JPH02253909A - ポリカーボネート製光ディスク基板 - Google Patents
ポリカーボネート製光ディスク基板Info
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- JPH02253909A JPH02253909A JP1075123A JP7512389A JPH02253909A JP H02253909 A JPH02253909 A JP H02253909A JP 1075123 A JP1075123 A JP 1075123A JP 7512389 A JP7512389 A JP 7512389A JP H02253909 A JPH02253909 A JP H02253909A
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 22
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔膣東上の荊用分野〕
本発明は、ポリカーボネー)11J11gを用いて射出
成形により製造した光ディスク基板に関する。
成形により製造した光ディスク基板に関する。
1%密度情報記録担体用基板としての退配形あるいは畳
換え可能形光ディスク基板は、ボリヵーボネー)[脂を
用い1射出成形によりaiILされる。
換え可能形光ディスク基板は、ボリヵーボネー)[脂を
用い1射出成形によりaiILされる。
元ディスク基板の特性として、複屈折1輪写性。
形状l′11度において紙しい要求がなされている。こ
れらの特性は、金型や成形条件に大きく依存している。
れらの特性は、金型や成形条件に大きく依存している。
特に成形条件は、その条件因子が多く、その設定により
特性が太き(変わる。
特性が太き(変わる。
複屈折を低減するための成形条件の条件範囲に関しては
、峙關昭60−155424に金型温度、射出シリンダ
ー温度が示されている。
、峙關昭60−155424に金型温度、射出シリンダ
ー温度が示されている。
しかし、光ディスク基板の特性に影譬を及はす保圧力お
よび保圧時間等に関しては、ふれられておらず、またそ
り変形の少ない着板を得るための成形条件は明らかKさ
れていない。
よび保圧時間等に関しては、ふれられておらず、またそ
り変形の少ない着板を得るための成形条件は明らかKさ
れていない。
従来技術は、光ディスク基板のそり変形に関して、変形
の少ない基板を得るための成形条件について明゛確にさ
れておらず、その!Ifi造において成形条件の設定は
、経験あるいは試行媚職の繰返しにより決定していた。
の少ない基板を得るための成形条件について明゛確にさ
れておらず、その!Ifi造において成形条件の設定は
、経験あるいは試行媚職の繰返しにより決定していた。
本発明は、そり変形の少ない、七り・山掘れ特性の良好
な光ディスクi板を得るためのR通な成形条件を91確
にすることを目的とし、その条件により裏道した元ディ
スク基板を提供することな目的とする。
な光ディスクi板を得るためのR通な成形条件を91確
にすることを目的とし、その条件により裏道した元ディ
スク基板を提供することな目的とする。
上記目的な達成するために、それぞれの成形条件につい
て、成形条件を変化させ基板の面振れ重およびチルトを
副足し、そり・面振れ特性に及ばず成形条件の影響を調
べた。そして、そり変形の少ない、そり・面像れ特性の
艮好な光ディスク基板を得るための1&通な成形条件を
見い出した。
て、成形条件を変化させ基板の面振れ重およびチルトを
副足し、そり・面振れ特性に及ばず成形条件の影響を調
べた。そして、そり変形の少ない、そり・面像れ特性の
艮好な光ディスク基板を得るための1&通な成形条件を
見い出した。
成形条件の5ち象徴温度は、基板の111a11時の変
形に影響な及はし、貧型温良が尚い時、基板は容易に変
形するため、そり・面煽れ物性は恐くなる。
形に影響な及はし、貧型温良が尚い時、基板は容易に変
形するため、そり・面煽れ物性は恐くなる。
よりて*撤温度は120℃以下である必景がある。
また、保圧力、保圧時間か大きい時やあるいはゲートカ
ット待時間が短かい時は、W腫の逆流が妨げられ、^い
圧力状態で固化するため、基板を取り出し恢その圧力が
解放されるとそり菱形が生じる。よりてそり変形の少な
い条件範囲とし℃、保圧力は55MPa以下、保圧時間
は、0.5秒以下、ゲートカット待時間は、0.2秒以
上であることが必景である。
ット待時間が短かい時は、W腫の逆流が妨げられ、^い
圧力状態で固化するため、基板を取り出し恢その圧力が
解放されるとそり菱形が生じる。よりてそり変形の少な
い条件範囲とし℃、保圧力は55MPa以下、保圧時間
は、0.5秒以下、ゲートカット待時間は、0.2秒以
上であることが必景である。
以下1本尭明の笑mガを冥験結来をもとに説明する。実
績は、直径150編のポリカーボネート側腫製光ディス
ク基板のそり変形の大ぎさと成形条件の関係を明確にす
るために行なったものである。
績は、直径150編のポリカーボネート側腫製光ディス
ク基板のそり変形の大ぎさと成形条件の関係を明確にす
るために行なったものである。
ここで、光ディスク基板のそり変形の大きさは、基板の
面像れ量およびチルトを測定することにより評価した。
面像れ量およびチルトを測定することにより評価した。
面振れ重は、基板を1周回転させた時の基板表面の振れ
量であり、またチルトは、恭板上の測定した近接2点間
の頷き角の5ち最大のものを示す。
量であり、またチルトは、恭板上の測定した近接2点間
の頷き角の5ち最大のものを示す。
jl1図に、金抛温度と面振れ重およびチルトのra9
kを示す。図に示されるように量産温良が8ト120℃
