JPH02265240A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH02265240A JPH02265240A JP8568889A JP8568889A JPH02265240A JP H02265240 A JPH02265240 A JP H02265240A JP 8568889 A JP8568889 A JP 8568889A JP 8568889 A JP8568889 A JP 8568889A JP H02265240 A JPH02265240 A JP H02265240A
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- etched
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- etching
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、紫外線ランプ照射装置及び試料加熱プレート
を装備した真空処理室と、プラズマエツチング室から構
成され、前記真空処理室で試料に塗布されたレジスト膜
に紫外線照射と加熱を施した後、プラズマエツチング室
で前記レジスト膜をマスクにして被エツチング膜をプラ
ズマエツチングする機能を有するドライエツチング装置
に関するものである。
を装備した真空処理室と、プラズマエツチング室から構
成され、前記真空処理室で試料に塗布されたレジスト膜
に紫外線照射と加熱を施した後、プラズマエツチング室
で前記レジスト膜をマスクにして被エツチング膜をプラ
ズマエツチングする機能を有するドライエツチング装置
に関するものである。
（従来の技術）
従来、ドライエツチング装置は、エツチング処理を施す
ためのみの目的に使用されている。エツチングマスクで
あるレジスト膜の耐ドライエツチング性を向上させる方
法として、ドライエツチング装置の場合は、電極ステー
ジ構造の冷却効率を改善する方法が取られている。例え
ば、クランプ方式、静電チャック方式による改善が実施
されている。ドライエツチング装置とは、別な方法で、
エツチング試料をドライエツチング装置に搭載する以前
に、レジスト中の水分を除去する方法が実施されている
。例えば、高温槽の中に試料を、定時間投入する。紫外
線を試料に照射するといった方法を用いた装置での処理
である。
ためのみの目的に使用されている。エツチングマスクで
あるレジスト膜の耐ドライエツチング性を向上させる方
法として、ドライエツチング装置の場合は、電極ステー
ジ構造の冷却効率を改善する方法が取られている。例え
ば、クランプ方式、静電チャック方式による改善が実施
されている。ドライエツチング装置とは、別な方法で、
エツチング試料をドライエツチング装置に搭載する以前
に、レジスト中の水分を除去する方法が実施されている
。例えば、高温槽の中に試料を、定時間投入する。紫外
線を試料に照射するといった方法を用いた装置での処理
である。
（発明が解決しようとする課題）
このような上記従来方法では、ドライエツチング装置の
搬送あるいは電極の構造が、非常に複雑になり、エツチ
ング特性、試料搬送といった装置の安定性に欠ける。ま
た、高温槽、紫外線装置を用いた方法は、試料処理後の
大気放置により水分の再吸着あるいは多工程化によるダ
スト付着といった問題があった。
搬送あるいは電極の構造が、非常に複雑になり、エツチ
ング特性、試料搬送といった装置の安定性に欠ける。ま
た、高温槽、紫外線装置を用いた方法は、試料処理後の
大気放置により水分の再吸着あるいは多工程化によるダ
スト付着といった問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するものであり、構造
が簡単、安定性大、水分の再吸着およびダスト付着問題
の発生しないドライエツチング装置を提供することを目
的とするものである。
が簡単、安定性大、水分の再吸着およびダスト付着問題
の発生しないドライエツチング装置を提供することを目
的とするものである。
（５１題を解決するための手段）
本発明は上記目的を解決するために、ドライエツチング
装置は、紫外線ランプ照射装置及び試料加熱プレートを
装備した真空処理室とプラズマエツチング室から構成さ
れ、前記真空処理室で試料に塗布されたレジスト膜に紫
外線照射と加熱を施した後、前記プラズマエツチング室
で前記レジスト膜をマスクにして被エツチング膜をプラ
ズマエツチングするようにしたものである。
装置は、紫外線ランプ照射装置及び試料加熱プレートを
装備した真空処理室とプラズマエツチング室から構成さ
れ、前記真空処理室で試料に塗布されたレジスト膜に紫
外線照射と加熱を施した後、前記プラズマエツチング室
