JPS58125878A - 発光素子固定基板 - Google Patents
発光素子固定基板Info
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- JPS58125878A JPS58125878A JP57008345A JP834582A JPS58125878A JP S58125878 A JPS58125878 A JP S58125878A JP 57008345 A JP57008345 A JP 57008345A JP 834582 A JP834582 A JP 834582A JP S58125878 A JPS58125878 A JP S58125878A
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- JP
- Japan
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- emitting element
- light emitting
- light
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数個の発光部を有する発光素子の多数個を
配列固定する際に用いられる発光素子固定基板に関する
。
配列固定する際に用いられる発光素子固定基板に関する
。
複数個の発光部を有する発光素子の多数個をセラミック
基板等に配列固定する場合、従来では、セラミック基板
上に所定個の電極を設け、所定の位置に顕微伊にて一素
子毎に置き、発光素子上面より機械的に加圧、加熱し２
発光素子の裏面金属と、セラミック基板上の電極金属と
の共晶で固着するか、多数個の発光素子を機械的に位置
決めし、加圧により仮固定し、その后加熱して共晶ある
いは導電性接着剤にて接着固定していた。
基板等に配列固定する場合、従来では、セラミック基板
上に所定個の電極を設け、所定の位置に顕微伊にて一素
子毎に置き、発光素子上面より機械的に加圧、加熱し２
発光素子の裏面金属と、セラミック基板上の電極金属と
の共晶で固着するか、多数個の発光素子を機械的に位置
決めし、加圧により仮固定し、その后加熱して共晶ある
いは導電性接着剤にて接着固定していた。
ところが、いずれの場合も、機械的加圧の場合において
は、低加圧では接着層が増し、コンタクト抵抗が増大し
、発光素子の特性が低下し、又平面上の機械的精度が悪
くなる。また高圧の加圧では、発光素子に用いられる硬
脆材料においては、カケ、チノピ／グを発生せしめ、歩
留りの低下をまねく大きな原因となっていた。また上面
の発光部よりの機械的加圧では、発光部を傷つけたりす
るおそれがあり、微細電極パターンを断線させないため
には、かなり高度の熟練を必要とし、しかも注意力を要
し、非常に疲れる作業となる。
は、低加圧では接着層が増し、コンタクト抵抗が増大し
、発光素子の特性が低下し、又平面上の機械的精度が悪
くなる。また高圧の加圧では、発光素子に用いられる硬
脆材料においては、カケ、チノピ／グを発生せしめ、歩
留りの低下をまねく大きな原因となっていた。また上面
の発光部よりの機械的加圧では、発光部を傷つけたりす
るおそれがあり、微細電極パターンを断線させないため
には、かなり高度の熟練を必要とし、しかも注意力を要
し、非常に疲れる作業となる。
本発明は、以上の問題点を解消するためになされたもの
で、発光素子の固定位置に透孔を形成し、との透孔の周
囲に導電膜を形成することにより、発光素子を適度な圧
力で基板に吸着させることができ特性の低下や歩留りの
低下を来たすことなく、容易に製造することのできる発
光素子固定基板を提供することを目的とする。
で、発光素子の固定位置に透孔を形成し、との透孔の周
囲に導電膜を形成することにより、発光素子を適度な圧
力で基板に吸着させることができ特性の低下や歩留りの
低下を来たすことなく、容易に製造することのできる発
光素子固定基板を提供することを目的とする。
以下に本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図であっ３ ・・
−７′ で、アルミナ等の絶縁セラミック基板１上の、発光素子
の固着すべき位置に、共通電極のだめの導電金属膜２が
形成され、金属膜２から基板１に達するように透孔３が
形成され、透孔３の周囲には半田あるいは導電性接着剤
等の固着部４が形成されている。なお、固着部４は、本
実施例のように透孔３の周囲のみでなくとも、第２図に
示すように、導電金属膜２上全体に形成することも可能
である。
−７′ で、アルミナ等の絶縁セラミック基板１上の、発光素子
の固着すべき位置に、共通電極のだめの導電金属膜２が
形成され、金属膜２から基板１に達するように透孔３が
形成され、透孔３の周囲には半田あるいは導電性接着剤
等の固着部４が形成されている。なお、固着部４は、本
実施例のように透孔３の周囲のみでなくとも、第２図に
示すように、導電金属膜２上全体に形成することも可能
である。
このような発光素子固定基板１を用いて発光素子を固定
するには、まず別に作成した真空チャック治具に発光素
子固定基板１を固定し、その状態で基板１上の所定の位
置に発光素子を、顕微鏡や位置決め用治具を用いて精度
良く設置し、その後基板１の裏面より真空吸引して、透
孔３上に各発光素子を仮固定する。その後、加熱するこ
とにより、第３図に示すように、発光素子５の裏面を導
電金属膜２上に固着部により固着して完成する。
するには、まず別に作成した真空チャック治具に発光素
子固定基板１を固定し、その状態で基板１上の所定の位
置に発光素子を、顕微鏡や位置決め用治具を用いて精度
良く設置し、その後基板１の裏面より真空吸引して、透
孔３上に各発光素子を仮固定する。その後、加熱するこ
とにより、第３図に示すように、発光素子５の裏面を導
電金属膜２上に固着部により固着して完成する。
このように、本実施例によれば、真空吸引により発光素
子を仮固定し、その後圧着により固着することかできる
ため、発光素子の基板への加圧が適度に行なえ、しかも
発光素子の裏面からの吸着であるため、接着層の増大に
基く特性の低下や、発光素子のカケ、チッピングの発生
や、発光部の損傷もなく、容易に固着作業が行なえる。
子を仮固定し、その後圧着により固着することかできる
ため、発光素子の基板への加圧が適度に行なえ、しかも
発光素子の裏面からの吸着であるため、接着層の増大に