の時、面振れ麓およびチルトとも少な(、そり変形の小
さい基板を得ることができる。よりて量産温度は、80
〜120℃の嗜がそり変形の少ない光ディスク基板を成
形するための条件範囲である。
kを示す。図に示されるように量産温良が8ト120℃
の時、面振れ麓およびチルトとも少な(、そり変形の小
さい基板を得ることができる。よりて量産温度は、80
〜120℃の嗜がそり変形の少ない光ディスク基板を成
形するための条件範囲である。
纂2図に、射出シリンダー温度と面像れ菫およびチルト
の関係を示す。図に示されるように射出シリンダー温良
が500〜580℃の時を裏、面像れ童およびチルトと
もはは一定して小さく、そり変形の少ない基板を得るこ
とができる。よって射出シリンダー温度は、500〜3
80℃かそり変形の少ない光ディスク基板を成形するた
め条件範囲である。
の関係を示す。図に示されるように射出シリンダー温良
が500〜580℃の時を裏、面像れ童およびチルトと
もはは一定して小さく、そり変形の少ない基板を得るこ
とができる。よって射出シリンダー温度は、500〜3
80℃かそり変形の少ない光ディスク基板を成形するた
め条件範囲である。
路5図に、射出速度と面振れ量およびチルトの関係を示
す。射出速度が60〜15Ω−/sac の時、面振
れ量およびチルトともはは一定して小さく、そり変形の
少ない基板を得ることかできる。また射出速度60〜1
50間戸−Cを射出率(侠具すると、’7〜’2’−”
/”’ トナ7)@ ヨク”Clama楓は60〜1
50mm/agC,射出軍は57〜92cnh”/sa
cがそり変形の少ない光ディスク嚢板を成形するための
条件軛屈である。
す。射出速度が60〜15Ω−/sac の時、面振
れ量およびチルトともはは一定して小さく、そり変形の
少ない基板を得ることかできる。また射出速度60〜1
50間戸−Cを射出率(侠具すると、’7〜’2’−”
/”’ トナ7)@ ヨク”Clama楓は60〜1
50mm/agC,射出軍は57〜92cnh”/sa
cがそり変形の少ない光ディスク嚢板を成形するための
条件軛屈である。
第4図に、保圧力と面像れ童およびチルトの関係を示す
。ここで保圧力は、保圧過程におけるスクリエー先端の
圧力である。図に示されるように保圧時間が0.2秒と
短かい場合は保圧力か0〜55Mpaの時、面掻れ重お
よびチルトともはは一定しモ小さいが保圧時間が0.7
秒と長くとなると保圧力カsstmpa以上では、[k
lffiれILおよびチルトか大きくなり、基板はそり
変形を生じる。よりて保圧力は55MPa以下がそり変
形の少ない光ディスク基板を成形するだめの条件範囲で
ある。
。ここで保圧力は、保圧過程におけるスクリエー先端の
圧力である。図に示されるように保圧時間が0.2秒と
短かい場合は保圧力か0〜55Mpaの時、面掻れ重お
よびチルトともはは一定しモ小さいが保圧時間が0.7
秒と長くとなると保圧力カsstmpa以上では、[k
lffiれILおよびチルトか大きくなり、基板はそり
変形を生じる。よりて保圧力は55MPa以下がそり変
形の少ない光ディスク基板を成形するだめの条件範囲で
ある。
謁5図に保圧時間と面像れ量およびチルトの関係を示す
。ここで保圧力は55Mpaである。図に示されるよう
に保圧時間がD〜0.5秒では、面像れ量およびチルト
とも小さく、そり変形の少な%、1基板を得ることがで
きる。しかし、保圧時間か0.5秒以上では、面振れ重
およびチルトが大ぎくなり、大ぎなそり変形が主じる。
。ここで保圧力は55Mpaである。図に示されるよう
に保圧時間がD〜0.5秒では、面像れ量およびチルト
とも小さく、そり変形の少な%、1基板を得ることがで
きる。しかし、保圧時間か0.5秒以上では、面振れ重
およびチルトが大ぎくなり、大ぎなそり変形が主じる。
より工、憬圧時間は、0.5秒以下がそり変形の少ない
光ディスク嚢板を成形するための条件範囲である。
光ディスク嚢板を成形するための条件範囲である。
纂6図にゲートカット待時間と面像れ重およびチルトの
関係を示す。ここでゲートカット待時間とは、保圧過程
終了恢から、基板中心に穴を1iiけるためにゲートカ
ッタによりゲート部を切断するまでの暁閣である。図に
示されるようにゲートカッ上待時間が0.2秒以上では
、rfO振れ重およびチルトとも小さく、そり変形の少
ない基板を得ることができるが、ゲートカット待時間が
0.2秒以下と短かくなると、面振れ量およびチルトが
増大し、大きなそり変形が生じる。よりて、ゲートカッ
ト待時間は、0.2秒以上がそり変形の少ない元ディス
ク基板を成形するための条件範囲である。
関係を示す。ここでゲートカット待時間とは、保圧過程
終了恢から、基板中心に穴を1iiけるためにゲートカ
ッタによりゲート部を切断するまでの暁閣である。図に
示されるようにゲートカッ上待時間が0.2秒以上では
、rfO振れ重およびチルトとも小さく、そり変形の少
ない基板を得ることができるが、ゲートカット待時間が
0.2秒以下と短かくなると、面振れ量およびチルトが
増大し、大きなそり変形が生じる。よりて、ゲートカッ
ト待時間は、0.2秒以上がそり変形の少ない元ディス
ク基板を成形するための条件範囲である。
以上、そり変形の少ない元ディスク基板を得るための成
形条件をまとめると、金m温PL80〜12血。
形条件をまとめると、金m温PL80〜12血。
射出シリンダーm度500〜580℃、射出速[60〜
150mm/1gc(射出単57〜92cm”/z
) 、保圧力55MPα以下、保圧時間0.5秒以下、
ゲートカット待時間0.2秒以上である。
150mm/1gc(射出単57〜92cm”/z
) 、保圧力55MPα以下、保圧時間0.5秒以下、
