JPH02261594A - 超純水製造装置 - Google Patents
超純水製造装置Info
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- JPH02261594A JPH02261594A JP7849589A JP7849589A JPH02261594A JP H02261594 A JPH02261594 A JP H02261594A JP 7849589 A JP7849589 A JP 7849589A JP 7849589 A JP7849589 A JP 7849589A JP H02261594 A JPH02261594 A JP H02261594A
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Landscapes
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- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハーの洗浄に用いられる超純水の製
造装置に関する。
造装置に関する。
半導体ウェハーの洗浄には、微粒子、コロイダル物質、
高分子有機物、発熱性物質等を可能な限り除去した超純
水が用いられている。
高分子有機物、発熱性物質等を可能な限り除去した超純
水が用いられている。
このような半導体ウェハーの洗浄用水は従来、次のよう
な方法で製造されている。
な方法で製造されている。
すなわち、原水を凝集沈澱装置、砂濾過器、活性炭濾過
器、逆浸透膜装置、２床３塔式純水製造装置、混床式ポ
リシャー、精密フィルター等の一次側純水製造装置で処
理して純水を得、次いで半導体ウェハーを洗浄するユー
スポイントの直前で、前記純水を第２図に示すような超
純水製造装置において再度処理している。
器、逆浸透膜装置、２床３塔式純水製造装置、混床式ポ
リシャー、精密フィルター等の一次側純水製造装置で処
理して純水を得、次いで半導体ウェハーを洗浄するユー
スポイントの直前で、前記純水を第２図に示すような超
純水製造装置において再度処理している。
当該超純水製造装置は、−旦純水槽２０に貯溜した純水
を、紫外線照射装置２１、混床式ポリシャー２２、限外
濾過膜装置や逆浸透膜装置のような膜装置２３を用いて
順に処理し、前記純水中に残留するイオン、微粒子、コ
ロイダル物質等を可及的に取り除いて、半導体ウェハー
の洗浄に適する超純水とするものである。そして、膜装
置２３の透過水である超純水は循環ライン２４を通って
、第２図の一点鎖線で囲んだユースポイント２５におい
て半導体ウェハーの洗浄用に給水され、残余の超純水は
循環ライン２４をなず戻し配管２６を通して純水槽２０
に戻すものである。
を、紫外線照射装置２１、混床式ポリシャー２２、限外
濾過膜装置や逆浸透膜装置のような膜装置２３を用いて
順に処理し、前記純水中に残留するイオン、微粒子、コ
ロイダル物質等を可及的に取り除いて、半導体ウェハー
の洗浄に適する超純水とするものである。そして、膜装
置２３の透過水である超純水は循環ライン２４を通って
、第２図の一点鎖線で囲んだユースポイント２５におい
て半導体ウェハーの洗浄用に給水され、残余の超純水は
循環ライン２４をなず戻し配管２６を通して純水槽２０
に戻すものである。
このように、超純水製造装置では、その被処理水が一次
側純水製造装置で処理した純水であるにも拘らず、また
紫外線照射等を行っているにも拘らず、長時間の超純水
給水を継続すると、超純水中に生菌や微粒子が増加して
きて許容限度を超えるようになる。
側純水製造装置で処理した純水であるにも拘らず、また
紫外線照射等を行っているにも拘らず、長時間の超純水
給水を継続すると、超純水中に生菌や微粒子が増加して
きて許容限度を超えるようになる。
この原因として考えられるのは、一次側純水製造装置か
らの純水から持も込まれるもの、とユースポイント付近
から発注するもの、の二つであるが、このうち後者のユ
ースポイント付近からのものが主たる発生源として考え
られている。
らの純水から持も込まれるもの、とユースポイント付近
から発注するもの、の二つであるが、このうち後者のユ
ースポイント付近からのものが主たる発生源として考え
