JPH11109358A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH11109358A JPH11109358A JP26897597A JP26897597A JPH11109358A JP H11109358 A JPH11109358 A JP H11109358A JP 26897597 A JP26897597 A JP 26897597A JP 26897597 A JP26897597 A JP 26897597A JP H11109358 A JPH11109358 A JP H11109358A
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- liquid crystal
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- control window
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示電極のエッジ部の影響を低減することに
よって、視角特性、明るさ及びコントラストを向上さ
せ、応答速度を短縮する。 【解決手段】 複数形成された表示電極（１９）と対向
電極（３１）との間に垂直配向された液晶分子（４１）
を有する液晶層（４０）が設けられ、電界により液晶分
子（４１）の配向を制御する垂直配向方式の液晶表示装
置であり、表示電極（１９）及び対向電極（３１）に夫
々配向制御窓（１９ａ）、（１９ｂ）及び（３２）を設
け、エッジ及び対向電極側配向制御窓（３２）のなす角
度、並びに対向電極側配向制御窓（３２）及び表示電極
側配向制御窓（１９ａ）、（１９ｂ）のなす角度を夫々
４５°より小さくする。
よって、視角特性、明るさ及びコントラストを向上さ
せ、応答速度を短縮する。 【解決手段】 複数形成された表示電極（１９）と対向
電極（３１）との間に垂直配向された液晶分子（４１）
を有する液晶層（４０）が設けられ、電界により液晶分
子（４１）の配向を制御する垂直配向方式の液晶表示装
置であり、表示電極（１９）及び対向電極（３１）に夫
々配向制御窓（１９ａ）、（１９ｂ）及び（３２）を設
け、エッジ及び対向電極側配向制御窓（３２）のなす角
度、並びに対向電極側配向制御窓（３２）及び表示電極
側配向制御窓（１９ａ）、（１９ｂ）のなす角度を夫々
４５°より小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の電気光学的
な異方性を利用して表示を行う液晶表示装置（ＬＣＤ：
Liquid Crystal Display）に関し、特に、視角特性、明
るさ及びコントラストを向上させ、応答速度の短縮を達
成した液晶表示装置に関する。
な異方性を利用して表示を行う液晶表示装置（ＬＣＤ：
Liquid Crystal Display）に関し、特に、視角特性、明
るさ及びコントラストを向上させ、応答速度の短縮を達
成した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤは、小型、薄型、低消費電力等の
利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器等の分野で実用化が進
んでいる。特に、スイッチング素子として、薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクティブマト
リクス型は、原理的にデューティー比１００％のスタテ
ィック駆動をマルチプレクス的に行うことができ、大画
面、高精細な動画ディスプレイに使用されている。
利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器等の分野で実用化が進
んでいる。特に、スイッチング素子として、薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクティブマト
リクス型は、原理的にデューティー比１００％のスタテ
ィック駆動をマルチプレクス的に行うことができ、大画
面、高精細な動画ディスプレイに使用されている。
【０００３】ＴＦＴは電界効果トランジスタであり基板
上に行列状に配置され、液晶を誘電層とした画素容量の
一方を成す表示電極に接続されている。ＴＦＴはゲート
ラインにより同一行について一斉にオン／オフが制御さ
れると共に、ドレインラインより画素信号電圧が供給さ
れ、ＴＦＴがオンされた画素容量に対して行列的に指定
された表示用電圧が充電される。表示電極とＴＦＴは同
一基板上に形成され、画素容量の他方を成す共通電極
は、液晶層を挟んで対向配置された別の基板上に全面的
に形成されている。即ち、液晶及び共通電極が表示電極
により区画されて表示画素を構成している。画素容量に
充電された電圧は、次にＴＦＴがオンするまでの１フィ
ールド或いは１フレーム期間、ＴＦＴのオフ抵抗により
絶縁的に保持される。液晶は電気光学的に異方性を有し
ており、画素容量に印加された電圧に応じて透過率が制
御される。表示画素毎に透過率を制御することで、これ
らの明暗が表示画像として視認される。
上に行列状に配置され、液晶を誘電層とした画素容量の
一方を成す表示電極に接続されている。ＴＦＴはゲート
ラインにより同一行について一斉にオン／オフが制御さ
れると共に、ドレインラインより画素信号電圧が供給さ
れ、ＴＦＴがオンされた画素容量に対して行列的に指定
された表示用電圧が充電される。表示電極とＴＦＴは同
一基板上に形成され、画素容量の他方を成す共通電極
は、液晶層を挟んで対向配置された別の基板上に全面的
に形成されている。即ち、液晶及び共通電極が表示電極
により区画されて表示画素を構成している。画素容量に
充電された電圧は、次にＴＦＴがオンするまでの１フィ
ールド或いは１フレーム期間、ＴＦＴのオフ抵抗により
絶縁的に保持される。液晶は電気光学的に異方性を有し
ており、画素容量に印加された電圧に応じて透過率が制
御される。表示画素毎に透過率を制御することで、これ
らの明暗が表示画像として視認される。
【０００４】液晶は、更に、両基板との接触界面に設け
られた配向膜により初期配向状態が決定される。液晶と
して例えば正の誘電率異方性を有したネマティック相を
