JP3286579B2 - 透過型液晶表示装置 - Google Patents
透過型液晶表示装置Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Description
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の電気光学的
な異方性を利用して表示を行う液晶表示装置（ＬＣＤ：
Liquid Crystal Display）に関し、特に、応答速度の向
上を達成した透過型液晶表示装置に関する。
な異方性を利用して表示を行う液晶表示装置（ＬＣＤ：
Liquid Crystal Display）に関し、特に、応答速度の向
上を達成した透過型液晶表示装置に関する。
【従来の技術】ＬＣＤは、小型、薄型、低消費電力等の
利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器等の分野で実用化が進
んでいる。特に、スイッチング素子として、薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクティブマト
リクス型は、原理的にデューティー比１００％のスタテ
ィック駆動をマルチプレクス的に行うことができ、大画
面、高精細な動画ディスプレイに使用されている。ＴＦ
Ｔは電界効果トランジスタであり基板上に行列状に配置
され、液晶を誘電層とした画素容量の一方を成す表示電
極に接続されている。ＴＦＴはゲートラインにより同一
行について一斉にオン／オフが制御されると共に、ドレ
インラインより画素信号電圧が供給され、ＴＦＴがオン
された画素容量に対して行列的に指定された表示用電圧
が充電される。表示電極とＴＦＴは同一基板上に形成さ
れ、画素容量の他方を成す共通電極は、液晶層を挟んで
対向配置された別の基板上に全面的に形成されている。
即ち、液晶及び共通電極が表示電極により区画されて表
示画素を構成している。画素容量に充電された電圧は、
次にＴＦＴがオンするまでの１フィールド或いは１フレ
ーム期間、ＴＦＴのオフ抵抗により絶縁的に保持され
る。液晶は電気光学的に異方性を有しており、画素容量
に印加された電圧に応じて透過率が制御される。表示画
素毎に透過率を制御することで、これらの明暗が表示画
像として視認される。液晶は、更に、両基板との接触界
面に設けられた配向膜により初期配向状態が決定され
る。液晶として例えば正の誘電率異方性を有したネマテ
ィック相を用い、配向ベクトルが両基板間で９０°にね
じられたツイストネマティック（ＴＮ）方式がある。通
常、両基板の外側には偏光板が設けられており、ＴＮ方
式においては、各偏光板の偏光軸は、夫々の基板側の配
向方向に一致している。従って、電圧無印加時には、一
方の偏光板を通過した直線偏光は、液晶のねじれ配向に
沿う形で、液晶層中で旋回し、他方の偏光板より射出さ
れ、表示は白として認識される。そして、画素容量に電
圧を印加して液晶層に電界を形成することにより、液晶
はその誘電率異方性のために、電界に対して平行になる
ように配向を変化し、ねじれ配列が崩され、液晶層中で
入射直線偏光が旋回されなくなり、他方の偏光板より射
出される光量が絞り込まれて表示は暫次的に黒になって
いく。このように、電圧無印加次に白を示し、電圧印加
に従って黒となる方式は、ノーマリー・ホワイト・モー
ドと呼ばれ、ＴＮセルの主流となっている。図５及び図
６に従来の液晶表示装置の単位画素部分の構造を示す。
図５は平面図、図６はそのＧ−Ｇ線に沿った断面図であ
る。ガラス基板（１００）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等の
メタルからなるゲート電極（１０１）が形成され、これ
を覆ってＳｉＮｘまたは／及びＳｉＯ2等からなるゲー
ト絶縁膜（１０２）が形成されている。ゲート絶縁膜
（１０２）上には、ｐ−Ｓｉ（１０３）が形成されてい
る。ｐ−Ｓｉ（１０３）は、この上にゲート電極（１０
１）の形状にパターニングされたＳｉＯ2等の注入スト
ッパー（１０４）を利用して、燐、砒素等の不純物を低
濃度に含有した（Ｎ−）低濃度（ＬＤ：Lightly dope
d）領域（ＬＤ）、及び、その外側に同じく不純物を高
濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及びドレイン領域（Ｓ、
Ｄ）が形成されている。注入ストッパー（１０４）の直
下は、実質的に不純物が含有されない真性層であり、チ
ャンネル領域（ＣＨ）となっている。これら、ｐ−Ｓｉ
（１３）を覆ってＳｉＮｘ等からなる層間絶縁膜（１０
５）が形成され、層間絶縁膜（１０５）上には、Ａｌ、
Ｍｏ等からなるソース電極（１０６）及びドレイン電極
（１０７）が形成され、各々層間絶縁膜（１０５）に開
けられたコンタクトホールを介して、ソース領域（Ｓ）
及びドレイン領域（Ｄ）に接続されている。このＴＦＴ
を覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN ON GLASS）、ＢＰＳＧ
（BORO-PH-OSPHO SILICATE GLASS）、アクリル樹脂等の
平坦化絶縁膜（１０８）が形成されている。平坦化絶縁
膜（１０８）上には、ＩＴＯ（indium tinoxide）等の
透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１０９）が
形成され、平坦化絶縁膜（１０８）に開けられたコンタ
クトホールを介してソース電極（１０６）に接続されて
いる。これら全てを覆う全面には、ポリイミド等の高分
子膜からなる配向膜（１２０）が形成され、所定のラビ
ング処理により液晶の初期配向を制御している。一方、
液晶層を挟んで基板（１００）に対向する位置に設置さ
れた別のガラス基板（１３０）上には、ＩＴＯにより全
面的に形成された共通電極（１３１）が設けられ、共通
電極（１３１）上にはポリイミド等の配向膜（１３３）
が形成され、ラビング処理が施されている。ここでは、
液晶（１４０）に負の誘電率異方性を有したネマチック
相を用い、配向膜（１２０、１３３）として垂直配向膜
を用いたＤＡＰ（deformation of vertically aligned
phase）型を示した。ＤＡＰ型は、電圧制御複屈折（Ｅ
ＣＢ：electrically controlled birefringence）方式
の一つであり、液晶分子長軸と短軸との屈折率の差、即
ち、複屈折を利用して、透過率を制御するものである。
ＤＡＰ型では、電圧印加時には、直交配置された偏光板
の一方を透過した入射直線偏光を液晶層において、複屈
折により楕円偏光とし、液晶層の電界強度に従ってリタ
デーション量、即ち、液晶中の常光成分と異常光成分の
位相速度の差を制御することで、他方の偏光板より所望
の透過率で射出させる。この場合、電圧無印加状態から
印加電圧を上昇させることにより、表示は黒から白へと
変化していくので、ノーマリー・ブラック・モードとな
る。
利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器等の分野で実用化が進
んでいる。特に、スイッチング素子として、薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクティブマト
リクス型は、原理的にデューティー比１００％のスタテ
ィック駆動をマルチプレクス的に行うことができ、大画
面、高精細な動画ディスプレイに使用されている。ＴＦ
Ｔは電界効果トランジスタであり基板上に行列状に配置
され、液晶を誘電層とした画素容量の一方を成す表示電
極に接続されている。ＴＦＴはゲートラインにより同一
行について一斉にオン／オフが制御されると共に、ドレ
インラインより画素信号電圧が供給され、ＴＦＴがオン
された画素容量に対して行列的に指定された表示用電圧
が充電される。表示電極とＴＦＴは同一基板上に形成さ
れ、画素容量の他方を成す共通電極は、液晶層を挟んで
対向配置された別の基板上に全面的に形成されている。
即ち、液晶及び共通電極が表示電極により区画されて表
示画素を構成している。画素容量に充電された電圧は、
次にＴＦＴがオンするまでの１フィールド或いは１フレ
ーム期間、ＴＦＴのオフ抵抗により絶縁的に保持され
る。液晶は電気光学的に異方性を有しており、画素容量
に印加された電圧に応じて透過率が制御される。表示画
素毎に透過率を制御することで、これらの明暗が表示画
像として視認される。液晶は、更に、両基板との接触界
面に設けられた配向膜により初期配向状態が決定され
る。液晶として例えば正の誘電率異方性を有したネマテ
ィック相を用い、配向ベクトルが両基板間で９０°にね
じられたツイストネマティック（ＴＮ）方式がある。通
常、両基板の外側には偏光板が設けられており、ＴＮ方
式においては、各偏光板の偏光軸は、夫々の基板側の配
向方向に一致している。従って、電圧無印加時には、一
方の偏光板を通過した直線偏光は、液晶のねじれ配向に
沿う形で、液晶層中で旋回し、他方の偏光板より射出さ
れ、表示は白として認識される。そして、画素容量に電
圧を印加して液晶層に電界を形成することにより、液晶
はその誘電率異方性のために、電界に対して平行になる
ように配向を変化し、ねじれ配列が崩され、液晶層中で
入射直線偏光が旋回されなくなり、他方の偏光板より射
出される光量が絞り込まれて表示は暫次的に黒になって
いく。このように、電圧無印加次に白を示し、電圧印加
に従って黒となる方式は、ノーマリー・ホワイト・モー
ドと呼ばれ、ＴＮセルの主流となっている。図５及び図
６に従来の液晶表示装置の単位画素部分の構造を示す。
図５は平面図、図６はそのＧ−Ｇ線に沿った断面図であ
る。ガラス基板（１００）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等の
メタルからなるゲート電極（１０１）が形成され、これ
