JPH0360458A - 酸化物超伝導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導体の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、酸化物超伝導体の製造方法に関し。
特にＹ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物超伝導体の製造方法に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
酸化物超伝導体は、膜やテープ線材として各種・の電気
機器に利用する試みがなされている。
機器に利用する試みがなされている。
このような膜やテープ線材の製造は、例えば膜の場合に
は、金属や緻密質セラミックスの表面に酸化物超伝導体
の原料をスラリー又は溶液として塗布して焼成し、また
、テープ線材の場合には、酸化物超伝導体の粉末を金属
製バイブに充填し、冷間圧延加工機でその充填バイブを
加圧しながら引き延ばし、テープ状にしたのち焼成する
ことによって行なわれていた。
は、金属や緻密質セラミックスの表面に酸化物超伝導体
の原料をスラリー又は溶液として塗布して焼成し、また
、テープ線材の場合には、酸化物超伝導体の粉末を金属
製バイブに充填し、冷間圧延加工機でその充填バイブを
加圧しながら引き延ばし、テープ状にしたのち焼成する
ことによって行なわれていた。
［発明が解決しようとする課題〕
Ｙ４＋１−Ｃｕ系酸化物超伝導体の臨界電流密度は超伝
導体の相対密度（見掛は密度／真密度を％で示したもの
）が高いほど高いが、それに加えて、超伝導体粒子の粒
界析出物の存在がその値を大きく左右する。
導体の相対密度（見掛は密度／真密度を％で示したもの
）が高いほど高いが、それに加えて、超伝導体粒子の粒
界析出物の存在がその値を大きく左右する。
前記の方法で製造した膜やテープ線材は、焼成の際に粒
成長が進行すると同時に、粒界析出物が生成し、１ｉｉ
ｌ場中における臨界電流密度を低下させるという欠点が
あった。
成長が進行すると同時に、粒界析出物が生成し、１ｉｉ
ｌ場中における臨界電流密度を低下させるという欠点が
あった。
［課題を解決するための手段１
本発明者等は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物超伝導体を焼成
する際１粒界析出物の生成を抑制する方法について研究
した結果、該超伝導体の組成の一部を構成する［１ａ−
Ｃｕ−Ｏ系化合物が低融点であることを利用して、この
目的を達成する製造方法を見出した。
する際１粒界析出物の生成を抑制する方法について研究
した結果、該超伝導体の組成の一部を構成する［１ａ−
Ｃｕ−Ｏ系化合物が低融点であることを利用して、この
目的を達成する製造方法を見出した。
すなわち本発明は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物に、Ｂ
ａ及びＣＩＪを含む溶液を含浸させ、乾燥、脱脂後、Ｂ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物の融点を超える温度で焼成するこ
とを特徴とする酸化物超伝導体の製造方法である。
ａ及びＣＩＪを含む溶液を含浸させ、乾燥、脱脂後、Ｂ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物の融点を超える温度で焼成するこ
とを特徴とする酸化物超伝導体の製造方法である。
本発明における基体の材質はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合
物であり、具体的にはＹＢａｚＣｕＪつが代表的なもの
である。
物であり、具体的にはＹＢａｚＣｕＪつが代表的なもの
である。
基体の製造は、従来実施されている製法に従えばよく、
また、その形状は特定されないが、溶液の含浸を効率よ
く行なうためには薄いものが好ましい。
また、その形状は特定されないが、溶液の含浸を効率よ
く行なうためには薄いものが好ましい。
含浸させる溶液中のＢａ及びＣｕの組成は、焼成に際し
て９２０℃前後で融解するものが好ましく、具体的には
原子比でＢａ：Ｃｕ＝！・２〜２：３である。
て９２０℃前後で融解するものが好ましく、具体的には
原子比でＢａ：Ｃｕ＝！・２〜２：３である。
溶媒に溶解させる原料としては、有機系のものとしてナ
フテン酸塩、オクチル酸塩、ステアリン酸塩、アセチル
アセトナート、アルコキシドなどが、また、無機系のも
のとして硝酸塩、酢酸塩などが挙げられる。
フテン酸塩、オクチル酸塩、ステアリン酸塩、アセチル
アセトナート、アルコキシドなどが、また、無機系のも
のとして硝酸塩、酢酸塩などが挙げられる。
溶媒としては、上記の原料を溶解するものが用いられ、
有機系としてブタノール、トルエン、キシレン、ピリジ
ンなどが、また、無機系のものとして水が挙げられる。
有機系としてブタノール、トルエン、キシレン、ピリジ
ンなどが、また、無機系のものとして水が挙げられる。
溶液の濃度としては、溶解度にもよるが、ｌＯ〜ｌｏＯ
ｇ／ｆｆｉが好ましい。
ｇ／ｆｆｉが好ましい。
含浸は目的とする形状、例えば膜２テープなどに成形さ
れた基体に対して行なうが、その方法はとぶ漬け、塗布
、刷毛塗り、スプレーなど任意の方法が採用できる。含
浸後、約１００℃で乾燥し、４００〜６００℃で１時間
程度脱脂する。この含浸、乾燥、脱脂は必要に応じて反
復し、基体中に溶液を十分に含浸させる。
れた基体に対して行なうが、その方法はとぶ漬け、塗布
、刷毛塗り、スプレーなど任意の方法が採用できる。含
浸後、約１００℃で乾燥し、４００〜６００℃で１時間
程度脱脂する。この含浸、乾燥、脱脂は必要に応じて反
復し、基体中に溶液を十分に含浸させる。
焼成の際、含浸物は加熱によりＢａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物
となり、更に９２０℃前後で溶融する。したがって、焼
成は、Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物の融点を超える温度、す
なわち９２０〜１ｏｏｏ℃で、空気中又は酸素気流中で
行なわれる。この焼成により、溶融したＢａ−Ｃｕ−Ｏ
系化合物が基体と反応するため、粒界析出物の生成が抑
制される。焼成後、焼成炉内で放冷により徐冷される。