られている。
超純水製造装置あるいは循環ライン２４等に用いる配管
が汚染された場合、半導体ウェハーの洗浄用水として不
適当となるため、何らかの殺菌処理を施す必要が生ずる
が、従来は殺菌処理方法として、過酸化水素水のような
薬品や、熱水を用いた洗浄方法が頻繁にとられていた。
が汚染された場合、半導体ウェハーの洗浄用水として不
適当となるため、何らかの殺菌処理を施す必要が生ずる
が、従来は殺菌処理方法として、過酸化水素水のような
薬品や、熱水を用いた洗浄方法が頻繁にとられていた。
前記したように、超純水製造装置および循環ライン２４
に用いる配管等の殺菌処理方法として、従来は薬品を用
いる方法と、熱水を用いる方法がとられていた。このう
ち、薬品を用いる方法によった場合は、超純水製造装置
に用いる膜装置や配管系路を劣化させるという問題があ
るほか、殺菌後の洗浄に多量の純水を使用すると共に、
薬品の洗い出しに相当の時間が掛かるという問題がある
。
に用いる配管等の殺菌処理方法として、従来は薬品を用
いる方法と、熱水を用いる方法がとられていた。このう
ち、薬品を用いる方法によった場合は、超純水製造装置
に用いる膜装置や配管系路を劣化させるという問題があ
るほか、殺菌後の洗浄に多量の純水を使用すると共に、
薬品の洗い出しに相当の時間が掛かるという問題がある
。
一方、熱水による洗浄方法によった場合は、温度上昇や
下降により配管類に過度な膨張・収縮が加わるほか、急
激な温度上昇に伴う管内圧力の上昇等により配管類の耐
久性を悪くするという問題がある。また、いずれの方法
によった場合も、殺菌処理中はユースポイントへの給水
を停止しなければならず、半導体ウェハーの洗浄作業が
短期間で間歇的になるという問題がある。
下降により配管類に過度な膨張・収縮が加わるほか、急
激な温度上昇に伴う管内圧力の上昇等により配管類の耐
久性を悪くするという問題がある。また、いずれの方法
によった場合も、殺菌処理中はユースポイントへの給水
を停止しなければならず、半導体ウェハーの洗浄作業が
短期間で間歇的になるという問題がある。
従って、これら殺菌処理の回数は極力減らさなければな
らないが、回数の減少に反比例して生菌数等が増加して
くるという重大な問題がある。
らないが、回数の減少に反比例して生菌数等が増加して
くるという重大な問題がある。
本発明者はこのような問題点を解決すべく鋭意研究を行
った結果、ユースポイント付近が主たる汚染源であるご
とに着目し、このユースポイント以降の超純水の戻し配
管中にオゾンを注入すれば、当該オゾンのもつ強い殺菌
力で生菌数等を著しく減少させることができ、従来行っ
ていた殺菌処理の回数を大幅に減らずことができること
を見い出し、本発明を完成するに到ったものである。
った結果、ユースポイント付近が主たる汚染源であるご
とに着目し、このユースポイント以降の超純水の戻し配
管中にオゾンを注入すれば、当該オゾンのもつ強い殺菌
力で生菌数等を著しく減少させることができ、従来行っ
ていた殺菌処理の回数を大幅に減らずことができること
を見い出し、本発明を完成するに到ったものである。
従って、本発明は循環ラインを備えた超純水製造装置に
おいて、ユースポイントで残余する超純水の戻し配管に
オゾン注入装置を付設し、当該オゾン注入装置より超純
水中にオゾン水乃至オゾンガスを注入し、常時超純水を
殺菌できるようになし、薬品や熱水を用いた循環ライン
全体の洗浄回数を大幅に減らすことができるようになし
た超純水製造装置を提供することを目的とするものであ
る。
おいて、ユースポイントで残余する超純水の戻し配管に
オゾン注入装置を付設し、当該オゾン注入装置より超純
水中にオゾン水乃至オゾンガスを注入し、常時超純水を
殺菌できるようになし、薬品や熱水を用いた循環ライン
全体の洗浄回数を大幅に減らすことができるようになし
た超純水製造装置を提供することを目的とするものであ
る。
上記目的を達成するための本発明の構成を詳述すれば、
第１請求項に係る発明は、一次側純水製造装置で得た純
水を、紫外線照射装置、混床式ポリシャー、膜装置の順
に処理することにより超純水を得、当該超純水をユース
ポイントで使用すると共に、ユースポイントで残余する
超純水を戻し配管を用いて、前記紫外線照射装置の前段
に循環するようになした超純水製造装置において、前記
