JPH02249399A - ダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法Info
- Publication number
- JPH02249399A JPH02249399A JP7008289A JP7008289A JPH02249399A JP H02249399 A JPH02249399 A JP H02249399A JP 7008289 A JP7008289 A JP 7008289A JP 7008289 A JP7008289 A JP 7008289A JP H02249399 A JPH02249399 A JP H02249399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- diamond
- speaker
- alumina
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 54
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KEUKAQNPUBYCIC-UHFFFAOYSA-N ethaneperoxoic acid;hydrogen peroxide Chemical compound OO.CC(=O)OO KEUKAQNPUBYCIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- -1 methane (Ct14) Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ダイヤモンドの薄膜を被覆したスピーカーの製造方法に
関し、 高域再生限界周波数が高い高性能のスピーカーを製造す
ることを目的とし、 振動板の形状をした基板ホルダー上に、チタンまたはア
ルミナの薄膜とダイヤモンド膜とをそれぞれプラズマジ
ェット化学気相成長法により成長させて複合膜をつくり
、該複合膜を前記の基板ボルダ−より剥離することによ
りダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法を構成する。
関し、 高域再生限界周波数が高い高性能のスピーカーを製造す
ることを目的とし、 振動板の形状をした基板ホルダー上に、チタンまたはア
ルミナの薄膜とダイヤモンド膜とをそれぞれプラズマジ
ェット化学気相成長法により成長させて複合膜をつくり
、該複合膜を前記の基板ボルダ−より剥離することによ
りダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法を構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は高域再生限界周波数が高い高性能のスピーカー
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
ダイヤモンドは炭素（Ｃ）の同素体であり、所謂るダイ
ヤモンド構造を示し、モース（Ｍｏｈｓ）硬度１０と大
きく、また熱伝導度は２０００Ｗ／ｍＫと他の物質に較
べて格段に優れていることは公知であるが、これ以外に
バルクを伝播する音速が１８，０００ ｍ／Ｓと速いこ
とに特徴がある。
ヤモンド構造を示し、モース（Ｍｏｈｓ）硬度１０と大
きく、また熱伝導度は２０００Ｗ／ｍＫと他の物質に較
べて格段に優れていることは公知であるが、これ以外に
バルクを伝播する音速が１８，０００ ｍ／Ｓと速いこ
とに特徴がある。
すなわち、スピーカーの振動板として通常用いられてい
るチタン（Ｔｔ）の音速が４，９００ ｒａ／ｓであり
、またアルミナ（Ａ １ ｚ（ｈ）の音速が５，１００
ｍ／ｓであるのに対し格段に優れている。
るチタン（Ｔｔ）の音速が４，９００ ｒａ／ｓであり
、またアルミナ（Ａ １ ｚ（ｈ）の音速が５，１００
ｍ／ｓであるのに対し格段に優れている。
そこで、ダイヤモンド薄膜を振動板に被覆したスピーカ
ーの実用化が進められている。
ーの実用化が進められている。
ダイヤモンド薄膜を被覆した振動板の例としては、厚さ
が約３Ｄａｔａのアルミナ多結晶振動板の上にマイクロ
波プラズマ化学気相成長法（略してμ波プラズマＣｖＤ
法）によって２Ｍ厚のダイヤモンド膜を成長させた例が
報告されている。
が約３Ｄａｔａのアルミナ多結晶振動板の上にマイクロ
