KR100568053B1 - 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저온 다결정 실리콘 TFT를 이용한 반사형 액정 표시 장치의 최적화에 관한 것이다. 본 발명은, TFT 기판상에, 저온 다결정 실리콘 박막(20)을 능동층으로서 이용하는 TFT를 형성하고, 그 TFT 및 전극 배선을 덮도록 이들 위에 층간 절연막을 통해 복수의 화소 전극(26)을 형성한다. 액정층(40)을 사이에 두고 대향하는 대향 기판(30)상에 형성되는 공통 전극(32)에는, 그 화소 전극(26)과 대향하는 소정 위치에 액정의 배향 제어창(34)이 형성되고, 1화소 중에서 액정 분자의 배향 영역을 분할하여 광시야각을 실현하고 있다. 액정층(40)의 배향은 수직 배향이고, 액정 재료로서 부(負)의 유전 이방성을 구비하며, 적어도 측쇄에 불소를 갖는 불소계 액정 분자를 포함하는 것으로, 다결정 실리콘 TFT에 의해 실현되는 저전압 구동으로 충분히 동작하는 것이 가능해진다.
수직 배향, 배향 제어창, 불소계 액정, 다결정 실리콘 TFT, 액정 표시 장치

Description

액티브 매트릭스형 액정 표시 장치{ACTIVE MATRIX TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
도 1은 본 실시 형태에 따른 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 평면 구성의 일례를 나타낸 개념도.
도 2는 도 1의 액정 표시 장치의 A-A선에 따른 개략 단면을 나타낸 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10 : TFT 기판(제1 기판)
12 : 게이트 전극
13, 14 : 게이트 절연막
16 : 소스 전극
18 : 드레인 전극
20 : 다결정 실리콘 박막
20S : 소스 영역
20LS : 저농도 소스 영역
20CH : 채널 영역
20D : 드레인 영역
20LD : 저농도 드레인 영역
22 : 층간 절연막
23 : 주입 스토퍼
24 : 평탄화 층간 절연막(SOG)
26 : 화소 전극
28 : 수직 배향막
30 : 대향 기판(제2기판)
32 : 공통 전극
34 : 배향 제어창
36 : 보호막
38 : 칼라 필터
40 : 액정층
42 : 액정 분자
본 발명은, 화소를 각각 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)로 구동하여 액정 표시를 행하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치(LCD : Liquid Crystal Display)에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터에 저온 프로세스에 의해 작성한 다결정 실리콘을 이용한 반사형 액정 표시 장치에 관한 것이다.
한쌍의 기판 사이에 액정을 봉입하고, 이 액정에 전압을 인가하여 원하는 표 시를 행하는 액정 표시 장치는, 소형, 박형이라는 이점이 있고, 또한 저소비 전력화가 용이하기 때문에, 현재 각종 OA 기기, AV 기기 혹은 휴대용, 차량 탑재용 정보 기기 등의 디스플레이로서 실용화가 진행되고 있다. 특히, 각 액정 화소를 구동하기 위한 스위칭 소자로서, 박막 트랜지스터(이하, TFT라 함)를 이용한 소위 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는, TFT를 선택적으로 구동하여 액정 화소를 선택할 수 있기 때문에 크로스토크가 없어 보다 고정밀한 화상 표시가 가능하다.
액정 표시 장치에 이용되는 TFT로서는, 능동층에 비정질(아모르퍼스) 실리콘을 이용한 비정질 실리콘 TFT와, 능동층에 의해 이동도가 높은 다결정 실리콘을 이용한 다결정 실리콘 TFT가 알려져 있고, 비정질 실리콘 TFT는 저온 프로세스에 의해 대면적에 걸쳐 형성이 가능하기 때문에, 대형의 디스플레이용 등에 많이 이용되고 있다. 이에 대해, 다결정 실리콘 TFT는 비정질 실리콘에 비해 그 이동도가 높고, 또한 자기 정합에 의해 소자를 형성할 수 있기 때문에, 비정질 실리콘 TFT보다도 TFT 면적 및 화소 면적을 작게 하는 것이 용이하여, 고정밀의 디스플레이를 제조할 수 있다. 또한, 다결정 실리콘을 이용하면, TFT를 CMOS 구조로 하는 것도 용이하기 때문에, 표시부 TFT와 거의 동일 공정에 의해, 동일 기판상에 표시부 TFT를 구동하는 드라이버 TFT를 형성할 수 있다.
