JPH04112581A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH04112581A JPH04112581A JP2232161A JP23216190A JPH04112581A JP H04112581 A JPH04112581 A JP H04112581A JP 2232161 A JP2232161 A JP 2232161A JP 23216190 A JP23216190 A JP 23216190A JP H04112581 A JPH04112581 A JP H04112581A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、いわゆるスルーホールコンタクト構造を有す
る光起電力装置に関する。
る光起電力装置に関する。
従来、太陽電池等の光起電力装置は、ガラス等の透光性
絶縁基板上に酸化スズ(SnO□〕やITO等からなる
透明電極層、半導体接合形成層及びアルミニウムCAf
)や銀[Ag3等からなる裏面電極層を順次積層形成し
て構成され、透明電極層及び裏面電極層から集電、即ち
外部に起電力を取り出すようになっている。
絶縁基板上に酸化スズ(SnO□〕やITO等からなる
透明電極層、半導体接合形成層及びアルミニウムCAf
)や銀[Ag3等からなる裏面電極層を順次積層形成し
て構成され、透明電極層及び裏面電極層から集電、即ち
外部に起電力を取り出すようになっている。
ところが、透明電極層は比較的高抵抗(約10Ω/口)
であることから電力損失が大きく、集電効率の低下を招
くため、光電変換効率の向上を図る上で大きな問題とな
っている。
であることから電力損失が大きく、集電効率の低下を招
くため、光電変換効率の向上を図る上で大きな問題とな
っている。
この問題を解決するために、従来では、例えば特開昭6
1−20371号公報(HOIL 31104)に見ら
れるようないわゆるスルーホールコンタクト構造の光起
電力装置が考えられており、更にこれを集積型に拡張し
たものも提案されている。
1−20371号公報(HOIL 31104)に見ら
れるようないわゆるスルーホールコンタクト構造の光起
電力装置が考えられており、更にこれを集積型に拡張し
たものも提案されている。
第2図は、この種スルーホールコンタクト構造の集積型
光起電力装置を示したものであり、同図において、(1
)はガラス等の透光性絶縁基板、(2)は基板(1)上
に形成され所定パターンにバターニングされたSnO□
、ITO等からなる透明電極層、(3)は透明電極層(
2)上及び露出した基板(1)上に形成された少なくと
も1つのpn接合或いはpin接合を有するアモルファ
スシリコン等からなる半導体接合形成層、(4)は第1
裏面電極層であり、A!又はAg等からなり、接合形成
層(3)上に形成されている。
光起電力装置を示したものであり、同図において、(1
)はガラス等の透光性絶縁基板、(2)は基板(1)上
に形成され所定パターンにバターニングされたSnO□
、ITO等からなる透明電極層、(3)は透明電極層(
2)上及び露出した基板(1)上に形成された少なくと
も1つのpn接合或いはpin接合を有するアモルファ
スシリコン等からなる半導体接合形成層、(4)は第1
裏面電極層であり、A!又はAg等からなり、接合形成
層(3)上に形成されている。
(5)はエツチング或いはレーザビームによるパタニン
グ等により形成され、第1裏面電極層(4)及び接合形
成層(3)を貫通し透明電極層(2)に達するスルーホ
ール、(6)はエツチング或いはレーザビームによるバ
ターニング等により形成され、第1裏面電極層(4)及
び接合形成層(3)を貫通し基板(1)に達するセル分
離のための分離溝、(7)は絶縁層であり、無機絶縁材
料又は有機絶縁材料からなり、第1裏面電極層(4)上
に積層形成され、同時にスルーホール(5)内及び分離
溝(6)内にそれぞれ形成される。
グ等により形成され、第1裏面電極層(4)及び接合形
成層(3)を貫通し透明電極層(2)に達するスルーホ
ール、(6)はエツチング或いはレーザビームによるバ
ターニング等により形成され、第1裏面電極層(4)及
び接合形成層(3)を貫通し基板(1)に達するセル分
離のための分離溝、(7)は絶縁層であり、無機絶縁材
料又は有機絶縁材料からなり、第1裏面電極層(4)上
に積層形成され、同時にスルーホール(5)内及び分離
溝(6)内にそれぞれ形成される。
こののち、スルーホール(5)内の絶縁層(7)の中央
部がエツチング或いはレーザビームによるバターニング
により除去されて集電用溝(5)′が形成され、スルー
ホール(5)内ではスルーホール(5)の周面にのみ絶
縁層(7)が形成されることになる。