波プラズマ化学気相成長法（略してμ波プラズマＣｖＤ
法）によって２Ｍ厚のダイヤモンド膜を成長させた例が
報告されている。
（ダイヤモンド薄膜技術、 ｐ２３０．綜合技術セン
ター、１９８８年ｌθ月出版） このようにして作った振動板の音速は１１．０００ ｍ
／ｓ を示し、高域再生限界周波数は５０ ＫＨｚで
、従来のアルミナ類の振動板の示す４２ ＫＨｚやＴｉ
製振動板の２１にＨｚより優れている。
ター、１９８８年ｌθ月出版） このようにして作った振動板の音速は１１．０００ ｍ
／ｓ を示し、高域再生限界周波数は５０ ＫＨｚで
、従来のアルミナ類の振動板の示す４２ ＫＨｚやＴｉ
製振動板の２１にＨｚより優れている。
然し、この例ではダイヤモンド膜の厚さは高々２μ僧で
あり、そのため基板（アルミナ）の影響が効いてダイヤ
モンド膜本来の音速が得られていない。
あり、そのため基板（アルミナ）の影響が効いてダイヤ
モンド膜本来の音速が得られていない。
こ＼で、ダイヤモンド膜の厚さが薄い理由はμ波プラズ
マＣＶＤ法では厚い膜を形成することが極めて難しいこ
とによる。
マＣＶＤ法では厚い膜を形成することが極めて難しいこ
とによる。
先に記したようにダイヤモンドを伝播する音速は１８．
０００ ｍノＳと速いためにスピーカーの振動板として
使用すると高域再生限界周波数の高い高性能なスピーカ
ーを作ることができる。
０００ ｍノＳと速いためにスピーカーの振動板として
使用すると高域再生限界周波数の高い高性能なスピーカ
ーを作ることができる。
然し、μ波プラズマＣＶＤ法によると厚いダイヤモンド
膜の形成は困難である。
膜の形成は困難である。
また、高性能なスピーカーを実用化するには、ダイヤモ
ンド膜を形成するコーン形状の基板としてアルミナやＴ
ｉなどからなる厚さが２０〜３０μｍの非常に薄い箔か
らなるものが必要であり、か＼る基板を信頼性よく形成
することは困難である。
ンド膜を形成するコーン形状の基板としてアルミナやＴ
ｉなどからなる厚さが２０〜３０μｍの非常に薄い箔か
らなるものが必要であり、か＼る基板を信頼性よく形成
することは困難である。
上記の課題は振動板の形状をした基板ホルダー上に、音
の伝播速度が大きく、融点の高いチタンまたはアルミナ
の薄膜とダイヤモンド膜をそれぞれプラズマジェットＣ
ＶＤ法により成長させて複合膜をつくり、この複合膜を
基板ホルダーより剥離してダイヤモンド被覆スピーカー
を製造することにより解決することができる。
の伝播速度が大きく、融点の高いチタンまたはアルミナ
の薄膜とダイヤモンド膜をそれぞれプラズマジェットＣ
ＶＤ法により成長させて複合膜をつくり、この複合膜を
基板ホルダーより剥離してダイヤモンド被覆スピーカー
を製造することにより解決することができる。
（作用〕
発明者等はプラズマジェッ） ＣＶＤ法により厚いダイ
ヤモンド膜を０．２ ｔｍ／時のように速い速度で製造
することに成功している。
ヤモンド膜を０．２ ｔｍ／時のように速い速度で製造
することに成功している。
第３図はプラズマジェットＣＶＤ装置の構成を示してい
る。
る。
被処理物体（例えば基板ホルダー）１は冷却水２によっ
て水冷された載置台３の上に載置されている。
て水冷された載置台３の上に載置されている。
一方、反応室４の上部にはプラズマジェット５を形成す
るための陽極６と陰極７があり、この間を通って原料ガ
ス８が供給され、また金属層の形成を可能２するために
粉末供給バイブ９が陽極６の先端に開口している。
るための陽極６と陰極７があり、この間を通って原料ガ
ス８が供給され、また金属層の形成を可能２するために
粉末供給バイブ９が陽極６の先端に開口している。
また、陽極６と陰極７を繋いで直流電源１０があり、反
応室４の下部には排気口１１がある。
応室４の下部には排気口１１がある。
ダイヤモンドのプラズマジェットＣｖＤ成長を行うには
陽極６と陰極７の間から水素０１□）と炭化水素、例え
ばメタン（Ｃｔ１４）との混合ガスを反応室４の中に供
給すると共に、排気系を動作して排気口１１より排気し
、反応室４の中を低真空に保持した状態で陽陰極間にア
ーク放電１２を生じさせ、この熱により原料ガス８を分
解させてプラズマ化させると、炭素プラズマを含むプラ
ズマジェット５は被処理物体１に当たり、微結晶からな
るダイヤモンド膜１３が被処理物体１の上に成長する。
陽極６と陰極７の間から水素０１□）と炭化水素、例え
ばメタン（Ｃｔ１４）との混合ガスを反応室４の中に供