이와 같이 특성이 우수하여 드라이버를 기판상에 내장 가능한 다결정 실리콘 TFT는, 고온 프로세스에 의해 비정질 실리콘을 다결정화하여 형성하는 것은 알려져 있지만, 프로세스 중에 고온에 노출되기 때문에, 기판에 저가인 유리 기판을 이용할 수 없어 실용화에는 어려움이 있다.
그러나, 레이저 어닐이나 램프 어닐 등의 어닐 처리를 이용한 다결정화 기술의 향상에 의해, 저온 프로세스에 의한 다결정 실리콘의 제조가 가능해지고 있다. 이와 같이, 저온 프로세스에 의해 다결정 실리콘 TFT를 형성하는 방법은, 기판으로서 저가인 유리 기판을 이용할 수 있기 때문에 저비용화가 도모되고, 또한 대면적화가 가능해 저온 프로세스에 의한 다결정 실리콘 TFT(이하, 저온 다결정 실리콘 TFT라고 함)의 실용화에 이르고 있다.
이와 같이 저온 다결정 실리콘 TFT의 실용화가 진행되고 있지만, 액정 표시 장치로서 저온 다결정 실리콘 TFT의 특성을 최대한 발휘시키고, 또한 그 특성을 보다 향상시키기 위해 최적인 액정 재료나 최적인 패널 구성 등에 대해서는, 당연 개발은 진행되고 있지 않다. 이 때문에, 예를 들어 종래의 비정질 실리콘 TFT용 액정 표시 장치에 이용되고 있는 재료나 구성을 그대로 전용하고 있어, 다결정 실리콘 TFT의 특성을 충분히 발휘시킬 수 없다고 하는 문제가 있었다.
상기 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는에서는, 저온 다결정 실리콘 TFT의 특성을 최대한 활용하는 것을 가능하게 한 액정 표시 장치를 얻기 위해 적절한 액정 재료나 패널 구성 등을 제안하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 이하와 같은 특징을 갖는다.
먼저, 본 발명은, 제1 기판상에, 매트릭스상으로 설치된 복수의 화소 전극과, 대응하는 상기 화소 전극에 접속되도록 형성된 박막 트랜지스터 및 그 전극 배 선을 구비하고, 상기 제1 기판상의 상기 복수의 화소 전극과, 상기 제1 기판에 대향 배치된 제2 기판상의 공통 전극 사이에 끼워진 액정층을 화소 전극마다 구동하여 표시를 행하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 박막 트랜지스터로서, 능동층에 저온으로 형성된 다결정 실리콘층을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 이용하고, 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 끼워지는 상기 액정층의 각 액정 분자의 초기 배향을 상기 화소 전극에 대해 거의 수직 방향으로 되도록 제어하며, 상기 액정층에 이용하는 액정 재료로서, 측쇄에 불소를 구비하는 화학식 1∼화학식 6으로 표시되는 분자 구조를 구비한 재료 중, 적어도 어느 한 종류의 액정 분자를 선택한다. 측쇄에 불소를 구비한 액정 분자는 측쇄 방향, 요컨대 액정 분자의 단축 방향에서의 극성이 높고, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 의해 실현되는 낮은 구동 전압이어도 충분히 동작할 수 있다. 또한, 단축 방향에서의 극성이 높은 것은, 예를 들어 액정 배향막과의 반발을 크게 함으로써, 액정의 초기 배향을 수직으로 하는 것이 용이하게 된다.
또한, 본 발명은, 상기 제2 기판상의 상기 공통 전극에는, 상기 화소 전극과 대향하는 소정 대응 영역 내에 상기 액정의 배향을 제어하기 위한 전극 부재부(不在部)를 배향 제어창으로서 설치하고, 액정 분자의 배향을 수직 배향에서부터 변화시키면서, 각 화소 전극 영역 내에 경사 방향이 다른 복수의 배향 영역을 작성한다. 배향 제어창에 의해, 액정 분자의 배향 영역이 안정적으로 분할되기 때문에, 표시 장치에 우선 시야 방향을 복수 설치하는 것이 가능해져, 시야각이 확대한다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 제1 기판에서는, 상기 제1 기판상에 형성된 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 덮도록 평탄화 층간 절연막이 형성되고, 상기 평탄화 층간 절연막상에, 상기 복수의 화소 전극이 각각 형성되어 있다. 평탄화 층간 절연막상에 화소 전극을 형성하는 것으로, 액정 분자의 수직 배향에 화소 전극의 요철(凹凸)이 악영향을 주지 않도록 하고 있다. 또한, 적어도 상기 박막 트랜지스터의 형성 영역을 덮도록(예를 들어, 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 덮도록) 상기 평탄화 층간 절연막상에 화소 전극을 형성함으로써, 박막 트랜지스터 등에 발생하는 전계가 액정층으로 누설되는 것을 방지한다. 또한, 화소 전극을 상층에 위치시키는 것으로 액정층에 의해 효율적으로 전압을 인가하는 것을 용이하게 하고 있다.
