JPH02251888A - 液晶透過率を計算するシミュレーション方法 - Google Patents
液晶透過率を計算するシミュレーション方法Info
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- JPH02251888A JPH02251888A JP7261289A JP7261289A JPH02251888A JP H02251888 A JPH02251888 A JP H02251888A JP 7261289 A JP7261289 A JP 7261289A JP 7261289 A JP7261289 A JP 7261289A JP H02251888 A JPH02251888 A JP H02251888A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、液晶表示装置、特に、薄膜トランジスタ（
以下、ＴＦＴとも略記する）を駆動素子とするア、クチ
イブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方
法に関するものである。
以下、ＴＦＴとも略記する）を駆動素子とするア、クチ
イブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方
法に関するものである。
［従来の技ｆＪ］
第７図は例えば昭和６３年電子情報通慣学会春季全国大
会で報告された、従来のＴＦＴを駆動素子とするアクテ
ィブマトリクス方式液晶デイスプレィの１画素の表示特
性計算方法を示す等価回路図である。第７図において、
（１）は薄膜トランジスタ、 （２）は薄膜トランジ
スタのゲート電極とソース電極間に生じる寄生容量（Ｃ
ｇｓ）、 （３）は薄膜トランジスタのドレイン電型と
ソース電極間に生じる寄生容量（Ｃｄｓ）、 （４ａ）
、 （４ｂ）はそれぞれ表蘭保護膜の容量（ＣＳｉＮ）
および抵抗（Ｒ５ｉＮ）、 （５ａ）、 （５ｂ）はそ
れぞれＴＰＴ側配向膜の容量（ＣＰＩＩ）および抵抗（
ＲｐＨ）、（６ａ）、 （６ｂ）はそれぞれ液晶の容量
（ＣＬＣ）および抵抗（ＲＬＣ）、 （７ａ）、 （７
ｂ）はそれぞれ対向電極側配向膜の容量（ＣＰＩ２）お
よび抵抗（ＲＰＩ２）である。また、 ［ｄｓはＴＰＴ
を流れるドレイン電流、■ｇは薄膜トランジスタのゲー
ト電圧、Ｖｄは薄膜トランジスタのドレイン電圧、Ｖ
ｃｏｗは対向電極の電圧、ＶＳは画素電位、ＶＰｌｌは
保護膜とＴＦＴ側配面配向膜間位、ＶＬＣはＴＦＴ側配
向膜と液晶間の電位、Ｖ ＰＩ２は液晶と対向電極側配
向膜間の電位をそれぞれ表している。
会で報告された、従来のＴＦＴを駆動素子とするアクテ
ィブマトリクス方式液晶デイスプレィの１画素の表示特
性計算方法を示す等価回路図である。第７図において、
（１）は薄膜トランジスタ、 （２）は薄膜トランジ
スタのゲート電極とソース電極間に生じる寄生容量（Ｃ
ｇｓ）、 （３）は薄膜トランジスタのドレイン電型と
ソース電極間に生じる寄生容量（Ｃｄｓ）、 （４ａ）
、 （４ｂ）はそれぞれ表蘭保護膜の容量（ＣＳｉＮ）
および抵抗（Ｒ５ｉＮ）、 （５ａ）、 （５ｂ）はそ
れぞれＴＰＴ側配向膜の容量（ＣＰＩＩ）および抵抗（
ＲｐＨ）、（６ａ）、 （６ｂ）はそれぞれ液晶の容量
（ＣＬＣ）および抵抗（ＲＬＣ）、 （７ａ）、 （７
ｂ）はそれぞれ対向電極側配向膜の容量（ＣＰＩ２）お
よび抵抗（ＲＰＩ２）である。また、 ［ｄｓはＴＰＴ
を流れるドレイン電流、■ｇは薄膜トランジスタのゲー
ト電圧、Ｖｄは薄膜トランジスタのドレイン電圧、Ｖ
ｃｏｗは対向電極の電圧、ＶＳは画素電位、ＶＰｌｌは
保護膜とＴＦＴ側配面配向膜間位、ＶＬＣはＴＦＴ側配
向膜と液晶間の電位、Ｖ ＰＩ２は液晶と対向電極側配
向膜間の電位をそれぞれ表している。
次に、従来のＴＦＴを駆動素子とするアクティブマ）
Ｉ７クス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方法につ
いて説明する。第７図の等価回路から、（１）式に示す
