JP2525065B2 - 光デイスク基板の成形方法 - Google Patents
光デイスク基板の成形方法Info
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- JP2525065B2 JP2525065B2 JP8540190A JP8540190A JP2525065B2 JP 2525065 B2 JP2525065 B2 JP 2525065B2 JP 8540190 A JP8540190 A JP 8540190A JP 8540190 A JP8540190 A JP 8540190A JP 2525065 B2 JP2525065 B2 JP 2525065B2
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- stamper
- optical disk
- disk substrate
- molding method
- mold
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光デイスク基板の成形方法に関する。
再生専用光デイスク、追記型光デイスクおよび書換型
光デイスク(以下、これらを光デイスクと総称する)の
基板材料としてはポリカーボネイト樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂などのプラステイツクまたはガラスが
用いられている。これらの基板材料の中でポリカーボネ
イト樹脂は優れた耐久性、量産生および経済性を有して
いることから、最も広範な用途に用いられており、書換
型光デイスクの1種である光磁気デイスクの基板材料と
して用いられることが多い。
光デイスク(以下、これらを光デイスクと総称する)の
基板材料としてはポリカーボネイト樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂などのプラステイツクまたはガラスが
用いられている。これらの基板材料の中でポリカーボネ
イト樹脂は優れた耐久性、量産生および経済性を有して
いることから、最も広範な用途に用いられており、書換
型光デイスクの1種である光磁気デイスクの基板材料と
して用いられることが多い。
光磁気デイスク基板が大きな複屈折を有している場合
には、光磁気デイスクに記録された情報を再生するため
に照射されるレーザ光が有する偏光面に微小な変化が生
じることによつて、再生エラーが発生することがある。
ポリカーボネイト樹脂を構成する分子鎖は高い光学的異
方性を有していることから、射出成形法によつて成形さ
れた光デイスク基板は大きな複屈折を有している。従つ
て、ポリカーボネイト樹脂からなる光磁気デイスク基板
は射出圧縮成形法によつて成形されることが好ましい。
には、光磁気デイスクに記録された情報を再生するため
に照射されるレーザ光が有する偏光面に微小な変化が生
じることによつて、再生エラーが発生することがある。
ポリカーボネイト樹脂を構成する分子鎖は高い光学的異
方性を有していることから、射出成形法によつて成形さ
れた光デイスク基板は大きな複屈折を有している。従つ
て、ポリカーボネイト樹脂からなる光磁気デイスク基板
は射出圧縮成形法によつて成形されることが好ましい。
射出圧縮成形法に用いられる金型の概略断面図を第3
図に示す。金型は固定盤1と可動盤2とを備えており、
可動盤2には光デイスク基板に形成される案内溝、アド
レス信号などに対応する凹凸構造を有するスタンパー3
がスタンパー外周押さえ治具13およびスタンパー内周押
さえ治具14によつて固定されている。第3図により射出
圧縮成形法を説明する。(1)可動盤2を固定盤1に近
付けることにより、固定盤1と可動盤2との間に、樹脂
が充填されるキヤビテイ8が形成される。(2)ランナ
ー15を通つてキヤビテイ8に樹脂が充填される。(3)
樹脂の充填量が増加すると伴いキヤビテイ8の圧力が上
昇し、金型にかかる圧力(以下、これを型締圧力と称す
る)よりもキヤビテイ8の圧力が高くなると、可動盤2
は開き始める。(4)予め設定された時間(以下、これ
を保圧時間と称する)が経過すると、ゲートカツトピン
16がランナー15の方へ突き出され、基板にセンターホー
ルが開けられる。また、キヤビテイ8に新たに樹脂が充
填されないようにゲートカットピン16がランナーー15を
