JPH02247963A - 画像形成装置 - Google Patents
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- JPH02247963A JPH02247963A JP6633989A JP6633989A JPH02247963A JP H02247963 A JPH02247963 A JP H02247963A JP 6633989 A JP6633989 A JP 6633989A JP 6633989 A JP6633989 A JP 6633989A JP H02247963 A JPH02247963 A JP H02247963A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 22
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、表面伝導形電子放出素子を使用して画像の形
成を行わせる画像形成装置に関するものである。
成を行わせる画像形成装置に関するものである。
[従来の技術]
従来より、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
ては、例えば「ラジオ・エンジニアリング・エレクトロ
ン・フィジイックス(Radio Eng。
ては、例えば「ラジオ・エンジニアリング・エレクトロ
ン・フィジイックス(Radio Eng。
Electron、 Phys、)J 1965年刊
、第10巻129o〜1296頁に記載されたエリンソ
ン(M、 1.Elinson)等による冷陰極素子が
知られている。
、第10巻129o〜1296頁に記載されたエリンソ
ン(M、 1.Elinson)等による冷陰極素子が
知られている。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発されたSnug (Sb)薄膜を用いたものや
、[スイン・ソリッド・フィルムス(ThinSoli
d Films)J 1972年刊第9巻317頁にデ
ィトマー(G、 Ditta+er)により発表された
Au薄膜によるものや、[アイ・イー・イー・イー技報
(IEEETrans、 ED Conf、)J 19
75年版519頁でハートウェル(M、 Hartwe
ll)及びフオフスタッド(C,G。
より開発されたSnug (Sb)薄膜を用いたものや
、[スイン・ソリッド・フィルムス(ThinSoli
d Films)J 1972年刊第9巻317頁にデ
ィトマー(G、 Ditta+er)により発表された
Au薄膜によるものや、[アイ・イー・イー・イー技報
(IEEETrans、 ED Conf、)J 19
75年版519頁でハートウェル(M、 Hartwe
ll)及びフオフスタッド(C,G。
Fonstad)共著になるITO薄膜によるものや、
「真空41983年刊第26巻第1号22頁に荒木久他
で発表されたカーボン薄膜によるものなどが報告されて
いる。
「真空41983年刊第26巻第1号22頁に荒木久他
で発表されたカーボン薄膜によるものなどが報告されて
いる。
これらの表面伝導形放出素子の典型的な素子構成を第1
図に示す。第1図において、1及び2は電気的接続を得
る為の電極、3は電子放出材料で形成される薄膜、4は
基板、5は電子放出部を示す。
図に示す。第1図において、1及び2は電気的接続を得
る為の電極、3は電子放出材料で形成される薄膜、4は
基板、5は電子放出部を示す。
従来、これらの表面伝導水放出素子に於ては、電子放出
を行なう前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通電加
熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記電極
1と電極2の間に電圧を印加する事により、薄膜3に通
電し、これにより発生するジュール熱で薄膜3を局所的
に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状
態にした電子放出部5を形成することにより電子放出機
能を得ている。
を行なう前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通電加
熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記電極
1と電極2の間に電圧を印加する事により、薄膜3に通
電し、これにより発生するジュール熱で薄膜3を局所的
に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状
態にした電子放出部5を形成することにより電子放出機
能を得ている。
さらに、上記素子の電子放出の放射特性、すなわち放出
された電子の広がる面積を目視で測定できる様に上記素
子上に、蛍光体の塗布された基板を用いており、図中6
