさえることに加えて、本発明の界面層
は構造物の前面において金属酸化物層に対する十分な電
気的接触を与え、二つ以上のデバイスを直列に接続する
ことができる。この概念を具体化する光起電力モジュー
ルを第３および４図に示す。これらは第１図のデバイス
構造と第２Ｂ図の第２の電極の構造とを統合したもので
ある。

たとえば、第３図のモジュール４０は、ガラス基板１８
、複数の第１の電極パッド４２に分割された透明な第１
の電極１４、第１の電極パッドのそれぞれを覆う活性領
域４４を形成する薄膜活性層１２、および第２の電極パ
ッド４６に分割された第２の電極１６Ｂを有する。第１
および＠２の電極を分割パッドにパターン形成すること
は、レーザーにょるけがきその他の適当な方法によって
実施することができる。活性層内の溝絽は、第２の電極
を付着させろ前に、独立の、けがきその他のパターン形
成工程によって形成し、各第２の電極パッドの材料が、
隣接する活性領域の第１の電極パッド４２のヘリを覆い
かつこれに接触するようにする。界面層２０Ｂの独特の
特性により、第２の電極パッド４６は第１の電極パッド
４２と十分な電気的接触をし、活性領域４４を直列に接
続する。付着後に、相互接続部を、レーザーその他の局
所エネルギー源によって融解させることは必要でない。

実際、高レベルの局所エネルギーを相互接続部に沿って
加えると、相互接続部の電気的時性が損なわれることが
ありうる。

第４図は光起電力モジュール製を示す。この篭ジュール
は第３図のモジュール４０と同じであるが、複数の導電
性の縞または「縫合棒」５２が、相互接続を助けるため
に金属酸化物電極１４よりも前にガラス基板上に付着さ
せられるという点が異なる。

しかし、導電性の縞５２は金属酸化物層の下にあるので
、第２の電極１６　Ｂを付着させる前に、半導体層１２
および全Ｓ酸化物層１４０両刀を貫通する溝をパターン
形成して、導電性の縞５２を露出させなければならない
。そのようにすれば、界面層２０Ｂの構成部分が、パタ
ーン形成された溝４Ｂ内に延びて導電性の縞５２に接触
する。形成される接続はきわめて信頼性が高い。

本発明のデバイスの製造において、透明な金属酸化物お
よび薄膜活性層は半導体の分野で周知の任意の適当な方
法によって付着させることができる。具体的に言うと、
活性層は米国特許第４．５１７，４０３号明細書に述べ
であるよりなｐｌｎ構造を有することができ、また半導
体層のパターン形成の工根もこの米国特許の方法と同じ
方法で実施することができる。しかし、主要な相違点は
、本発明の相互接続部が、前記特許明細書に述べられて
ｈるものと異なり、局所的に加熱または場合によっては
「融解」されることがないということである。