用い、配向ベクトルが両基板間で９０°にねじられたツ
イストネマティック（ＴＮ）方式がある。通常、両基板
の外側には偏光板が設けられており、ＴＮ方式において
は、各偏光板の偏光軸は、夫々の基板側の配向方向に一
致している。従って、電圧無印加時には、一方の偏光板
を通過した直線偏光は、液晶のねじれ配向に沿う形で、
液晶層中で旋回し、他方の偏光板より射出され、表示は
白として認識される。そして、画素容量に電圧を印加し
て液晶層に電界を形成することにより、液晶はその誘電
率異方性のために、電界に対して平行になるように配向
を変化し、ねじれ配列が崩され、液晶層中で入射直線偏
光が旋回されなくなり、他方の偏光板より射出される光
量が絞り込まれて表示は暫次的に黒になっていく。この
ように、電圧無印加次に白を示し、電圧印加に従って黒
となる方式は、ノーマリー・ホワイト・モードと呼ば
れ、ＴＮセルの主流となっている。
られた配向膜により初期配向状態が決定される。液晶と
して例えば正の誘電率異方性を有したネマティック相を
用い、配向ベクトルが両基板間で９０°にねじられたツ
イストネマティック（ＴＮ）方式がある。通常、両基板
の外側には偏光板が設けられており、ＴＮ方式において
は、各偏光板の偏光軸は、夫々の基板側の配向方向に一
致している。従って、電圧無印加時には、一方の偏光板
を通過した直線偏光は、液晶のねじれ配向に沿う形で、
液晶層中で旋回し、他方の偏光板より射出され、表示は
白として認識される。そして、画素容量に電圧を印加し
て液晶層に電界を形成することにより、液晶はその誘電
率異方性のために、電界に対して平行になるように配向
を変化し、ねじれ配列が崩され、液晶層中で入射直線偏
光が旋回されなくなり、他方の偏光板より射出される光
量が絞り込まれて表示は暫次的に黒になっていく。この
ように、電圧無印加次に白を示し、電圧印加に従って黒
となる方式は、ノーマリー・ホワイト・モードと呼ば
れ、ＴＮセルの主流となっている。
【０００５】図３及び図４に従来の液晶表示装置の単位
画素部分の構造を示す。図３は平面図、図４はそのＧ−
Ｇ線に沿った断面図である。基板（１００）上に、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなるゲート電極（１０
１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘまたは／及びＳ
ｉＯ2等からなるゲート絶縁膜（１０２）が形成されて
いる。ゲート絶縁膜（１０２）上には、ｐ−Ｓｉ（１０
３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１０３）は、この上
にゲート電極（１０１）の形状にパターニングされたＳ
ｉＯ2等の注入ストッパー（１０４）を利用して、燐、
砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度（Ｌ
Ｄ：Lightly doped）領域（ＬＤ）、及び、その外側に
同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及びド
レイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入ストッパ
ー（１０４）の直下は、実質的に不純物が含有されない
真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となっている。
これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等からなる
層間絶縁膜（１０５）が形成され、層間絶縁膜（１０
５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１０
６）及びドレイン電極（１０７）が形成され、各々層間
絶縁膜（１０５）に開けられたコンタクトホールを介し
て、ソース領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続さ
れている。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN O
N GLASS）、ＢＰＳＧ（BORO-PH-OSPHO SILICATE GLAS
S）、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜（１０８）が形成
されている。平坦化絶縁膜（１０８）上には、ＩＴＯ
（indium tin oxide）等の透明導電膜からなる液晶駆動
用の表示電極（１０９）が形成され、平坦化絶縁膜（１
０８）に開けられたコンタクトホールを介してソース電
極（１０６）に接続されている。
画素部分の構造を示す。図３は平面図、図４はそのＧ−
Ｇ線に沿った断面図である。基板（１００）上に、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなるゲート電極（１０
１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘまたは／及びＳ
ｉＯ2等からなるゲート絶縁膜（１０２）が形成されて
いる。ゲート絶縁膜（１０２）上には、ｐ−Ｓｉ（１０
３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１０３）は、この上
にゲート電極（１０１）の形状にパターニングされたＳ
ｉＯ2等の注入ストッパー（１０４）を利用して、燐、
砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度（Ｌ
Ｄ：Lightly doped）領域（ＬＤ）、及び、その外側に
同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及びド
レイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入ストッパ
ー（１０４）の直下は、実質的に不純物が含有されない
真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となっている。
これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等からなる