は蛍光体基板、7は放出電子により発光した発光部であ
る。
された電子の広がる面積を目視で測定できる様に上記素
子上に、蛍光体の塗布された基板を用いており、図中6
は蛍光体基板、7は放出電子により発光した発光部であ
る。
上記素子の電子放出の放射特性は、上記素子から数mm
程度離れた空間に、蛍光体基板6を配置し、数百Vから
数千Vの電圧を印加し、前記電極lと電極2の間に駆動
電圧を印加し、電子放出させると、発光部7は蛍光体基
板6上に第1図に示す如(、W(幅)よりL(長さ)の
方が細長い形の広がりを示す。
程度離れた空間に、蛍光体基板6を配置し、数百Vから
数千Vの電圧を印加し、前記電極lと電極2の間に駆動
電圧を印加し、電子放出させると、発光部7は蛍光体基
板6上に第1図に示す如(、W(幅)よりL(長さ)の
方が細長い形の広がりを示す。
前記放射特性は上記素子を含む表面伝導水放出素子の固
有の特性である。
有の特性である。
従来、上記素子をライン状にマルチに配置した画像形成
装置の例では、上記素子の電子放出部が直線的にライン
状に規則正しく配置されていて、ライン状に並んだ点発
光の発光部7を得るには、第3図(a)に示す如く、発
光部7の間隔が非常に広い電子放出が点発光のライン電
子源を構成し、同一ライン状に並んだ上記素子の電子放
出部上に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍
光体、を配置し、画像形成装置を構成していた。
装置の例では、上記素子の電子放出部が直線的にライン
状に規則正しく配置されていて、ライン状に並んだ点発
光の発光部7を得るには、第3図(a)に示す如く、発
光部7の間隔が非常に広い電子放出が点発光のライン電
子源を構成し、同一ライン状に並んだ上記素子の電子放
出部上に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍
光体、を配置し、画像形成装置を構成していた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、・上記従来例では、
(1)表面伝導形電子放出素子の同一形状を有する電子
放出部が直線的にライン状に規則正しく配置されており
、同電子放出部の空間上に、赤、緑、青、3色に発光す
る蛍光体が同一面積に形成され、配置、構成されている
。このように構成された画像形成装置に、ライン毎に駆
動電圧を印加すると各電子放出部から放出される電流量
は多少のバラツキはあるものの、蛍光体ターゲットに照
射される電流量はほぼ一定である。しかしながら、各色
によって発光効率が異なるため、同量の電子ビームが照
射されても、蛍光体ターゲット上での発光状態は各色に
よって輝度が異なるため、赤、緑、青の3原色を用いた
カラーの表示が充分に行うことができない。
放出部が直線的にライン状に規則正しく配置されており
、同電子放出部の空間上に、赤、緑、青、3色に発光す
る蛍光体が同一面積に形成され、配置、構成されている
。このように構成された画像形成装置に、ライン毎に駆
動電圧を印加すると各電子放出部から放出される電流量
は多少のバラツキはあるものの、蛍光体ターゲットに照
射される電流量はほぼ一定である。しかしながら、各色
によって発光効率が異なるため、同量の電子ビームが照
射されても、蛍光体ターゲット上での発光状態は各色に
よって輝度が異なるため、赤、緑、青の3原色を用いた
カラーの表示が充分に行うことができない。
(2)表面伝導水放出素子の電子放出が図中左右に細長
(放射し、かつ上記素子の配置が素子の電子放出部がラ
イン状で直線的になるように構成されているため、複数
個の素子をライン状に、規則正しくマルチに配置した場
合、発光部の間隔の広い、すなわち、表示密度の非常に
低い、画像形成装置しか得られておらず、高密度に表示
が可能な画像形成装置が得られない−0 以上のような欠点があるので、表面伝導形電子放出素子
は、素子構造が簡単でかつ、2つ以上の複数個の素子を
ライン状に配置し、画像形成装置を構成することが容易
であるにもかかわらず、産業分野として積極的に応用さ
れるには至っていなかった。
(放射し、かつ上記素子の配置が素子の電子放出部がラ
イン状で直線的になるように構成されているため、複数
個の素子をライン状に、規則正しくマルチに配置した場
合、発光部の間隔の広い、すなわち、表示密度の非常に
低い、画像形成装置しか得られておらず、高密度に表示
が可能な画像形成装置が得られない−0 以上のような欠点があるので、表面伝導形電子放出素子
は、素子構造が簡単でかつ、2つ以上の複数個の素子を
ライン状に配置し、画像形成装置を構成することが容易
であるにもかかわらず、産業分野として積極的に応用さ
れるには至っていなかった。
【課題を解決するための手段及び作用]本発明は、直線
電極を有するライン状表面伝導形電子放出素子を用いた
画像形成装置において、上記素子の電子放出部が平行に