本発明の第２の電極層は、半導体そのものに接触する界
面層も含めて、割合に均一な付着を形成する任意の通常
の方法で付着させることができ鼻。

適当な方法には、蒸着、スパッタリング、およびイオン
１リングが含まれ、これらはすべて室温で実施できる。

〔発明の効果〕

前述したことから明らかなように、本発明の構造物と方
法は、透明な金属酸化物たとえば酸化亜鉛とともに使用
した場合でも、活性層のピンホールタイプ欠陥において
ほとんどまたはまったく短絡を示さない改頁された半導
体デバイスを特徴する 特許請求の範囲は、本明細書で述べた実施例に限定され
るものではなく、本発明の真の範囲と意図とを逸脱する
ことのないすべての変形と適用を含むことを意図するも
のである。たとえば、本発明の詳細な説明した光起電力
デバイス以外の広範囲の半導体デバイスにも適合する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の好ましい実施態様にしたがって、透
明基板上に付着させられた半導体デバイスの代表的な実
施例を示す部分断面図、第２Ａ図は、第１図のデバイス
の層接合部分の代替実施例の部分断面図、 第２Ｂ図は、第１図のデバイスの層接合部分のもう一つ
の代替実施例の部分断面図、 第２Ｃ図は、第１図のデバイスの層接合部分のもう一つ
の実施例の部分断面図、 第３図は、第１図のデバイスに類似の複数の電池を含む
光起電力モジュールの、該毛ジュールの前面を垂直断面
で示した部分等角投影図、第４図は、第３図のモジュー
ルの代替実施例の該モジュールの前面を垂直断面で示し
た等角投影図、 第５図は、いろいろな界面金属を用いて第１図にしたが
って作った太陽電池構造物に逆バイアス電圧を加えたと
きの効果を示すグラフである。 図中、１０は半導体デバイス、１２は薄膜活性層、１４
は透明な第１の電極、１６．１６Ａ　Ｉ　１６Ｂは不透
明な第２の電極、１８はガラス基板、２０．２０Ａ、２
０Ｂ。 ２００　）！界面層、２２．２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃは
外側肩、冴は多層部分、舘は中央層、路は薄い層、３０
，３０ＣはＷＥｌの金属の非常に薄い層、３２．３２Ｃ
は第２の「修復能力を持つ」金属の蜀よりも厚い層、あ
は補助導電層、４０は光起電力モジュール、４２は複数
の第１の電極パッド、４４は活性領域、４６は複数の第
２の電極パッド、４８は活性層内の溝、父は光起電力モ
ジュール、認は導電性の縞。 代理人弁理士　　秋　沢　政　光 他１名