戻し配管にオゾン注入装置を付設したことを特徴とする
超純水製造装置であり、また、第２請求項に係る発明は
、紫外線照射装置と混床式ポリシャーの間に脱気装置を
付設し、紫外線照射装置によりオゾンが分解されたとき
に発生する酸素を除去するようになした第１請求項記載
の超純水製造装置である。
第１請求項に係る発明は、一次側純水製造装置で得た純
水を、紫外線照射装置、混床式ポリシャー、膜装置の順
に処理することにより超純水を得、当該超純水をユース
ポイントで使用すると共に、ユースポイントで残余する
超純水を戻し配管を用いて、前記紫外線照射装置の前段
に循環するようになした超純水製造装置において、前記
戻し配管にオゾン注入装置を付設したことを特徴とする
超純水製造装置であり、また、第２請求項に係る発明は
、紫外線照射装置と混床式ポリシャーの間に脱気装置を
付設し、紫外線照射装置によりオゾンが分解されたとき
に発生する酸素を除去するようになした第１請求項記載
の超純水製造装置である。
以下、本発明装置の具体的構成を図示の実施例に基づき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明超純水製造装置の一実施例を示すフロー
の説明図であり、図中１は一次側純水製造装置で得た純
水を貯溜させておく純水槽を示す。
の説明図であり、図中１は一次側純水製造装置で得た純
水を貯溜させておく純水槽を示す。
２は純水槽ｌ内の純水を超純水製造装置で処理しながら
ユースポイント３に給水し、残余の超純水を再び純水槽
ｌ内に戻す循環ラインを示す。
ユースポイント３に給水し、残余の超純水を再び純水槽
ｌ内に戻す循環ラインを示す。
４は純水槽ｌからユースポイント３に至る循環ライン２
中に付設した紫外線照射装置、５は混床式ポリシャー、
６は限外濾過膜装置や逆浸透膜装置のような膜装置をそ
れぞれ示すものである。
中に付設した紫外線照射装置、５は混床式ポリシャー、
６は限外濾過膜装置や逆浸透膜装置のような膜装置をそ
れぞれ示すものである。
７はユースポイント３から純水槽ｌに至る戻し配管８中
に付設したオゾン注入装置である。
に付設したオゾン注入装置である。
オゾン注入装置７から超純水中に注入されるオゾンは予
じめオゾンを溶解させたオゾン水でも、オゾンガスを直
接注入してもよいのは勿論である。
じめオゾンを溶解させたオゾン水でも、オゾンガスを直
接注入してもよいのは勿論である。
なお、図示の実施例では、ユースポイント３寄りに当該
オゾン注入装置７を付設しであるが、これをたとえば純
水槽ｌ寄りの戻し配管８中に付設するようにしてもよく
、要はユースポイント３以降の戻し配管８中にオゾン注
入装置７が付設される限りにおいて注入位置は特に重要
な意味をもたない。
オゾン注入装置７を付設しであるが、これをたとえば純
水槽ｌ寄りの戻し配管８中に付設するようにしてもよく
、要はユースポイント３以降の戻し配管８中にオゾン注
入装置７が付設される限りにおいて注入位置は特に重要
な意味をもたない。
オゾン注入装置７により超純水中に注入されたオゾンは
、純水槽ｌ後段の循環ライン中に付設しである紫外線照
射装置４により分解される。オゾンが分解されると酸素
が生成され、純水中の溶存酸素濃度が高められ、半導体
ウェハーの洗浄用水として使用することができなくなる
ので、増加した溶存酸素を除去することが必要となる。
、純水槽ｌ後段の循環ライン中に付設しである紫外線照
射装置４により分解される。オゾンが分解されると酸素
が生成され、純水中の溶存酸素濃度が高められ、半導体
ウェハーの洗浄用水として使用することができなくなる
ので、増加した溶存酸素を除去することが必要となる。
図中の９は、そのために紫外線照射装置４と混床式ポリ
シャー５の間に付設した脱気装置を示し、脱気装置９と
しては、膜脱気装置や、イオン交換樹脂を用いた脱酸素
装置、真空脱気装置、加熱脱気装置等を用いることがで
きる。
シャー５の間に付設した脱気装置を示し、脱気装置９と
しては、膜脱気装置や、イオン交換樹脂を用いた脱酸素
装置、真空脱気装置、加熱脱気装置等を用いることがで
きる。
次に、第１図に示す本発明超純水製造装置と、第２図に
示す従来の超純水製造装置を準備し、それぞれに同一条
件の一次側純水製造装置で得られた純水を通水して長期