配置し、上記素子の蛍光体の効率により電子放出部の形
状を変えるように構成することにより、高密度に蛍光体
を均一な輝度で発光することの出来る画像形成装置を可
能にしたものである。
電極を有するライン状表面伝導形電子放出素子を用いた
画像形成装置において、上記素子の電子放出部が平行に
配置し、上記素子の蛍光体の効率により電子放出部の形
状を変えるように構成することにより、高密度に蛍光体
を均一な輝度で発光することの出来る画像形成装置を可
能にしたものである。
本発明において、直線電極とは、電子放出素子の相対す
る電極が直線かつ平行に形成されているものであり、ラ
イン状表面伝導形電子放出素子とは、複数個の表面伝導
形電子放出素子が1対のライン状電極に沿って直線状に
連なって形成されたものである。
る電極が直線かつ平行に形成されているものであり、ラ
イン状表面伝導形電子放出素子とは、複数個の表面伝導
形電子放出素子が1対のライン状電極に沿って直線状に
連なって形成されたものである。
[実施例]
以下に図面に示す実施例により本発明の詳細な説明する
。
。
実施例1
第2図は本発明の一実施例を示す説明図であり、第1図
に示した表面伝導形電子放出素子を用いたものである。
に示した表面伝導形電子放出素子を用いたものである。
本発明に用いた電子放出素子は、第1図において、絶縁
性基板4に、石英基板を用い、洗浄された石英基板4上
に、電子放出材料にIn*Osを用い、膜厚1000人
の薄膜3を成膜し、(他の電子放出材料として、Sno
w、 PbO等の金属酸化物、Au。
性基板4に、石英基板を用い、洗浄された石英基板4上
に、電子放出材料にIn*Osを用い、膜厚1000人
の薄膜3を成膜し、(他の電子放出材料として、Sno
w、 PbO等の金属酸化物、Au。
Ag等の金属、カーボン、その他の各種半導体などがあ
る。)次いで、フォトリソグラフィー技術により電子放
出部5が形成されるL=1.0mm%W=0.3mm、
0.2mm、 0.15mmの3種類のネック部を有
する電子放出材料の薄膜3を形成する。
る。)次いで、フォトリソグラフィー技術により電子放
出部5が形成されるL=1.0mm%W=0.3mm、
0.2mm、 0.15mmの3種類のネック部を有
する電子放出材料の薄膜3を形成する。
次いで、前記薄膜3に形成される電子放出部5と電気的
接続を得る電極1.2にNiを用いて、マスク蒸着によ
り膜厚1500人を形成する。電極1゜2となる導電性
材料として他に、Pt、 Au、 Cu、 ARなどの
通常の金属材料がある。
接続を得る電極1.2にNiを用いて、マスク蒸着によ
り膜厚1500人を形成する。電極1゜2となる導電性
材料として他に、Pt、 Au、 Cu、 ARなどの
通常の金属材料がある。
前記電極1と電極2の間に、30V程度の電圧を印加す
る事により、薄膜3に通電し、これにより発生するジュ
ール熱で薄膜3を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部5を形成す
る。
る事により、薄膜3に通電し、これにより発生するジュ
ール熱で薄膜3を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部5を形成す
る。
次いで、上記素子のH”5mmの空間上に、透明なガラ
ス基板に、青板ガラスを用い、透明電極ITO(In、
0.75nOa= 95 : 5 )を蒸着により10
00人形成し、電子により発光する蛍光体を塗布して形
成した蛍光体基板6を配置する。
ス基板に、青板ガラスを用い、透明電極ITO(In、
0.75nOa= 95 : 5 )を蒸着により10
00人形成し、電子により発光する蛍光体を塗布して形
成した蛍光体基板6を配置する。
前記、第1図で説明した表面伝導形電子放出素子と蛍光
体基板6を用い上記素子の電子放出特性を測定する。上
記素子に駆動電圧を16V印加し、電子放出させ、蛍光
体基板6に照射された電子ビームの電流値と電子放出領
域を蛍光体基板6の蛍光体の発光した発光部7の面積を
測定したところ、電子放出部5が形成される薄膜3のネ
ック部のW = 0.3mmのとき電流値Ie=約1.
01&Aで、発光部7の面積はW(幅)=約2.(1m
+a s L (長さ)=約4.0mm 、 W=0.
2mmのときIe=約0.67%A、W=約1.8mm
%L =約3.6m+a 、 、W = 0.15m
mのときIe=約0.5%A %W=約1.5mta
s L =約3.0mmの特性が得られ、薄膜3のネッ
ク部のWとIeの関係はリニアに変化する。
体基板6を用い上記素子の電子放出特性を測定する。上
記素子に駆動電圧を16V印加し、電子放出させ、蛍光
体基板6に照射された電子ビームの電流値と電子放出領
域を蛍光体基板6の蛍光体の発光した発光部7の面積を
測定したところ、電子放出部5が形成される薄膜3のネ
ック部のW = 0.3mmのとき電流値Ie=約1.
