JPH02250338A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02250338A
JPH02250338A JP1070665A JP7066589A JPH02250338A JP H02250338 A JPH02250338 A JP H02250338A JP 1070665 A JP1070665 A JP 1070665A JP 7066589 A JP7066589 A JP 7066589A JP H02250338 A JPH02250338 A JP H02250338A
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JP
Japan
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bonding wires
bonding wire
bonding
insulating material
semiconductor device
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JP1070665A
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English (en)
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Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Hajime Hasebe
一 長谷部
Yoshio Dobashi
土橋　芳男
Tokuji Toida
戸井田　徳次
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に、樹脂封止型半導体
装置に適用して有効な技術に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、樹脂封止型半導体装置は１例えば、第５図に示す
ように、タブ８上に配置された半導体ペレット９に設け
られているポンディングパッド１０とインナーリード４
とをボンディングワイヤ１１で電気的に接続し、樹脂封
止部で樹脂封止することにより形成されている。
そして、モールド時のレジンの流れに押されてボンディ
ングワイヤ１１が流れ、ボンディングワイヤ１１同士が
接触（ショート）するを防止するために、インナーリー
ド４の先端を折り曲げて形成し、この折曲げられた部分
に溝２を設け、該溝２の中にボンディングワイヤ１１を
はめ込むようにしている。
この種の技術に関しては、例えば、特願昭６１−２５１
７３６号に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、本発明者は、前記従来技術を検討した結
果、以下のような問題点を見い出した。
前記従来技術においては、インナーリード４の先端を折
り曲げた部分に溝２を設け、この溝２にボンディングワ
イヤ１１をはめ込むだけであるので、ボンディングワイ
ヤ１１かたるんだ場合、ボンディングワイヤ１１が前記
溝２からはずれてタブ８と接触（ショート）したり、ま
た、モールド時のレジンの流れに押されてボンディング
ワイヤ１１が流れ、ボンディングワイヤ１１同士が接触
（ショート）するという問題があった。
また、半導体装置の多ビン化、チップサイズの減少に伴
い、インナーリード４及びボンディングワイヤ１１の配
置間隔は、小さくなってきている。
そのため、インナーリード４及びボンディングワイヤ１
１の配置間隔を小さくすると、ボンデインワイヤ１１同
士が接触（シ目−ト）するという問題があった。
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置において、ボン
ディングワイヤとタブとの接触及びボンディングワイヤ
同士の接触を防止することが可能な技術を提供すること
にある。
本発明の他の目的は、前記半導体装置において、モール
ド時の封止剤の流れに押されてボンディングワイヤが流
れるのを防止することが可能な技術を提供することにあ
る。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
半導体ペレットとインナーリードとをボンディングワイ
ヤで電気的に接続した後、樹脂で封止してなる半導体装
置において、前記半導体ペレットと前記インナーリード
との間に絶縁性の材料を設けたものである。
また、前記Ｎ縁性の材料の所定の位置に溝を設け、該溝
の中に、ボンディングワイヤをはめ込むようにしたもの
である。
〔作　　用〕
上述した手段によれば、ボンディングワイヤにたるみが
生じた場合にも、半導体ペレットとインナーリードとの
間に絶縁性の材料が設けられているので、ボンディング
ワイヤとタブとの接触を防止することができる。
また、ボンディングワイヤの配置間隔が小さくなった場
合にも、絶縁性の材料の所定の位置に溝を設け、該溝の
中にボンディングワイヤをはめ込むようにしているので
、ボンディングワイヤの動きは制限され、ボンディング
ワイヤ同士の接触を防止することができる。
また同時に、絶縁性の材料の溝にボンディングワイヤを
はめ込んでいるので、モールド時のレジンの流れに押さ
れてボンディングワイヤが流れ。
ボンディングワイヤ同士が接触するのを防止することが
できる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
なお、実施例を説明するための全回において。
同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返
しの説明は省略する。
［実施例Ｉ］ 第１図は、本発明の実施例■の樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図、第２図は、第１図の一点鎖線で
囲まれた部分■の要部拡大斜視図、第３図は、第１図に
