JPH02255572A - 窒化ケイ素焼結体 - Google Patents
窒化ケイ素焼結体Info
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- JPH02255572A JPH02255572A JP1079551A JP7955189A JPH02255572A JP H02255572 A JPH02255572 A JP H02255572A JP 1079551 A JP1079551 A JP 1079551A JP 7955189 A JP7955189 A JP 7955189A JP H02255572 A JPH02255572 A JP H02255572A
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 29
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は窒化ケイ素焼結体に関する。
(従来の技術)
窒化ケイ素焼結体は、耐熱性、耐熱衝撃性、耐蝕性に優
れているため、高温構造材料として期待されている材料
である。しかしながら、窒化珪素焼結体を製造する場合
、窒化珪素粉末のみで高密度、高強度の焼結体を得るの
は困難であることから、従来より種々の焼結助剤等を添
加する方法が試みられている。
れているため、高温構造材料として期待されている材料
である。しかしながら、窒化珪素焼結体を製造する場合
、窒化珪素粉末のみで高密度、高強度の焼結体を得るの
は困難であることから、従来より種々の焼結助剤等を添
加する方法が試みられている。
例えば、特開昭62−176958号公報には、・窒化
ケイ素粉末に対して焼結助剤のほかに、粒径が実質的に
0.1μm以下の炭化ケイ素超微粉末を添加し、焼成す
ることからなる窒化ケイ素焼結体の製造方法が記載され
ている。該方法により製造された焼結体は、β−Si:
+Na及びβ−3tCの結晶及び非晶質により構成され
ており、これにより高い曲げ強度及び耐酸化性が得られ
ている。
ケイ素粉末に対して焼結助剤のほかに、粒径が実質的に
0.1μm以下の炭化ケイ素超微粉末を添加し、焼成す
ることからなる窒化ケイ素焼結体の製造方法が記載され
ている。該方法により製造された焼結体は、β−Si:
+Na及びβ−3tCの結晶及び非晶質により構成され
ており、これにより高い曲げ強度及び耐酸化性が得られ
ている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記特開昭62−176958号公報の
製法により製造された焼結体は、第2図のグラフ中に破
線Bで示すように、1000〜1200″Cまでしか強
度が維持できず、1300℃になると急激に強度低下を
起こすという問題がある。
製法により製造された焼結体は、第2図のグラフ中に破
線Bで示すように、1000〜1200″Cまでしか強
度が維持できず、1300℃になると急激に強度低下を
起こすという問題がある。
従って、本発明は、1300℃以上の高い温度で使用し
た場合にも充分に高い強度が得られる窒化珪素焼結体を
提供することを目的とするものである。
た場合にも充分に高い強度が得られる窒化珪素焼結体を
提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明者は、上記の特開昭62−176958号の焼粘
体の高温における強度の低下が、結晶の粒界に存在する
非晶質相に起因すること、即ち、該焼結体を1300°
C以゛上の高温とすると、結晶粒界に存在する非晶質相
が軟化し、曲げ強度が低下する結果となることに着目し
、窒化ケイ素焼結体の構成相を、非晶質相を含まない構
成とすることにより、高温強度を向上しうろことを見出
した。さらに、鋭意研究の結果、焼結後の構成相が所定
の割合のβ−5i3Nn 、β−SiC及びα−サイア
ロンよりなる窒化ケイ素焼結体が1300°C以上の使
用温度において非常に高い強度を示し、また、1300
°C未満の使用温度においても、従来に比べて高い強度
を達成しうろことを見出した。
体の高温における強度の低下が、結晶の粒界に存在する
非晶質相に起因すること、即ち、該焼結体を1300°
C以゛上の高温とすると、結晶粒界に存在する非晶質相
が軟化し、曲げ強度が低下する結果となることに着目し
、窒化ケイ素焼結体の構成相を、非晶質相を含まない構
成とすることにより、高温強度を向上しうろことを見出
した。さらに、鋭意研究の結果、焼結後の構成相が所定
の割合のβ−5i3Nn 、β−SiC及びα−サイア
ロンよりなる窒化ケイ素焼結体が1300°C以上の使
用温度において非常に高い強度を示し、また、1300
°C未満の使用温度においても、従来に比べて高い強度
を達成しうろことを見出した。
従って、本発明の窒化珪素焼結体は、5iJ4SiC−
−AlN系の焼結体であって、その構成相がβ−SiC