層間絶縁膜（１０５）が形成され、層間絶縁膜（１０
５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１０
６）及びドレイン電極（１０７）が形成され、各々層間
絶縁膜（１０５）に開けられたコンタクトホールを介し
て、ソース領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続さ
れている。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN O
N GLASS）、ＢＰＳＧ（BORO-PH-OSPHO SILICATE GLAS
S）、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜（１０８）が形成
されている。平坦化絶縁膜（１０８）上には、ＩＴＯ
（indium tin oxide）等の透明導電膜からなる液晶駆動
用の表示電極（１０９）が形成され、平坦化絶縁膜（１
０８）に開けられたコンタクトホールを介してソース電
極（１０６）に接続されている。
【０００６】これら全てを覆う全面には、ポリイミド等
の高分子膜からなる配向膜（１２０）が形成され、所定
のラビング処理により液晶の初期配向を制御している。
一方、液晶層を挟んで基板（１００）に対向する位置に
設置された別のガラス基板（１３０）上には、ＩＴＯに
より全面的に形成された共通電極（１３１）が設けら
れ、共通電極（１３１）上にはポリイミド等の配向膜
（１３３）が形成され、ラビング処理が施されている。
の高分子膜からなる配向膜（１２０）が形成され、所定
のラビング処理により液晶の初期配向を制御している。
一方、液晶層を挟んで基板（１００）に対向する位置に
設置された別のガラス基板（１３０）上には、ＩＴＯに
より全面的に形成された共通電極（１３１）が設けら
れ、共通電極（１３１）上にはポリイミド等の配向膜
（１３３）が形成され、ラビング処理が施されている。
【０００７】ここでは、液晶（１４０）に負の誘電率異
方性を有したネマチック相を用い、配向膜（１２０、１
３３）として垂直配向膜を用いたＤＡＰ（deformation
of vertically aligned phase）型を示した。ＤＡＰ型
は、電圧制御複屈折（ＥＣＢ：electrically controlle
d birefringence）方式の一つであり、液晶分子長軸と
短軸との屈折率の差、即ち、複屈折を利用して、透過率
を制御するものである。ＤＡＰ型では、電圧印加時に
は、直交配置された偏光板の一方を透過した入射直線偏
光を液晶層において、複屈折により楕円偏光とし、液晶
層の電界強度に従ってリタデーション量、即ち、液晶中
の常光成分と異常光成分の位相速度の差を制御すること
で、他方の偏光板より所望の透過率で射出させる。この
場合、電圧無印加状態から印加電圧を上昇させることに
より、表示は黒から白へと変化していくので、ノーマリ
ー・ブラック・モードとなる。
方性を有したネマチック相を用い、配向膜（１２０、１
３３）として垂直配向膜を用いたＤＡＰ（deformation
of vertically aligned phase）型を示した。ＤＡＰ型
は、電圧制御複屈折（ＥＣＢ：electrically controlle
d birefringence）方式の一つであり、液晶分子長軸と
短軸との屈折率の差、即ち、複屈折を利用して、透過率
を制御するものである。ＤＡＰ型では、電圧印加時に
は、直交配置された偏光板の一方を透過した入射直線偏
光を液晶層において、複屈折により楕円偏光とし、液晶
層の電界強度に従ってリタデーション量、即ち、液晶中
の常光成分と異常光成分の位相速度の差を制御すること
で、他方の偏光板より所望の透過率で射出させる。この
場合、電圧無印加状態から印加電圧を上昇させることに
より、表示は黒から白へと変化していくので、ノーマリ
ー・ブラック・モードとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、液晶表示
装置では、所定の電極が形成された一対の基板間に装填
された液晶に所望の電圧を印加することで、液晶層中で
の光の旋回或いは複屈折を制御することにより目的の透
過率或いは色相を得、表示画像を作成する。即ち、液晶
の配向を変化してリタデーション量を制御することで、
ＴＮ方式においては透過光強度を調整できると共に、Ｅ
ＣＢ方式においては波長に依存した分光強度を制御して
色相の分離も可能となる。リタデーション量は、液晶分
子の長軸と電界方向とのなす角度に依存している。この
ため、電界強度を調節することで、電界と液晶分子長軸
との成す角度が１次的に制御されても、観察者が視認す
る角度、即ち、視角に依存して、相対的にリタデーショ
ン量が変化し、視角が変化すると透過光強度或いは色相
も変化してしまい、いわゆる視角依存性の問題となって
いた。
装置では、所定の電極が形成された一対の基板間に装填
された液晶に所望の電圧を印加することで、液晶層中で
の光の旋回或いは複屈折を制御することにより目的の透
過率或いは色相を得、表示画像を作成する。即ち、液晶
の配向を変化してリタデーション量を制御することで、
ＴＮ方式においては透過光強度を調整できると共に、Ｅ
ＣＢ方式においては波長に依存した分光強度を制御して
色相の分離も可能となる。リタデーション量は、液晶分
子の長軸と電界方向とのなす角度に依存している。この
ため、電界強度を調節することで、電界と液晶分子長軸
との成す角度が１次的に制御されても、観察者が視認す
る角度、即ち、視角に依存して、相対的にリタデーショ
ン量が変化し、視角が変化すると透過光強度或いは色相
も変化してしまい、いわゆる視角依存性の問題となって
いた。
【０００９】また、明るさ及びコントラストの低下や応
答速度の遅さが問題となっていた。
答速度の遅さが問題となっていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するために成され、複数形成された表示電極と対
向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層
が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記表示電極及
