JPH02268132A - 2,3,5―トリメチルベンゾキノンの製造方法 - Google Patents

2,3,5―トリメチルベンゾキノンの製造方法

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JPH02268132A
JPH02268132A JP8799389A JP8799389A JPH02268132A JP H02268132 A JPH02268132 A JP H02268132A JP 8799389 A JP8799389 A JP 8799389A JP 8799389 A JP8799389 A JP 8799389A JP H02268132 A JPH02268132 A JP H02268132A
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solvent
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Ichiro Kimura
一郎 木村
Kenji Onodera
小野寺 健治
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C K FINE KEMIKARUZU KK
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C46/00Preparation of quinones
    • C07C46/02Preparation of quinones by oxidation giving rise to quinoid structures
    • C07C46/06Preparation of quinones by oxidation giving rise to quinoid structures of at least one hydroxy group on a six-membered aromatic ring

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビタミンEなど医薬品の合成中間体として有
用である2、 3.’5− )リメチルベンゾキノンの
製造方法に関する。
〔従来の技術〕
2、5.5− )リメチルペンゾキノンの製造方法とし
ては、2.5.6−)リメチルフェノール(2゜3.6
−TMP)を無機酸化剤で酸化する方法、又は触媒の存
在下酸素で酸化する方法等がある。
前者の無機酸化剤を用いる方法では、例えば酸化剤とし
て過マンガン酸カリウム、二酸化マンガン、酸化鉛な・
どが用いられておりその量は化学量論以上必要であり、
且つ低原子価状態の金属塩の処理が必要となる。又後者
の触媒存在下で酸化する方法、例えば触媒としてコバル
ト錯体を用いる方法では、反応初期の触媒活性は高いが
、触媒としての寿命は極めて短く、工業的に使用するK
は難点がある。また触媒としてノ・ロゲン化鋼を用いる
方法、又ノ・ロゲン化銅及びハロゲン化リチウムを用い
る方法では反応率。
選択率共に高く維持できるが種々の解決を要する欠点を
有する。例えば特公昭53−17585号、特開昭59
−22513号、特開昭63−280040号で代表さ
れる方法では、触媒を2.3.6− T M Pと同重
量又はそれ以上使用しなければ収率も低く又反応速度も
小さくなる欠点を有する。
又、本願発明と近緑の発明と見られる特開昭55−72
156号では、触媒として銅およびハロゲンイオンを使
用し、特定の水溶性ポリオキシエチレングリコール誘導
体を含む水溶液中で酸素含有ガスによる酸化を行ってい
る。しかし、この方法では、常圧で酸化剤として酸素ガ
スを使用すれば目的生成物を95%以上の好収率で得る
ことができるが、空気では10%以上の収率の低下が避
けられない欠点がある。
更に同法では、反応の選択性の低下及びポリオキシエチ
レングリコール誘導体の変質を押さえるため最適反応温
度が45℃乃至70℃である。従って反応速度が遅く、
生産性の面でも難点がある。
〔本発明が解決しようとする問題点〕
本発明者は上記に述べた公知技術の欠点を解決した。よ
り工業的実施に適した方法を確立すべく、■高価な特殊
触媒を用いず市販の一般試薬で用いること、■使用量が
少ないこと、■生成物が好収率で得られること、■反応
速度を早くし空時収率を上げることを目的に研究を行な
い次の方法によりその目的を達することを見い出し本発
明を完成した。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の要旨とするところは、2.3.6−TMPを、
触媒として、塩化銅及びコバルト化合物の存在下におい
て、下記一般式で示されるポリエチレングリコールアル
キルエーテルを含有する溶媒中で酸素又は酸素含有ガス
により酸化し、2、3.5− )リメチルベンゾキノン
を製造するところにある。
R÷0CH2CH2bOR’ n:1〜6 R: CH5、C2H5,CM H7、C4HaI(、
’: H,CH5、C2桟: Cs H’r −C4H