塞ぐ。(5)樹脂を冷却固化したのち、可動盤2を動か
して金型を開け、成形された光デイスク基板を取り出
す。
図に示す。金型は固定盤1と可動盤2とを備えており、
可動盤2には光デイスク基板に形成される案内溝、アド
レス信号などに対応する凹凸構造を有するスタンパー3
がスタンパー外周押さえ治具13およびスタンパー内周押
さえ治具14によつて固定されている。第3図により射出
圧縮成形法を説明する。(1)可動盤2を固定盤1に近
付けることにより、固定盤1と可動盤2との間に、樹脂
が充填されるキヤビテイ8が形成される。(2)ランナ
ー15を通つてキヤビテイ8に樹脂が充填される。(3)
樹脂の充填量が増加すると伴いキヤビテイ8の圧力が上
昇し、金型にかかる圧力(以下、これを型締圧力と称す
る)よりもキヤビテイ8の圧力が高くなると、可動盤2
は開き始める。(4)予め設定された時間(以下、これ
を保圧時間と称する)が経過すると、ゲートカツトピン
16がランナー15の方へ突き出され、基板にセンターホー
ルが開けられる。また、キヤビテイ8に新たに樹脂が充
填されないようにゲートカットピン16がランナーー15を
塞ぐ。(5)樹脂を冷却固化したのち、可動盤2を動か
して金型を開け、成形された光デイスク基板を取り出
す。
従来の射出圧縮成形法において用いられるスタンパー
外周押さえ治具の構造を示すために第3図におけるA部
を拡大した部分概略断面図を第4図に示す。第4図に示
すように、固定盤1とスタンパー外周押さえ治具17の垂
直部18とは隙間嵌の関係を有しており、成形された光デ
イスク基板の外縁はスタンパーに対して垂直になつてい
る。そのために、成形された光デイスク基板を金型から
取り出す際に、基板の外縁とスタンパー外周押さえ治具
との摩擦が大きくなり、光デイスク基板が変形する場合
があり、光デイスク基板が有する面振れ量および面振れ
加速度が大きくなるという問題が生じる。
外周押さえ治具の構造を示すために第3図におけるA部
を拡大した部分概略断面図を第4図に示す。第4図に示
すように、固定盤1とスタンパー外周押さえ治具17の垂
直部18とは隙間嵌の関係を有しており、成形された光デ
イスク基板の外縁はスタンパーに対して垂直になつてい
る。そのために、成形された光デイスク基板を金型から
取り出す際に、基板の外縁とスタンパー外周押さえ治具
との摩擦が大きくなり、光デイスク基板が変形する場合
があり、光デイスク基板が有する面振れ量および面振れ
加速度が大きくなるという問題が生じる。
上記の問題を解決するために、第5図に示すようにテ
ーパ部20を有するスタンパー外周押さえ治具19を用いて
射出圧縮成形する方法が開発されている。この方法で
は、キヤビテイの圧力が型締圧力よりも大きくなつて金
型が開いた際、キヤビテイ8に充填された樹脂がガス抜
き9から漏れ出し、成形された光デイスク基板の外縁に
バリが形成されるという問題が生じる。
ーパ部20を有するスタンパー外周押さえ治具19を用いて
射出圧縮成形する方法が開発されている。この方法で
は、キヤビテイの圧力が型締圧力よりも大きくなつて金
型が開いた際、キヤビテイ8に充填された樹脂がガス抜
き9から漏れ出し、成形された光デイスク基板の外縁に
バリが形成されるという問題が生じる。
本発明の目的は、面振れ量および面振れ加速度が小さ
く、優れた機械特性を有し、かつ外縁にバリのない光デ
イスク基板を射出圧縮成形法により成形する方法を提供
することにある。
く、優れた機械特性を有し、かつ外縁にバリのない光デ
イスク基板を射出圧縮成形法により成形する方法を提供
することにある。
本発明によれば、上記の目的は、固定盤と、可動盤
と、スタンパーと、固定盤側にスタンパーから離れるに
つれて広がるように傾斜した側面とスタンパーに対して
垂直であり、かつ固定盤と隙間嵌の関係にある側面とを
有し、スタンパーを可動盤に固定するスタンパー外周押
さえ治具とを備える金型を用いて、射出圧縮成形法によ
り光デイスク基板を成形することを特徴とする光デイス
ク基板の成形方法を提供することにより達成される。
と、スタンパーと、固定盤側にスタンパーから離れるに
つれて広がるように傾斜した側面とスタンパーに対して
垂直であり、かつ固定盤と隙間嵌の関係にある側面とを
有し、スタンパーを可動盤に固定するスタンパー外周押
さえ治具とを備える金型を用いて、射出圧縮成形法によ
り光デイスク基板を成形することを特徴とする光デイス