또한, 본 발명은, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액정층에 이용되는 액정 재료는, 부의 유전 이방성을 구비하고, 상기 액정층의 수직 배향은, 러빙 공정을 실시하지 않고, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극을 각각 덮도록 형성된 수직 배향막과, 상기 공통 전극에 설치된 상기 배향 제어창과, 상기 복수의 화소 전극에 각각 인가되는 전압에 의해 제어된다. 러빙 공정 없이 액정층을 수직 배향함으로써, 제1 기판의 주변부에, 상기 다결정 실리콘 박막 트랜지스터와 거의 같은 구조의 박막 트랜지스터군으로 이루어지는 구동 회로가 형성되어 있을 경우에 도, 그 구동 회로용의 트랜지스터가 러빙에 의한 악영향을 받는 것이 미연에 방지되고 있다.
이하, 도면을 이용해 본 발명의 바람직한 실시의 형태(이하, 실시 형태라 함 )에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 1화소에 대해서의 평면 구성의 일례를, 도 2는 도 1의 A-A선에 따른 개략 단면의 일례를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 따른 액티브 매트릭스형 표시 장치는, 저온 다결정 실리콘 TFT가 형성되고, 화소 전극(26)이 TFT의 상층에 배치된 TFT 기판(제1 기판 : 10)과, 이 TFT 기판(10)과의 사이에서 액정층(40)을 사이에 두고 대향 배치된 대향 기판(제2 기판 : 30)을 구비하며, 각 기판(10 및 30)의 외측에는 각각 서로 그 투과 편광 방향이 직교하도록 배치된 편광판(44, 46)이 설치되어 있다.
유리 등으로 이루어지는 TFT 기판(10)상에는, 도 2에 도시한 예에서는, Cr, Ta, Mo 등의 금속을 패터닝하여 얻어진 게이트 전극(12) 및 이 게이트 전극(12)과 일체인 게이트 전극 배선(12L)을 구비하고, 이들 게이트 전극(12)과, 게이트 전극 배선(12L)을 덮도록, 예를 들어 SiNx 및 SiO2의 적층 구조 또는 어느 한쪽으로 이루어지는 게이트 절연막(14)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(14)상에는, TFT의 능동층으로서 기능하는 다결정 실리콘 박막(20)이 형성되어 있다. 이 다결정 실리콘 박막(20)은 비정질 실리콘 박막에 레이저 어닐 및 램프 어닐의 조합 또는 어느 한쪽의 어닐 처리 등을 이용한 저온 어닐 처리를 실시함으로써 다결정화하고, 그 후, 아일랜드 형상으로 패터닝하여 얻은 것이다.
다결정 실리콘 박막(20)상에는, SiO2 등으로 이루어지는 주입 스토퍼(23)가 형성되어 있다. 이 주입 스토퍼(23)는, 게이트 전극(12)을 마스크로 하여 TFT 기판(10)의 이면(도 2의 하측)에서부터 노광함으로써, 자기 정합적으로 게이트 전극 (12)과 대체로 동일 형상으로 패터닝하여 형성되어 있다. 그리고, 이 주입 스토퍼(23)를 이용하여 다결정 실리콘 박막(20)에 인, 비소 등의 불순물을 저농도로 주입함으로써, 다결정 실리콘 박막(20)의 주입 스토퍼(23) 바로 아래 영역의 양측에는, 자기 정합적으로 이들 불순물을 저농도로 포함하는 저농도 소스 영역(20LS) 및 저농도 드레인 영역(20LD)이 각각 형성되어 있다. 또한, 주입 스토퍼(23)의 바로 아래 영역은, 주입 스토퍼(23)가 마스크로 되어 불순물이 주입되지 않기 때문에, 실질적으로 불순물을 함유하지 않은 진성 영역으로 되고, 이 진성 영역이 TFT의 채널 영역(20CH)으로서 기능한다. 저농도 소스 영역(20LS)과, 저농도 드레인 영역(20LD)의 외측에는, 같은 불순물을 더 고농도로 주입함으로써 소스 영역(20S)과, 드레인 영역(20D)이 형성되어 있다.
