JPH06120131A - ウエハアダプター - Google Patents
ウエハアダプターInfo
- Publication number
- JPH06120131A JPH06120131A JP27004692A JP27004692A JPH06120131A JP H06120131 A JPH06120131 A JP H06120131A JP 27004692 A JP27004692 A JP 27004692A JP 27004692 A JP27004692 A JP 27004692A JP H06120131 A JPH06120131 A JP H06120131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adapter
- thickness
- adaptor
- recessed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ウエハアダプター３には収容保持すべきウエ
ハ１の厚さと実質的に等しい深さを有し、かつウエハ１
とほぼ等しい形状の凹部４が設けられ、凹部４の底面に
はウエハ１を真空吸着するための貫通孔５が設けられて
いる。 【効果】 ウエハの全面に均一な厚さのレジストを塗布
することができるので、ウエハの端部に至るまで半導体
装置を作ることができる。
ハ１の厚さと実質的に等しい深さを有し、かつウエハ１
とほぼ等しい形状の凹部４が設けられ、凹部４の底面に
はウエハ１を真空吸着するための貫通孔５が設けられて
いる。 【効果】 ウエハの全面に均一な厚さのレジストを塗布
することができるので、ウエハの端部に至るまで半導体
装置を作ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おいてウエハを保持するためのウエハアダプターに関
し、特にウエハ上へのレジスト塗布を良好に行うことの
できるアダプターに関する。
おいてウエハを保持するためのウエハアダプターに関
し、特にウエハ上へのレジスト塗布を良好に行うことの
できるアダプターに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
ウエハは種々の処理を受ける。処理中のウエハの変形、
破損を防ぐために、従来はウエハ裏面に補強用の金属等
を付け、あるいはウエハの厚さを厚くして強度を高める
方法が採られていた。
ウエハは種々の処理を受ける。処理中のウエハの変形、
破損を防ぐために、従来はウエハ裏面に補強用の金属等
を付け、あるいはウエハの厚さを厚くして強度を高める
方法が採られていた。
【０００３】補強材を付ける方法では、補強材の取付け
および除去という余分の工程を必要とする。また、ウエ
ハの強度を高めるためにその厚さを厚くすると、製造工
程の最後にウエハを所定の厚さまで薄くする必要があ
り、工程の増加と単結晶インゴットの浪費を招く。
および除去という余分の工程を必要とする。また、ウエ
ハの強度を高めるためにその厚さを厚くすると、製造工
程の最後にウエハを所定の厚さまで薄くする必要があ
り、工程の増加と単結晶インゴットの浪費を招く。
【０００４】さらに、レジスト塗布工程において問題が
生ずるわけではない。図４は従来技術によって厚いウエ
ハ１上にレジスト２を塗布した状態を模式的に示したも
のである。図示するように、ウエハ１の端部において、
塗布されたレジストに盛り上がりが生じ、その結果、ウ
エハの端部では露光工程におけるマスクパターンの正確
な転写が不可能であった。
生ずるわけではない。図４は従来技術によって厚いウエ
ハ１上にレジスト２を塗布した状態を模式的に示したも
のである。図示するように、ウエハ１の端部において、
塗布されたレジストに盛り上がりが生じ、その結果、ウ
エハの端部では露光工程におけるマスクパターンの正確
な転写が不可能であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
の問題を解決し、レジストをウエハの全面に均一に塗布
することができる簡単な構成のウエハアダプターを提供
し、このことによりウエハを薄いまま工程処理を行うこ
とができることを目的とする。
の問題を解決し、レジストをウエハの全面に均一に塗布
することができる簡単な構成のウエハアダプターを提供
し、このことによりウエハを薄いまま工程処理を行うこ
とができることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるウエハアダプターは収容保持すべきウ
エハの厚さと実質的に等しい深さを有し、かつ該ウエハ
とほぼ等しい形状の凹部が設けられ、該凹部の底面には
前記ウエハを真空吸着するための貫通孔が設けられてい
ることを特徴とする。
に、本発明によるウエハアダプターは収容保持すべきウ
エハの厚さと実質的に等しい深さを有し、かつ該ウエハ
とほぼ等しい形状の凹部が設けられ、該凹部の底面には
前記ウエハを真空吸着するための貫通孔が設けられてい
ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によるウエハアダプターはウエハを収容
する凹部を有し、ウエハは補強治具であるアダプターに
保持されたまま、各種の処理工程を受ける。特にアダプ
ターの凹部の深さは実質的にウエハの厚さと等しい。従
って、凹部に収容保持されたウエハの表面とアダプター
の周縁部は実質的に同一平面をなす。そのため、ウエハ
上に塗布されたレジストはウエハの全面において均一な
厚さを有する。
する凹部を有し、ウエハは補強治具であるアダプターに
保持されたまま、各種の処理工程を受ける。特にアダプ
ターの凹部の深さは実質的にウエハの厚さと等しい。従