び上記対向電極に夫々配向制御窓を設けたことを特徴と
する構成である。
を解決するために成され、複数形成された表示電極と対
向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層
が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記表示電極及
び上記対向電極に夫々配向制御窓を設けたことを特徴と
する構成である。
【００１１】また、上記表示電極のエッジ及び上記対向
電極の配向制御窓のなす角度、並びに上記対向電極の配
向制御窓及び上記表示電極の配向制御窓のなす角度が夫
々４５°よりも小さいことを特徴とする構成である。ま
た、上記表示電極側の配向制御窓は、上記表示電極の上
部及び下部に夫々分離して設けられたＹ字状及び逆Ｙ字
状のスリットより成り、上記対向電極側の配向制御窓
は、上記Ｙ字状のスリットを囲むＶ字状及びＹ字状のス
リットと、上記逆Ｙ字状のスリットを囲む逆Ｖ字状及び
逆Ｙ字状のスリットより成り、 対向電極側のＹ字状の
スリットと逆Ｙ字状のスリットは連結されていることを
特徴とする構成である。
電極の配向制御窓のなす角度、並びに上記対向電極の配
向制御窓及び上記表示電極の配向制御窓のなす角度が夫
々４５°よりも小さいことを特徴とする構成である。ま
た、上記表示電極側の配向制御窓は、上記表示電極の上
部及び下部に夫々分離して設けられたＹ字状及び逆Ｙ字
状のスリットより成り、上記対向電極側の配向制御窓
は、上記Ｙ字状のスリットを囲むＶ字状及びＹ字状のス
リットと、上記逆Ｙ字状のスリットを囲む逆Ｖ字状及び
逆Ｙ字状のスリットより成り、 対向電極側のＹ字状の
スリットと逆Ｙ字状のスリットは連結されていることを
特徴とする構成である。
【００１２】これにより、エッジの影響を低減して、視
角特性、明るさ及びコントラストを向上させると共に、
応答速度を速くすることができる。
角特性、明るさ及びコントラストを向上させると共に、
応答速度を速くすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１及び図２に本発明の実施の形
態に係る液晶表示装置の単位画素構造を示す。図１は平
面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。基
板（１０）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなる
ゲート電極（１１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘ
または／及びＳｉＯ2等からなるゲート絶縁膜（１２）
が形成されている。ゲート絶縁膜（１２）上には、ｐ−
Ｓｉ（１３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１３）は、
この上にゲート電極（１１）の形状にパターニングされ
たＳｉＯ2等の注入ストッパー（１４）を利用して、
燐、砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度
（ＬＤ：Lightly doped）領域（ＬＤ）、及び、その外
側に同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及
びドレイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入スト
ッパー（１４）の直下は、実質的に不純物が含有されな
い真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となってい
る。これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等から
なる層間絶縁膜（１５）が形成され、層間絶縁膜（１
５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１６）
及びドレイン電極（１７）が形成され、各々層間絶縁膜
（１５）に開けられたコンタクトホールを介して、ソー
ス領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続されてい
る。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN ON GLAS
S）、ＢＰＳＧ（BORO-PH-OSPHOSILICATE GLASS）、アク
リル樹脂等の平坦化絶縁膜（１８）が形成されている。
平坦化絶縁膜（１８）上には、ＩＴＯ（indium tin oxi
de）等の透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１
９）が形成され、平坦化絶縁膜（１８）に開けられたコ
ンタクトホールを介してソース電極（１６）に接続され
ている。
態に係る液晶表示装置の単位画素構造を示す。図１は平
面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。基
板（１０）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなる
ゲート電極（１１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘ
または／及びＳｉＯ2等からなるゲート絶縁膜（１２）
が形成されている。ゲート絶縁膜（１２）上には、ｐ−
Ｓｉ（１３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１３）は、
この上にゲート電極（１１）の形状にパターニングされ
たＳｉＯ2等の注入ストッパー（１４）を利用して、
燐、砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度
（ＬＤ：Lightly doped）領域（ＬＤ）、及び、その外
側に同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及
びドレイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入スト