電圧の時間に関する微分方程式が帰られる。
Ｉ７クス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方法につ
いて説明する。第７図の等価回路から、（１）式に示す
電圧の時間に関する微分方程式が帰られる。
・・ （１）
ユニで、誘電体である液晶の誘電率は、液晶に加わる電
界に依らず一定として、計算においては一定容量として
（１）式を計算している。 （１）式は数値計算によっ
て解くことが可能であり、 （１）式を解（ことにより
液晶に加わる電圧の時間変化が計算できる。この電圧の
時間変化を積分して求められる実効電圧からデイスプレ
ィの透過率を計算する。以上のようにして、ＴＰＴを駆
動素子とするアクティブマトリクス方式液晶デイスプレ
ィの表示特性計算が可能となる。
界に依らず一定として、計算においては一定容量として
（１）式を計算している。 （１）式は数値計算によっ
て解くことが可能であり、 （１）式を解（ことにより
液晶に加わる電圧の時間変化が計算できる。この電圧の
時間変化を積分して求められる実効電圧からデイスプレ
ィの透過率を計算する。以上のようにして、ＴＰＴを駆
動素子とするアクティブマトリクス方式液晶デイスプレ
ィの表示特性計算が可能となる。
［発明が解決しようとする課題］
以上のように、従来のＴＰＴを駆動素子とするアクティ
ブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方法
は、液晶の誘電率は電界に依らず一定として計算してい
る。液晶の誘電率は、液晶の分子長軸方向の誘電率ε７
７と、これと直交する方向の誘電率ε上が異なる。Δε
＝ε／２−ε土を液晶の誘電率異方性と呼ぶ。棒状分子
のネマチック液晶では常に８７７〉ε上である。誘電率
異方性Δｅをもつ液晶に電場を印加すると電気的エネル
ギー密度を生じ、そのエネルギーが最小になるように液
晶分子が再配列する。Δεが正の液晶では、分子長軸方
向の平均ベクトル（ディレクタ）が電場ベクトルに平行
になるように配向する。電場の強さによって誘電率が連
続的に変化するため、′液晶分子の配向角度も連続的に
変化する。ツィスティッドネマティック（ＴＮ）形液晶
セルは、液晶分子の長軸が２枚の基板間で９０°連続的
にねじれるように作られ１．ＴＮ形液晶セルを通過する
光は、電場無印加時には９０″旋光し、電場印加時には
誘電率異方性により液晶分子が再配列し、旋光性が消失
する。このＴＮ形液晶七ルの両側に、平行偏光子をつけ
た場合には電場印加時に光を透過し、直交偏光子をつけ
た場合には電場無印加時に光を透過する。このように、
液晶の誘電率異方性により、液晶の電気光学的特性は変
化し、これを考慮しなければ液晶表示装置の透過率変化
は計算できない。すなわち、従来のＴＰＴを駆動素子と
するアクティブ啼トリクス方式液晶デイスプレィの表示
特性計算方法では、液晶の誘電率異方性を考慮していな
いため、液晶の特性を反映した計算ができない。また、
透過率を計算する際に、液晶に加わる実効電圧を一定時
間積分してから計算するため、透過率がフレーム毎に変
化するフリッカ現象などの透過率の過渡的な変化は計算
できなかった。このため、従来のＴＦＴｔ−駆動素子と
するアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示
特性計算方法では、十分な表示特性の解析ができなかっ
た。
ブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方法
は、液晶の誘電率は電界に依らず一定として計算してい
る。液晶の誘電率は、液晶の分子長軸方向の誘電率ε７
７と、これと直交する方向の誘電率ε上が異なる。Δε
＝ε／２−ε土を液晶の誘電率異方性と呼ぶ。棒状分子
のネマチック液晶では常に８７７〉ε上である。誘電率
異方性Δｅをもつ液晶に電場を印加すると電気的エネル
ギー密度を生じ、そのエネルギーが最小になるように液
晶分子が再配列する。Δεが正の液晶では、分子長軸方
向の平均ベクトル（ディレクタ）が電場ベクトルに平行