각 영역(20CH, 20LS, 20LD, 20S, 20D)이 형성된 다결정 실리콘 박막(20) 및 주입 스토퍼(23)상에는 이들을 덮도록 SiNx 등으로 이루어지는 층간 절연막(22)이 형성되어 있다. 이 층간 절연막(22)상에는, Al, Mo 등으로 이루어지는 소스 전극(16)과, 드레인 전극(18) 및 드레인 전극(18)과 일체인 드레인 전극 배선(18L)이 형성되어 있다. 또한, 소스 전극(16) 및 드레인 전극(18)은 층간 절연막(22)에 설치된 콘택트홀에서 상기 다결정 실리콘 박막(20)에 형성된 소스 영역(20S)과, 드레인 영역(20D)에 접속되어 있다.
또, 본 실시 형태에서의 저온 다결정 실리콘 TFT는, 상기 게이트 전극(12)과, 게이트 절연막(14)과, 다결정 실리콘 박막(20 : 20CH, 20LS, 20LD, 20S, 20D)과, 소스 전극(16)과, 드레인 전극(18)을 구비하고, 저온 프로세스로 형성된 다결 정 실리콘 박막(20)을 능동층으로서 갖으며, 또한 게이트 전극(12)이 소자 하측에 위치하는 역스태거형 TFT에 의해 구성되어 있다. 단, TFT 형상은 역스태거형에 한정되지 않고, 게이트 전극이 다결정 실리콘 박막보다도 상층에 배치되는 스태거형의 구성이어도 좋다.
이와 같은 구성의 TFT 및 층간 절연막(22)을 덮도록 TFT 기판(10)의 거의 전면에는, 더 평탄화를 위한 평탄화 층간 절연막(24)이 1㎛ 정도 혹은 그 이상의 두께로 형성되어 있다. 이 평탄화 층간 절연막(24)은, 예를 들어 SOG(Spin On Glass), BPSG(Boron-Phospho-Silicate Glass), 아크릴 수지 등이 이용되고 있다. 평탄화 층간 절연막(24)상에는, 표시 장치가 투과형일 경우에는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전막을 이용한 액정 구동용의 화소 전극(26)이 TFT 형성 영역 위를 덮도록 형성되고, 이 화소 전극(26)은, 평탄화 절연막(24)에 설치된 콘택트홀을 통해 소스 전극(16)에 접속되어 있다. 또한, 표시 장치가 반사형일 경우에는 이 화소 전극(26)으로서 Al 등의 도전성 반사 재료가 이용된다.
화소 전극(26)을 덮도록 TFT 기판(10)의 거의 전면에는, 러빙 공정 없이 액정 분자를 수직 배향시키기 위한 배향막으로서, 예를 들어 폴리이미드(SiNx) 등을 이용한 수직 배향막(28)이 형성되어 있다.
이상과 같은 각 소자가 형성된 TFT 기판(10)과 액정층(40)을 사이에 두고 대향 배치되는 대향 기판(30)은, TFT 기판(10)과 마찬가지로 유리 등으로 구성되어 있고, TFT 기판(10)과의 대향측 표면에는 RGB의 칼라 필터(38)가 형성되며, 또한 그 위에는 아크릴 수지 등의 보호막(36)을 통해 대향하는 화소 전극(26)으로 액정 을 구동하기 위한 ITO 등으로 이루어지는 공통 전극(32)이 형성되어 있다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 후술하는 바와 같이, 이 공통 전극(32)에는, 각 화소 전극(26)과 대향하는 영역에 배향 제어창(34)으로서, 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같은 X자형의 전극 부재부가 형성되어 있다. 또한, 공통 전극(32) 및 이 배향 제어창(34) 위에는 이들을 덮도록 TFT 기판(10)측과 마찬가지의 수직 배향막(28)이 형성되어 있다.
액정층(40)은, 예를 들어 3㎛ 정도로 설정된 기판 사이의 간극에 봉입되고, 액정 재료로서는, 액정 분자(42)의 장축 방향의 유전률보다도 단축 방향의 유전률이 큰, 소위 부의 유전 이방성을 갖는 액정 재료가 이용되고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 액정층(40)에 이용되고 있는 액정 재료는 상기와 같은 측쇄에 불소를 갖는 화학식 1 내지 화학식 6으로 나타내는 구조를 구비한 액정 분자를 원하는 비율로 혼합해 제작한 것이고, 이들 화학식 1 내지 화학식 6 중 적어도 한 종류의 액정 분자를 포함하도록 혼합되어 있다.