01&Aで、発光部7の面積はW(幅)=約2.(1m
+a s L (長さ)=約4.0mm 、 W=0.
2mmのときIe=約0.67%A、W=約1.8mm
%L =約3.6m+a 、 、W = 0.15m
mのときIe=約0.5%A %W=約1.5mta
s L =約3.0mmの特性が得られ、薄膜3のネッ
ク部のWとIeの関係はリニアに変化する。
本実施例で用いた蛍光体は、電子線励起による発光タイ
プで赤色は登録番号P22、組成y、o、s:Eu”、
効率約13%、緑色は登録番号P22、組成ZnS:C
u、 AIl、効率約23%、青色は登録番号P22、
組成ZnS:Ag、 C1)、効率約21%である。(
登録番号はJEDEII;(Joint Electr
on Device Comm1ttee)によるもの
) 効率の異なる蛍光体で3色とも同一の輝度を得るために
各蛍光体に対応したライン状素子毎に電子放出部5のW
を変える。すなわち放出された電子ビームの電流値を変
えることにより、同一の輝度を得る。まず、赤色の蛍光
体を上記素子により駆動電圧14Vを印加し、放出電流
lμAを得て、発光させた輝度と、緑、青色の蛍光体の
発光した輝度を同じにするために蛍光体の効率と放出電
流値と電子放出部Wの関係から、電子放出部Wを決める
と、赤:緑:青=13%=23%:21%=1.OPA
:0.56#&A : 0.62pA= 300μm
:168IAm : 186μmとなる。
プで赤色は登録番号P22、組成y、o、s:Eu”、
効率約13%、緑色は登録番号P22、組成ZnS:C
u、 AIl、効率約23%、青色は登録番号P22、
組成ZnS:Ag、 C1)、効率約21%である。(
登録番号はJEDEII;(Joint Electr
on Device Comm1ttee)によるもの
) 効率の異なる蛍光体で3色とも同一の輝度を得るために
各蛍光体に対応したライン状素子毎に電子放出部5のW
を変える。すなわち放出された電子ビームの電流値を変
えることにより、同一の輝度を得る。まず、赤色の蛍光
体を上記素子により駆動電圧14Vを印加し、放出電流
lμAを得て、発光させた輝度と、緑、青色の蛍光体の
発光した輝度を同じにするために蛍光体の効率と放出電
流値と電子放出部Wの関係から、電子放出部Wを決める
と、赤:緑:青=13%=23%:21%=1.OPA
:0.56#&A : 0.62pA= 300μm
:168IAm : 186μmとなる。
第2図(a)は上記素子を用い、ライン状に規則正しく
マルチに配置された表面伝導形電子放出素子を示した説
明図で、第2図(b)は、蛍光体基板6上に配置した蛍
光体の色および構成と発光部8を示した説明図である。
マルチに配置された表面伝導形電子放出素子を示した説
明図で、第2図(b)は、蛍光体基板6上に配置した蛍
光体の色および構成と発光部8を示した説明図である。
第2図(a)において、上記素子の薄膜3のネック部W
= 0.3mmの発光部7のWが約2.0LIInで
あるから素子間隔を2.5mmとし、Lが約4.0mm
であるから、隣接するライン間の素子間隔を4.5mm
とし、発光部7が重なり合わないように、赤色の蛍光体
に対応する素子の薄膜3のネック部をW=300μmに
、緑色の蛍光体に対応する素子の薄膜3のネック部をw
= 168μm、青色の蛍光体に対応する素子の薄膜
3のネック部をw = 186pmとし、上記素子と同
じ構成の素子を1ラインに赤、緑、青の順に6素子を配
置し、赤、緑、青の各色の蛍光体に対応した、薄膜3の
ネック部の長さの異なるライン状素子を3ライン構成し
、電子放出部5が平行になるようにライン状に規則正し
く配置、構成する。
= 0.3mmの発光部7のWが約2.0LIInで
あるから素子間隔を2.5mmとし、Lが約4.0mm
であるから、隣接するライン間の素子間隔を4.5mm
とし、発光部7が重なり合わないように、赤色の蛍光体
に対応する素子の薄膜3のネック部をW=300μmに
、緑色の蛍光体に対応する素子の薄膜3のネック部をw
= 168μm、青色の蛍光体に対応する素子の薄膜
3のネック部をw = 186pmとし、上記素子と同
じ構成の素子を1ラインに赤、緑、青の順に6素子を配
置し、赤、緑、青の各色の蛍光体に対応した、薄膜3の
ネック部の長さの異なるライン状素子を3ライン構成し
、電子放出部5が平行になるようにライン状に規則正し
く配置、構成する。
ついで、第2図(b)において、上記マルチ状素子の素
子間隔と同じ間隔で、赤、緑、青3色の蛍光体をライン
状素子上に、ネック部のWに対応するように、赤、緑、