ッパー（１４）の直下は、実質的に不純物が含有されな
い真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となってい
る。これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等から
なる層間絶縁膜（１５）が形成され、層間絶縁膜（１
５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１６）
及びドレイン電極（１７）が形成され、各々層間絶縁膜
（１５）に開けられたコンタクトホールを介して、ソー
ス領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続されてい
る。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN ON GLAS
S）、ＢＰＳＧ（BORO-PH-OSPHOSILICATE GLASS）、アク
リル樹脂等の平坦化絶縁膜（１８）が形成されている。
平坦化絶縁膜（１８）上には、ＩＴＯ（indium tin oxi
de）等の透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１
９）が形成され、平坦化絶縁膜（１８）に開けられたコ
ンタクトホールを介してソース電極（１６）に接続され
ている。
【００１４】これら全てを覆う全面には、ポリイミド等
の高分子膜からなる配向膜（２０）が形成されている。
一方、液晶層を挟んで基板（１０）に対向する位置に設
置された別のガラス基板（３０）上には、ＩＴＯにより
全面的に形成された共通電極（３１）が設けられ、共通
電極（３１）上にはポリイミド等の配向膜（３３）が形
成されている。本発明では、配向膜（２０）、（３３）
及び液晶（４０）を、液晶分子（４１）が垂直となるも
のが選定されている。
の高分子膜からなる配向膜（２０）が形成されている。
一方、液晶層を挟んで基板（１０）に対向する位置に設
置された別のガラス基板（３０）上には、ＩＴＯにより
全面的に形成された共通電極（３１）が設けられ、共通
電極（３１）上にはポリイミド等の配向膜（３３）が形
成されている。本発明では、配向膜（２０）、（３３）
及び液晶（４０）を、液晶分子（４１）が垂直となるも
のが選定されている。
【００１５】本実施の形態においては、図１の実線で示
すように、表示電極（１９）の上部にＹ字状のスリット
より成る配向制御窓（１９ａ）が形成され、そして、こ
れと対称に表示電極（１９）の下部に逆Ｙ字状のスリッ
トより成る配向制御窓（１９ｂ）が形成されている。一
方、共通電極（３１）には図１の破線で示すように、表
示電極（１９）の上部に対応する位置にＹ字状のスリッ
ト（１９ａ）を囲むようにＶ字状スリット（３２ａ）及
びＹ字状スリット（３２ｂ）が形成され、これと対称
に、表示電極（１９）の下部に対応する位置に逆Ｙ字状
のスリット（１９ｂ）を囲むように逆Ｖ字状スリット
（３２ａ）及びＹ字状スリット（３２ｂ）が形成されて
いる。そして、 Ｙ字状スリット（３２ｂ）と逆Ｙ字状
スリット（３２ｄ）は連結されており、これら４つのス
リット（３２ａ）（３２ｂ）（３２ｃ）（３２ｄ）で共
通電極側の配向制御窓（３２）を構成している。
すように、表示電極（１９）の上部にＹ字状のスリット
より成る配向制御窓（１９ａ）が形成され、そして、こ
れと対称に表示電極（１９）の下部に逆Ｙ字状のスリッ
トより成る配向制御窓（１９ｂ）が形成されている。一
方、共通電極（３１）には図１の破線で示すように、表
示電極（１９）の上部に対応する位置にＹ字状のスリッ
ト（１９ａ）を囲むようにＶ字状スリット（３２ａ）及
びＹ字状スリット（３２ｂ）が形成され、これと対称
に、表示電極（１９）の下部に対応する位置に逆Ｙ字状
のスリット（１９ｂ）を囲むように逆Ｖ字状スリット
（３２ａ）及びＹ字状スリット（３２ｂ）が形成されて
いる。そして、 Ｙ字状スリット（３２ｂ）と逆Ｙ字状
スリット（３２ｄ）は連結されており、これら４つのス
リット（３２ａ）（３２ｂ）（３２ｃ）（３２ｄ）で共
通電極側の配向制御窓（３２）を構成している。
【００１６】更に、本発明においては、図１に示されて
いるように、表示電極（１９）のエッジと共通電極側の
配向制御窓（３２ｃ）のなす角度θ１、θ４、並びに共
通電極側の配向制御窓（３２ｃ）と表示電極側の配向制
御窓（１９ｂ）のなす角度θ２、θ３、θ５、θ６は、
全て４５°より小さくなるよう設定されている。ここで
示した角度は、表示電極（１９）の右下隅についてのみ
示したが他の３隅についても同様に各角度は全て４５°
より小さくなるよう設定されている。
いるように、表示電極（１９）のエッジと共通電極側の
配向制御窓（３２ｃ）のなす角度θ１、θ４、並びに共
通電極側の配向制御窓（３２ｃ）と表示電極側の配向制
御窓（１９ｂ）のなす角度θ２、θ３、θ５、θ６は、
全て４５°より小さくなるよう設定されている。ここで
示した角度は、表示電極（１９）の右下隅についてのみ
示したが他の３隅についても同様に各角度は全て４５°
より小さくなるよう設定されている。
【００１７】以上のように構成されている場合、表示電
極側の配向制御窓（１９ａ）及び（１９ｂ）の真上と、
共通電極側の配向制御窓（３２）の真下では、いずれか
一方の電極が欠落しているので、液晶分子（４１）を傾
斜させるほどの電界がかからず、このためこれらの液晶
分子（４１）は垂直に配向する。しかしながら、これら
の配向制御窓の近傍には図２の点線で示す電界が生じ、
液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向に配向
制御される。また、表示電極（１９）のエッジにおいて
も同様、液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方
向に配向制御され、これらの液晶分子の傾斜が液晶の連
続性によって内部の液晶にまで伝わる。よって、液晶分
子（４１）の配向制御方向は、図１の矢印で示すよう
に、表示電極エッジ、表示電極側の配向制御窓（１９
ａ）及び（１９ｂ）、及び共通電極側の配向制御窓（３
２）のいずれに対しても、垂直な方向となる。
極側の配向制御窓（１９ａ）及び（１９ｂ）の真上と、