현재, 부의 유전 이방성을 갖는 액정 재료로서는, 이동도가 낮은 비정질 실리콘을 능동층으로 이용한 TFT를 액정 표시 장치용으로 하여, 측쇄에 시아노(CN-)기를 갖는 액정 분자가 주로 이용되고 있다. 그러나, 시아노기를 측쇄에 구비하는 액정 분자는, 저전압 구동에서는 잔류 직류 전압이 존재하기 때문에 충분히 높은 전압으로 구동할 필요가 있어, 전압 유지율이 낮고, 또한 액정이 눌어 붙을 가능성이 있다. 그러나, 본 실시 형태에서는 TFT로서 저온 프로세스에 의해 제작되고, 저전압 구동 가능한 다결정 실리콘 TFT를 이용하고 있다. 따라서, 현재 이용되고 있 는 시아노기를 측쇄에 구비한 액정 재료를 이용하였다면, 저전압 구동이 가능하다고 하는 다결정 실리콘 TFT의 특성을 살릴 수 없게 된다. 그래서, 액정 재료로서, 상술한 바와 같은 화학식 1 내지 화학식 6으로 나타낸 바와 같이 측쇄에 불소를 갖는 액정 분자를 배합함으로써, 측쇄의 극성이 높고, 액정층(40)은, 예를 들어 온도 범위 -20℃∼ 80℃ 이상의 범위에서, 2V 정도의 저전압에서의 구동이 보증되며, 또 다결정 실리콘 TFT에 의한 저전압 구동에서도 충분히 높은 전압 유지율을 구비하여, 눌어 붙음이 방지되고 있다. 또한, 액정 표시 장치를 저전압으로 구동할 수 있기 때문에, 비정질 실리콘 TFT를 이용한 액정 표시 장치와 비교하여 보다 저소비 전력의 장치로 하는 것을 가능하다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같은 부의 유전 이방성을 갖는 불소계 액정 분자를 함유하는 액정 재료를 이용하고, 또 수직 배향막(28)을 이용함으로써 액정 분자의 초기 배향을 수직 방향으로 제어하는 DAP(Deformation of Vertially Aligned Phase)형의 배향 제어를 행하고 있다. DAP형은, 전압 제어 복굴절(ECB : Electrically Controlled Birefringence) 방식의 일종으로, 액정 분자의 장축과 단축에서의 굴절율의 차, 즉 복굴절 현상을 이용하여 액정층으로 입사한 광의 투과율을 제어하는 것이다.
액정층(40)으로의 전압 비인가시에는, 이 DAP형 액정 표시 장치는, TFT 기판(10)과 대향 기판(30)의 외측에 서로 직교 배치된 편광판(44, 46)의 한쪽을 통과하여 액정층(40)으로 입사한 직선 편광을 그 복굴절에 의해 타원 편광, 또는 원 편광으로 하는 것으로, 다른쪽 편광판에서 입사광의 사출을 가능하게 한다. 액정층(40) 으로의 전압 비인가시에는, 액정 분자는 수직 배향막(28)에 의해 수직으로 배향하고 있기 때문에, 한쪽의 편광판에서 액정층(40)으로 입사된 광은, 복굴절을 받지 않아, 다른쪽 편광판에서 사출되는 일은 없다. 즉, 이 DAP형은 액정층(40)에서의 전계 강도에 따라 그 복굴절량, 즉 입사 직선 편광의 상광(常光) 성분과 이상광(異常光) 성분과의 위상차(억제량)를 결정하고, 액정층(40)으로의 인가 전압의 상승에 따라 표시가 흑에서 백으로 변화하는, 소위 표준 블랙 모드의 표시를 행한다. 그리고, 액정층(40)으로의 인가 전압을 각 화소마다 제어함으로써, 다른쪽 편광판으로부터의 사출 광량, 즉 투과율이 화소마다 제어되어, 표시 장치 전체에서 원하는 이미지 표시가 가능하게 되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이 공통 전극(32)에 전극 부재부로서의 배향 제어창(34)을 설치함으로써, 배향 제어창(34)을 기준으로 하여 소정의 방향으로 기울여, 액정 분자의 응답성의 향상을 꾀함과 동시에, 화소 내에서 배향 방향을 분할함으로써 액정 표시의 시각 의존성을 완화하여, 광시야각의 표시 장치를 실현하고 있다. 액정층(40)으로의 전압 인가시에 있어서, 도 1에 도시하는 화소 전극(26)의 각 변의 에지 부분에는, 도 2에 점선으로 나타내는 바와 같이 공통 전극(32)과의 사이에 각각 다른 방향으로 경사 전계가 발생하기 때문에, 화소 전극(26) 주변의 에지 부분에서는, 액정 분자는 수직 배향 상태로부터 경사 전계의 기울기 반대 방향으로 기운다. 액정 분자(42)는 연속체성을 갖고 있기 때문에, 화소 전극(26)의 에지 부분에서 기울기 전계로 액정 분자의 경사 방향이 결정되면(기울기 각도는 전계 강도에 의해 결정), 화소 전극(26)의 중앙 부근 의 경사 방향은, 그 화소 전극(26) 각 변에서의 액정 분자의 경사 방향을 따르게 되어, 하나의 화소 영역 내에는, 액정 분자의 경사 방향이 다른 복수의 영역이 발생하게 된다.