5〜30重量%及びα−サイアロン10〜40重景%を
含み、理論密度が96%以上であることを特徴とする。
−AlN系の焼結体であって、その構成相がβ−SiC
5〜30重量%及びα−サイアロン10〜40重景%を
含み、理論密度が96%以上であることを特徴とする。
本発明の窒化珪素焼結体は、Si3N、粉末、SiC粉
末、iN粉末、及び所望により添加される慣用の焼結助
剤、例えばY2O3粉末を所定割合で混合し、成形し、
非酸化性雰囲気下で、α−サイアロンが前記の割合で形
成されるように適宜定められた焼結温度及び焼結時間で
焼結することにより製造することができる。
末、iN粉末、及び所望により添加される慣用の焼結助
剤、例えばY2O3粉末を所定割合で混合し、成形し、
非酸化性雰囲気下で、α−サイアロンが前記の割合で形
成されるように適宜定められた焼結温度及び焼結時間で
焼結することにより製造することができる。
このとき、形成されるα−サイアロン、β5isl’L
及びβ−3iCの比率は、各原料粉末の混合比を適宜選
択することにより、所望の値に定めることができる。
及びβ−3iCの比率は、各原料粉末の混合比を適宜選
択することにより、所望の値に定めることができる。
また、焼結温度及び焼結時間は、原料粉末の混合量等に
よっても異なるが、通常は、1700″C〜1900’
Cで1〜4時間とするとよい。
よっても異なるが、通常は、1700″C〜1900’
Cで1〜4時間とするとよい。
SiC粉末としては、α−サイアロンの形成に必要な酸
素を供給するために、予め酸化して表面にSiOの形成
されたものを使用するとよい。
素を供給するために、予め酸化して表面にSiOの形成
されたものを使用するとよい。
また、該粉末としては、粒径1μm以下の超微粒子を使
用するのが好ましい。
用するのが好ましい。
α−サイアロンの比率は、10重重量未満では、高温強
度の向上効果が得られず、40重重量を超えると却って
高温強度が低下するため、10〜40重量%とじた。
度の向上効果が得られず、40重重量を超えると却って
高温強度が低下するため、10〜40重量%とじた。
β−3iCの比率は、5重量%未満では高温強度の向上
効果が得られず、30重量%を超えると却って高温強度
が低下するため、5〜30重量%とした。
効果が得られず、30重量%を超えると却って高温強度
が低下するため、5〜30重量%とした。
焼結体密度は、96重量%未満では焼結体が緻密化され
ず、強度が低下するため、96重量%以上とした。
ず、強度が低下するため、96重量%以上とした。
(作用)
本発明の窒化ケイ素焼結体は、非晶質を含まず、β−5
iJ、 、β−SiC及びα−サイアロンを所定の比率
で含むため、高温強度が著しく向上し、1300°C以
上の高温においても粒界が軟化することがない。本発明
により得られる窒化ケイ素焼結体の強度を第2図のグラ
フに実線Aで示し、従来の窒化ケイ素焼結体の強度Bと
比較すると、本発明の窒化ケイ素焼結体の強度が全体的
に向上しており、特に1300’c以上の温度において
も強度が著しく低下することなく、従来の窒化ケイ素焼
結体に比べて著しく高いことがわかる。
iJ、 、β−SiC及びα−サイアロンを所定の比率
で含むため、高温強度が著しく向上し、1300°C以
上の高温においても粒界が軟化することがない。本発明
により得られる窒化ケイ素焼結体の強度を第2図のグラ
フに実線Aで示し、従来の窒化ケイ素焼結体の強度Bと
比較すると、本発明の窒化ケイ素焼結体の強度が全体的
に向上しており、特に1300’c以上の温度において
も強度が著しく低下することなく、従来の窒化ケイ素焼
結体に比べて著しく高いことがわかる。
また、本発明の窒化ケイ素焼結体は、第1図に示すよう
に、柱状結晶であるβ−5i3N、 lと等軸結晶で
あるα−サイアロン2とにより三次元的に構成されてい
るため、高強度化が達成される。
に、柱状結晶であるβ−5i3N、 lと等軸結晶で
あるα−サイアロン2とにより三次元的に構成されてい
るため、高強度化が達成される。
しかもβ−3iJa 1、α−サイアロン2の結晶の
周囲及び結晶内には、SiC微粒子3が分散されている
ため、SiC微粒子分散型のに+c(Hm界応力拡大係
数)向上を図ることができる。このことは、本発明の焼
結体の破壊靭性が向上していることを意味する。また、
β−3iCはβ−5i3N4及びα−サイアロンよりも
熱膨張係数が大きいため、β−SiC微粒子が分散され
た箇所では圧縮応力が働き、クラック伝播を防止でき、
この点においても高強度化が達成される。
周囲及び結晶内には、SiC微粒子3が分散されている
ため、SiC微粒子分散型のに+c(Hm界応力拡大係
数)向上を図ることができる。このことは、本発明の焼
結体の破壊靭性が向上していることを意味する。また、
β−3iCはβ−5i3N4及びα−サイアロンよりも
熱膨張係数が大きいため、β−SiC微粒子が分散され