給すると共に、排気系を動作して排気口１１より排気し
、反応室４の中を低真空に保持した状態で陽陰極間にア
ーク放電１２を生じさせ、この熱により原料ガス８を分
解させてプラズマ化させると、炭素プラズマを含むプラ
ズマジェット５は被処理物体１に当たり、微結晶からな
るダイヤモンド膜１３が被処理物体１の上に成長する。
また、金属とダイヤモンドとの混合膜を成長させるには
粉末供給バイブ９を通しで金属粉をアーク放電１２の中
に供給すればよく、金属膜のみを成長させるには原料ガ
ス８として＋１．を用い、粉末供給バイブ９を通しで金
属粉をアーク放電１２の中に供給すればよい。
粉末供給バイブ９を通しで金属粉をアーク放電１２の中
に供給すればよく、金属膜のみを成長させるには原料ガ
ス８として＋１．を用い、粉末供給バイブ９を通しで金
属粉をアーク放電１２の中に供給すればよい。
このようなプラズマ溶射ＣＶＤ法を用いれば、原料ガス
および原料粉末の供給が容易にできるためにダイヤモン
ド膜を厚く製造できると共に、Ｔｉ膜やアルミナ膜も容
易に製造することができる。
および原料粉末の供給が容易にできるためにダイヤモン
ド膜を厚く製造できると共に、Ｔｉ膜やアルミナ膜も容
易に製造することができる。
本発明はこの方法を利用し、例えばコーン形状をし、水
冷構造をしな基板ホルダーを被処理基板とし、この上に
Ｔｉ膜あるいはアルミナ膜を形成した後、この上にダイ
ヤモンド膜を形成し、その後に基板ホルダーから剥がす
ことによりスピーカーを得るものである。
冷構造をしな基板ホルダーを被処理基板とし、この上に
Ｔｉ膜あるいはアルミナ膜を形成した後、この上にダイ
ヤモンド膜を形成し、その後に基板ホルダーから剥がす
ことによりスピーカーを得るものである。
実施例１：
第１図は本発明を適用したコーン（Ｃｏｎｅ）形状をし
たスピーカー１５の断面図であって、プラズマジェット
ＣＶＤ法により形成したコーン状をし３０μ鋼の厚さを
したＴｉｉｌｅの上にプラズマジェットＣｖＤにより１
００μｍのダイヤモンド膜を形成したもので、この両者
の間には密着力を向上するために厚さが５〜１０μｍの
Ｔｉとダイヤモンドとの混合層１８が設けである。
たスピーカー１５の断面図であって、プラズマジェット
ＣＶＤ法により形成したコーン状をし３０μ鋼の厚さを
したＴｉｉｌｅの上にプラズマジェットＣｖＤにより１
００μｍのダイヤモンド膜を形成したもので、この両者
の間には密着力を向上するために厚さが５〜１０μｍの
Ｔｉとダイヤモンドとの混合層１８が設けである。
また、第２図は実施例に使用した基板ホルダー１９の断
面図であって、コーン形状をした銅（Ｃｕ）のブロック
からなり、水冷構造をとって冷却水の導入口２０と排出
口２１を備えている。
面図であって、コーン形状をした銅（Ｃｕ）のブロック
からなり、水冷構造をとって冷却水の導入口２０と排出
口２１を備えている。
こ−で、ＣｕはＴｉやアルミナとは反応せず、また基板
ホルダーは冷却されているためにプラズマ溶射のより形
成されるＣ、Ｖ Ｏ膜は剥離が容易である。
ホルダーは冷却されているためにプラズマ溶射のより形
成されるＣ、Ｖ Ｏ膜は剥離が容易である。
以下、スピーカーの製造工程を記すと次のようになる。
第３図に示すプラズマ溶射ジエツ） ＣＶＤ装置におい
て、原料ガス８として１１□を１０〜５０１７分の流量
で供給すると共に排気系を動作させ、総てのＣＶＤ反応
中を通じて真空度を常にＩＫ〜ＩＯＫ Ｐａに保った。
て、原料ガス８として１１□を１０〜５０１７分の流量
で供給すると共に排気系を動作させ、総てのＣＶＤ反応
中を通じて真空度を常にＩＫ〜ＩＯＫ Ｐａに保った。
まず、アーク電圧を５０〜１５０■の範囲に、またア
ーク電流値を１０〜７０Ａに変えてアーク放電を行って
プラズマジェットを作り、これに粒径が１〜５μｍのＴ
ｉ微粒子を粉末供給バイブ９を通じて０．０１〜０．１
ｃｃ／時の速度で供給し、基板ホルダー上に厚さが３０
μｍのＴｉ膜を振−動板状に形成した。
ーク電流値を１０〜７０Ａに変えてアーク放電を行って
プラズマジェットを作り、これに粒径が１〜５μｍのＴ
ｉ微粒子を粉末供給バイブ９を通じて０．０１〜０．１
ｃｃ／時の速度で供給し、基板ホルダー上に厚さが３０
μｍのＴｉ膜を振−動板状に形成した。
次に、Ｔｉ微粒子の供給と同時にメタン（Ｃ１１４）ガ
スを０．５〜１ｆｆｉ／分の流量で供給し、Ｔｉの成膜
と同時にダイヤモンド膜の合成を行うことで、混合層を