部がエツチング或いはレーザビームによるバターニング
により除去されて集電用溝(5)′が形成され、スルー
ホール(5)内ではスルーホール(5)の周面にのみ絶
縁層(7)が形成されることになる。
また、透明電極層(2)の少なくとも一端の上側の絶縁
層(7)も同時に除去され、隣接セル間の接続のための
接続溝(8)が形成される。
層(7)も同時に除去され、隣接セル間の接続のための
接続溝(8)が形成される。
(9)は第2裏面電極層であり、A1.Ag等の蒸着膜
又は導電ペースト等からなり、接続溝(8)内、絶縁層
(7)上及びスルーホール(5)の集電用溝(5)′内
に形成されたのち、所定パターンにバターニングされる
。
又は導電ペースト等からなり、接続溝(8)内、絶縁層
(7)上及びスルーホール(5)の集電用溝(5)′内
に形成されたのち、所定パターンにバターニングされる
。
以上のようにして形成されたスルーホールコンタクト構
造の光起電力装置では、1つのセルについて見た場合、
第1裏面電極層(4)及び第2裏面電極層(9)から集
電されることになり、高抵抗な透明電極層(2)に代え
て低抵抗な第2裏面電極層(9)で集電できることから
集電効率を向上でき、しかも、このスルーホールコンタ
クト構造によって透明電極層(2)、半導体接合形成層
(3)及び第1裏面電極層(4)の積層領域つまり有効
面積を増大でき、出力向上が期待できることになる。
造の光起電力装置では、1つのセルについて見た場合、
第1裏面電極層(4)及び第2裏面電極層(9)から集
電されることになり、高抵抗な透明電極層(2)に代え
て低抵抗な第2裏面電極層(9)で集電できることから
集電効率を向上でき、しかも、このスルーホールコンタ
クト構造によって透明電極層(2)、半導体接合形成層
(3)及び第1裏面電極層(4)の積層領域つまり有効
面積を増大でき、出力向上が期待できることになる。
しかし、前述した構造の光起電力装置にあっては、発生
した電流がスルーホール(5)内の第2裏面電極層(9
)に到達するまでは高抵抗な透明電極層(2)中を通る
ため、電力損失の低減化にはまだ不十分であるといった
問題がある。
した電流がスルーホール(5)内の第2裏面電極層(9
)に到達するまでは高抵抗な透明電極層(2)中を通る
ため、電力損失の低減化にはまだ不十分であるといった
問題がある。
本発明は、従来の技術の有するこのような問題点に留意
してなされたものであり、その目的とするところは、透
明電極層を極力介さずに集電することが可能なスルーホ
ールコンタクト構造の光起電力装置を提供することにあ
る。
してなされたものであり、その目的とするところは、透
明電極層を極力介さずに集電することが可能なスルーホ
ールコンタクト構造の光起電力装置を提供することにあ
る。
前記目的を達成するために、本発明の光起電力装置にお
いては、透光性絶縁基板上に形成された透・明電極層上
にあらかじめ、この上に積層される半導体接合形成層及
び第1裏面電極層を貫通して透明電極層に接続される第
2裏面電極層の近傍に長尺状の集電極を設ける。
いては、透光性絶縁基板上に形成された透・明電極層上
にあらかじめ、この上に積層される半導体接合形成層及
び第1裏面電極層を貫通して透明電極層に接続される第
2裏面電極層の近傍に長尺状の集電極を設ける。
前述した構成によれば、高抵抗な透明電極層上の第2裏
面電極層の近傍に低抵抗な集電極が設けられるため、第
1.第2裏面電極層から集電する際、発生した電流が集
電極を通り、透明電極層中をほとんど介することがなく
なり、電力損失が抑えられる。
面電極層の近傍に低抵抗な集電極が設けられるため、第
1.第2裏面電極層から集電する際、発生した電流が集
電極を通り、透明電極層中をほとんど介することがなく
なり、電力損失が抑えられる。
ここで、透明電極層上に集電極を設けたことにより、入
射光に対する有効面積が減少するが、この集電極は長尺
状に構成されていることからそれほどの減少にならず、
それ以上に電力損失を低減でき、出力向上につながる。
射光に対する有効面積が減少するが、この集電極は長尺
状に構成されていることからそれほどの減少にならず、
それ以上に電力損失を低減でき、出力向上につながる。
本発明の1実施例につき、集積型光起電力装置の形成工
程を示した第1図を用いて説明する。なお、第1図(a
、)〜(d、)はS横型の1段の一部分を示し、同図(
a2)〜(d2)はそれぞれの断面構成を示している。
程を示した第1図を用いて説明する。なお、第1図(a
、)〜(d、)はS横型の1段の一部分を示し、同図(
a2)〜(d2)はそれぞれの断面構成を示している。
まず、同図(aI)、 (a2)に示すように、透光性
絶縁基板(]、)上に所定パターンで透明電極層(2)
を形成した後、この透明電極層(2)上に、後に形成さ