になるように配向する。電場の強さによって誘電率が連
続的に変化するため、′液晶分子の配向角度も連続的に
変化する。ツィスティッドネマティック（ＴＮ）形液晶
セルは、液晶分子の長軸が２枚の基板間で９０°連続的
にねじれるように作られ１．ＴＮ形液晶セルを通過する
光は、電場無印加時には９０″旋光し、電場印加時には
誘電率異方性により液晶分子が再配列し、旋光性が消失
する。このＴＮ形液晶七ルの両側に、平行偏光子をつけ
た場合には電場印加時に光を透過し、直交偏光子をつけ
た場合には電場無印加時に光を透過する。このように、
液晶の誘電率異方性により、液晶の電気光学的特性は変
化し、これを考慮しなければ液晶表示装置の透過率変化
は計算できない。すなわち、従来のＴＰＴを駆動素子と
するアクティブ啼トリクス方式液晶デイスプレィの表示
特性計算方法では、液晶の誘電率異方性を考慮していな
いため、液晶の特性を反映した計算ができない。また、
透過率を計算する際に、液晶に加わる実効電圧を一定時
間積分してから計算するため、透過率がフレーム毎に変
化するフリッカ現象などの透過率の過渡的な変化は計算
できなかった。このため、従来のＴＦＴｔ−駆動素子と
するアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示
特性計算方法では、十分な表示特性の解析ができなかっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリク
ス方式液晶デイスプレィの表示特性計算において、液晶
の電気光学的特性を反映し、かつ、透過率の過渡応答特
性も計算できる方法を得る事により、詳細な表示特性解
析を可能にすることを目的とする。
たもので、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリク
ス方式液晶デイスプレィの表示特性計算において、液晶
の電気光学的特性を反映し、かつ、透過率の過渡応答特
性も計算できる方法を得る事により、詳細な表示特性解
析を可能にすることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明におけるＴＰＴを駆動素子とするアクティブマ
トリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方法は、
液晶の誘電率異方性を考慮することにより、液晶の電気
光学的特性を反映し、さらに、液晶の誘電率変化の応答
時間は透過率の応答時間と一致するとして、液晶の誘電
率の時間変化を計算可能にし、透過率の過渡応答特性が
計算できるようにしたものである。
トリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算方法は、
液晶の誘電率異方性を考慮することにより、液晶の電気
光学的特性を反映し、さらに、液晶の誘電率変化の応答
時間は透過率の応答時間と一致するとして、液晶の誘電
率の時間変化を計算可能にし、透過率の過渡応答特性が
計算できるようにしたものである。
［作用］
この発明において、液晶の誘電率異方性を考慮すること
により、液晶の電気光学的特性を反映し、さらに、液晶
の誘電率変化の応答時間は透過率の応答時間と一致する
とすることにより、液晶の誘電率の時間変化を計算可能
にし、透過率の過渡応答特性が計算できるようになる。
により、液晶の電気光学的特性を反映し、さらに、液晶
の誘電率変化の応答時間は透過率の応答時間と一致する
とすることにより、液晶の誘電率の時間変化を計算可能
にし、透過率の過渡応答特性が計算できるようになる。
これにより、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリ
クス方式液晶デイスプレィの表示特性の詳細な解析が可
能となる。
クス方式液晶デイスプレィの表示特性の詳細な解析が可
能となる。
［実施例コ
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリクス方