って、凹部に収容保持されたウエハの表面とアダプター
の周縁部は実質的に同一平面をなす。そのため、ウエハ
上に塗布されたレジストはウエハの全面において均一な
厚さを有する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】図１に本発明によるウエハアダプターの模
式的斜視図を示す。アダプター３はウエハ１を収容する
ための凹部４を有する。凹部４の平面形状は、収容・保
持すべきウエハと同じ形状、すなわち円の一部を切断し
た形状とし、その大きさはウエハと等しいか、わずかに
大きくする。この凹部４にはウエハを裏面から真空収着
するための穴５が設けられている。アダプターの材質
は、金属，セラミックスなど、ウエハを補強し得るもの
の中から適宜に選択することができる。図２はアダプタ
ー３にウエハ１を保持した状態を示す断面図である。ア
ダプター３に設けられた凹部の深さは、アダプターが保
持すべきウエハ１の厚さと実質的に同じ深さとする。従
って、ウエハ１を保持した時にアダプター３の周縁部６
はウエハ１と実質的に同一平面をなす。図３はこのよう
にしてアダプター１に保持されたウエハ１の表面にレジ
スト２を塗布した状態を示す。図示したように、レジス
ト２の盛り上がり部はアダプター３の周縁部に移行し、
ウエハ１の表面上のレジストの厚さは極めて均一であっ
た。アダプターの凹部の深さはウエハの厚さと厳密に一
致する必要はなく、多少ばらつきがあっても、レジスト
の平坦性に問題はなかった。
式的斜視図を示す。アダプター３はウエハ１を収容する
ための凹部４を有する。凹部４の平面形状は、収容・保
持すべきウエハと同じ形状、すなわち円の一部を切断し
た形状とし、その大きさはウエハと等しいか、わずかに
大きくする。この凹部４にはウエハを裏面から真空収着
するための穴５が設けられている。アダプターの材質
は、金属，セラミックスなど、ウエハを補強し得るもの
の中から適宜に選択することができる。図２はアダプタ
ー３にウエハ１を保持した状態を示す断面図である。ア
ダプター３に設けられた凹部の深さは、アダプターが保
持すべきウエハ１の厚さと実質的に同じ深さとする。従
って、ウエハ１を保持した時にアダプター３の周縁部６
はウエハ１と実質的に同一平面をなす。図３はこのよう
にしてアダプター１に保持されたウエハ１の表面にレジ
スト２を塗布した状態を示す。図示したように、レジス
ト２の盛り上がり部はアダプター３の周縁部に移行し、
ウエハ１の表面上のレジストの厚さは極めて均一であっ
た。アダプターの凹部の深さはウエハの厚さと厳密に一
致する必要はなく、多少ばらつきがあっても、レジスト
の平坦性に問題はなかった。
【００１０】厚さ２５０μｍのＧａＡｓウエハを上述し
たアダプターによって保持し、スピンコーターを用いて
レジストを塗布した。従来、一般に用いられているウエ
ハの厚さは約６００μｍであったが、本発明によるウエ
ハアダプターを用いることによって、２５０μｍという
薄い厚さのＧａＡｓウエハの全面に均一な厚さのレジス
トを塗布することができた。そのためにウエハの端部に
至るまで、無駄なく半導体装置を作ることができた。
たアダプターによって保持し、スピンコーターを用いて
レジストを塗布した。従来、一般に用いられているウエ
ハの厚さは約６００μｍであったが、本発明によるウエ
ハアダプターを用いることによって、２５０μｍという
薄い厚さのＧａＡｓウエハの全面に均一な厚さのレジス
トを塗布することができた。そのためにウエハの端部に
至るまで、無駄なく半導体装置を作ることができた。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるウエ
ハアダプターはウエハ処理工程中における有効簡便な補
強治具であり、特に本発明のアダプターを用いることに
よって、ウエハの全面に均一な厚さのレジストを塗布す
ることができるので、ウエハの端部に至るまで半導体装
置を作ることができる。さらにウエハの厚さを初めから
薄くすることにより、一本のインゴットから多くのウエ
ハを採取することができる。さらにまた、補強材の取付
けおよび除去、または半導体装置の製造工程の最後にウ
エハを薄くするという余分な工程を除くことができる。
ハアダプターはウエハ処理工程中における有効簡便な補
強治具であり、特に本発明のアダプターを用いることに
よって、ウエハの全面に均一な厚さのレジストを塗布す
ることができるので、ウエハの端部に至るまで半導体装
置を作ることができる。さらにウエハの厚さを初めから
薄くすることにより、一本のインゴットから多くのウエ
ハを採取することができる。さらにまた、補強材の取付
けおよび除去、または半導体装置の製造工程の最後にウ
エハを薄くするという余分な工程を除くことができる。
【図１】本発明によるウエハアダプターの概要を示す模
式的斜視図である。
式的斜視図である。
【図２】アダプターにウエハを保持した状態を示す断面
図である。
図である。
【図３】ウエハ表面にレジストを塗布した状態を示す断
面図である。
面図である。
【図４】従来技術によるレジスト塗布の状態を示す断面
図である。
図である。
１ ウエハ ２ レジスト ３ アダプター ４ 凹部 ５ 穴 ６ アダプター周縁部
Claims (1)
- 【請求項１】 収容保持すべきウエハの厚さと実質的に
等しい深さを有し、かつ該ウエハとほぼ等しい形状の凹
部が設けられ、該凹部の底面には前記ウエハを真空吸着
するための貫通孔が設けられていることを特徴とするウ
エハアダプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27004692A JPH06120131A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | ウエハアダプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27004692A JPH06120131A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | ウエハアダプター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120131A true JPH06120131A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17480776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27004692A Pending JPH06120131A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | ウエハアダプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120131A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024520A2 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Applied Materials, Inc. | Reticle adapter for a reactive ion etch system |
| EP1136887A2 (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Asm Lithography B.V. | Substrate holder for lithographic apparatus |
| EP1380898A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-14 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder and device manufacturing method |
| US6822730B2 (en) | 2002-07-11 | 2004-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and device manufacturing method |
| WO2007023746A1 (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Limited | 半導体ウェハ用搬送トレイ |
| JP2015103683A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP27004692A patent/JPH06120131A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024520A2 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Applied Materials, Inc. | Reticle adapter for a reactive ion etch system |
| EP1024520A3 (en) * | 1999-01-27 | 2003-11-12 | Applied Materials, Inc. | Reticle adapter for a reactive ion etch system |
| EP1136887A2 (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Asm Lithography B.V. | Substrate holder for lithographic apparatus |
| EP1136887A3 (en) * | 2000-03-16 | 2003-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder for lithographic apparatus |
| EP1380898A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-14 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder and device manufacturing method |
| US6822730B2 (en) | 2002-07-11 | 2004-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and device manufacturing method |
| CN1332268C (zh) * | 2002-07-11 | 2007-08-15 | Asml荷兰有限公司 | 基底固定件以及器件制造方法 |
| WO2007023746A1 (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Limited | 半導体ウェハ用搬送トレイ |
| JP2015103683A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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