間運転を行ったときの微生物数（個／１００ａｄ）と、
溶存酸素の量（μｇＯ／ｉ）を調べた。なお、運転開始
から１６日経過後に過酸化水素水を用いた殺菌洗浄を行
った。
示す従来の超純水製造装置を準備し、それぞれに同一条
件の一次側純水製造装置で得られた純水を通水して長期
間運転を行ったときの微生物数（個／１００ａｄ）と、
溶存酸素の量（μｇＯ／ｉ）を調べた。なお、運転開始
から１６日経過後に過酸化水素水を用いた殺菌洗浄を行
った。
その結果を表１に示す。
この表１によって明らかなように、オゾンを注入しない
従来装置においては、１４日を経過した頃から微生物数
が増加傾向を示し、１６日経過時点では、１０６個／１
００ｄもの微生物数が検出された。
従来装置においては、１４日を経過した頃から微生物数
が増加傾向を示し、１６日経過時点では、１０６個／１
００ｄもの微生物数が検出された。
しかしながら、戻し配管８中のｗｉ環される残余する超
純水にオゾンを注入する本発明装置によった場合は、運
転開始から１６日経過時点においても只の１個／１ｏｏ
ａｆが確認されただけであった。
純水にオゾンを注入する本発明装置によった場合は、運
転開始から１６日経過時点においても只の１個／１ｏｏ
ａｆが確認されただけであった。
なお、従来装置においては、洗浄実施後も前記と同様の
傾向が続き、４０日経過時点では１４１個／１００ｄも
の微生物数が検出されたが、本発明装置によった場合は
、只の２個／ｌ ＯＯｄが確認されただけであった。
傾向が続き、４０日経過時点では１４１個／１００ｄも
の微生物数が検出されたが、本発明装置によった場合は
、只の２個／ｌ ＯＯｄが確認されただけであった。
また、オゾンを注入する本発明装置における脱気装置の
前段階の溶存酸素濃度は、運転開始からほとんど一定し
て４００〜５００ ｕｇＯ／ ｌの数値を示したが、脱
気装置の後段では１４０〜１８０μｇｏ７ｅを示し、こ
の値はオゾンを注入しない従来装置によった場合の数値
とは！°同じであった。
前段階の溶存酸素濃度は、運転開始からほとんど一定し
て４００〜５００ ｕｇＯ／ ｌの数値を示したが、脱
気装置の後段では１４０〜１８０μｇｏ７ｅを示し、こ
の値はオゾンを注入しない従来装置によった場合の数値
とは！°同じであった。
これは、紫外線照射装置でオゾンが分解されたときに生
成する酸素が純水中に溶解することを示すと共に、脱気
装置が有効に機能して純水中の溶存酸素が取り除かれた
ことを示すものである。
成する酸素が純水中に溶解することを示すと共に、脱気
装置が有効に機能して純水中の溶存酸素が取り除かれた
ことを示すものである。
以上のように、本発明超純水製造装置によった場合は、
ユースポイントでの微生物発生数を大幅に減少させるこ
とができ、従来のように頻繁に薬品洗浄や熱水洗浄を行
う必要がなくなって、半導体ウェハーの洗浄作業が短期
間で間歇的になるという不具合点を解消することができ
るものである。
ユースポイントでの微生物発生数を大幅に減少させるこ
とができ、従来のように頻繁に薬品洗浄や熱水洗浄を行
う必要がなくなって、半導体ウェハーの洗浄作業が短期
間で間歇的になるという不具合点を解消することができ
るものである。
また、薬品洗浄や熱水洗浄の回数を減らすことができる
ので、超純水製造装置に用いる膜装置あるいは配管等の
耐久性を向上させることができると共に、本発明による
副次的効果として、紫外線照射装置でオゾンを分解した
際に発生する発生期の酸素により純水中の有機体炭素の
分解が促進され、半導体ウェハーの洗浄に良好な超純水
が得られるようになるものである。
ので、超純水製造装置に用いる膜装置あるいは配管等の
耐久性を向上させることができると共に、本発明による
副次的効果として、紫外線照射装置でオゾンを分解した
際に発生する発生期の酸素により純水中の有機体炭素の
分解が促進され、半導体ウェハーの洗浄に良好な超純水
が得られるようになるものである。
第１図は本発明超純水製造装置の一実施例を示すフロー
の説明図、第２図は従来の超純水製造装置の一例を示す
フローの説明図である。 ｌ：純水槽 ２：循環ライン３ニユースポイ
ント ４：紫外線照射装置５：混床式ポリシャー ６
：膜装置 ７：オゾン注入装置 ８：戻し配管 ９：脱気装置 特許出願人 オルガノ 株式会社