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. （１）（イ）シリコンを含み、前面と裏口を有する薄膜
   活性層、 （ロ）前記活性層の前記前面に一層の光透過性金属酸化
   物を有する第１の電極、 （ハ）前記活性層の前記裏面に界面層を有する第２の電
   極であって、前記界面層が、前記活性層のピンホールタ
   イプ欠陥に隣接する前記第１および第２の電極間の電気
   抵抗を増大させる金属から成る、第２の電極、 から成ることを特徴とする薄膜半導体デバイス。
2. （２）前記界面層が、スズ、金、チタン、パラジウム、
   およびタンタルから成るグループから選択される一つの
   金属から成る、請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
3. （３）前記界面層が、スズおよび金から成るグループか
   ら選択される一つの金属から成る、請求項１記載の薄膜
   半導体デバイス。
4. （４）前記界面層がスズから成る請求項１記載の薄膜半
   導体デバイス。
5. （５）前記界面層が、３０〜１００Åの厚さであって、
   スズ、チタン、パラジウム、およびタンタルから成るグ
   ループから選択される一つの金属から成り、前記第２の
   電極が、前記活性層の反応側の前記界面層表面上に金の
   裏打ち層を含む、 請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
6. （６）前記第２の電極が、前記活性層の反対側の前記裏
   打ち層表面上に少くとも一つの追加導電層を有する請求
   項５記載の薄膜半導体デバイス。
7. （７）前記裏打ち層が５００Åまでの厚さであり、前記
   少なくとも一つの導電層が５００Åよりも厚い金属導電
   層から成る、 請求項６記載の薄膜半導体デバイス。
8. （８）前記金属導電層が、銅およびアルミニウムから成
   るグループから選択される金属を含む、請求項７記載の
   薄膜半導体デバイス。
9. （９）前記少くとも一つの導電層が金属から成る密封層
   をさらに含む、請求項８記載の薄膜半導体デバイス。
10. （１０）前記第１の電極の前記光透過性金属酸化物が、
    酸化亜鉛、酸化スズ、およびインジウムスズ酸化物から
    成るグループから選択される、請求項１記載の薄膜半導
    体デバイス。
11. （１１）前記第１の電極の前記光透過性金属酸化物が酸
    化亜鉛である、請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
12. （１２）前記薄膜半導体デバイスが光起電力モジュール
    である請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
13. （１３）前記第１の電極が複数の個別の第１の電極パッ
    ドに分割され、 前記薄膜活性層が前記第１の電極上に付着させられて、
    前記第１の電極パッドのそれぞれを覆う活性領域を形成
    し、 前記第２の電極が複数の個別の第２の電極パッドに分割
    され、それぞれの第２の電極パッドが前記活性領域の一
    つを実質的に覆い、かつ前記活性層の所定の相互接続部
    分において一つの前記第１の電極パッドの一つのへりに
    重なり、 前記活性層が前記相互接続部分において一連の溝を有し
    、したがって各活性領域の前記第２の電極パッドが隣接
    活性領域の前記第１の電極パッドに電気的に接触して前
    記活性領域が直列に配列される、 請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
14. （１４）（イ）基板上に、一層の光透過性金属酸化物を
    有する第１の電極を付着させ、 （ロ）前記第１の電極上に、シリコンを含む薄膜活性層
    を付着させ、 （ハ）前記活性層上に第２の電極を付着させ、前記第２
    の電極が、前記活性層のピンホールタイプ欠陥に隣接す
    る前記第１および第２の電極間の電気抵抗を増大させる
    金属から成る一つの界面層を有するようにする、 工程から成ることを特徴とする、事実上短絡路を含まな
    い薄膜半導体デバイスを製造する方法。
15. （１５）前記活性層が所定の動作極性を有するデバイス
    に対して使用するための、 前記第１および第２の電極間に前記活性層の前記所定の
    極性とは逆の電圧を加えて、前記ピンホールタイプ欠陥
    に隣接する部分の電気抵抗をさらに増大させるようにす
    る、 工程をさらに含む、請求項１４記載の方法。
16. （１６）前記界面層が、スズ、金、チタン、パラジウム
    、およびタンタルから成るグループから選択される一つ
    の金属から成る、請求項１４記載の方法。
17. （１７）事実上、前記界面層が、スズ、金、チタン、パ
    ラジウム、およびタンタルから成るグループから選択さ
    れる一つの金属のみから成る、請求項１４記載の方法。
18. （１８）前記界面層が、スズおよび金から成るグループ
    から選択される一つの金属から成る、請求項１４記載の
    方法。
19. （１９）前記界面層がスズから成る、請求項１４記載の
    方法。
20. （２０）前記界面層が、スズ、チタン、パラジウムおよ
    びタンタルから成るグループから選択される一つの金属
    から成り、１〜１００Åの厚さに付着させられ、 前記第２の電極の付着が、前記界面層上への金の裏打ち
    層を付着させる工程を含む。 請求項１４記載の方法。
21. （２１）少くとも一つの付加導電層が、導電性を高める
    ために前記裏打ち層上に付着させられる、請求項２０記
    載の方法。
22. （２２）前記光透過性金属酸化物が、酸化亜鉛、酸化ス
    ズ、およびインジウムスズ酸化物から成るグループから
    選択される、請求項１４記載の方法。
23. （２３）前記光透過性金属酸化物が酸化亜鉛である請求
    項１４記載の方法。
24. （２４）前記第１の電極が複数の個別の第１の電極パッ
    ドに分割され、 前記薄膜活性層が前記第１の電極上に付着させられて、
    前記第１の電極パッドのそれぞれを覆う活性領域を形成
    し、 前記活性層が、下にある第１の電極パッドの一つのへり
    に重なる各活性領域の相互接続部分に各活性領域を貫通
    する溝を形成することによってパターン形成され、 前記第２の電極が前記活性層上に付着させられ、前記第
    ２の電極が複数の個別の第２の電極パッドに分割され、
    前記第２の電極パッドのそれぞれが前記活性領域の一つ
    を実質的に覆い、かつ隣接する活性領域の相互接続部分
    に重なり、したがって前記第２の電極パッドの材料が前
    記活性領域の前記溝内に延びて前記第１の電極パッドに
    接触し、それによって前記活性領域を直列に接続する、
    請求項１４記載の方法。