共通電極側の配向制御窓（３２）の真下では、いずれか
一方の電極が欠落しているので、液晶分子（４１）を傾
斜させるほどの電界がかからず、このためこれらの液晶
分子（４１）は垂直に配向する。しかしながら、これら
の配向制御窓の近傍には図２の点線で示す電界が生じ、
液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向に配向
制御される。また、表示電極（１９）のエッジにおいて
も同様、液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方
向に配向制御され、これらの液晶分子の傾斜が液晶の連
続性によって内部の液晶にまで伝わる。よって、液晶分
子（４１）の配向制御方向は、図１の矢印で示すよう
に、表示電極エッジ、表示電極側の配向制御窓（１９
ａ）及び（１９ｂ）、及び共通電極側の配向制御窓（３
２）のいずれに対しても、垂直な方向となる。
【００１８】図１から明らかなように、表示電極（１
９）の中央部分では配向制御窓が垂直方向に形成されて
いるので液晶分子（４１）が右又は左の同一方向に配向
制御され、この領域では配向不良は起こらない。ところ
が、上部及び下部においては、配向制御窓が斜めに形成
されているので、これに伴って液晶分子の配向方向も傾
斜する。たとえば、表示電極（１９）の右下隅において
液晶分子（４１）は、表示電極の右エッジでは矢印ａで
示す方向となり、配向制御窓３２ｄのエッジでは矢印ｂ
で示す方向となる。しかしながら、液晶分子（４１）の
配向方向は、表示電極エッジ及び配向制御窓に対して垂
直方向となるので、矢印ａと矢印ｂのなす角度はθ４と
なる。また、配向制御窓１９ｂと配向制御窓３２ｄの間
の領域では、液晶分子（４１）の配向方向を示す矢印ｃ
と矢印ｄとのなす角度はθ３となる。以下、同様に、両
エッジでの液晶分子（４１）の配向方向のなす角度は、
配向制御窓（１９ｂ）と配向制御窓（３２ｃ）の間の領
域ではθ２、配向制御窓（３２ｃ）と表示電極の下エッ
ジの間の領域ではθ１となる。
９）の中央部分では配向制御窓が垂直方向に形成されて
いるので液晶分子（４１）が右又は左の同一方向に配向
制御され、この領域では配向不良は起こらない。ところ
が、上部及び下部においては、配向制御窓が斜めに形成
されているので、これに伴って液晶分子の配向方向も傾
斜する。たとえば、表示電極（１９）の右下隅において
液晶分子（４１）は、表示電極の右エッジでは矢印ａで
示す方向となり、配向制御窓３２ｄのエッジでは矢印ｂ
で示す方向となる。しかしながら、液晶分子（４１）の
配向方向は、表示電極エッジ及び配向制御窓に対して垂
直方向となるので、矢印ａと矢印ｂのなす角度はθ４と
なる。また、配向制御窓１９ｂと配向制御窓３２ｄの間
の領域では、液晶分子（４１）の配向方向を示す矢印ｃ
と矢印ｄとのなす角度はθ３となる。以下、同様に、両
エッジでの液晶分子（４１）の配向方向のなす角度は、
配向制御窓（１９ｂ）と配向制御窓（３２ｃ）の間の領
域ではθ２、配向制御窓（３２ｃ）と表示電極の下エッ
ジの間の領域ではθ１となる。
【００１９】ここで、仮に、配向制御窓として中央に縦
方向の１本のみがあるとすれば、表示電極の右エッジで
の液晶分子の配向方向と下エッジでの配向方向は９０°
に成らざるを得ず、エッジ近辺では液晶分子が極端にそ
の方向を変えることとなる。このため、これらの領域で
は配向不良が起きてしまう。ところが、上述したよう
に、θ１、θ２、θ３、θ４、θ５、θ６の角度は、全
て４５°より小さく設定されているので、全ての領域に
おいて、液晶分子が４５°以上その方向を変えることは
ない。このため、表示電極（１９）の両端部における配
向不良を低減することができる。これにより、明るさ、
コントラスト、レスポンス及び視角特性が向上する。
方向の１本のみがあるとすれば、表示電極の右エッジで
の液晶分子の配向方向と下エッジでの配向方向は９０°
に成らざるを得ず、エッジ近辺では液晶分子が極端にそ
の方向を変えることとなる。このため、これらの領域で
は配向不良が起きてしまう。ところが、上述したよう
に、θ１、θ２、θ３、θ４、θ５、θ６の角度は、全
て４５°より小さく設定されているので、全ての領域に
おいて、液晶分子が４５°以上その方向を変えることは
ない。このため、表示電極（１９）の両端部における配
向不良を低減することができる。これにより、明るさ、
コントラスト、レスポンス及び視角特性が向上する。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、表示電極
及び対向電極の両方に配向制御窓を設け、表示電極エッ
ジ及び対向電極側配向制御窓のなす角度、対向電極側配
向制御窓及び表示電極側配向制御窓のなす角度を夫々４
５°よりも小さく設定したので、配向不良を防止すると
共に、明るさ、コントラスト、レスポンス及び視角特性
を向上させることができる。
及び対向電極の両方に配向制御窓を設け、表示電極エッ
ジ及び対向電極側配向制御窓のなす角度、対向電極側配
向制御窓及び表示電極側配向制御窓のなす角度を夫々４
５°よりも小さく設定したので、配向不良を防止すると
共に、明るさ、コントラスト、レスポンス及び視角特性
を向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の単
位画素部の平面図である。
位画素部の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】従来の液晶表示装置の単位画素部の平面図であ
る。
る。
【図４】図３のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。
１０ 基板 １１ ゲート電極 １２ ゲート絶縁膜 １３ ｐ−ｓｉ １４ 注入ストッパー １５ 層間絶縁膜 １６ ソース電極 １７ ドレイン電極 １９ 表示電極 １９ａ、１９ｂ 表示電極側配向制御窓 ２０ 配向膜 ３０ ガラス基板 ３１ 共通電極 ３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ 対向電極側配
向制御窓 ３３ 配向膜 ４０ 液晶 ４１ 液晶分子
向制御窓 ３３ 配向膜 ４０ 液晶 ４１ 液晶分子
Claims (3)