を覆ってＳｉＮｘまたは／及びＳｉＯ2等からなるゲー
ト絶縁膜（１０２）が形成されている。ゲート絶縁膜
（１０２）上には、ｐ−Ｓｉ（１０３）が形成されてい
る。ｐ−Ｓｉ（１０３）は、この上にゲート電極（１０
１）の形状にパターニングされたＳｉＯ2等の注入スト
ッパー（１０４）を利用して、燐、砒素等の不純物を低
濃度に含有した（Ｎ−）低濃度（ＬＤ：Lightly dope
d）領域（ＬＤ）、及び、その外側に同じく不純物を高
濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及びドレイン領域（Ｓ、
Ｄ）が形成されている。注入ストッパー（１０４）の直
下は、実質的に不純物が含有されない真性層であり、チ
ャンネル領域（ＣＨ）となっている。これら、ｐ−Ｓｉ
（１３）を覆ってＳｉＮｘ等からなる層間絶縁膜（１０
５）が形成され、層間絶縁膜（１０５）上には、Ａｌ、
Ｍｏ等からなるソース電極（１０６）及びドレイン電極
（１０７）が形成され、各々層間絶縁膜（１０５）に開
けられたコンタクトホールを介して、ソース領域（Ｓ）
及びドレイン領域（Ｄ）に接続されている。このＴＦＴ
を覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN ON GLASS）、ＢＰＳＧ
（BORO-PH-OSPHO SILICATE GLASS）、アクリル樹脂等の
平坦化絶縁膜（１０８）が形成されている。平坦化絶縁
膜（１０８）上には、ＩＴＯ（indium tinoxide）等の
透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１０９）が
形成され、平坦化絶縁膜（１０８）に開けられたコンタ
クトホールを介してソース電極（１０６）に接続されて
いる。これら全てを覆う全面には、ポリイミド等の高分
子膜からなる配向膜（１２０）が形成され、所定のラビ
ング処理により液晶の初期配向を制御している。一方、
液晶層を挟んで基板（１００）に対向する位置に設置さ
れた別のガラス基板（１３０）上には、ＩＴＯにより全
面的に形成された共通電極（１３１）が設けられ、共通
電極（１３１）上にはポリイミド等の配向膜（１３３）
が形成され、ラビング処理が施されている。ここでは、
液晶（１４０）に負の誘電率異方性を有したネマチック
相を用い、配向膜（１２０、１３３）として垂直配向膜
を用いたＤＡＰ（deformation of vertically aligned
phase）型を示した。ＤＡＰ型は、電圧制御複屈折（Ｅ
ＣＢ：electrically controlled birefringence）方式
の一つであり、液晶分子長軸と短軸との屈折率の差、即
ち、複屈折を利用して、透過率を制御するものである。
ＤＡＰ型では、電圧印加時には、直交配置された偏光板
の一方を透過した入射直線偏光を液晶層において、複屈
折により楕円偏光とし、液晶層の電界強度に従ってリタ
デーション量、即ち、液晶中の常光成分と異常光成分の
位相速度の差を制御することで、他方の偏光板より所望
の透過率で射出させる。この場合、電圧無印加状態から
印加電圧を上昇させることにより、表示は黒から白へと
変化していくので、ノーマリー・ブラック・モードとな
る。
【発明が解決しようとする課題】このように、液晶表示
装置では、所定の電極が形成された一対の基板間に装填
された液晶に所望の電圧を印加することで、液晶層中で
の光の旋回或いは複屈折を制御することにより目的の透
過率或いは色相を得、表示画像を作成する。即ち、液晶
の配向を変化してリタデーション量を制御することで、
ＴＮ方式においては透過光強度を調整できると共に、Ｅ
ＣＢ方式においては波長に依存した分光強度を制御して
色相の分離も可能となる。しかしながら、液晶の特性に
より、液晶の配向制御に対する応答速度の遅さが問題と
なっていた。
装置では、所定の電極が形成された一対の基板間に装填
された液晶に所望の電圧を印加することで、液晶層中で
の光の旋回或いは複屈折を制御することにより目的の透
過率或いは色相を得、表示画像を作成する。即ち、液晶
の配向を変化してリタデーション量を制御することで、
ＴＮ方式においては透過光強度を調整できると共に、Ｅ
ＣＢ方式においては波長に依存した分光強度を制御して
色相の分離も可能となる。しかしながら、液晶の特性に
より、液晶の配向制御に対する応答速度の遅さが問題と
なっていた。
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するために成され、複数形成された表示電極と対
向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層
が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記液晶層の液
晶として使用する液晶の屈折率異方性Δｎと、上記表示