한편, 배향 제어창(34)에는, 항상 액정 동작 임계치 이하의 전압만 인가되지 않기 때문에, 도 2에 도시하는 바와 같이 배향 제어창(34)에 위치하는 액정 분자는 수직 배향한 상태 그대로 된다. 이 때문에, 배향 제어창(34)이, 항상 상기 액정 분자의 경사 방향이 다른 영역의 경계로 된다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이 배향 제어창(34)을 X자형으로 하면, 각각 경사 방향이 다른 영역 A, B, C, D의 경계는 이 X자형의 배향 제어창(34)상에서 고정되게 된다.
상술한 바와 같이 DAP형 액정 표시 장치에서는, 입사광에 대한 액정 분자의 기울기에 의해 투과율이 다르기 때문에, 하나의 화소 영역 내에서의 액정 분자의 경사 방향이 한 방향이면, 우선 시야각 방향도 대응하는 한 방향으로 한정되어 버려, 시각 의존성이 강하게 된다. 또한, 하나의 화소 영역 내에서 다른 복수의 경사 방향의 영역이 존재할 경우에도, 그 기울기 영역의 경계가 각 선택 기간마다 변화하면, 표시에 변동이 발생하여 표시 품질의 저하를 초래한다. 이에 대해, 하나의 화소 영역 내에서 배향 분할이 행하여지지 않음에도 불구하고, 복수의 다른 방향으로 기운 영역의 경계를 배향 제어창(34)상에 고정할 수 있고, 배향 영역 분할을 행하는 것이 가능해지며, 우선 시각 방향을 복수 설치할 수 있어(본 실시 형태의 경우, 상하 좌우의 4개), 광시야각의 액정 표시 장치로 하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시 형태에서는 상술과 같이 화소 전극(26)이 층간 절연막(22 및 24)을 통해 TFT 및 그 전극 배선(게이트 전극 배선, 드레인 전극 배선) 등의 형성 영역을 덮도록 형성되어 있기 때문에, TFT 및 전극 배선에 의한 전계가 액정층(40)으로 누설되고, 액정 분자의 악영향을 주는 것을 방지할 수 있으며, 또한 평탄화 층간 절연막(24)에 의해 화소 전극(26)의 표면의 평탄성을 향상시키는 것이 가능하기 때문에, 화소 전극(26)의 표면의 요철에 의한 액정 분자의 배향이 흐트러짐도 방지하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 이와 같이 TFT나 전극 배선에 의한 전계의 누설이나 화소 전극(26) 표면의 요철 등을 저감하는 것이 가능한 구성이기 때문에, 본 실시 형태에서는, 화소 전극(26)의 에지 부분과 배향 제어창(34)의 전계 작용에 의해 액정 분자의 배향을 제어하고 있어, 수직 배향막(28)에 대한 러빙 공정은 불필요하게 되어 있다.
상술과 같이, 본 실시 형태에서는, 자기 정합에 의해 채널, 소스, 드레인을 제작 가능한 다결정 실리콘 TFT를 표시부의 스위칭 소자로서 이용하고 있고, 액정 표시부의 주변에는 이 표시부의 TFT와 거의 동일한 공정으로 제작한 CMOS 구조의 다결정 실리콘 TFT로 이루어지는 드라이버를 구비하고 있다. 이 때문에, 본 실시 형태와 같이 TFT가 밀집한 드라이버부의 다결정 TFT에 악영향을 줄 가능성이 있는 러빙 공정을 생략하는 것으로, 액정 표시 장치로서의 수율 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
또한, 화소 전극(26)이 TFT 및 각 전극 배선을 덮도록 형성함으로써, 예를 들어 반사형의 액정 표시 장치로 했을 경우에는, 종래 TFT나 배선 등에 의해 개구율이 제한되는 일 없이, 대단히 높게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 투과형일 경 우에도, TFT 및 전계 배선에 의해 구획된 영역 내에 있어서, 화소 전극(26)을 상층에 배치하여, TFT 및 전극 배선을 덮도록 투명한 화소 전극(26)을 형성하는 것으로 최대한의 개구율을 실현하는 것이 가능하게 된다.