１０μＩの厚さに形成した。
スを０．５〜１ｆｆｉ／分の流量で供給し、Ｔｉの成膜
と同時にダイヤモンド膜の合成を行うことで、混合層を
１０μＩの厚さに形成した。
次に、Ｔｉ微粒子の供給を中止し、ダイヤモンド膜のみ
を１００μｍの厚さに形成した。
を１００μｍの厚さに形成した。
このようにして形成した振動板の音速は１７，０００ｍ
／ｓとダイヤモンド単体の音速に近く、高品質のスピー
カーを製作することができた。
／ｓとダイヤモンド単体の音速に近く、高品質のスピー
カーを製作することができた。
また、振動試験を行った後もダイヤモンド膜とＴｉ膜の
剥離やダイヤモンド膜の割れなどは生じなかった。
剥離やダイヤモンド膜の割れなどは生じなかった。
実施例２：
実施例１と同じプラズマ溶射ジェットｃｖＤ装置を用い
、基板ホルダーも第２図に示した水冷構造をもつＣｕ製
のものを使用した。
、基板ホルダーも第２図に示した水冷構造をもつＣｕ製
のものを使用した。
この実施例において、実施例１と異なるところは振動板
の下地膜としてＴｉ膜の代わりにアルミナ（八２□０３
）膜を、また、混合層としてアルミナとダイヤモンドの
混合層を成長させた点だけが異なっている。
の下地膜としてＴｉ膜の代わりにアルミナ（八２□０３
）膜を、また、混合層としてアルミナとダイヤモンドの
混合層を成長させた点だけが異なっている。
すなわち、原料ガスとしてアルゴン（Ａｒ）とヘリウム
（ｉｌｅ）の混合ガス（１： １）を１０１／分の流速
で供給し、アーク放電を行わせている状態で、粉末供給
パイプから粒径１〜５μｍのアルミナ粉末を０．０１〜
０．１ｃｃ／時の速度で供給し、基板ホルダー上に厚さ
が３０μｍのアルミナ膜を振動板状に形成した。
（ｉｌｅ）の混合ガス（１： １）を１０１／分の流速
で供給し、アーク放電を行わせている状態で、粉末供給
パイプから粒径１〜５μｍのアルミナ粉末を０．０１〜
０．１ｃｃ／時の速度で供給し、基板ホルダー上に厚さ
が３０μｍのアルミナ膜を振動板状に形成した。
次に、靜とＨｅの混合ガスに加えてＣＨ，ガスを０゜５
〜１１７分の流量で供給してアーク放電を行わせている
状態でアルミナ粉末を供給し、アルミナの成膜と同時に
ダイヤモンド膜の合成を行うことで、混合層を１０μｍ
の厚さに形成した。
〜１１７分の流量で供給してアーク放電を行わせている
状態でアルミナ粉末を供給し、アルミナの成膜と同時に
ダイヤモンド膜の合成を行うことで、混合層を１０μｍ
の厚さに形成した。
次に、アルミナ微粒子とＡｒとＨｅの混合ガスの供給を
中止し、Ｃ■４ガスのみを０．５〜ＩＮ／分の流量で供
給してアーク放電を行わせダイヤモンド膜を１００μｍ
の厚さに形成した。
中止し、Ｃ■４ガスのみを０．５〜ＩＮ／分の流量で供
給してアーク放電を行わせダイヤモンド膜を１００μｍ
の厚さに形成した。
このようにして形成した振動板の音速は１６．０００ｍ
／ｓとダイヤモンド単体の音速に近く、高品質のスピー
カーを製作することができた。
／ｓとダイヤモンド単体の音速に近く、高品質のスピー
カーを製作することができた。
また、振動試験を行った後もダイヤモンド膜とアルミナ
膜の剥離やダイヤモンド膜の割れなどは生じなかった。
膜の剥離やダイヤモンド膜の割れなどは生じなかった。
本発明によれば、従来不可能であった厚いダイヤモンド
膜をスピーカー用振動板として製造することができ、ま
たスピーカー用基板とダイヤモンド膜とを混合層を介し
て形成できるので信頼性のよいスピーカーの製造が可能
となる。
膜をスピーカー用振動板として製造することができ、ま
たスピーカー用基板とダイヤモンド膜とを混合層を介し
て形成できるので信頼性のよいスピーカーの製造が可能
となる。
１５はスピーカー
１８は混合層、
である。
１６はＴｉ膜、
１９は基板ホルダー
Claims (1)
- 振動板の形状をした基板ホルダー上に、チタンまたはア
ルミナの薄膜とダイヤモンド膜とをそれぞれプラズマジ
ェット化学気相成長法により成長させて複合膜をつくり
、該複合膜を前記の基板ホルダーより剥離して形成する