式液晶デイスプレィの１画素の断面図の一例であり、第
２図は第１図の断面図から得られる１画素の表示特性計
算方法を示す等価回路図である。第１図において、 （
１１）は透明絶縁基板、 （１２）はゲート電極、 （
１３）はゲート絶縁膜、 （１４）はａ−５ｉ活性層、
（１５）はチャネルＩｆｆ膜、 （１６）はソース・
ドレイン領域、 （１７）はソース・ドレイン電極、（
１８）は画素電極、 （１９）は保護膜、 （２０）は
配向膜、 （２１）は液晶、 （２２）は対向電極、
（２３）はフィルタである。また、第２図において、（
１）は薄膜トランジスタ、 （２）は薄膜トランジスタ
のゲート電極とソース電極間に生じる寄生容量（Ｃｇｓ
）、 （３）は薄膜トランジスタのドレイン電極とソー
ス電極間に生じる寄生容量（Ｃｄｓ）（４ａ）、（４ｂ
）はそれぞれ表面保護膜の容量（Ｃ５ＩＮ）および抵抗
（Ｒ５ｉＮ）、 （５ａ）、 （５ｂ）はそれぞれＴＰ
Ｔ側配面配向膜量（ＣＰｌｌ）および抵抗（ＲｐＨ）、
（６ａ）、 （６ｂ）はそれぞれ液晶の容量（ＣＬＣ
）および抵抗（ＲＬＣ）、 （７ａ）、 （７ｂ）はそ
れぞれ対向電極側配向膜の容量（ＣＰＩ２）および抵抗
（ＲＰＩ２）である。また、ＩｄｓはＴＰＴを流れるド
レイン電流、Ｖｇは薄膜トランジスタのゲート電圧、Ｖ
ｄは薄膜トランジスタのドレイン電圧、Ｖｃｏｍは対向
電極の電圧、■Ｓは画素電位、Ｖ ｐＨは保護膜とＴＦ
Ｔ側配面配向膜間位、ＶＬＣはＴＰＴ側配面配向膜晶間
の電位、ＶＰＩ２は液晶と対向電極側配向膜間の電位を
それぞれ表している。
図は、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリクス方
式液晶デイスプレィの１画素の断面図の一例であり、第
２図は第１図の断面図から得られる１画素の表示特性計
算方法を示す等価回路図である。第１図において、 （
１１）は透明絶縁基板、 （１２）はゲート電極、 （
１３）はゲート絶縁膜、 （１４）はａ−５ｉ活性層、
（１５）はチャネルＩｆｆ膜、 （１６）はソース・
ドレイン領域、 （１７）はソース・ドレイン電極、（
１８）は画素電極、 （１９）は保護膜、 （２０）は
配向膜、 （２１）は液晶、 （２２）は対向電極、
（２３）はフィルタである。また、第２図において、（
１）は薄膜トランジスタ、 （２）は薄膜トランジスタ
のゲート電極とソース電極間に生じる寄生容量（Ｃｇｓ
）、 （３）は薄膜トランジスタのドレイン電極とソー
ス電極間に生じる寄生容量（Ｃｄｓ）（４ａ）、（４ｂ
）はそれぞれ表面保護膜の容量（Ｃ５ＩＮ）および抵抗
（Ｒ５ｉＮ）、 （５ａ）、 （５ｂ）はそれぞれＴＰ
Ｔ側配面配向膜量（ＣＰｌｌ）および抵抗（ＲｐＨ）、
（６ａ）、 （６ｂ）はそれぞれ液晶の容量（ＣＬＣ
）および抵抗（ＲＬＣ）、 （７ａ）、 （７ｂ）はそ
れぞれ対向電極側配向膜の容量（ＣＰＩ２）および抵抗
（ＲＰＩ２）である。また、ＩｄｓはＴＰＴを流れるド
レイン電流、Ｖｇは薄膜トランジスタのゲート電圧、Ｖ
ｄは薄膜トランジスタのドレイン電圧、Ｖｃｏｍは対向
電極の電圧、■Ｓは画素電位、Ｖ ｐＨは保護膜とＴＦ
Ｔ側配面配向膜間位、ＶＬＣはＴＰＴ側配面配向膜晶間
の電位、ＶＰＩ２は液晶と対向電極側配向膜間の電位を
それぞれ表している。
次に、二の発明の一実施例におけるＴＰＴを駆動素子と
するアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示
特性計算方法について詳細に説明する。
するアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示
特性計算方法について詳細に説明する。
第２図の等価回路から（２）式に示す微分方程式が洋ら
れる。
れる。
本実施例において、液晶の容量ＣＬＣは液晶の誘電率異
方性により液晶に加わる電界によって変化するとした。
方性により液晶に加わる電界によって変化するとした。
具体的には次に示す液晶の電気光学特性測定結果を用い
て、液晶の誘電率を液晶に加わる電圧の関数とし、また
、誘電率が変化する際の時定数は、液晶の透過率の応答