또한, 화소 전극(26)을 TFT 및 각 전극 배선보다도 상층으로 하는 것으로, 화소 전극(26)과 액정층(40)의 거리가 짧게 되기 때문에, 이 화소 전극(26)에 의해 액정층(40)에 효율적으로 구동 전압을 인가하는 것이 가능하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 구동 회로를 동일 기판상에 내장 가능하고, 또 저전압 구동 가능한 저온 다결정 실리콘 TFT를 액정 구동용의 소자로서 이용했을 경우에는, 액정 재료로서 부의 유전 이방성을 구비하고, 적어도 측쇄에 불소를 갖는 액정 분자를 이용함으로써, 저전압이어도 액정층을 충분히 구동하는 것이 가능하게 된다. 또한, 다결정 실리콘 TFT에 적용한 저전압 구동에서도 액정층은, 충분히 높은 전압 유지율을 나타내, 눌어 붙음이 방지된다. 또한, 액정 표시 장치를 저전압으로 구동할 수 있기 때문에, 액정 표시 장치의 소비 전력을 저감하는 것이 가능하게 된다.
또한, 공통 전극의 각 화소 전극과 대향하는 영역에 배향 제어창을 설치함으로써, 1화소 영역 내에서 액정 분자의 배향의 방향을 분할하기 때문에, 액정 표시 장치의 시각 의존성을 저감할 수 있어, 표시 장치를 대형화했을 경우에도 유리하게 된다.
또한, 박막 트랜지스터를 덮도록 평탄화 층간 절연층을 형성하고, 그 위에 화소 전극을 형성하기 때문에, 표시 장치의 개구율의 향상이 도모됨과 동시에, 화소 전극의 평탄성이 확보되고, 러빙 공정을 하지 않고 수직 배향되는 액정 분자의 배향의 산란을 막는 것이 용이하게 된다. 또한, 화소 전극을 박막 트랜지스터보다도 상층에 배치함으로써, 박막 트랜지스터 및 그를 위한 전극 배선으로부터의 전계가 액정층에서 누설 배향에 악영향을 주는 것을 방지할 수 있어, 저전압의 구동에서도 액정층을 충분히 제어하는 것이 가능하게 된다. 또한, 러빙 공정 없이 액정층의 초기 배향을 수직 배향으로 하는 것이 가능하기 때문에, 액정 구동용의 저온 다결정 실리콘 TFT와 동일 기판상에 드라이버 TFT를 내장했을 경우에도, 러빙에 의해 기판 주변 영역에 형성된 드라이버 TFT에 손상을 줄 가능성이 없어, 드라이버 내장형으로 되는 다결정 실리콘 TFT를 이용한 액정 표시 장치에 보다 적당하게 된다.

Claims (7)

  1. 제1 기판상에, 매트릭스형으로 설치된 복수의 화소 전극과, 대응하는 상기 화소 전극에 접속되도록 형성된 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 구비하고,
    상기 제1 기판상의 상기 복수의 화소 전극과, 상기 제1 기판에 대향 배치된 제2 기판상의 공통 전극과의 사이에 끼워진 액정층을 화소 전극마다 구동하여 표시를 행하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치로서,
    상기 박막 트랜지스터로서, 능동층에 형성된 다결정 실리콘층을 이용한 박막 트랜지스터를 이용하고,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 끼워지는 상기 액정층의 각 액정 분자의 초기 배향을 상기 화소 전극에 대해 거의 수직 방향이 되도록 제어하며,
    상기 액정층에 이용하는 액정 재료로서, 측쇄에 불소를 구비하는 이하의 화학식 1∼화학식 6으로 표시되는 분자 구조를 구비한 재료 중에서,
    Figure 112005035731716-pat00001
    Figure 112005035731716-pat00002
    Figure 112005035731716-pat00003
    Figure 112005035731716-pat00004
    Figure 112005035731716-pat00005
    Figure 112005035731716-pat00006
    적어도 어느 한 종류의 액정 분자를 선택하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기판상의 상기 공통 전극에는, 한개의 화소 영역 내에서 상기 액정 분자의 경사 방향이 다른 영역의 경계를 고정하는 수단을 설치하여, 상기 액정층의 배향 분할을 행하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 한개의 화소 영역 내에서 상기 액정 분자의 경사 방향이 다른 영역의 경계를 고정하는 수단은 배향 제어창인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판에서는,
    상기 제1 기판상에 형성된 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 덮도록 평탄화 층간 절연막이 형성되고,
    상기 평탄화 층간 절연막상에 상기 복수의 화소 전극이 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판에서는,
    상기 제1 기판상에 형성된 박막 트랜지스터를 덮도록 평탄화 층간 절연막이 형성되고,
    적어도 상기 박막 트랜지스터의 형성 영역을 덮도록 상기 평탄화 층간 절연막상에 상기 복수의 화소 전극이 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    러빙 공정을 실시하는 일 없이, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극을 각각 덮도록 형성된 수직 배향막을 더 구비하고,
    상기 액정층에 이용되는 액정 재료는 부의 유전 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판의 주변부에는, 상기 박막 트랜지스터와 거의 같은 구조의 박막 트랜지스터군으로 이루어지는 구동 회로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6774966B1 (en) 1997-06-10 2004-08-10 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it
JPH11149095A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置及びこれを用いたプロジェクタ装置
JPH11148078A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
WO2000008521A1 (en) 1998-08-06 2000-02-17 Konovalov Victor A Liquid-cristal display and the method of its fabrication
JP3732956B2 (ja) * 1998-09-16 2006-01-11 三洋電機株式会社 反射型液晶表示装置
