JPH02264430A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハを補強板等に貼り付けた後、所定の
ウェハ厚に仕上げる半導体装置の製造方法に関するもの
である。

〔従来の技術〕

第６図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の製造方法を示す工程断
面図である。

この図において、１はＧ　ａ　Ａ　ｓウェハ、２は前記
ＧａＡｓウェハ１内に形成されたチップ、３はメツキ処
理によるメタライズが行われたポンディングパッド、４
は全工程完了後チップ２を分離するために設けられたス
クライブライン、７は前記Ｇ　ａＡｓＡｓウニへ補強板
８を貼り付けるワックス、８は補強板、９は規定ウェハ
厚に仕上った最終ＧａＡｓつ、ｌＣハ、１ｏは前記Ｇａ
Ａｓウェハ１の表面側に形成されたパターン保護用の保
護膜、１１はウニへ仕上げ面である。

次に製造工程について説明する。

まず、第６図（ａ）に示すように、表工檜が完了したＧ
ａＡｓウェハ１にパターン保護用の保護膜１ｏを塗布し
、次（こ補強板８に貼り付けするためのワックス７を塗
布する。この保護膜１０とワックス７はスピンニート等
で処理され、２０〜４０μｍ程度の厚みとなる。次に、
第６図（ｂ）に示すように、第６図（ａ）で保護膜１０
とワックス７を塗布したＧａＡｓウェハ１を補強板８に
貼り付ける。貼り付けは、ワックス７の軟化湿度まで昇
温しに後、任意の荷重を加えることによって行われる。

そして、最後に第６図（ｃ）に示すように、第６図（ｂ
）で貼り付けられたＧａＡｓウェハ１を研削装置等で所
定のウェハ厚に研削した後、補強板８から剥がし、所定
の薬液処理によってワックス７と保護膜１ｏを除去する
乙とにより最終ＧａＡｓウェハ９を得る。なお、裏面の
メタライズ工程は図示していない。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来の半導体装置の製造方法では、ウニ八
代上げ面１１に貼り付は状態に起因する凹凸が発生する
ため、高出力チップでは最終ＧａＡｓウェハ厚が３０μ
ｍ程度に仕上げる必要があるのに対し、ＧａＡｓウェハ
１面内において、±２０μｍ程度の厚み差が発生すると
いう問題点があった。

この傾向は、最終ＧａＡｓウェハ９厚が薄い程、また、
メツキ処理されたメタライズ部のメツキ厚みのバラツキ
およびメツキの突起が大きい程顕著に現れる。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、所望のＧａＡｓウェハ厚に精度よ（仕上げ
ることができる半導体装置の製造方法を得ることを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のチップ
が形成されたウニへのスクライブライン上に、チップ内
最大突起パターンより厚い間隔保持膜を形成する工程と
、ウェハ上にろう材を塗布して補強板に貼り付ける工程
と、ウェハを加工して所定厚とする工程とを含むもので
ある。

〔作用〕

この発明においては、貼り付けの際のウェハと補強板の
間隔が間隔保持膜によって、ウェハ全面において確実に
保持される。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例について説明する。

第１図（ａ）〜（ｄ）は、この発明の半導体装置の製造
方法の一実施例を示す工程断面図である。これらの図に
おいて、第６図と同一符号は同一のものを示し、５は前
記補強板８とＧａＡｓウェハ１の貼り付は間隔を保持す
る、例えば格子状の間隔保持膜である。

次に製造工程について説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、表工程が完了したＧ
ａＡｓウェハ１の、全工程終了後チップ２を分離するた
めのスクライブライン４上に、チップ２内最大の突起パ
ターンより厚く格子状の間隔保持膜５を形成する。この
時の平面図は第２図（、）に示すようになり、また、そ
のＡ１−Ａ２方向の断面図は第２図（ｂ）に示すように
なる。

次に第１図（ｂ）に示すように、ＧａＡｓウェハ１上に
形成した間隔保持膜５の上から、間隔保持膜５の間およ
び上部に、スビンコ−１・、ローラコ−１・によりワッ
クス７を満遍なく均一に塗布する。