青の順で蛍光体を配置、構成する。
子間隔と同じ間隔で、赤、緑、青3色の蛍光体をライン
状素子上に、ネック部のWに対応するように、赤、緑、
青の順で蛍光体を配置、構成する。
上記の通り配置した結果、上記l素子の駆動条件と同じ
条件で6素子×3ラインを同時に電子放出させ、蛍光体
を発光させたところ、第2図(b)に示す如(赤、緑、
貴台蛍光体を均一な輝度で発光させることができ、発光
部8の発光間隔の狭い高密度な画像形成装置を得た。
条件で6素子×3ラインを同時に電子放出させ、蛍光体
を発光させたところ、第2図(b)に示す如(赤、緑、
貴台蛍光体を均一な輝度で発光させることができ、発光
部8の発光間隔の狭い高密度な画像形成装置を得た。
さらに、本実施例のごとく上記素子の電子放出部5が規
則正しく直線的でなく平行にマルチに構成することによ
り、電極1,2の配線抵抗を小さく出来る作用があり、
大画面の画像形成装置を構成出来るといった効果がある
。
則正しく直線的でなく平行にマルチに構成することによ
り、電極1,2の配線抵抗を小さく出来る作用があり、
大画面の画像形成装置を構成出来るといった効果がある
。
また、上記構成で、赤、緑、青色の蛍光体から一絵素を
構成すると、従来例では、横方向に長い長方形な絵素し
か構成できないのに対し、非常に、正方形に近い絵素形
状まで構成することが出来、さらに、上記絵素構成にす
ることにより、絵素密度を飛躍的に高めることができる
。
構成すると、従来例では、横方向に長い長方形な絵素し
か構成できないのに対し、非常に、正方形に近い絵素形
状まで構成することが出来、さらに、上記絵素構成にす
ることにより、絵素密度を飛躍的に高めることができる
。
実施例2
第3図、第4図に本発明の第2の実施例を示す。
第3図において、絶縁性の基板4に石英基板を用い、洗
浄きれた石英基板4上に、電極1.2にNiを用い、E
B蒸着により膜厚1000人を成膜しフォトリソグラフ
ィー技術により、電子放出部5となるw = 3001
Ls+、 200H,1100P 、 G = 2 P
mの形状を有する電極部を形成する0次いで、電極1,
2の間へ電子放出材料となる微粒子8に1次粒径80〜
200人のSn0w分散液(Snow: 1 g−溶剤
MEK /シクロヘキサノン= 3 / 1 : 10
00Cc、ブチラール:Ig)を用いスピンコード法に
より塗布し、250℃で加熱処理し形成する。
浄きれた石英基板4上に、電極1.2にNiを用い、E
B蒸着により膜厚1000人を成膜しフォトリソグラフ
ィー技術により、電子放出部5となるw = 3001
Ls+、 200H,1100P 、 G = 2 P
mの形状を有する電極部を形成する0次いで、電極1,
2の間へ電子放出材料となる微粒子8に1次粒径80〜
200人のSn0w分散液(Snow: 1 g−溶剤
MEK /シクロヘキサノン= 3 / 1 : 10
00Cc、ブチラール:Ig)を用いスピンコード法に
より塗布し、250℃で加熱処理し形成する。
次いで、上記素子と本発明の第1の実施例で用いた蛍光
体基板6を用い、電子放出特性を測定する。蛍光体基板
6を上記素子の空間上に配置し1000Vの電圧を印加
し、上記素子に駆動電圧を14V印加し、電子放出させ
、蛍光体基板6に照射された電子ビームの電流値と電子
放出領域を蛍光体基板6の蛍光体の発光した発光部7の
面積を測定したところ、電子放出部3のw=300pa
+のとき電流値Ie=約1.0pA %w = 200
pmのときIe=約0.67pA、 w = 110
0PのときIe=約0.33μA得られ、電子放出部3
のWとIeはリニアに変化し発光部8は同第3図に示す
如く、w=300PmのときW(幅)=約0.5mm
、 L (長さ)=約0.8mm 。
体基板6を用い、電子放出特性を測定する。蛍光体基板
6を上記素子の空間上に配置し1000Vの電圧を印加
し、上記素子に駆動電圧を14V印加し、電子放出させ
、蛍光体基板6に照射された電子ビームの電流値と電子
放出領域を蛍光体基板6の蛍光体の発光した発光部7の
面積を測定したところ、電子放出部3のw=300pa
+のとき電流値Ie=約1.0pA %w = 200
pmのときIe=約0.67pA、 w = 110
0PのときIe=約0.33μA得られ、電子放出部3
のWとIeはリニアに変化し発光部8は同第3図に示す
如く、w=300PmのときW(幅)=約0.5mm
、 L (長さ)=約0.8mm 。
w = 200PmのときW=約0.4mm %L =
約0.7ma+ 1w = 11001LのときW=約
0.3mm s L ”約0.6mmの発光部が得られ
