JPS63118066A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS63118066A JPS63118066A JP26187986A JP26187986A JPS63118066A JP S63118066 A JPS63118066 A JP S63118066A JP 26187986 A JP26187986 A JP 26187986A JP 26187986 A JP26187986 A JP 26187986A JP S63118066 A JPS63118066 A JP S63118066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- sputtering
- load lock
- lock chamber
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタ装置に係り、特に成膜処理前にクリ
ー二〉グ処理が必要な試料に成膜するのに好適なスパッ
タ装置に関するものである。
ー二〉グ処理が必要な試料に成膜するのに好適なスパッ
タ装置に関するものである。
従来のスパッタ装置としては、「電子材料」 １９８４
年３月号のｆｇ８９頁から第９３頁に記載されているよ
うな装置が知られている。
年３月号のｆｇ８９頁から第９３頁に記載されているよ
うな装置が知られている。
この装置においては、スパフタリシグによる成膜を行う
前の試料のニッチクリ−二〉グに、高周波プラズマ放電
を利用している。
前の試料のニッチクリ−二〉グに、高周波プラズマ放電
を利用している。
上記従来技術においては、エッチレートの向上のための
高出力の印加と試料に入射する荷電粒子の持つエネルギ
ーとを独立させることができないため、高いエツチクリ
ーニレグ効率を得ることと低いダメージに抑えることが
両立しない関係にあった。また、放電を維持するために
必要な圧力が高く、クリーニングした界面に不純物が残
りやすく、素子の電気的特性を損いやすいという問題も
有していた。
高出力の印加と試料に入射する荷電粒子の持つエネルギ
ーとを独立させることができないため、高いエツチクリ
ーニレグ効率を得ることと低いダメージに抑えることが
両立しない関係にあった。また、放電を維持するために
必要な圧力が高く、クリーニングした界面に不純物が残
りやすく、素子の電気的特性を損いやすいという問題も
有していた。
本発明の目的は、低ダメージで高エッチレートを得るこ
とができると共に、素子の電気的特性を損うことがない
スパッタ装置を提供することにある。
とができると共に、素子の電気的特性を損うことがない
スパッタ装置を提供することにある。
上記目的は、スパッタ装置を、試料に成膜処理を施こす
スパッタ成膜手段と、マイクロ波プラズマ放電を利用し
前記試料と前記成膜処理前にクリーニング処理する前処
理手段とを具備したものとすることにより、達成される
。
スパッタ成膜手段と、マイクロ波プラズマ放電を利用し
前記試料と前記成膜処理前にクリーニング処理する前処
理手段とを具備したものとすることにより、達成される
。
マイクロ波プラズマ放電においては、通常の高周波プラ
ズマ放電に比べ下記の特徴を有する。
ズマ放電に比べ下記の特徴を有する。
１）プラズマ密度が高い。
２）放電圧力が低い。
３）試料にバイアス電圧を印加することにより、入射す
るイオンエネルギーを制御できる。
るイオンエネルギーを制御できる。
したがって、入射する荷電粒子のエネルギーを高くする
ことな（高いスパッタリング効果が得られるので素子へ
のダメージの心配が少なく、また、放電圧力が一桁以上
も低いため、スパッタエッチクリーニング中のガス雰囲
気に不純物が少なく、また異物の基板への付着も少なく
できる。
ことな（高いスパッタリング効果が得られるので素子へ
のダメージの心配が少なく、また、放電圧力が一桁以上
も低いため、スパッタエッチクリーニング中のガス雰囲
気に不純物が少なく、また異物の基板への付着も少なく
できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、スパッタ装置は、ロードロック室１゜スパッ
タエッチ処理室２．スパッタ処理室３の３真空室から成
る。それぞれの真空室間およびロードロック室ｌと大気
との間はゲートバルブ４〜６によって真空的に隔離でき
る構造となっている。
タエッチ処理室２．スパッタ処理室３の３真空室から成
る。それぞれの真空室間およびロードロック室ｌと大気
との間はゲートバルブ４〜６によって真空的に隔離でき
る構造となっている。
それぞれの真空室１〜３は、それぞれ必要に応じた真空
排気装置７〜９を備え、所要の圧力まで排気される。
排気装置７〜９を備え、所要の圧力まで排気される。
スパッタエッチ処理室２は、マイクロ波放電部１０、基
板１！！極１１１図示しないガス導入部を有している。
板１！！極１１１図示しないガス導入部を有している。
スパッタ処理室３は、基板ホルダ１２．スパッタ電極１
３．同じく図示しないガス導入部を具備する。
３．同じく図示しないガス導入部を具備する。
試料である被処理基板１４は、ロードロック室ｌが大気