時間と一致するとして計算を行った。第３図に液晶の誘
電率の印加電圧依存性測定結果の一例を示す。また、第
４図に液晶の透過率の印加電圧依存性測定結果の一例を
、第５図に液晶の透過率の応答時間の印加電圧依存性測
定結果の一例を示す。第５図において、ＯおよびΔは実
測値、実線および点線は計算値を示す。液晶の透過率応
答時間の印加電圧依存性測定結果から、液晶の誘電率ε
ＬＣを例えば（３）式のように表す。
て、液晶の誘電率を液晶に加わる電圧の関数とし、また
、誘電率が変化する際の時定数は、液晶の透過率の応答
時間と一致するとして計算を行った。第３図に液晶の誘
電率の印加電圧依存性測定結果の一例を示す。また、第
４図に液晶の透過率の印加電圧依存性測定結果の一例を
、第５図に液晶の透過率の応答時間の印加電圧依存性測
定結果の一例を示す。第５図において、ＯおよびΔは実
測値、実線および点線は計算値を示す。液晶の透過率応
答時間の印加電圧依存性測定結果から、液晶の誘電率ε
ＬＣを例えば（３）式のように表す。
ｇＢ： ε くｔ＠）
＋ Ｃｔｖ −ε （ｔ＠ａ） ［１−ＥＸＰ（
−に−ｔ＠／τ 〉コ・・ （３） ε９〉ε（ｔ＠〉のとき で＝τｒ εＶ（ε（ｔ＠〉のとき で＝τｄ ここで、 τｒは立ち上がり時間、 ｒｄは立ち下がり
時間を表す。また、１ｖは液晶に印加される電圧から計
算される誘電率の値である。ｋは透過率の印加電圧依存
性から得られる定数である。液晶の電気光学特性測定結
果から得られる特性値を、 （２）式、 （３）式に入
れ、数値計算によって（２）式の連立微分方程式を解く
ことにより、透過率の過渡応答特性が計算でき、ＴＰＴ
を駆動素子とするアクティブマトリクス方式液晶デイス
プレィの表示特性を計算できる。 計算結果の一例と
して、第６図（ａ）に示すような信号を液晶セルに加え
た場特性の計算方法が透過率の過渡応答特性計算に有効
であり、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリクス
方式液晶デイスプレィの表示特性を計算できる事が判明
した。
−に−ｔ＠／τ 〉コ・・ （３） ε９〉ε（ｔ＠〉のとき で＝τｒ εＶ（ε（ｔ＠〉のとき で＝τｄ ここで、 τｒは立ち上がり時間、 ｒｄは立ち下がり
時間を表す。また、１ｖは液晶に印加される電圧から計
算される誘電率の値である。ｋは透過率の印加電圧依存
性から得られる定数である。液晶の電気光学特性測定結
果から得られる特性値を、 （２）式、 （３）式に入
れ、数値計算によって（２）式の連立微分方程式を解く
ことにより、透過率の過渡応答特性が計算でき、ＴＰＴ
を駆動素子とするアクティブマトリクス方式液晶デイス
プレィの表示特性を計算できる。 計算結果の一例と
して、第６図（ａ）に示すような信号を液晶セルに加え
た場特性の計算方法が透過率の過渡応答特性計算に有効
であり、ＴＰＴを駆動素子とするアクティブマトリクス
方式液晶デイスプレィの表示特性を計算できる事が判明
した。
なお、上記実施例では、ＴＰＴの活性層としてａ−８ｉ
を用いたものについて示したが、ｐａｌｙ−５ｉを用い
たものでも、本計算方法を用いてＴＰＴを駆動素子とす
るアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特
性を計算できる。
を用いたものについて示したが、ｐａｌｙ−５ｉを用い
たものでも、本計算方法を用いてＴＰＴを駆動素子とす
るアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特
性を計算できる。
また、本計算方法を用いれば、ＴＰＴを駆動素子とする
アクティブマトリクス方式液晶デイスフレイの表示特性
を計算できるだけでなく、ＴＰＴを使わない、単純７ト
リクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算も可能であ
る。
アクティブマトリクス方式液晶デイスフレイの表示特性
を計算できるだけでなく、ＴＰＴを使わない、単純７ト