電極と上記対向電極との間の距離であるセルギャップｄ
［μｍ］との関係が、Δｎ・ｄ＜−０．０３３・ｄ＋
０．８８を満足する構成である。これにより、応答時間
を短縮できる。
を解決するために成され、複数形成された表示電極と対
向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層
が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記液晶層の液
晶として使用する液晶の屈折率異方性Δｎと、上記表示
電極と上記対向電極との間の距離であるセルギャップｄ
［μｍ］との関係が、Δｎ・ｄ＜−０．０３３・ｄ＋
０．８８を満足する構成である。これにより、応答時間
を短縮できる。
【発明の実施の形態】図１及び図２に本発明の実施の形
態に係る液晶表示装置の単位画素構造を示す。図１は平
面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。基
板（１０）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなる
ゲート電極（１１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘ
または／及びＳｉＯ2等からなるゲート絶縁膜（１２）
が形成されている。ゲート絶縁膜（１２）上には、ｐ−
Ｓｉ（１３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１３）は、
この上にゲート電極（１１）の形状にパターニングされ
たＳｉＯ2等の注入ストッパー（１４）を利用して、
燐、砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度
（ＬＤ：Lightly doped）領域（ＬＤ）、及び、その外
側に同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及
びドレイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入スト
ッパー（１４）の直下は、実質的に不純物が含有されな
い真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となってい
る。これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等から
なる層間絶縁膜（１５）が形成され、層間絶縁膜（１
５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１６）
及びドレイン電極（１７）が形成され、各々層間絶縁膜
（１５）に開けられたコンタクトホールを介して、ソー
ス領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続されてい
る。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN ON GLAS
S）、ＢＰＳＧ（BORO-PH-OSPHOSILICATE GLASS）、アク
リル樹脂等の平坦化絶縁膜（１８）が形成されている。
平坦化絶縁膜（１８）上には、ＩＴＯ（indium tin oxi
de）等の透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１
９）が形成され、平坦化絶縁膜（１８）に開けられたコ
ンタクトホールを介してソース電極（１６）に接続され
ている。これら全てを覆う全面には、ポリイミド等の高
分子膜からなる配向膜（２０）が形成されている。一
方、液晶層を挟んで基板（１０）に対向する位置に設置
された別のガラス基板（３０）上には、ＩＴＯにより全
面的に形成された共通電極（３１）が設けられ、共通電
極（３１）上にはポリイミド等の配向膜（３３）が形成
されている。本発明では、配向膜（２０）、（３３）及
び液晶（４０）を、液晶分子（４１）が垂直となるもの
が選定されている。更に、表示電極（１９）と対向する
位置の共通電極（３１）側には、Ｙ字状のスリットを上
下対称に連結して成る配向制御窓（５０）が形成されて
いる。この配向制御窓真下の液晶分子（４１）には傾斜
させるほどの電界がかからないので垂直に配向するが、
その周りには図２の点線で示すような電界が発生し、液
晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向に配向制
御される。また、表示電極（１９）のエッジにおいても
同様、液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向
に配向制御され、これらの液晶分子の傾斜が液晶の連続
性によって内部の液晶にまで伝わる。よって、液晶分子
（４１）の配向制御方向は、図１の矢印で示すように、
表示電極（１９）の中央部分ではほぼ同一の方向とな