示す樹脂封止型半導体装置のモールドする前の組立体の
平面図である。
第１図乃至第３図に示すように、実施例Ｉの樹脂封止型
半導体装置は、半導体ペレット９、ボンディングワイヤ
１１、インナーリード４、アウターリード５、タブ８、
樹脂封止部１２、絶縁性の材料１等から構成されている
。
前記半導体ペレット９には、図示していないが、ポンデ
ィングパッド（電極）が複数個設けられている。前記半
導体ペレット９は、タブ８上に配置されている。
前記インナーリード４．アウターリード５、タブ８等は
、同一のリードフレームにエツチング加工を施すことに
より形成されている。前記インナーリード４、前記アウ
ターリード５の夫々は、半導体ペレット９に設けられて
いるポンディングパッドの数に対応して複数個設けられ
ている。
前記ボンディングワイヤ１１は、例えば金線で構成され
ている。前記ボンディングワイヤ１１は、半導体ペレッ
ト９に設けられているポンディングパッドとインナーリ
ード４とを電気的に接続している。
前記絶縁性の材料１は１例えばポリイミドあるいはガラ
スエポキシ樹脂で形成されている。前記絶縁性の材料１
は、タブ８の上面の一部とインナーリード４の上面の一
部に接着され、前記半導体ペレット９の周囲を囲むよう
に設けられている。
以上示したように、前記絶縁性の材料１を前記半導体ペ
レット９とインナーリード４との間に設けたことにより
、前記ボンディングワイヤ１１にたるみが生じた場合に
も、ボンディングワイヤ１１とタブ８との間に前記絶縁
性の材料１があるので、ボンディングワイヤ１１とタブ
８の接触を防止することができる。
また、タブ８の上面の一部とインナーリード４の上面の
一部に、絶縁性の材料１を接着しているので、ハンドリ
ング時のインナーリード４のばたつき等の発生を低減す
ることができる。
［実施例■］ 第４図は、本発明の実施例■の樹脂封止型半導体装置の
要部の概略構成を示す要部拡大斜視図（実施例Ｉの第２
図に相当する部分の図）である。
第４図に示すように、実施例■の樹脂封止型半導体装置
では、前記実施例■の絶縁性の材料１のインナーリード
４側の端部に溝２を設け、該溝２の中にボンディングワ
イヤ１１をはめ込むようにしたものである。前記溝２は
、インナーリード４の配置に対応して設けられている。
前記溝２の幅は、例えばインナーリード４より少し大き
めの幅で設けられている。前記溝２の幅は、前記ボンデ
ィングワイヤ１１が、溝２の中にはめ込まれる幅があれ
ばよい、前記溝２の奥行きは、特に制限はないが、前記
ポンデイグワイヤ１１の所定の長さが、該溝２の中には
め込まれるようにすればよい。また、前記溝２の深さは
、必ずしも絶縁性の材料工の厚さに相当する深さに設け
る必要はなく、例えば段差状の形状であっても、前記溝
２の中にボンディングワイヤ１１がはめ込まれて固定さ
れる深さがあればよい。
以上示したように、前記絶縁性の材料１の所定の位置に
前記溝２を設け、該溝２の中にボンディングワイヤ１１
をはめ込むようにしたことにより、ボンディングワイヤ
１１の配置間隔が小さくなった場合にも、ボンディング
ワイヤ１１の動きは制限されるので、ボンディングワイ
ヤ１１同士の接触を防止す°ることができる。
また、前記溝２の中にボンディングワイヤ１１がはめこ
まれているので、ボンディングワイヤ１１の動きは制限
され、モールド時のレジンの流れに押されてボンディン
グワイヤ１１が流れ、ボンディングワイヤ１１同士が接
触することを防止することができる。
また、半導体ペレット９のサイズを大きいものに変更し
、これに合わせて、絶縁性の材料１の幅を小さくするだ
けで、リードフレームの変更なしに、大きいサイズの半
導体ペレット９を搭載することができる。
また、半導体ペレット９のサイズを小さいものに変更し
、これに合わせて、絶縁性の材料１の幅を大きくするだ
けで、リードフレームの変更なしに、小さいサイズの半
導体ペレット９を搭載することができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る 樹脂封止型半導体装置において、ボンディングワイヤと
タブとの接触及びボンディングワイヤ同士の接触を防止
することができる。
また、前記半導体装置において、モールド時の封止剤の
流れに押されてボンディングワイヤが流れるのを防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例■の樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図の一点鎖線で囲まれた部分■の要部拡
大斜視図、 第３図は、第１図に示す樹脂封止型半導体装置のモール
ドする前の組立体の平面図、 第４図は１本発明の実施例■の樹脂封止型半導体装置の
要部の概略構成を示す要部拡大斜視図、第５図は、従来
技術の問題点を説明するための、樹脂封止型半体装置の
要部拡大斜視図である。 図中、工・・・絶縁性の材料、２・・・溝、４・・・イ
ンナーリード、５・・・アウターリード、８・・・タブ
、９・・・半導体ペレット、１１・・・ポンデイグワイ
ヤである。 第３図 纂１図 第４図 篤５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットとインナーリードとをボンディング
    ワイヤで電気的に接続した後、樹脂で封止してなる半導
    体装置において、前記半導体ペレットと前記インナーリ
    ードとの間に絶縁性の材料を設けたことを特徴とする半
    導体装置。 ２、前記絶縁性の材料の所定の位置に溝を設け、該溝の
    中に、ボンディングワイヤをはめ込むようにしたことを
    特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
JP1070665A 1989-03-24 1989-03-24 半導体装置 Pending JPH02250338A (ja)

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