リクス方式液晶デイスプレィの表示特性計算も可能であ
る。
さらに、本実施例では（３）式で誘電率の変化を表した
が、時間変化を考慮した式であれば同様の計算が可能で
あることはいうまでもないことである。
が、時間変化を考慮した式であれば同様の計算が可能で
あることはいうまでもないことである。
［発明の効果コ
以上のように、この発明によれば、液晶の誘電率異方性
を考慮することにより、液晶の電気光学的特性を反映し
、さらに、液晶の誘電率変化の応答時間は透過率の応答
時間と一致するとしたことにより、液晶の誘電率の時間
変化を計算可能にし、透過率の過渡応答特性が計算でき
るようになった。
を考慮することにより、液晶の電気光学的特性を反映し
、さらに、液晶の誘電率変化の応答時間は透過率の応答
時間と一致するとしたことにより、液晶の誘電率の時間
変化を計算可能にし、透過率の過渡応答特性が計算でき
るようになった。
このことにより、精度の高いＴＰＴを駆動素子とするア
クティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計
算方法が得られた。
クティブマトリクス方式液晶デイスプレィの表示特性計
算方法が得られた。
第１図はこの発明の一実施例に係るＴＰＴを駆動素子と
するアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの１画
素を示す断面図、第２図は第１図のものから帰られるこ
の発明の一実施例による１画素の表示特性計算方法を示
す等価回路図、第３図は液晶の誘電率の印加電圧依存性
測定結果の一例を示す特性図、第４図は液晶の透過率の
印加電圧依存性測定結果の一例を示す特性図、第５図は
素子とするアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィ
の１画素の表示特性計算方法を示す等価回路図である。 図において、 （１）は薄膜トランジスタ、 （２）は
薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極間に生じる
寄生容量（Ｃｇｓ）、 （３）は薄膜トランジスタのド
レイン電極とソース電極間に生じる寄生容量（Ｃｄｓ）
、 （４ａ）、 （４ｂ）はそれぞれ表面保護膜の容量
（Ｃ５ｉＮ）および抵抗（Ｒ５ＬＮ）、（５ａ）、 （
５ｂ）はそれぞれＴＦＴ側配面配向膜量（ＣＰｌｌ）お
よび抵抗（ＲｐＨ）、 （６ａ）、（６ｂ）はそれぞれ
液晶の容量（ＣＬＣ）および抵抗（ＲＬＣ）、 （７ａ
）、 （７ｂ）はそれぞれ対向電極側配向膜の容量（Ｃ
Ｐ＋２）および抵抗（ＲＰ１２）（１１）は透明絶縁基
板、 （１２）はゲート電極、 （１３）はゲート絶縁
膜、 （１４）はａ−３ｉ活性層、 （１５）はソース
・ドレイン電極域、 （１６）はチャネル保護膜、 （
１７）はドレイン電極、 はソース電翫、 （１９）は保護膜、 （２０）は配向膜、 （２１）は液晶、 （２２）は 対向電極である。 なお、 図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図 ｄ 第１図 ／Ｉ徨期４ｉＪ枠基柩 ｚｌ、灰口１ 第３図 １−ｐｎｏｒｆｆ、Ｉ’ｆ−ＶｂＲｔｖＥ（１：）−ｐ
）（１，／） 第４図 ｆｐｔｙｒｔ電ａ’ ＴｈｐｔｖＥ（Ｐ−Ｐ） （Ｖ）
第５図 印加電圧 ＶＤ１２１ＶＥ（ｐ−Ｐ） （い （自発） 第７図 ■
するアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィの１画
素を示す断面図、第２図は第１図のものから帰られるこ
の発明の一実施例による１画素の表示特性計算方法を示
す等価回路図、第３図は液晶の誘電率の印加電圧依存性
測定結果の一例を示す特性図、第４図は液晶の透過率の
印加電圧依存性測定結果の一例を示す特性図、第５図は
素子とするアクティブマトリクス方式液晶デイスプレィ
の１画素の表示特性計算方法を示す等価回路図である。 図において、 （１）は薄膜トランジスタ、 （２）は
薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極間に生じる