れるスルーホールの中心部にあたる位置に導電膜00)
をパターン形成すると同時に、このスルーホールの近傍
に長尺状の集電極αDをパターン形成する。
絶縁基板(]、)上に所定パターンで透明電極層(2)
を形成した後、この透明電極層(2)上に、後に形成さ
れるスルーホールの中心部にあたる位置に導電膜00)
をパターン形成すると同時に、このスルーホールの近傍
に長尺状の集電極αDをパターン形成する。
この導電膜00)及び集電極Ql)には、金属蒸着膜又
はAg、 Ni、 Ti+ W、 Cuの少なくとも1
種類を含む金属を主成分とする金属ペーストが用いられ
る。
はAg、 Ni、 Ti+ W、 Cuの少なくとも1
種類を含む金属を主成分とする金属ペーストが用いられ
る。
つぎに、同図(b+)、 (bz)に示すように、半導
体接合形成層(3)及び第1裏面電極N(4)を順次所
定パターンに積層形成し、さらに、第1裏面電極層(4
)の上方からレーザビーム叫を照射し、同図(c2)に
示すようにスルーホール(5)内の第1裏面電極層(4
)及び接合形成層(3)をホール中心部を残して環状に
除去する。
体接合形成層(3)及び第1裏面電極N(4)を順次所
定パターンに積層形成し、さらに、第1裏面電極層(4
)の上方からレーザビーム叫を照射し、同図(c2)に
示すようにスルーホール(5)内の第1裏面電極層(4
)及び接合形成層(3)をホール中心部を残して環状に
除去する。
その後、同図(cl)、 (c2)に示すように、第1
裏面電極層(4)上に絶縁層(7)及び第2裏面電極層
(9)を順次積層し、さらci、第2裏面電極層(9)
の上方よりスルーホール(5)の中心部にレーザビーム
α濁ヲ照射する。
裏面電極層(4)上に絶縁層(7)及び第2裏面電極層
(9)を順次積層し、さらci、第2裏面電極層(9)
の上方よりスルーホール(5)の中心部にレーザビーム
α濁ヲ照射する。
この結果、同図(dt)、(dz)に示すように、レー
ザビーム0′!Jにより、第2裏面電極層(9)の一部
が溶融してホール中心部の絶縁層(7)を貫通すると共
にスルーホール(5)内の第1裏面電極層(4)の溶融
を伴なってホール中心部の接合形成N(3)を貫通する
し一ザ溶着部α船が形成され、これが導電膜QOIに溶
着することにより、第2裏面電極層(9)が第1裏面電
極層(4)及び接合形成層(3)と絶縁された状態でこ
れらを貫通して透明電極層(2)に接続される。
ザビーム0′!Jにより、第2裏面電極層(9)の一部
が溶融してホール中心部の絶縁層(7)を貫通すると共
にスルーホール(5)内の第1裏面電極層(4)の溶融
を伴なってホール中心部の接合形成N(3)を貫通する
し一ザ溶着部α船が形成され、これが導電膜QOIに溶
着することにより、第2裏面電極層(9)が第1裏面電
極層(4)及び接合形成層(3)と絶縁された状態でこ
れらを貫通して透明電極層(2)に接続される。
ここで問題となるのは、導電膜α0)が半導体接合形成
層(3)を貫通して第1裏面電極層(4)と短絡してし
まうことであるが、この点については、導電膜00)を
スルーホール(5)より小さくしておけば解決できる。
層(3)を貫通して第1裏面電極層(4)と短絡してし
まうことであるが、この点については、導電膜00)を
スルーホール(5)より小さくしておけば解決できる。
なお、集積型の隣接するセル間の接続は、前記第2図で
説明した従来方法と同様にして行われる。
説明した従来方法と同様にして行われる。
前述のように構成された集積型光起電力装置にあっては
、発生した電流がコンタクトホール部に到達する過程に
おいて高抵抗な透明電極層(2)上の集電極(11)を
通るため、透明電極層(2)中をほとんど介することな
く集電できることになり、電力損失を大幅に低減でき、
集電効率を改善できる。
、発生した電流がコンタクトホール部に到達する過程に
おいて高抵抗な透明電極層(2)上の集電極(11)を
通るため、透明電極層(2)中をほとんど介することな
く集電できることになり、電力損失を大幅に低減でき、
集電効率を改善できる。
すなわち、前記実施例のものでは、従来公報で示したよ
うなスルーホールコンタクト構造よりも、有効面積では
集電極(11)を用いたため約3%減少したが、それに
も拘わらず曲線因子が大きく向上し、出力では約2〜3
%向上した結果が得られた。
うなスルーホールコンタクト構造よりも、有効面積では
集電極(11)を用いたため約3%減少したが、それに
も拘わらず曲線因子が大きく向上し、出力では約2〜3
%向上した結果が得られた。
また、従来の集積型構造のものと比較すると、有効面積
では約2%大きく、出力でも約10%向上するという結
果が得られた。
では約2%大きく、出力でも約10%向上するという結
果が得られた。
本発明は、以上説明したように構成されているため、つ