- 【請求項１】 複数形成された表示電極と対向電極との
間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けら
れ、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向
方式の液晶表示装置であって、 上記表示電極及び上記対向電極に夫々配向制御窓を設け
たことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 上記表示電極のエッジ及び上記対向電極
の配向制御窓のなす角度、並びに上記対向電極の配向制
御窓及び上記表示電極の配向制御窓のなす角度が夫々４
５°よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項３】 上記表示電極側の配向制御窓は、上記表
示電極の上部及び下部に夫々分離して設けられたＹ字状
及び逆Ｙ字状のスリットより成り、 上記対向電極側の配向制御窓は、上記Ｙ字状のスリット
を囲むＶ字状及びＹ字状のスリットと、上記逆Ｙ字状の
スリットを囲む逆Ｖ字状及び逆Ｙ字状のスリットより成
り、 対向電極側のＹ字状のスリットと逆Ｙ字状のスリ
ットは連結されていることを特徴とする請求項２記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26897597A JP3208363B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26897597A JP3208363B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11109358A true JPH11109358A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3208363B2 JP3208363B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=17465914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26897597A Expired - Lifetime JP3208363B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3208363B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11352491A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置 |
| JP2001142073A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | 液晶表示装置 |
| US6633357B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-10-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US6750933B1 (en) | 1998-08-06 | 2004-06-15 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid-crystal display and the method of its fabrication |
| US6774966B1 (en) | 1997-06-10 | 2004-08-10 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| US6788374B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-09-07 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| EP1666958A2 (en) | 1998-09-18 | 2006-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| KR100706257B1 (ko) * | 2003-09-09 | 2007-04-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
| US7283190B2 (en) | 1998-09-18 | 2007-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response |
| JP2009064042A (ja) * | 1999-10-01 | 2009-03-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置 |
| JP2012177933A (ja) * | 1998-05-16 | 2012-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 |
| US9405157B2 (en) | 2013-10-25 | 2016-08-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP26897597A patent/JP3208363B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774966B1 (en) | 1997-06-10 | 2004-08-10 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| US8035785B2 (en) | 1997-06-10 | 2011-10-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| US7826020B2 (en) | 1997-06-10 | 2010-11-02 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| US7133111B2 (en) | 1997-06-10 | 2006-11-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| US7440065B2 (en) | 1997-06-10 | 2008-10-21 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| JP2012177933A (ja) * | 1998-05-16 | 2012-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8305532B2 (en) | 1998-05-20 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having wide viewing angle |