寄生容量（Ｃｇｓ）、 （３）は薄膜トランジスタのド
レイン電極とソース電極間に生じる寄生容量（Ｃｄｓ）
、 （４ａ）、 （４ｂ）はそれぞれ表面保護膜の容量
（Ｃ５ｉＮ）および抵抗（Ｒ５ＬＮ）、（５ａ）、 （
５ｂ）はそれぞれＴＦＴ側配面配向膜量（ＣＰｌｌ）お
よび抵抗（ＲｐＨ）、 （６ａ）、（６ｂ）はそれぞれ
液晶の容量（ＣＬＣ）および抵抗（ＲＬＣ）、 （７ａ
）、 （７ｂ）はそれぞれ対向電極側配向膜の容量（Ｃ
Ｐ＋２）および抵抗（ＲＰ１２）（１１）は透明絶縁基
板、 （１２）はゲート電極、 （１３）はゲート絶縁
膜、 （１４）はａ−３ｉ活性層、 （１５）はソース
・ドレイン電極域、 （１６）はチャネル保護膜、 （
１７）はドレイン電極、 はソース電翫、 （１９）は保護膜、 （２０）は配向膜、 （２１）は液晶、 （２２）は 対向電極である。 なお、 図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図 ｄ 第１図 ／Ｉ徨期４ｉＪ枠基柩 ｚｌ、灰口１ 第３図 １−ｐｎｏｒｆｆ、Ｉ’ｆ−ＶｂＲｔｖＥ（１：）−ｐ
）（１，／） 第４図 ｆｐｔｙｒｔ電ａ’ ＴｈｐｔｖＥ（Ｐ−Ｐ） （Ｖ）
第５図 印加電圧 ＶＤ１２１ＶＥ（ｐ−Ｐ） （い （自発） 第７図 ■
Claims (1)
- （１）一対の透明絶縁基板の内部に液晶を封入し、液晶
の電気光学効果によって画像を表示する液晶表示装置お
いて、上記液晶表示装置の表示特性を計算によって求め
る際に、液晶の誘電率は液晶分子長軸方向が電場ベクト
ルに対して平行の時の誘電率の値とそれと直交する時の
値との間で連続的に変化する、として計算することを特
徴とする液晶表示装置の表示特性計算方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01072612A JP3107380B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 液晶透過率を計算するシミュレーション方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01072612A JP3107380B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 液晶透過率を計算するシミュレーション方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251888A true JPH02251888A (ja) | 1990-10-09 |
| JP3107380B2 JP3107380B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=13494390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01072612A Expired - Lifetime JP3107380B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 液晶透過率を計算するシミュレーション方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3107380B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101806351B1 (ko) | 2011-02-01 | 2018-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP01072612A patent/JP3107380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3107380B2 (ja) | 2000-11-06 |
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