基く特性の低下や、発光素子のカケ、チッピングの発生
や、発光部の損傷もなく、容易に固着作業が行なえる。
第４図は本発明の他の実施例を示す斜視図であって、絶
縁基板１上に導電金属膜２が形成され、発光素子を固着
すべき位置には、位置決めを容易にするため、および後
の真空吸引の効果を高めるため、溝６が形成されている
。溝６内の導電金属膜２から基板１を貫通して透孔３が
形成され、透孔３の周囲には接着層４が形成されている
。
縁基板１上に導電金属膜２が形成され、発光素子を固着
すべき位置には、位置決めを容易にするため、および後
の真空吸引の効果を高めるため、溝６が形成されている
。溝６内の導電金属膜２から基板１を貫通して透孔３が
形成され、透孔３の周囲には接着層４が形成されている
。
本実施例によれば、溝６内に発光素子を設置するだけで
、発光素子を直線状に配置することが可能で、先述した
実施例よりも製造作業が容易に行なえる。また、溝６が
形成されているため、透孔３より真空吸引した場合、吸
着効果が増し、圧着時にも位置ずれなく精度良く製造す
ることができる。
、発光素子を直線状に配置することが可能で、先述した
実施例よりも製造作業が容易に行なえる。また、溝６が
形成されているため、透孔３より真空吸引した場合、吸
着効果が増し、圧着時にも位置ずれなく精度良く製造す
ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、発光素６ ／、
−゛ 子を固定すべき位置に透孔が形成されているため、真空
吸引によって発光素子を裏面から仮固定し、その後圧着
によって固着することができるため、発光素子の基板へ
の加圧が適度に行なえ、特性の低下や、発光素子の損傷
もなく、容易に固着作業が行なえる。
−゛ 子を固定すべき位置に透孔が形成されているため、真空
吸引によって発光素子を裏面から仮固定し、その後圧着
によって固着することができるため、発光素子の基板へ
の加圧が適度に行なえ、特性の低下や、発光素子の損傷
もなく、容易に固着作業が行なえる。
第１図、第２図は本発明の一実施例における発光素子固
定基板を示す平面図、第３図は本発明により製造された
発光装置を示す斜視図、第４図は本発明の他の実施例を
示す斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・導電性金属膜、３
・・・・・・透孔、４・・・・・・固着部、６・・・・
・・発光素子、６・・・・・・溝。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
定基板を示す平面図、第３図は本発明により製造された
発光装置を示す斜視図、第４図は本発明の他の実施例を
示す斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・導電性金属膜、３
・・・・・・透孔、４・・・・・・固着部、６・・・・
・・発光素子、６・・・・・・溝。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 発光素子を固定すべき位置に透孔が形成され、前記透孔
の周囲に導電膜が形成されていることを特徴とする発光
素子固定基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008345A JPS58125878A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 発光素子固定基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008345A JPS58125878A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 発光素子固定基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125878A true JPS58125878A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11690623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008345A Pending JPS58125878A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 発光素子固定基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187070A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US4605944A (en) * | 1984-09-11 | 1986-08-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | LED array device for printer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394784A (en) * | 1976-12-20 | 1978-08-19 | Texas Instruments Inc | Light emitting diode array |
-
1982
- 1982-01-21 JP JP57008345A patent/JPS58125878A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394784A (en) * | 1976-12-20 | 1978-08-19 | Texas Instruments Inc | Light emitting diode array |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187070A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US4605944A (en) * | 1984-09-11 | 1986-08-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | LED array device for printer |
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