| JPH11352491A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置 |
| US7304704B2 (en) | 1998-08-06 | 2007-12-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid-crystal display and the method of its fabrication |
| US6750933B1 (en) | 1998-08-06 | 2004-06-15 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid-crystal display and the method of its fabrication |
| US7697097B2 (en) | 1998-08-06 | 2010-04-13 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid-crystal display and method of its fabrication |
| US7405789B1 (en) | 1998-09-18 | 2008-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response |
| US7283190B2 (en) | 1998-09-18 | 2007-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response |
| US7321412B2 (en) | 1998-09-18 | 2008-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response |
| EP1666958A3 (en) * | 1998-09-18 | 2007-03-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| US7593081B2 (en) | 1998-09-18 | 2009-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response |
| EP1659443A3 (en) * | 1998-09-18 | 2007-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| EP2224282A2 (en) | 1998-09-18 | 2010-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertical-alignment-type liquid crystal display apparatus |
| US7808594B2 (en) | 1998-09-18 | 2010-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response |
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| US7898627B2 (en) | 1998-09-18 | 2011-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertical alignment type liquid crystal display apparatus |
| US9557612B2 (en) | 1999-10-01 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JP2009064042A (ja) * | 1999-10-01 | 2009-03-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置 |
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| US6788374B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-09-07 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US6633357B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-10-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7466298B2 (en) | 2003-09-09 | 2008-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device for improving a display response speed and driving method for the same |
| KR100706257B1 (ko) * | 2003-09-09 | 2007-04-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3208363B2 (ja) | 2001-09-10 |
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