JPH02263754A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は超電導体の製造方法に係り、特に高い臨界電流
密度（以下、Ｊｃと称する。）を有する酸化物超電導体
の製造方法に関する。
密度（以下、Ｊｃと称する。）を有する酸化物超電導体
の製造方法に関する。
［従来の技術］
近年、超電導体の開発競争が著しい速度で進められてお
り、特にＹＢａ２ Ｃｕ３０ ｘで代表されるＬｎ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０系酸化物（Ｌｎ：希土類元素）は９０にと
いう高い臨界温度（以下、Ｔｃと称する。）を有し、実
用可能な材料として注目されている。
り、特にＹＢａ２ Ｃｕ３０ ｘで代表されるＬｎ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０系酸化物（Ｌｎ：希土類元素）は９０にと
いう高い臨界温度（以下、Ｔｃと称する。）を有し、実
用可能な材料として注目されている。
実用材料としては、高いＪｃを有し、かつ加工性に優れ
ることが必要であり、このため焼結体の高密度化が不可
欠の要件となっている。従来、このような高密度化の問
題に対しては、原料粉末の微細化および均質化のアプロ
ーチから検討されてきており、有効な手段として認めら
れている。
ることが必要であり、このため焼結体の高密度化が不可
欠の要件となっている。従来、このような高密度化の問
題に対しては、原料粉末の微細化および均質化のアプロ
ーチから検討されてきており、有効な手段として認めら
れている。
しかしながら、原料粉末を成型後焼結する方法ではその
高密度化、すなわちＪｃの向上に限界があるという問題
がある。
高密度化、すなわちＪｃの向上に限界があるという問題
がある。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記の難点を解決するためになされたもので、
原料粉末を用いて超電導体を製造する方法における空孔
の存在量を減少させ、これによりＪｃを向上させること
のできる方法を提供することをその目的とする。
原料粉末を用いて超電導体を製造する方法における空孔
の存在量を減少させ、これによりＪｃを向上させること
のできる方法を提供することをその目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明の酸化物超電導体の
製造方法は、Ｙ 、 ＢａおよびＣｕをそれぞれ約２：
ｌ＋１の比率（モル比）で含む仮焼粉あるいは焼結粉と
、ＢａおよびＣｕをそれぞれ含む金属塩を混合し、次い
でこの混合物を成型後、焼成するものである。
製造方法は、Ｙ 、 ＢａおよびＣｕをそれぞれ約２：
ｌ＋１の比率（モル比）で含む仮焼粉あるいは焼結粉と
、ＢａおよびＣｕをそれぞれ含む金属塩を混合し、次い
でこの混合物を成型後、焼成するものである。
上記の発明において、金属塩中のＢａおよびＣｕのモル
比を約３：５とすることが好ましい。
比を約３：５とすることが好ましい。
焼結により生成される超電導物質は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−
系であるが、これにＦ等の元素を添加したものも含まれ
る。
系であるが、これにＦ等の元素を添加したものも含まれ
る。
本発明における金属塩としては、詣肪酸、樹脂酸、ナフ
テン酸等のアルカリ塩以外の金属塩、すなわち金属石け
んおよびアセチルアセトン錯塩が適する。
テン酸等のアルカリ塩以外の金属塩、すなわち金属石け
んおよびアセチルアセトン錯塩が適する。
上記の金属石けんは常態の液状あるいはキシレン、トル
エン、ナフサ、アルコール、ケトン系等の溶媒に均一に
分散せしめて粉末と混合する。
エン、ナフサ、アルコール、ケトン系等の溶媒に均一に
分散せしめて粉末と混合する。
成型後の超電導物質の焼結体の生成は、酸素気流中ある
いは酸素加圧下で酸化調整しながら、あるいは空気中で
８５０〜９８０℃、好ましくは９２５〜９５０℃に加熱
することにより行われる。
いは酸素加圧下で酸化調整しながら、あるいは空気中で
８５０〜９８０℃、好ましくは９２５〜９５０℃に加熱
することにより行われる。
この焼結層の外側に安定化材を被覆することもでき、た
とえば銀、銅、アルミニウムまたはこれらの合金をメツ
キや蒸着により、０．１−１０μｍの厚さに施すことが
できる。
とえば銀、銅、アルミニウムまたはこれらの合金をメツ
キや蒸着により、０．１−１０μｍの厚さに施すことが
できる。
さらに、その外側に絶縁被膜を施すこともできる。絶縁
被膜としては有機あるいは無機材料が用いられ、前者の
有機絶縁被膜としてはＵｖ硬化ウレタン樹脂やＰＶＰ
、ポリエステル、シリコーン等のエナメルフェスを、一
方、後者の無機絶縁被膜としてはアルミナやポリボロシ
ロキサン樹脂等を挙げることができる。もちろん上記の
安定化材を介さずに直接絶縁被膜を施すこともできる。
被膜としては有機あるいは無機材料が用いられ、前者の
有機絶縁被膜としてはＵｖ硬化ウレタン樹脂やＰＶＰ
、ポリエステル、シリコーン等のエナメルフェスを、一