次に第１図（ｅ）に示すように、ＧａＡｓウェハ１と補
強板８間を間隔保持膜５によって、貼り付は間隔を保持
した状態でワックス７の軟化温度まで昇温した後、任意
の荷重を加えることにより貼り付けを行う。

そして、最後に第１図（ｄ）に示すように、第１図（ｅ
）で貼り付けられたＧａＡｓウェハ１を研削装置等で所
定のウェハ厚に研削した後、補強板８から剥し、所定の
薬液処理によってワックス７と間隔保持膜５を除去する
ことにより、最終ＧａＡｓウェハ９を得る。

すなわち、この発明によれば、各チップ２と補強板８と
の間隔をスクライブライン４上に形成した間隔保持膜５
によって確実に保持しているため、ひいてはＧａＡｓウ
ェハ１全体が補強板８との間隔を保持しているなめ、最
終Ｇ　ａＡｓウエノ１９を凹凸もなく面内均一に所望の
ウェハ厚に精度良く仕上げることができる。

なお、上記実施例では第２図（ａ）、（ｂ）に示したよ
うに、間隔保持膜５を全工程終了後チップ２を分離する
ためのスクライブライン４上に格子状に形成した場合に
ついて説明したが、間隔保持膜５は第３図（ａ）、（ｂ
）に示すように、スクライブライン４上の４辺において
、各辺の中央部分を開口するように配置しても同様の効
果を発揮し、かつ開口部からワックス７がＧ　ａＡｓウ
ェハ全面に浸透するため、貼り付は精度がより改善され
る。

また、同様の目的で、第４図（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、スクライブライン４の交差する４箇所を開口した場
合も同様の効果を発揮する。

さらに、第５図（ａ）、（ｂ）に示すように、メツキ処
理されたチップ２内の最大突起パターンのポンディング
パッド３を逃げるようにポンディングパッド開口部６を
設け、他の部分全体に間隔保持膜５を形成しても同様の
効果を発揮する。この場合、最大突起パターンをポンデ
ィングパッド３としたが、メツキエアーブリッジ部とし
ても同様である。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、複数のチップが形成さ
れたウニへのスクライブライン上に、チップ内最大突起
パターンより厚い間隔保持膜を形成する工程と、ウェハ
上にろう材を塗布して補強板に貼り付ける工程と、ウェ
ハを加工して所定厚とする工程とを含むので、貼付けの
際のウェハと補強板の間隔が間隔保持膜によってウェハ
全面において確実に保持され、貼り付は精度が大幅に向
上し、研削後の最終ウニへの厚みの制御性が大幅に向上
するという効果が得られ、高出力・高周波数化が進む半
導体装置の性能の向上と特性の均一化が図られるほか、
歩留り向上、低コスト化にも効果が発揮される。

また、厚み精度の向上は、組立工数の低減にもつながり
、より低コスト化が図られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示す工程断面図、第２図〜第５図は各実施例を説明する
ための図、第６図は従来の半導体装置の製造方法を示す
工程断面図である。 図において、１はＧａＡｓウェハ、２はチップ、３はポ
ンディングパッド、４はスクライブライン、５は間隔保
持膜、６はポンディングパッド開口部、７はワしクス、
８は補強板、９は最終Ｇ　ａＡｓウェハである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２図 第３図 ６４ホ゛＞ｆ’ｒ’−グツＶツド開口加手続補正書（自
発） 平成 ３、補正をする者 代表者 ４、代 第 図 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書の第２頁１８行の［軟化湿度」を、「軟化
温度」と補正する。 （３）同じく第４頁７行、第７頁１６行の「ろう材を」
を、「ろう材等を」と補正する。 以　　上 ２、特許請求の範囲 複数のチップが形成されたウニへのスクライブライン上
に、前記チップ内最大突起パターンより厚い間隔保持膜
を形成する工程と、前記ウェハ上にろう材亙を塗布して
補強板に貼り付ける工程と、前記ウェハを加工して所定
厚とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数のチップが形成されたウェハのスクライブライン上
   に、前記チップ内最大突起パターンより厚い間隔保持膜
   を形成する工程と、前記ウェハ上にろう材を塗布して補
   強板に貼り付ける工程と、前記ウェハを加工して所定厚
   とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
   方法。