ぎに記載する効果を奏する。
ぎに記載する効果を奏する。
発生した電流を、高抵抗な透明電極層をほとんど介する
ことなく、あらかじめこの透明電極層上の第2裏面電極
層の近傍に設けた長尺状集電極を介して集電することが
できるため、電力損失を低減し、出力を向上させること
ができる。
ことなく、あらかじめこの透明電極層上の第2裏面電極
層の近傍に設けた長尺状集電極を介して集電することが
できるため、電力損失を低減し、出力を向上させること
ができる。
第1図は本発明による光起電力装置の1実施例を示し、
同図(aυ〜(dI)及び同図(ax) 〜(dz)は
それぞれ異なる形成工程における平面図及び断面図、第
2図は従来例の断面図である。 (1)・・・透光性絶縁基板、(2)・・・透明電極層
、(3)・・・半導体接合形成層、(4)・・・第1裏
面電極層、(9)・・・第2裏面電極層、0υ・・・集
電極。
同図(aυ〜(dI)及び同図(ax) 〜(dz)は
それぞれ異なる形成工程における平面図及び断面図、第
2図は従来例の断面図である。 (1)・・・透光性絶縁基板、(2)・・・透明電極層
、(3)・・・半導体接合形成層、(4)・・・第1裏
面電極層、(9)・・・第2裏面電極層、0υ・・・集
電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 透光性絶縁基板上に透明電極層、半導体接合形成層
及び第1裏面電極層を順次積層形成し、前記第1裏面電
極層及び前記接合形成層と絶縁された状態で前記第1裏
面電極層及び前記接合形成層を貫通して前記透明電極層
に接続される第2裏面電極層を設け、前記再裏面電極層
から集電を行うようにした光起電力装置において、 前記透明電極層上の前記第2裏面電極層の近傍に長尺状
の集電極を設けたことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2232161A JP2759301B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2232161A JP2759301B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光起電力装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04112581A true JPH04112581A (ja) | 1992-04-14 |
JP2759301B2 JP2759301B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=16934954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2232161A Expired - Fee Related JP2759301B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2759301B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101283053B1 (ko) | 2011-10-18 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62170651U (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-29 | ||
JPS63119586A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPH02183572A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2232161A patent/JP2759301B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62170651U (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-29 | ||
JPS63119586A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPH02183572A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2759301B2 (ja) | 1998-05-28 |
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---|---|---|---|
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