ことを特徴とするダイヤモンド被覆スピーカーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008289A JPH02249399A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008289A JPH02249399A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249399A true JPH02249399A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=13421263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008289A Pending JPH02249399A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02249399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020079634A (ko) * | 2002-08-05 | 2002-10-19 | 박종남 | 저온 폴리머 금속 박막 코팅 진동판 제조 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP7008289A patent/JPH02249399A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020079634A (ko) * | 2002-08-05 | 2002-10-19 | 박종남 | 저온 폴리머 금속 박막 코팅 진동판 제조 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4987002A (en) | Process for forming a crystalline diamond film | |
| EP0481722B1 (en) | Process and apparatus for production of a coating film | |
| JP3107683B2 (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法 | |
| US5491002A (en) | Multilayer CVD diamond films | |
| JPH02249399A (ja) | ダイヤモンド被覆スピーカーの製造方法 | |
| JPH03141193A (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
| JP2978023B2 (ja) | 合成ダイヤモンドフィルムの製造方法 | |
| JPH04157157A (ja) | 人工ダイヤモンド被覆材の製造方法 | |
| JPH05195224A (ja) | 金属製の中間スクリーンを用いて厚く付着性のダイヤモンド被膜を得る方法 | |
| JP2722726B2 (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
| JPS5915983B2 (ja) | ホウ素被膜の形成方法 | |
| JPH04139091A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH0385100A (ja) | スピーカ用振動板及びその製造法 | |
| JPH07116606B2 (ja) | ダイヤモンド被覆炭素部材 | |
| JPH02149412A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS60186195A (ja) | 電気音響変換器用振動板の製造方法 | |
| GB2236541A (en) | Speaker diaphragm | |
| JPS63207556A (ja) | ダイヤモンドワイヤ−の製造方法 | |
| JPH08269709A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0237758B2 (ja) | ||
| JP2645867B2 (ja) | ダイヤモンド膜の析出方法 | |
| JPS6124466B2 (ja) | ||
| JP2023546841A (ja) | 薄膜の原子層制御のためのｒｆスパッターリング装置 | |
| JPS60186194A (ja) | 電気音響変換器用振動板の製造方法 | |
| JPH055179A (ja) | ダイヤモンド膜と混合物層の製造方法および装置 |