ク基板の成形方法を提供することにより達成される。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1 本発明に用いられる金型の1例の部分概略断面を第1
図に示す。第1図に示す断面構造を有する金型は固定盤
1と可動盤2とを備えており、可動盤2には光デイスク
基板に形成される案内溝、アドレス信号などに対応する
凹凸構造を有するスタンパー3がスタンパー外周押さえ
治具4によつて固定されている。スタンパー外周押さえ
治具4における固定盤側面(光デイスク基板の外縁の形
成面に相当)はスタンパー3側から、スタンパー3に対
して垂直な垂直部5と、スタンパー3から離れるにつれ
て広がるように傾斜したテーパ部6と、スタンパー3に
対して垂直な垂直部7とを有しており、垂直部7と固定
盤1とは離間嵌の関係になつている。
図に示す。第1図に示す断面構造を有する金型は固定盤
1と可動盤2とを備えており、可動盤2には光デイスク
基板に形成される案内溝、アドレス信号などに対応する
凹凸構造を有するスタンパー3がスタンパー外周押さえ
治具4によつて固定されている。スタンパー外周押さえ
治具4における固定盤側面(光デイスク基板の外縁の形
成面に相当)はスタンパー3側から、スタンパー3に対
して垂直な垂直部5と、スタンパー3から離れるにつれ
て広がるように傾斜したテーパ部6と、スタンパー3に
対して垂直な垂直部7とを有しており、垂直部7と固定
盤1とは離間嵌の関係になつている。
スタンパー外周押さえ治具4が第1図に示す断面構造
を有している場合には、キャビテイ8に樹脂が充填され
可動盤2が開いたのち、ガス抜き9から樹脂が漏れ出す
ことはない。また、成形された光デイスク基板を取り出
す際に、基板の外縁にかかる応力は小さくなる。
を有している場合には、キャビテイ8に樹脂が充填され
可動盤2が開いたのち、ガス抜き9から樹脂が漏れ出す
ことはない。また、成形された光デイスク基板を取り出
す際に、基板の外縁にかかる応力は小さくなる。
第1図に示す断面構造を有する金型を用いて、型締圧
力130kg/cm2、保圧時間0.08秒、金型温度117℃の条件下
で、ポリカーボネイト樹脂を温度360℃で成形し、得ら
れた直径130mm、厚さ1.2mmを有するポリカーボネイト製
光デイスク基板の面振れ量と面振れ加速度とを新電子工
業株式会社製ODA−2型機械特性測定装置を用いて測定
した。面振れ量は31.7μm、面振れ加速度は3.9m/S2で
あり、いずれも小さな値であつた。
力130kg/cm2、保圧時間0.08秒、金型温度117℃の条件下
で、ポリカーボネイト樹脂を温度360℃で成形し、得ら
れた直径130mm、厚さ1.2mmを有するポリカーボネイト製
光デイスク基板の面振れ量と面振れ加速度とを新電子工
業株式会社製ODA−2型機械特性測定装置を用いて測定
した。面振れ量は31.7μm、面振れ加速度は3.9m/S2で
あり、いずれも小さな値であつた。
実施例2 本発明に用いられる金型の他の一例の部分概略断面図
を第2図に示す。第2図に示す断面構造を有する金型は
固定盤1と可動盤2とを備えており、可動盤2にはスタ
ンパー3がスタンパー外周押さえ治具10によつて固定さ
れている。スタンパー外周押さえ治具10における固定盤
側面(光デイスク基板の外縁の形成面に相当)はスタン
パー3側から、スタンパー3から離れるにつれて広がる
ように傾斜したテーパ部11と、スタンパー3に対して垂
直な垂直部12とを有しており、垂直部12と固定盤1とは
隙間嵌の関係になつている。
を第2図に示す。第2図に示す断面構造を有する金型は
固定盤1と可動盤2とを備えており、可動盤2にはスタ
ンパー3がスタンパー外周押さえ治具10によつて固定さ
れている。スタンパー外周押さえ治具10における固定盤
側面(光デイスク基板の外縁の形成面に相当)はスタン
パー3側から、スタンパー3から離れるにつれて広がる
ように傾斜したテーパ部11と、スタンパー3に対して垂
直な垂直部12とを有しており、垂直部12と固定盤1とは
隙間嵌の関係になつている。
第2図に示す断面構造を有するスタンパー外周押さえ
治具を備えた金型を用いる場合にも、ガス抜き10から樹
脂が漏れ出すことはなく、かつ成形された光デイスク基
板を取り出す際に、基板の外縁にかかる応力は小さい。
治具を備えた金型を用いる場合にも、ガス抜き10から樹