た箇所では圧縮応力が働き、クラック伝播を防止でき、
この点においても高強度化が達成される。
(実施例)
実施例1〜7:
まず、平均粒径0.1am以下の微粒子SiC粉末を8
00℃にて数時間酸化させ、SiC微粉末の表面にSi
n、を生成させる。これにより得られた表面酸化SiC
粉末5〜30重量%、平均粒径0.6μmの高純度5i
Ja粉末91〜50重景%、平均粒径0.4μmのY2
O,粉末2〜10重量%、平均粒径0.4μmのAI!
、N粉末2〜10重量%を秤量し、48時間湿式混合し
、3t/c111の静水圧成形により所定形状に成形し
、非酸化性雰囲気下、1700〜1900°Cの焼結温
度にてα−サイアロンが生成する時間、例えば1800
’Cにて4時間、焼結を実施した。これにより、構成相
がβ−5tJ4、β−SiC及びα−サイアロンからな
り、β−SiC及びα−サイアロンの比率が、下記の表
1に示す比率A及びBである窒化ケイ素焼結体を得た。
00℃にて数時間酸化させ、SiC微粉末の表面にSi
n、を生成させる。これにより得られた表面酸化SiC
粉末5〜30重量%、平均粒径0.6μmの高純度5i
Ja粉末91〜50重景%、平均粒径0.4μmのY2
O,粉末2〜10重量%、平均粒径0.4μmのAI!
、N粉末2〜10重量%を秤量し、48時間湿式混合し
、3t/c111の静水圧成形により所定形状に成形し
、非酸化性雰囲気下、1700〜1900°Cの焼結温
度にてα−サイアロンが生成する時間、例えば1800
’Cにて4時間、焼結を実施した。これにより、構成相
がβ−5tJ4、β−SiC及びα−サイアロンからな
り、β−SiC及びα−サイアロンの比率が、下記の表
1に示す比率A及びBである窒化ケイ素焼結体を得た。
比較例1:
SiCを酸化せずに使用すること以外は、上記実施例と
同様の方法により、窒化ケイ素焼結体を製造し、β−5
iJL及びβ−SiCからなり、β−3iCの比率(A
)が20重量%である窒化ケイ素焼結体を得た。
同様の方法により、窒化ケイ素焼結体を製造し、β−5
iJL及びβ−SiCからなり、β−3iCの比率(A
)が20重量%である窒化ケイ素焼結体を得た。
比較例2:
SiCを添加しないこと以外は、上記実施例と同様の方
法により、窒化ケイ素焼結体を製造し、β−5iJa及
びα−サイアロンからなり、α−サイアロンの比率(B
)が20重量%である窒化ケイ素焼結体を得た。
法により、窒化ケイ素焼結体を製造し、β−5iJa及
びα−サイアロンからなり、α−サイアロンの比率(B
)が20重量%である窒化ケイ素焼結体を得た。
比較例3:
原料の混合比を変えて、比率A及びBをそれぞれ表1に
示した値とすること以外は、上記実施例と同様の方法に
より、窒化ケイ素焼結体を製造した。
示した値とすること以外は、上記実施例と同様の方法に
より、窒化ケイ素焼結体を製造した。
比較例4〜6;
焼結時間を30分間に短縮し、原料の混合比を変えて比
率A及びBをそれぞれ表1に示した値とすること以外は
、上記実施例と同様の方法により、窒化ケイ素焼結体を
製造した。
率A及びBをそれぞれ表1に示した値とすること以外は
、上記実施例と同様の方法により、窒化ケイ素焼結体を
製造した。
試験例:
上記実施何重ないし7及び比較側型ないし6で得られた
焼結体について、JIS規格により、3点曲げ強度試験
を各々室温、1200℃、1300°Cで実施した。結
果を表1に示す。表より、本発明の焼結体が1300°
Cの高温度雰囲気でも曲げ強度が高いことがわかる。な
お、表中、β−SiCの比率である比率Aは、次式によ
り計算される。
焼結体について、JIS規格により、3点曲げ強度試験
を各々室温、1200℃、1300°Cで実施した。結
果を表1に示す。表より、本発明の焼結体が1300°
Cの高温度雰囲気でも曲げ強度が高いことがわかる。な
お、表中、β−SiCの比率である比率Aは、次式によ
り計算される。
また、α−サイアロンの比率である比率Bは、次式によ
り計算される。
り計算される。
比較例1の焼結体は、SiCが酸化されておらず、α−
サイアロンの生成に必要な酸素が不足するため、α−サ
イアロンが生成せず、従って、1300″Cにおいては
曲げ強度が低い。比較例2の焼結体は、SiCが添加さ
れていないため、比較例3の焼結体はβ−3iCの比率
が低いため、比較例4の焼結体はα−サイアロンの比率
が低いため、比較例5の焼結体は密度が小さく、しかも
β−SiCの比率が高すぎ、α−サイアロンの比率が低
いため、比較例6の焼結体はα−サイアロンの値及びβ
−3iCの値とも低いため、各々1300°Cにおける
曲げ強度が低い。
サイアロンの生成に必要な酸素が不足するため、α−サ
イアロンが生成せず、従って、1300″Cにおいては
曲げ強度が低い。比較例2の焼結体は、SiCが添加さ
れていないため、比較例3の焼結体はβ−3iCの比率
が低いため、比較例4の焼結体はα−サイアロンの比率