り、視野特性や透過率がよくなる。以上のような構成の
液晶表示装置において、駆動電圧Ｖと透過率Ｔの関係を
図３に示す。この図３において、実線Ｌ１は、液晶の屈
折率異方性Δｎとセルギャップｄの積が大きい場合を示
し、破線Ｌ２は、液晶の屈折率異方性Δｎとセルギャッ
プｄの積が小さい場合が示している。ここで、液晶の屈
折率異方性Δｎとセルギャップｄの積Δｎｄはリタデー
ションと呼ばれ、この図３から分かるように、同じ透過
率を得るのに積Δｎｄ が小さい方が、駆動電圧範囲を
大きくとることができる。そして、応答速度はこの駆動
電圧が大きいほど速くなるので、積Δｎｄ が小さい方
が好ましい。更に、応答速度はセルギャップｄが大きい
と遅くなり、小さいほど速くなる。ここで、一般に、応
答速度τは、電圧を印加し始めてから９０％の透過率が
得られるまでの時間をτｒ、電圧の印加を停止してから
透過率が１０％に低下するまでの時間をτｄとすると、
τ＝（τｒ＋τｄ）／２と表され、その実用範囲は、 （τｒ＋τｄ）／２≦８０［ｍｓｅｃ］・・・・・（１） である。そこで、本願出願人は、Δｎ・ｄ及びｄを変化
させながら応答時間を測定し、図４に示す実験結果を得
た。図４において、縦軸はΔｎ・ｄ、横軸はｄ、○、
□、◎、●、×の右側の括弧内の数字は、Δｎ・ｄの値
とｄの値に応じた応答時間τを示している。例えば、最
も左上の◎は、ｄが３．６μｍ、Δｎ・ｄが１でありこ
の場合の応答時間は２５０ｍｓとなる。１つ下の×は、
ｄが３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．８５でありこの場合の
応答時間は１５０ｍｓとなる。これから１つ下の◎は、
ｄが３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．７５でありこの場合の
応答時間は７５ｍｓとなる。ここから１つ下の●は、ｄ
が３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．５２でありこの場合の応
答時間は１８ｍｓとなる。ここから１つ下の○は、ｄが
３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．４２でありこの場合の応答
時間は１２ｍｓとなる。ここから１つ下の○は、ｄが
３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．３５でありこの場合の応答
時間は７ｍｓとなる。つまり、セルギャップｄが３．６
μｍの場合は、Δｎ・ｄが約０．７７以下でないと実用
範囲に入らない。また、Δｎ・ｄが同じ値である場合、
セルギャップｄが大きくなると応答速度は長くなり、た
とえば、Δｎ・ｄが０．７５のときにｄが３．６μｍで
あれば応答速度は７５ｍｓと充分実用範囲内にはいる
が、ｄが５．０μｍ以上では実用限度の８０ｍｓを越え
てしまう。つまり、この図４に示される実験結果より、
実線の矢印で示されるように、Δｎ・ｄとｄの関係が破
線で示す直線よりも下の範囲内の場合に、応答速度が実
用範囲を満足するということができる。そして、この範
囲を数式で表せば、 Δｎ・ｄ＜−０．０３３・ｄ＋０．８８・・・・・（２） となる。上記（２）式の範囲を超えると、セルギャップ
ｄが厚くなることによる影響と、図３に示すＶＴ特性が
急峻となることにより駆動電圧範囲が小さくなることに
よって、応答速度が極端に低下する。以上のように、上
記（２）式を満足させるよう、Δｎとセルギャップを決
定すれば、応答時間を短縮させることができる。
態に係る液晶表示装置の単位画素構造を示す。図１は平
面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。基
板（１０）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなる
ゲート電極（１１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘ
または／及びＳｉＯ2等からなるゲート絶縁膜（１２）
が形成されている。ゲート絶縁膜（１２）上には、ｐ−
Ｓｉ（１３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１３）は、
この上にゲート電極（１１）の形状にパターニングされ
たＳｉＯ2等の注入ストッパー（１４）を利用して、
燐、砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度
（ＬＤ：Lightly doped）領域（ＬＤ）、及び、その外
側に同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及
びドレイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入スト
ッパー（１４）の直下は、実質的に不純物が含有されな