JP3985399B2 (ja) * 1999-09-10 2007-10-03 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100480814B1 (ko) * 1999-12-31 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100595296B1 (ko) 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100595295B1 (ko) 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
TW573190B (en) 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
JP4197404B2 (ja) * 2001-10-02 2008-12-17 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3799287B2 (ja) * 2002-04-03 2006-07-19 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の評価方法
JP4409152B2 (ja) 2002-06-27 2010-02-03 株式会社ルネサステクノロジ 表示制御駆動装置および表示システム
JP4049639B2 (ja) * 2002-08-30 2008-02-20 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
US6927180B2 (en) * 2002-11-27 2005-08-09 Intel Corporation Reducing line to line capacitance using oriented dielectric films
US20040169176A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Peterson Paul E. Methods of forming thin film transistors and related systems
JP4947510B2 (ja) * 2004-12-24 2012-06-06 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
JP4972888B2 (ja) 2005-07-13 2012-07-11 Ｊｎｃ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP4777753B2 (ja) * 2005-11-29 2011-09-21 オプトレックス株式会社 液晶表示素子
JP4513794B2 (ja) * 2006-10-02 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
KR101362981B1 (ko) * 2007-01-05 2014-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동방법
US20170229554A1 (en) 2016-02-05 2017-08-10 Applied Materials, Inc. High-k dielectric materials utilized in display devices
US20180026055A1 (en) 2016-07-19 2018-01-25 Applied Materials, Inc. Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices
CN109075207B (zh) 2016-07-19 2023-08-11 应用材料公司 在显示装置中利用的包含氧化锆的高k介电材料

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02503431A (ja) * 1988-03-10 1990-10-18 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング ２，３‐ジフルオロ安息香酸誘導体
DE3807863A1 (de) * 1988-03-10 1989-09-21 Merck Patent Gmbh 2,3-difluorbenzolderivate
EP0391203B1 (de) * 1989-04-04 1994-12-07 F. Hoffmann-La Roche Ag 2-Phenylpyridine
DE59106069D1 (de) * 1990-05-15 1995-08-31 Hoffmann La Roche Chirale Dioxane als Komponenten flüssigkristalliner Gemische.
US5288428A (en) * 1990-08-15 1994-02-22 Hoffmann-La Roche Inc. Liquid crystal compounds having a terminal alkoxy propenyl group
US5514879A (en) * 1990-11-20 1996-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gate insulated field effect transistors and method of manufacturing the same
JPH0667173A (ja) * 1992-08-19 1994-03-11 Sharp Corp 液晶表示装置
US5471330A (en) * 1993-07-29 1995-11-28 Honeywell Inc. Polysilicon pixel electrode
US5557534A (en) * 1995-01-03 1996-09-17 Xerox Corporation Forming array with metal scan lines to control semiconductor gate lines
US5600155A (en) * 1995-01-03 1997-02-04 Xerox Corporation Array with metal scan lines controlling semiconductor gate lines
KR100360488B1 (ko) * 1995-11-30 2003-01-24 삼성전자 주식회사 고분자/액정복합막용액정조성물
JPH09194405A (ja) * 1996-01-16 1997-07-29 Sumitomo Chem Co Ltd フルオロシクロヘキシルトラン誘導体、その製造法および用途
JPH10239698A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH11148078A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置

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