た。
約0.7ma+ 1w = 11001LのときW=約
0.3mm s L ”約0.6mmの発光部が得られ
た。
次いで、電子放出部Wの大きさを決定する。本実施例で
用いた赤、緑、青色の蛍光体は、本発明の第1の実施例
と同じ蛍光体を用いた。効率のことなる蛍光体で3色と
も同一の輝度を得るために、各蛍光体に対応したライン
状素子毎に電子放出部5のWを変える。すなわち放出さ
れた電子ビームの電流値を変えることにより、同一の輝
度を得る。まず、赤色の蛍光体を上記素子により駆動電
圧14Vを印加し、放出電流1pAを得て、発光させた
輝度と、緑、青色の蛍光体の発光した輝度を同じにする
ために蛍光体の効率と放出電流値と電子放出部w(7j
関係から、電子放出部Wを決めると、赤:緑:青=13
%:23%:21%=1.OpA :0.56経A:0
.62μA、 300μm:168μm:1g6μmと
なる。
用いた赤、緑、青色の蛍光体は、本発明の第1の実施例
と同じ蛍光体を用いた。効率のことなる蛍光体で3色と
も同一の輝度を得るために、各蛍光体に対応したライン
状素子毎に電子放出部5のWを変える。すなわち放出さ
れた電子ビームの電流値を変えることにより、同一の輝
度を得る。まず、赤色の蛍光体を上記素子により駆動電
圧14Vを印加し、放出電流1pAを得て、発光させた
輝度と、緑、青色の蛍光体の発光した輝度を同じにする
ために蛍光体の効率と放出電流値と電子放出部w(7j
関係から、電子放出部Wを決めると、赤:緑:青=13
%:23%:21%=1.OpA :0.56経A:0
.62μA、 300μm:168μm:1g6μmと
なる。
第4図(a)は上記素子を用い、ライン状に規則正しく
マルチに配置された表面伝導形電子放出素子を示した説
明図で、第4図(b)は、蛍光体基板6上に配置した蛍
光体の色および構成と発光部7を示した説明図である。
マルチに配置された表面伝導形電子放出素子を示した説
明図で、第4図(b)は、蛍光体基板6上に配置した蛍
光体の色および構成と発光部7を示した説明図である。
第4図(a)において、上記素子の電子放出部5のw
= 300ILmの発光部7のWが約0.5mmである
から素子間隔を0.7mn+とし、Lが約0.8mmで
あるから、隣接するライン間の素子間隔を1.0mmと
し、発光部8が重なり合わないように、赤色の蛍光体に
対応する素子の電子放出部5をw=3001Lmに、緑
色の蛍光体に対応する素子の電子放出部5をw = 1
681Lmに、青色の蛍光体に対応する素子の電子放出
部5をw == 186pmとし、上記素子と同じ構成
の素子を1ラインに赤、緑、青の順に6素子を配置し、
赤、緑、青の各色の蛍光体に対応した、電子放出部5の
Wの異なるライン状素子を3ライン構成し、電子放出部
5が平行になるようライン状に規則正しく配置、構成す
る。
= 300ILmの発光部7のWが約0.5mmである
から素子間隔を0.7mn+とし、Lが約0.8mmで
あるから、隣接するライン間の素子間隔を1.0mmと
し、発光部8が重なり合わないように、赤色の蛍光体に
対応する素子の電子放出部5をw=3001Lmに、緑
色の蛍光体に対応する素子の電子放出部5をw = 1
681Lmに、青色の蛍光体に対応する素子の電子放出
部5をw == 186pmとし、上記素子と同じ構成
の素子を1ラインに赤、緑、青の順に6素子を配置し、
赤、緑、青の各色の蛍光体に対応した、電子放出部5の
Wの異なるライン状素子を3ライン構成し、電子放出部
5が平行になるようライン状に規則正しく配置、構成す
る。
ついで、第4図(b)において、上記マルチ状素子の素
子間隔と同じ間隔で、赤、緑、青3色の蛍光体をライン
状素子上に、電子放出部5のWに対応するように、赤、
緑、青の順で蛍光体を配置、構成する。
子間隔と同じ間隔で、赤、緑、青3色の蛍光体をライン
状素子上に、電子放出部5のWに対応するように、赤、
緑、青の順で蛍光体を配置、構成する。
上記の通り配置した結果、上記1素子の駆動条件と同じ
条件で、6素子×3ラインを同時に電子放出させ、蛍光
体を発光させ6たところ、第4図(b)に示す如く赤、
緑、貴台蛍光体を均一な輝度で発光させるこひとができ
、発光部7の発光間隔の狭い高密度な画像形成装置を得
た。
条件で、6素子×3ラインを同時に電子放出させ、蛍光
体を発光させ6たところ、第4図(b)に示す如く赤、
緑、貴台蛍光体を均一な輝度で発光させるこひとができ
、発光部7の発光間隔の狭い高密度な画像形成装置を得
た。
本実施例に於いても、前記第1の実施例のごとく配線抵
抗を低減出来る。絵素密度を高くする効果がある。