い真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となってい
る。これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等から
なる層間絶縁膜（１５）が形成され、層間絶縁膜（１
５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１６）
及びドレイン電極（１７）が形成され、各々層間絶縁膜
（１５）に開けられたコンタクトホールを介して、ソー
ス領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続されてい
る。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（SPIN ON GLAS
S）、ＢＰＳＧ（BORO-PH-OSPHOSILICATE GLASS）、アク
リル樹脂等の平坦化絶縁膜（１８）が形成されている。
平坦化絶縁膜（１８）上には、ＩＴＯ（indium tin oxi
de）等の透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１
９）が形成され、平坦化絶縁膜（１８）に開けられたコ
ンタクトホールを介してソース電極（１６）に接続され
ている。これら全てを覆う全面には、ポリイミド等の高
分子膜からなる配向膜（２０）が形成されている。一
方、液晶層を挟んで基板（１０）に対向する位置に設置
された別のガラス基板（３０）上には、ＩＴＯにより全
面的に形成された共通電極（３１）が設けられ、共通電
極（３１）上にはポリイミド等の配向膜（３３）が形成
されている。本発明では、配向膜（２０）、（３３）及
び液晶（４０）を、液晶分子（４１）が垂直となるもの
が選定されている。更に、表示電極（１９）と対向する
位置の共通電極（３１）側には、Ｙ字状のスリットを上
下対称に連結して成る配向制御窓（５０）が形成されて
いる。この配向制御窓真下の液晶分子（４１）には傾斜
させるほどの電界がかからないので垂直に配向するが、
その周りには図２の点線で示すような電界が発生し、液
晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向に配向制
御される。また、表示電極（１９）のエッジにおいても
同様、液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向
に配向制御され、これらの液晶分子の傾斜が液晶の連続
性によって内部の液晶にまで伝わる。よって、液晶分子
（４１）の配向制御方向は、図１の矢印で示すように、
表示電極（１９）の中央部分ではほぼ同一の方向とな
り、視野特性や透過率がよくなる。以上のような構成の
液晶表示装置において、駆動電圧Ｖと透過率Ｔの関係を
図３に示す。この図３において、実線Ｌ１は、液晶の屈
折率異方性Δｎとセルギャップｄの積が大きい場合を示
し、破線Ｌ２は、液晶の屈折率異方性Δｎとセルギャッ
プｄの積が小さい場合が示している。ここで、液晶の屈
折率異方性Δｎとセルギャップｄの積Δｎｄはリタデー
ションと呼ばれ、この図３から分かるように、同じ透過
率を得るのに積Δｎｄ が小さい方が、駆動電圧範囲を
大きくとることができる。そして、応答速度はこの駆動
電圧が大きいほど速くなるので、積Δｎｄ が小さい方
が好ましい。更に、応答速度はセルギャップｄが大きい
と遅くなり、小さいほど速くなる。ここで、一般に、応
答速度τは、電圧を印加し始めてから９０％の透過率が
得られるまでの時間をτｒ、電圧の印加を停止してから
透過率が１０％に低下するまでの時間をτｄとすると、
τ＝（τｒ＋τｄ）／２と表され、その実用範囲は、 （τｒ＋τｄ）／２≦８０［ｍｓｅｃ］・・・・・（１） である。そこで、本願出願人は、Δｎ・ｄ及びｄを変化
させながら応答時間を測定し、図４に示す実験結果を得
た。図４において、縦軸はΔｎ・ｄ、横軸はｄ、○、
□、◎、●、×の右側の括弧内の数字は、Δｎ・ｄの値
とｄの値に応じた応答時間τを示している。例えば、最
も左上の◎は、ｄが３．６μｍ、Δｎ・ｄが１でありこ
の場合の応答時間は２５０ｍｓとなる。１つ下の×は、
ｄが３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．８５でありこの場合の
応答時間は１５０ｍｓとなる。これから１つ下の◎は、
ｄが３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．７５でありこの場合の
応答時間は７５ｍｓとなる。ここから１つ下の●は、ｄ
が３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．５２でありこの場合の応
答時間は１８ｍｓとなる。ここから１つ下の○は、ｄが