の説明図、第２図は従来の超純水製造装置の一例を示す
フローの説明図である。 ｌ：純水槽 ２：循環ライン３ニユースポイ
ント ４：紫外線照射装置５：混床式ポリシャー ６
：膜装置 ７：オゾン注入装置 ８：戻し配管 ９：脱気装置 特許出願人 オルガノ 株式会社
Claims (2)
- （１）一次側純水製造装置で得た純水を、紫外線照射装
置、混床式ポリシャー、膜装置の順に処理することによ
り超純水を得、当該超純水をユースポイントで使用する
と共に、ユースポイントで残余する超純水を戻し配管を
用いて、前記紫外線照射装置の前段に循環するようにな
した超純水製造装置において、前記戻し配管にオゾン注
入装置を付設したことを特徴とする超純水製造装置。 - （２）紫外線照射装置と混床式ポリシャーの間に脱気装
置を付設し、紫外線照射装置によりオゾンが分解された
ときに発生する酸素を除去するようになした第１請求項
記載の超純水製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849589A JPH02261594A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 超純水製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849589A JPH02261594A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 超純水製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02261594A true JPH02261594A (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=13663551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7849589A Pending JPH02261594A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 超純水製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02261594A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04161290A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-04 | Fujitsu Ltd | 純水製造装置および半導体基板の純水処理方法 |
| JP2004122020A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Japan Organo Co Ltd | 超純水製造装置及び該装置における超純水製造供給システムの洗浄方法 |
| JP2011161418A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Kurita Water Ind Ltd | 超純水製造システムの洗浄方法 |
| KR20220006514A (ko) | 2019-05-08 | 2022-01-17 | 가부시키가이샤 기츠 | 반도체 제조용·액정 제조용 및 전자부품용 세정수 처리 장치와 반도체 제조용·액정 제조용 및 전자부품용 세정수 처리 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144195A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-06-01 | Shinko Pantec Co Ltd | 超純水製造供給装置 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP7849589A patent/JPH02261594A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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