圧の状態でゲートバルブ４を経て図示しない搬送装置に
よってロードロック室１に移送され、ロードロック室ｌ
が排気装置７によって所定圧力まで排気された後にゲー
トバルブ５を経てスパッタエッチ処理室２に搬入される
。ここで被処理基板１４は基板１！極１１に載置され、
マイクロ波放電部ｌＯで発生したプラズマによりスパッ
タエッチクリーニングを施される。スパッタエッチクリ
ーニングを終了した被処理基板１４は、高真空中で清浄
な表面を保ったままスパッタ処理室３へ移され、スパッ
タ電極１３により所定の成膜処理を受け、逆の手順によ
ってロードロック室１を経て回収される。
圧の状態でゲートバルブ４を経て図示しない搬送装置に
よってロードロック室１に移送され、ロードロック室ｌ
が排気装置７によって所定圧力まで排気された後にゲー
トバルブ５を経てスパッタエッチ処理室２に搬入される
。ここで被処理基板１４は基板１！極１１に載置され、
マイクロ波放電部ｌＯで発生したプラズマによりスパッ
タエッチクリーニングを施される。スパッタエッチクリ
ーニングを終了した被処理基板１４は、高真空中で清浄
な表面を保ったままスパッタ処理室３へ移され、スパッ
タ電極１３により所定の成膜処理を受け、逆の手順によ
ってロードロック室１を経て回収される。
本実施例によれば、ダメージが少なく高エッチレートで
不純物汚染の少ないスパッタエッチクリーニングを行う
ことができる。また、素子のダメージを抑制して高速ク
リーニング処理できるので、スループット並びに歩留り
を向上できる。
不純物汚染の少ないスパッタエッチクリーニングを行う
ことができる。また、素子のダメージを抑制して高速ク
リーニング処理できるので、スループット並びに歩留り
を向上できる。
本発明によれば、低ガス圧力雰囲気中で、低い入射エネ
ルギーでかつ高ｑＰ：度のプラズマによるクリー二〉グ
処理が行えるので、低ダメージで高エッチレートを得る
ことができると共に、素子の電気的特性を損うことがな
いといった効果がある。
ルギーでかつ高ｑＰ：度のプラズマによるクリー二〉グ
処理が行えるので、低ダメージで高エッチレートを得る
ことができると共に、素子の電気的特性を損うことがな
いといった効果がある。
第１図は本発明の一実施例のスパッタ装置面の装置構成
図である。 １・・・・・・ ロードロック室、２・・・・・・スパ
ッタエッチ処理室、３・・・・・・スパッタ処理室、４
ないし６ ・・・・・ゲートバルブ、７ないし９・・・
・・・排気装置、１０・・・・・・マイクロ波放電部、
１３・・・・・・スパッタ電極イｌ 圀
図である。 １・・・・・・ ロードロック室、２・・・・・・スパ
ッタエッチ処理室、３・・・・・・スパッタ処理室、４
ないし６ ・・・・・ゲートバルブ、７ないし９・・・
・・・排気装置、１０・・・・・・マイクロ波放電部、
１３・・・・・・スパッタ電極イｌ 圀
Claims (1)
- １、試料に成膜処理を施こすスパッタ成膜手段と、マイ
クロ波プラズマ放電を利用し前記試料を前記成膜処理前
にクリーニング処理する前処理手段とを具備したことを
特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26187986A JPS63118066A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26187986A JPS63118066A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118066A true JPS63118066A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17368030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26187986A Pending JPS63118066A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63118066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009051A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Zima A.S. | Decorative coating |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP26187986A patent/JPS63118066A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1977 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009051A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Zima A.S. | Decorative coating |
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