方、後者の無機絶縁被膜としてはアルミナやポリボロシ
ロキサン樹脂等を挙げることができる。もちろん上記の
安定化材を介さずに直接絶縁被膜を施すこともできる。
［作用］
本発明の方法においては、焼結時にまず金属塩がその融
点に達して液相となり、粒子間に浸透して超導物質生成
の反応が促進されるとともに、液相の成長の結果、空孔
が減少しＪｅが向上する。
点に達して液相となり、粒子間に浸透して超導物質生成
の反応が促進されるとともに、液相の成長の結果、空孔
が減少しＪｅが向上する。
［実施例］
Ｙ ２０５ 、ＢａＣＪおよびＣｕＯノ各粉末をＹ：Ｂ
ａ：Ｃｕ−１：２：３のモル比で混合し、８００″ＣＸ
２４時間加熱して仮焼粉を得た。
ａ：Ｃｕ−１：２：３のモル比で混合し、８００″ＣＸ
２４時間加熱して仮焼粉を得た。
一方、オクチル酸バリウム（Ｂａ分８ｖｔ％）を４８５
ｇ。
ｇ。
オクチル酸銅（Ｃｕ分５ｖｔ％）を５７０ｇを均一に混
合し、上記の仮焼粉５に対してｌの割合で混合した。
合し、上記の仮焼粉５に対してｌの割合で混合した。
このようにして得られたペースト状の混合物をドクター
ブレード法により銀テープ上に成膜した後、９３０″Ｃ
Ｘ ２４時間加熱したところち密な焼結体が得られた。
ブレード法により銀テープ上に成膜した後、９３０″Ｃ
Ｘ ２４時間加熱したところち密な焼結体が得られた。
この焼結体の特性を４端子法で測定した結果、”ｒｅは
８（ｉＫ、Ｊｃは１７６０Ａ／ｃｓｔ （ａｔ７７Ｋ
）であった。
８（ｉＫ、Ｊｃは１７６０Ａ／ｃｓｔ （ａｔ７７Ｋ
）であった。
比較例
Ｙ ２０ ｓ 、ＢａＣＯ３およびＣｕＯの各粉末をＹ
：Ｂａ：Ｃ１３ｗｌ：２：３のモル比で混合し、８００
℃Ｘ２４時間加熱して仮焼粉を得た。この仮焼粉をＩｔ
／ｃ−の圧力でプレス成型し、次いで９００℃×２４時
間加熱して焼結体を得た。
：Ｂａ：Ｃ１３ｗｌ：２：３のモル比で混合し、８００
℃Ｘ２４時間加熱して仮焼粉を得た。この仮焼粉をＩｔ
／ｃ−の圧力でプレス成型し、次いで９００℃×２４時
間加熱して焼結体を得た。
また、その特性を４端子法で測定した結果、臨界電流密
度（Ｊｅ ）は５００Ａ／ ｃＪ （ａｔ７７Ｋ）であ
った。
度（Ｊｅ ）は５００Ａ／ ｃＪ （ａｔ７７Ｋ）であ
った。
上記の実施例および比較例で得られた線材がら採取した
試料を走査電子顕微鏡で観察した結果、前者は後者に比
較して著しく空孔の存在量が減少していることが確認さ
れた。
試料を走査電子顕微鏡で観察した結果、前者は後者に比
較して著しく空孔の存在量が減少していることが確認さ
れた。
［発明の効果］
以上述べたように本発明の酸化物超電導体の製造方法に
よれば、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０系の超電導体を構成する各元素
を所定比率で含む粉体と、ＢａおよびＣｕを含む金属塩
とを混合することにより焼結時に反応が促進され、これ
によりち密な超電導体を生成させるこができ、その臨界
電流密度を向上させることができる。
よれば、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０系の超電導体を構成する各元素
を所定比率で含む粉体と、ＢａおよびＣｕを含む金属塩
とを混合することにより焼結時に反応が促進され、これ
によりち密な超電導体を生成させるこができ、その臨界
電流密度を向上させることができる。
Claims (2)
- （１）Ｙ、ＢａおよびＣｕをそれぞれ約２：１：１の比
率で含む仮焼粉あるいは焼結粉と、ＢａおよびＣｕをそ
れぞれ含む金属塩を混合し、次いで、この混合物を成型
後、焼成することを特徴とする酸化物超電導体の製造方
法。 - （２）金属塩中のＢａとＣｕの比は約３：５である請求
項１記載の酸化物系超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084246A JPH02263754A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084246A JPH02263754A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263754A true JPH02263754A (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=13825104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084246A Pending JPH02263754A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02263754A (ja) |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP1084246A patent/JPH02263754A/ja active Pending
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