が低いため、比較例5の焼結体は密度が小さく、しかも
β−SiCの比率が高すぎ、α−サイアロンの比率が低
いため、比較例6の焼結体はα−サイアロンの値及びβ
−3iCの値とも低いため、各々1300°Cにおける
曲げ強度が低い。
e
(発明の効果)
本発明の窒化ケイ素焼結体は、所定の比率のβ−5iJ
n 、β−SiC及びα−サイアロンからなるため、高
温強度が高く、また破壊靭性等の特性にも優れている。
n 、β−SiC及びα−サイアロンからなるため、高
温強度が高く、また破壊靭性等の特性にも優れている。
従って、従来適用が困難であった使用温度の著しく高い
部品への使用も可能になり、窒化ケイ素焼結体の適用範
囲が拡大し、該焼結体が適用された部品の性能も向上す
る。
部品への使用も可能になり、窒化ケイ素焼結体の適用範
囲が拡大し、該焼結体が適用された部品の性能も向上す
る。
第1図は本発明の窒化ケイ素焼結体の結晶構造を示す模
式図、第2図は本発明及び従来例の窒化ケイ素焼結体の
各温度における強度を示すグラフである。 1・・・β−5tJ4 2・・・α−サイアロン3
・・・β−SiC 第1 52 二 ’15.1 12001300 °C
式図、第2図は本発明及び従来例の窒化ケイ素焼結体の
各温度における強度を示すグラフである。 1・・・β−5tJ4 2・・・α−サイアロン3
・・・β−SiC 第1 52 二 ’15.1 12001300 °C
Claims (1)
- Si_3N_4−SiC−AlN系の焼結体であって、
その構成相がβ−SiC5〜30重量%及びα−サイア
ロン10〜40重量%を含み、理論密度が96%以上で
あることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1079551A JP2725362B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 窒化ケイ素焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1079551A JP2725362B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 窒化ケイ素焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02255572A true JPH02255572A (ja) | 1990-10-16 |
JP2725362B2 JP2725362B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=13693145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1079551A Expired - Fee Related JP2725362B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 窒化ケイ素焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2725362B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5618768A (en) * | 1995-04-07 | 1997-04-08 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Sintered body of silicon nitride and composite sintered body of silicon nitride and silicon carbide |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1079551A patent/JP2725362B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5618768A (en) * | 1995-04-07 | 1997-04-08 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Sintered body of silicon nitride and composite sintered body of silicon nitride and silicon carbide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2725362B2 (ja) | 1998-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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