JPH0225157U - - Google Patents
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- JPH0225157U JPH0225157U JP10469888U JP10469888U JPH0225157U JP H0225157 U JPH0225157 U JP H0225157U JP 10469888 U JP10469888 U JP 10469888U JP 10469888 U JP10469888 U JP 10469888U JP H0225157 U JPH0225157 U JP H0225157U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- port
- ion beam
- ion source
- alignment
- Prior art date
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- Pending
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Description
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン注
入装置を示す概略図である。第2図は、従来のイ
オン注入装置の一例を示す概略図である。 2……イオン源、4……イオンビーム、6……
分析電磁石、8……分析管、10……分析スリツ
ト、12,14……走査電極、16……ターゲツ
ト、18……ポート、20……アライメント測定
手段。
入装置を示す概略図である。第2図は、従来のイ
オン注入装置の一例を示す概略図である。 2……イオン源、4……イオンビーム、6……
分析電磁石、8……分析管、10……分析スリツ
ト、12,14……走査電極、16……ターゲツ
ト、18……ポート、20……アライメント測定
手段。
Claims (1)
- イオン源から射出されたイオンビームを分析電
磁石で偏向させた後にターゲツトへ導く構成のイ
オン注入装置において、前記分析電磁石を構成す
る分析管の一部であつてイオン源のイオンビーム
射出部を光学的に見込める位置にポートを設け、
かつこのポートに、イオン源から射出されるイオ
ンビームのアライメントを測定するアライメント
測定手段を取り付けたことを特徴とするイオン注
入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10469888U JPH0225157U (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10469888U JPH0225157U (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0225157U true JPH0225157U (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=31336650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10469888U Pending JPH0225157U (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0225157U (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100909125B1 (ko) * | 2007-11-13 | 2009-07-23 | 주식회사 동부하이텍 | 이온 주입 장치용 웨이브 가이드 이송 장치 |
WO2009122555A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
WO2020209210A1 (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | 株式会社東芝 | イオン生成装置、方法及びプログラム |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP10469888U patent/JPH0225157U/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100909125B1 (ko) * | 2007-11-13 | 2009-07-23 | 주식회사 동부하이텍 | 이온 주입 장치용 웨이브 가이드 이송 장치 |
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JP5212465B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
US8581216B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-11-12 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus |
WO2020209210A1 (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | 株式会社東芝 | イオン生成装置、方法及びプログラム |
JP2020173966A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 株式会社東芝 | イオン生成装置、方法及びプログラム |
CN113454748A (zh) * | 2019-04-10 | 2021-09-28 | 株式会社东芝 | 离子生成装置、方法及程序 |
CN113454748B (zh) * | 2019-04-10 | 2024-04-26 | 株式会社东芝 | 离子生成装置、方法及程序 |
US12002646B2 (en) | 2019-04-10 | 2024-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion generation device, ion generation method, and ion generation program |
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