本発明方法での2.3.6− T M Pの濃度は、反
応液に対して5〜50重iチ程度で、過度に高濃度に設
定すると反応中のキノン類の析出が多くなり、操作性が
悪くなる。酸化反応に使用するガスは、酸素又はこれを
不活性ガスで稀釈したガスで、空気の使用が最も経済的
である。
反応に使用する溶媒としては、前記の一般式で示される
ポリエチレングリコールアルキルエーテル類を含有する
溶媒が使用される。
本発明の溶媒として推奨される溶媒としては。
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレンクリコールジメチ
ルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル
等があるが、上記−般式で示される化合物であれば任意
に選択できる。
尚、所望により他の有機溶媒が補助的な溶媒として使用
できる。これらの溶媒としては、ジメチルフォルムアミ
ド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMA)等の酸
アミド類:アセト/、メチルインブチルケトン等のケト
ン類;ジオキサ6テトラヒドロフラン等の環状エーテル
類、ブチルエーテル、イソプロピルエーテル等の鎖状エ
ーテル、アセトニトル他のニトリル、類:その他がある
。又ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、アルキルア
ルコール等が所望によシ、溶媒        、構成
成分として使用できる。
しかし、補助的に他の溶媒を使用する場合上記一般式で
示されるポリオキシエチレングリコールアルキルエーテ
ル類が全溶媒の5 Q vol %以上、好ましくは、
3 Q vo1%以上含有されることが望まれる。
尚、反応によシ生成する水分は、反応に好ましい結果を
もたらすとは限らず反応の進行と共に溜去することが望
まれる。
触媒として使用する塩化銅としては塩化第一銅と塩化第
二銅があり、特に塩化第二銅の使用が好ましい。又コバ
ルト化合物としては、コバルトの酸化物、ハロゲン化町
酸素酸塩声機酸塩、から適当に選択される。具体的には
、塩化コバルト、硫酸コバルト、酢酸コバルト等がある
本発明において塩化鋼の使用量は特に制限はないが好ま
しくは使用2.3.6− T M Pに対して001〜
10倍モル、好ましくは0,05〜5倍モル更に好まし
くは0.1〜0,5倍モルが使用される。一方、コバル
ト化合物は、0.01〜10倍モル、好ましくは、0.
05〜5倍モルが使用される。
本発明方法では、反応圧力は、常圧でも良く、空気使用
の場合は、若干の加圧が反応速度を高める点で好ましい
反応温度は、20℃乃至120℃、好ましくは、60乃
至100℃反応時間は1乃至10時間。
尚、これら圧力、温度、時間に関しては、従来の技術水
準の範囲内で容易に選択できる。
本発明方法による酸化反応生成液からの2.3゜6−ド
リメチルベンゾキノンの分離は、例えば、反応液を水層
と分液し、有機層を水洗後蒸留により分離することがで
きる。
次に、本発明の実施例を、本発明の効果を示すため比較
例とともに示す。
実施例1〜3 300ml四ツロフラスコにジエチレングリコールジメ
チルエーテル50m1と表1に示す量の塩化銅2水和物
と塩化コバルト6水和物を入れ加温し80℃に保ち70
0rrfr′Iで攪拌を行ないながら酸素ガスを流速2
00m1/=で液面下に通気−同溶媒50m1に2.3
.6− T hIL’ 34 &(0,25mol )
を溶解した溶液を2時間を要して滴下し、滴下終了後更
に2.3.6− ’r hi Pが消失する迄反応を行
なった。反応終了後5Qmlの水を加え次いで100a
/’のトルエンで抽出を行ないガスクロマトグラフによ
る分析を行った。
表−1 ン 実施例4.5 実施例1〜60条件下で酸素ガスを空気に代え表−2に
示す量の塩化銅2水和物と塩化コバルトろ水和物を用い
滴下5時間を要して反応を行なった。
滴下終了後更に2.5.6− T M Pが消失する迄
反応を行ない、実施例1〜6と同様な処理の後ガスクロ
マトグラフによる分析を行なった。
表−2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2,3,6−トリメチルフェノールを、触媒として
    塩化銅及びコバルト化合物の存在下において、下記一般
    式で示されるポリエチレングリコールアルキルエーテル
    を含有する溶媒中で酸素又は酸素含有ガスにより酸化す
    ることを特徴とする2,3,5−トリメチルベンゾキノ
    ンの製造方法。 R−(OCH_2CH_2)−_nOR′ n:1〜3 R:CH_3、C_2H_5、C_3H_7、C_4H
    _9R′:H、CH_3、C_2H_5、C_3H_7
    、C_4H_9
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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