となり、更に９２０℃前後で溶融する。したがって、焼
成は、Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物の融点を超える温度、す
なわち９２０〜１ｏｏｏ℃で、空気中又は酸素気流中で
行なわれる。この焼成により、溶融したＢａ−Ｃｕ−Ｏ
系化合物が基体と反応するため、粒界析出物の生成が抑
制される。焼成後、焼成炉内で放冷により徐冷される。
［実施例Ｊ
Ｙ２Ｏ２、ＢａＣ（＋＋及びＣｕＯの各粉末を、金属原
子比でＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ ｌ：２：３の割合で配合し、
メタノールを添加してアルミナボールミルで２４時間混
合した後、１００℃で乾燥した。
子比でＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ ｌ：２：３の割合で配合し、
メタノールを添加してアルミナボールミルで２４時間混
合した後、１００℃で乾燥した。
得られた混合粉末に、可塑剤（ジブチルフタレート）、
バインダ（ポリビニルブチラール）、分散剤（オレイン
酸エチル）及び溶剤（エタノール及びキシレン）を加え
、再びアルミナボールミルで２４時間混合してスラリー
とした。
バインダ（ポリビニルブチラール）、分散剤（オレイン
酸エチル）及び溶剤（エタノール及びキシレン）を加え
、再びアルミナボールミルで２４時間混合してスラリー
とした。
得られたスラリーを減圧下に脱泡した後、ドクターブレ
ード法により厚さ約２００μｍのシートに成形して乾燥
し、５００℃で約１時間脱脂処理を行なった後、９００
℃で１時間、酸素気流中で焼成した。
ード法により厚さ約２００μｍのシートに成形して乾燥
し、５００℃で約１時間脱脂処理を行なった後、９００
℃で１時間、酸素気流中で焼成した。
含浸溶液として、Ｂａ及びＣｕのそれぞれのナフテン酸
塩を原子比で口ａ：ｃｕ＝３：５に混合し、トルエンに
２０ｇ／ｌの濃度に溶解させた。
塩を原子比で口ａ：ｃｕ＝３：５に混合し、トルエンに
２０ｇ／ｌの濃度に溶解させた。
前記の焼成シートに上記含浸溶液を塗布し、乾燥後５０
０℃で１０分間焼成して有機物を除去した。
０℃で１０分間焼成して有機物を除去した。
この含浸脱脂操作を１０回繰り返した後、含浸シートを
酸素気流中９６０℃で２時間焼成した。
酸素気流中９６０℃で２時間焼成した。
得られたサンプルについて、臨界温度及び臨界電流密度
を測定したところ、 臨界温度 ９１に 臨界電流密度 ６５〇八／ｃｍ” （ゼロ磁場、 ７
７Ｋｌであった。
を測定したところ、 臨界温度 ９１に 臨界電流密度 ６５〇八／ｃｍ” （ゼロ磁場、 ７
７Ｋｌであった。
比較例
実施例と同じ焼成シートを、含浸用液を塗布しないで焼
成した場合の臨界温度は９０にであり、臨界電流密度は
：１２０Ａ／ｃｍ”であった。
成した場合の臨界温度は９０にであり、臨界電流密度は
：１２０Ａ／ｃｍ”であった。
［発明の効果１
本発明によって、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物に、Ｂａ
とＣｕを含む溶液を含浸させ、Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物
の融点を超える温度で焼成することにより、臨界電流密
度が大幅に改善された。このことは、焼成の際に、粒間
に含浸されたＢａ及びＣｕの含浸物が溶融し、それがＹ
−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物超伝導体の結晶粒界を充填して改
質し、緻密化すると共に粒界析出物を抑制した結果と思
われる。
とＣｕを含む溶液を含浸させ、Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物
の融点を超える温度で焼成することにより、臨界電流密
度が大幅に改善された。このことは、焼成の際に、粒間
に含浸されたＢａ及びＣｕの含浸物が溶融し、それがＹ
−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物超伝導体の結晶粒界を充填して改
質し、緻密化すると共に粒界析出物を抑制した結果と思
われる。
Claims (1)
- （１）Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物に、Ｂａ及びＣｕを
含む溶液を含浸させ、乾燥、脱脂後、Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系
化合物の融点を超える温度で焼成することを特徴とする
酸化物超伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193225A JPH0360458A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 酸化物超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193225A JPH0360458A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 酸化物超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360458A true JPH0360458A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16304402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193225A Pending JPH0360458A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 酸化物超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360458A (ja) |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1193225A patent/JPH0360458A/ja active Pending
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