ゲートカット待時間0.2秒以上である。
本発明により、光ディスク基板の成形条件と。
そり11面煉れ特性との関係を明確にすることができた
ので、この成形条件により基板を成形することにより、
面振れ重10ロー以下、チル) 5ngrad以下のそ
り変形の少ない光ディスク基板を得ることができる。
ので、この成形条件により基板を成形することにより、
面振れ重10ロー以下、チル) 5ngrad以下のそ
り変形の少ない光ディスク基板を得ることができる。
為1図は金型温度と面像れ麓およびチルトとの関係を示
す図、萬2−は射出シリンダー温友と面像れ童およびチ
ルトとの関係を示す図、藁3図は射出速匿と面像れ重お
よびチルトと・の関係を示す図、第4図は保圧力と面振
れ艦およびチルトとの関SV示す図、纂5図は保圧時間
と面熾れ麓およびチルトとの関係を示す図、第6図はゲ
ートカット待時間と面振れ意およびチルトとの関係を示
す図である。 ヌ 1 の ′″L 3 図 金型1怠CC> 嶌2 凹 蔦 4 図 イ呆&ブゴ(ト1P^) 射出レリシタ゛−1曳(°C)
す図、萬2−は射出シリンダー温友と面像れ童およびチ
ルトとの関係を示す図、藁3図は射出速匿と面像れ重お
よびチルトと・の関係を示す図、第4図は保圧力と面振
れ艦およびチルトとの関SV示す図、纂5図は保圧時間
と面熾れ麓およびチルトとの関係を示す図、第6図はゲ
ートカット待時間と面振れ意およびチルトとの関係を示
す図である。 ヌ 1 の ′″L 3 図 金型1怠CC> 嶌2 凹 蔦 4 図 イ呆&ブゴ(ト1P^) 射出レリシタ゛−1曳(°C)
Claims (1)
- 1、ポリカーボネート製光ディスク基板の射出成形にお
いて、金型温度を80〜120℃、射出シリンダー温度
を300〜380℃、保圧力を3MPa以下、保圧時間
を0.5秒以下、ゲートカツト待時間を0.2秒以上の
条件により成形したことを特徴とする光ディスク基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1075123A JPH02253909A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | ポリカーボネート製光ディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1075123A JPH02253909A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | ポリカーボネート製光ディスク基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02253909A true JPH02253909A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13567112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1075123A Pending JPH02253909A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | ポリカーボネート製光ディスク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02253909A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205323A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
JPH05205324A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
US7198478B2 (en) * | 2001-03-28 | 2007-04-03 | Origin Electric Company, Limited | Method and apparatus of treating a disc plate |
US20130249128A1 (en) * | 2004-06-29 | 2013-09-26 | Konica Minolta Opto, Inc. | Injection mold and method for molding an optical element |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP1075123A patent/JPH02253909A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205323A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
JPH05205324A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
US7198478B2 (en) * | 2001-03-28 | 2007-04-03 | Origin Electric Company, Limited | Method and apparatus of treating a disc plate |
US20130249128A1 (en) * | 2004-06-29 | 2013-09-26 | Konica Minolta Opto, Inc. | Injection mold and method for molding an optical element |
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