で前記レジスト膜をマスクにして被エツチング膜をプラ
ズマエツチングするようにしたものである。
（作 用）
従って本発明によれば、エツチングマスクであるレジス
トは、光エネルギーを与えることによりレジスト中に含
まれるダイアザイト（Ｄｉａｚｉｄｅ）が中間体を形成
し、これが樹脂及びダイアザイトと結合して高分子化す
ることにより耐ドライエツチング性が向上する。しかし
、中間態が形成された状態に水分が存在すると高分子化
の反応は抑制されてしまう。従って、エツチングマスク
であるレジスト膜の耐ドライエツチング性を向上させる
には、真空状態で試料を加熱しながら光エネルギーを与
えることである。よって紫外線ランプ照射装置及び試料
加熱プレー１−を有する真空処理室とプラズマエツチン
グ室から構成されるドライエツチング装置を用いると、
再現性の優れたエツチングができる。
トは、光エネルギーを与えることによりレジスト中に含
まれるダイアザイト（Ｄｉａｚｉｄｅ）が中間体を形成
し、これが樹脂及びダイアザイトと結合して高分子化す
ることにより耐ドライエツチング性が向上する。しかし
、中間態が形成された状態に水分が存在すると高分子化
の反応は抑制されてしまう。従って、エツチングマスク
であるレジスト膜の耐ドライエツチング性を向上させる
には、真空状態で試料を加熱しながら光エネルギーを与
えることである。よって紫外線ランプ照射装置及び試料
加熱プレー１−を有する真空処理室とプラズマエツチン
グ室から構成されるドライエツチング装置を用いると、
再現性の優れたエツチングができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例におけるドライエツチング装
置の断面模式図である。第１図において、１はロード室
、２はプラズマエツチング処理室、３はアンロード室、
４，５，６．７はゲートバルブ、８は試料加熱プレート
、９は紫外線ランプ照射装置、１０は石英ガラス、１１
は上部電極、１２は下部電極である。エツチング装置は
ロード室１．プラズマエツチング処理室２．アンロード
室３で構成される。試料の搬送はロード室１およびアン
ロト室３に設けである（図示せず）旋回式のアームによ
り、ロード室］、プラズマエツチング処理室２、アンロ
ード室３と送られる。また、それぞれの室は、ゲートバ
ルブ４−．５，６．７を介して気密シールされた状態に
なっている。ロード室１は、温度コントロール可能な試
料加熱プレート８と紫外線ランプ照射装置９が設けてあ
り、紫外線ランプ照射装置９とロード室１は石英ガラス
１ｏを介して設けである。試料に塗布されたレジスト膜
は、ロート室１で紫外線照射と加熱を施された後、プラ
ズマエツチング処理室２に搬送される。
置の断面模式図である。第１図において、１はロード室
、２はプラズマエツチング処理室、３はアンロード室、
４，５，６．７はゲートバルブ、８は試料加熱プレート
、９は紫外線ランプ照射装置、１０は石英ガラス、１１
は上部電極、１２は下部電極である。エツチング装置は
ロード室１．プラズマエツチング処理室２．アンロード
室３で構成される。試料の搬送はロード室１およびアン
ロト室３に設けである（図示せず）旋回式のアームによ
り、ロード室］、プラズマエツチング処理室２、アンロ
ード室３と送られる。また、それぞれの室は、ゲートバ
ルブ４−．５，６．７を介して気密シールされた状態に
なっている。ロード室１は、温度コントロール可能な試
料加熱プレート８と紫外線ランプ照射装置９が設けてあ
り、紫外線ランプ照射装置９とロード室１は石英ガラス
１ｏを介して設けである。試料に塗布されたレジスト膜
は、ロート室１で紫外線照射と加熱を施された後、プラ
ズマエツチング処理室２に搬送される。
次に酸化膜のエツチングに関して実施例の動作について
述べる。ロード室１に搬送された試料は、８０℃にコン
トロールされた試料加熱プレート８−ヒに設置される。
述べる。ロード室１に搬送された試料は、８０℃にコン
トロールされた試料加熱プレート８−ヒに設置される。
その後、ロード室１は数ｍＴｏｒｒの圧力に設定された
後、約３０秒の間、４０ ｍ Ｗ ／ ｃｓＺ程度の照
度の紫外光が照射される。その後、試料は図示してない
アームにより試料加熱プレート８より持ち上げられしば
らく待機する。次に試料は。
後、約３０秒の間、４０ ｍ Ｗ ／ ｃｓＺ程度の照
度の紫外光が照射される。その後、試料は図示してない
アームにより試料加熱プレート８より持ち上げられしば
らく待機する。次に試料は。
プラズマエツチング処理室２に搬送され、ドライエツチ
ング処理がされる。ここで、次の試料は前試料がエツチ
ング処理されている間に、上記、カ・ｊドライエツチン
グ処理をロード室１で行なう。このため１．処理能力は
、従来のドライエツチング処理のみの場合とほとんど変
わらない。