３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．４２でありこの場合の応答
時間は１２ｍｓとなる。ここから１つ下の○は、ｄが
３．６μｍ、Δｎ・ｄが０．３５でありこの場合の応答
時間は７ｍｓとなる。つまり、セルギャップｄが３．６
μｍの場合は、Δｎ・ｄが約０．７７以下でないと実用
範囲に入らない。また、Δｎ・ｄが同じ値である場合、
セルギャップｄが大きくなると応答速度は長くなり、た
とえば、Δｎ・ｄが０．７５のときにｄが３．６μｍで
あれば応答速度は７５ｍｓと充分実用範囲内にはいる
が、ｄが５．０μｍ以上では実用限度の８０ｍｓを越え
てしまう。つまり、この図４に示される実験結果より、
実線の矢印で示されるように、Δｎ・ｄとｄの関係が破
線で示す直線よりも下の範囲内の場合に、応答速度が実
用範囲を満足するということができる。そして、この範
囲を数式で表せば、 Δｎ・ｄ＜−０．０３３・ｄ＋０．８８・・・・・（２） となる。上記（２）式の範囲を超えると、セルギャップ
ｄが厚くなることによる影響と、図３に示すＶＴ特性が
急峻となることにより駆動電圧範囲が小さくなることに
よって、応答速度が極端に低下する。以上のように、上
記（２）式を満足させるよう、Δｎとセルギャップを決
定すれば、応答時間を短縮させることができる。
【発明の効果】以上の説明から明かなように、液晶の屈
折率異方性Δｎとセルギャップｄの積Δｎｄの値を−
０．３３・ｄ＋０．８８より小さくするようにしたの
で、応答時間を短縮することができる。
折率異方性Δｎとセルギャップｄの積Δｎｄの値を−
０．３３・ｄ＋０．８８より小さくするようにしたの
で、応答時間を短縮することができる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の単
位画素部の平面図である。
位画素部の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】透過率と駆動電圧の関係を示すグラフである。
【図４】Δｎ・ｄとｄと応答速度との関係を示すグラフ
である。
である。
【図５】従来の液晶表示装置の単位画素部の平面図であ
る。
る。
【図６】図４のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。
１０ ガラス基板 １１ ゲート電極 １２ ゲート絶縁膜 １３ ｐ−ｓｉ １４ 注入ストッパー １５ 層間絶縁膜 １６ ソース電極 １７ ドレイン電極 １９ 表示電極 ２０ 配向膜 ３０ ガラス基板 ３１ 共通電極 ３３ 配向膜 ４０ 液晶 ４１ 液晶分子 ５０ 配向制御窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−226227（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−242223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−256121（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−5721（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−176625（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−120764（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−96929（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−15000（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−24077（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/137 G02F 1/1337 G02F 1/1333
Claims (1)
- 【請求項１】 複数形成された表示電極と、前記表示電
極に対向する位置に配向制御窓が形成された対向電極と
の間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けら
れ、電界により上記液晶分子の配向方向を制御する垂直
配向方式の液晶表示装置であって、 上記液晶層の液晶として使用する液晶の屈折率異方性△
ｎと、上記表示電極と上記対向電極との間の距離である
セルギャップｄ［μｍ］との関係が、 △ｎ・ｄ＜−０．３３・ｄ＋０．８８ を満足することを特徴とする透過型液晶表示装置。
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Family Applications (1)
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