抗を低減出来る。絵素密度を高くする効果がある。
[発明の効果]
以上説明した様に本発明によれば、表面伝導形電子放出
素子の電子放出部が直線的でなく、平行になるようライ
ン状にマルチに配置、構成し、上記素子上の蛍光体の効
率により電子放出部の形状を変えることにより、蛍光体
の効率にかかわらず、均一な輝度の得られる発光部を高
密度に構成できる画像形成装置を提供することができる
効果がある。
素子の電子放出部が直線的でなく、平行になるようライ
ン状にマルチに配置、構成し、上記素子上の蛍光体の効
率により電子放出部の形状を変えることにより、蛍光体
の効率にかかわらず、均一な輝度の得られる発光部を高
密度に構成できる画像形成装置を提供することができる
効果がある。
第1図は表面伝導形電子放出素子を説明した斜視図、第
2図(a)、(b)は、本発明の第1の実施例の説明図
、第3図、第4図(a)、(b)は、本発明の第2の実
施例の説明図、第5図(a)、(b)は、従来例を説明
した図である。 1.2:電極 3:薄膜 4:基板 6:蛍光体基板 8:微粒子 5:電子放出部 7:発光部
2図(a)、(b)は、本発明の第1の実施例の説明図
、第3図、第4図(a)、(b)は、本発明の第2の実
施例の説明図、第5図(a)、(b)は、従来例を説明
した図である。 1.2:電極 3:薄膜 4:基板 6:蛍光体基板 8:微粒子 5:電子放出部 7:発光部
Claims (1)
- (1)直線電極を有するライン状表面伝導形電子放出素
子の各電子放出部の相対する空間上に電子線励起発光の
赤、緑、青色の蛍光体を構成した画像形成装置であって
、蛍光体の蛍光効率により該素子の電子放出部の形状が
異なり、かつ平行に構成されていることを特徴とする画
像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6633989A JPH02247963A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6633989A JPH02247963A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 画像形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02247963A true JPH02247963A (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=13313000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6633989A Pending JPH02247963A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02247963A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5565754A (en) * | 1992-06-30 | 1996-10-15 | International Business Machines Corporation | Colour field emission display |
FR2735903A1 (fr) * | 1995-06-20 | 1996-12-27 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Dispositif a emission de champ |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP6633989A patent/JPH02247963A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5565754A (en) * | 1992-06-30 | 1996-10-15 | International Business Machines Corporation | Colour field emission display |
FR2735903A1 (fr) * | 1995-06-20 | 1996-12-27 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Dispositif a emission de champ |
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