ング処理がされる。ここで、次の試料は前試料がエツチ
ング処理されている間に、上記、カ・ｊドライエツチン
グ処理をロード室１で行なう。このため１．処理能力は
、従来のドライエツチング処理のみの場合とほとんど変
わらない。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように本発明によれば、エツチ
ングマスクであるレジスト膜の耐ドライエツチング性向
上とエツチング処理を真空中で連続に処理が行なわれる
。よって多工程化による試料へのダスト付着あるいは、
試料の大気放置時の水力の再吸着による耐ドライエツチ
ング性効果の低下を防ぐことが可能であり、−層、厳し
いドライエツチングプロセスにおいて安定して処理する
ことができる。
ングマスクであるレジスト膜の耐ドライエツチング性向
上とエツチング処理を真空中で連続に処理が行なわれる
。よって多工程化による試料へのダスト付着あるいは、
試料の大気放置時の水力の再吸着による耐ドライエツチ
ング性効果の低下を防ぐことが可能であり、−層、厳し
いドライエツチングプロセスにおいて安定して処理する
ことができる。
第１図は、本発明のドライエツチング装置の一部断面構
造図である。 １ ロード室、 ２ ・・プラズマエツチング処理室
、 ３ ・・・アンロード室、 ４゜５．６．７ ・
・・ゲートバルブ、 ８ ・・・試料加熱プレート、
９ ・・・紫外線ランプ照射装置、１０・・・石英ガラ
ス、１１・・・上部電極、 １２・・・下部電極。 特許出願人 松下電子工業株式会社
造図である。 １ ロード室、 ２ ・・プラズマエツチング処理室
、 ３ ・・・アンロード室、 ４゜５．６．７ ・
・・ゲートバルブ、 ８ ・・・試料加熱プレート、
９ ・・・紫外線ランプ照射装置、１０・・・石英ガラ
ス、１１・・・上部電極、 １２・・・下部電極。 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 紫外線ランプ照射装置及び試料加熱プレートを装備した
真空処理室とプラズマエッチング室から構成され、前記
真空処理室で試料に塗布されたレジスト膜に紫外線照射
と加熱を施した後、プラズマエッチング室で前記レジス
ト膜をマスクにして被エッチング膜をプラズマエッチン
グする機能を有することを特徴とするドライエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8568889A JPH02265240A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8568889A JPH02265240A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265240A true JPH02265240A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13865790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8568889A Pending JPH02265240A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477890A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8568889A patent/JPH02265240A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477890A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
| EP0477890A3 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-18 | Canon Kk | Processing method and apparatus |
| EP0909989A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method and apparatus |
| US5962194A (en) * | 1990-09-26 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
| US6025115A (en) * | 1990-09-26 | 2000-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method for etching a substrate |
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