脂が漏れ出すことはなく、かつ成形された光デイスク基
板を取り出す際に、基板の外縁にかかる応力は小さい。
比較例1 第4図に示す断面構図を有する金型を用いて、実施例
1におけると同じ条件で成形し、得られた光デイスク基
板の面振れ量および面振れ加速度を実施例1におけると
同様にして測定したところ、それらの値はそれぞれ70.2
μmおよび8.6m/S2であつた。これらの値は実施例で得
られた光デイスク基板における値よりも大きな値であつ
た。
1におけると同じ条件で成形し、得られた光デイスク基
板の面振れ量および面振れ加速度を実施例1におけると
同様にして測定したところ、それらの値はそれぞれ70.2
μmおよび8.6m/S2であつた。これらの値は実施例で得
られた光デイスク基板における値よりも大きな値であつ
た。
本発明によれば、面振れ量および面振れ加速度が小さ
く、優れた機械特性を有し、かつ外縁にバリのない光デ
イスク基板を射出圧縮成形法により成形することができ
る。
く、優れた機械特性を有し、かつ外縁にバリのない光デ
イスク基板を射出圧縮成形法により成形することができ
る。
第1図は本発明に用いられる金型の1例の部分概略断面
図、第2図は本発明に用いられる金型の他の1例の部分
概略断面図、第3図は射出圧縮成形法に用いられる金型
の概略断面図、第4図および第5図は従来の金型の部分
概略断面図である。 1……固定盤、2……可動盤、3……スタンパー、4、
10、13、17、19……スタンパー外周押さえ治具、5、
7、12、18……垂直部、6、11、20……テーパ部。
図、第2図は本発明に用いられる金型の他の1例の部分
概略断面図、第3図は射出圧縮成形法に用いられる金型
の概略断面図、第4図および第5図は従来の金型の部分
概略断面図である。 1……固定盤、2……可動盤、3……スタンパー、4、
10、13、17、19……スタンパー外周押さえ治具、5、
7、12、18……垂直部、6、11、20……テーパ部。
Claims (1)
- 【請求項1】固定盤と、可動盤と、スタンパーと、固定
盤側にスタンパーから離れるにつれて広がるように傾斜
した側面とスタンパーに対して垂直であり、かつ固定盤
と隙間嵌の関係にある側面とを有し、スタンパーを可動
盤に固定するスタンパー外周押さえ治具とを備える金型
を用いて、射出圧縮成形法により光デイスク基板を成形
することを特徴とする光デイスク基板の成形方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8540190A JP2525065B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 光デイスク基板の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8540190A JP2525065B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 光デイスク基板の成形方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03283114A JPH03283114A (ja) | 1991-12-13 |
JP2525065B2 true JP2525065B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=13857764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8540190A Expired - Fee Related JP2525065B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 光デイスク基板の成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2525065B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8540190A patent/JP2525065B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03283114A (ja) | 1991-12-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |