JPH02246404A

JPH02246404A - 発振器

Info

Publication number: JPH02246404A
Application number: JP6594589A
Authority: JP
Inventors: Makoto Nakamura; 真中村; Keiichi Danmoto; 段本　圭一
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-03-20
Filing date: 1989-03-20
Publication date: 1990-10-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は１発振周波数の精度を向上するために位相遅れ
を減少した発振器に関するものである。

（従来の技術）第２図は、従来の発振器の回路図である。同図において
、ｖｌはバイアス用電圧源、ｖ２は電源用電圧源、工。

は電流源であり、ＱｌとＣ３は発振器を構成するトラン
ジスタ、Ｒ工はその負荷抵抗器、Ｒ２およびＲ１はバイ
アス用の抵抗器、Ｘｌは共振素子、Ｃ１およびＣ２はそ
れぞれトランジスタＱ□。

Ｃ３に固有のベース・エミッタ間の容量である。

第３図は共振素子ｘ１の周波数特性の概略図であり、こ
の共振素子Ｘ工は周波数ｆ６において共振することを示
す。

第４図は、従来の発振器における問題点を示すためのベ
クトル図である。

第２図の発振器について、その動作を説明する。

まず、トランジスタＱ、のベース電圧が十分上がると、
電流源工。の電流がトランジスタＱ１に流れ、トランジ
スタＱ２はカットオフ状態となる。

そのため、トランジスタＱ２のコレクタ電圧は電源電圧
まで上昇する。また、トランジスタＱ□のベース電圧が
十分下がると、電流源Ｉ０の電流がトランジスタＱ３に
流れ、トランジスタＱ３のコレクタ電圧は電源電圧から
負荷抵抗器Ｒ□による電圧降下分まで下がる。すなわち
、トランジスタＱユのベースからトランジスタＱ８のコ
レクタまでの位相差は０度である。

ここで、トランジスタＱ、のベースからトランジスタＱ
３のコレクタまでの利得が１以上であるとする。この時
、共振素子ｘ１がトランジスタＱ８のコレクタとトラン
ジスタＱ１のベースとの間に接続されているので、この
第２図の回路は、第３図よりトランジスタＱ８のベース
から共振素子ＸｉのトランジスタＱ１のベース側まで位
相差が０度となる周波数ｆ０において正帰還がかかるこ
とになり、この回路は周波数ｆ、で発振する発振器とな
る。

（発明が解決しようとする課題）上記の説明は、トランジスタに存在する固有の容量の影
響を考慮していない理想状態についての説明で、実際に
は、この容量によってトランジスタＱ□のベースからト
ランジスタＱ３のコレクタまでの間に位相遅れが生じる
。この位相遅れの要因となる容量のひとつに、トランジ
スタのベース・エミッタ間容量Ｃ□およびＣ２がある。

この容量Ｃ１と０２および抵抗器Ｒ３によって、第４図
のようにトランジスタＱ３のベースに、トランジスタＱ
ユのベースに加わっている信号Ｃより位相の進んだ信号
ｄが現われる。そうすると、トランジスタＱ、のベース
に加わる信号ＣのベクトルとトランジスタＱ８のベース
に現われる信号ｄのベクトルとの差の信号ｅのベクトル
がトランジスタＱ２のコレクタへ伝達されることになる
。結局、このトランジスタＱ３のコレクタに現われる信
号ｅのベクトルは、トランジスタＱ１のベースに加わる
信号Ｃのベクトルに対して位相遅れとなる。

このように生じたトランジスタロ工のベースからトラン
ジスタＱ３のコレクタまでの位相遅れθ、度とすると、
トランジスタＱ１のベースからトランジスタＱ２のコレ
クタを経て共振素子Ｘ工のトランジスタＱ、のベース側
までの位相差が０度となる周波数は、第３図に示す共振
素子ｘ８の特性図から、共振素子Ｘ工の位相進みがθ□
度となる周波数ｆ４となり、すなわち発振器は周波数ｆ
４で発振する。あるいは、この発振器のトランジスタＱ
□のベースからトランジスタＱ３のコレクタを経て共振
素子ｘ８のトランジスタロ工のベース側までの周波数ｆ
４における利得が１未満になる場合には。

この発振器は発振しなくなる。

このように、従来の発振器の構成では、その位相遅れに
よって発振周波数の精度が悪いという欠点があった。

本発明の目的は、従来の欠点を解消し、トランジスタの
ベース・エミッタ間容量の影響をなくし、位相遅れの少
ない発振器を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明の発振器は、第１と第２のトランジスタのエミッ
タを互いに接続し、第１のトランジスタのコレクタと第
２のトランジスタのベースとの間に共振素子を接続した
発振回路を構成し、第１のトランジスタのベースと電源
の接地線との間に容量を接続して位相を補正するもので
ある。

（作　用）上記構成によって、第１のトランジスタのベースを交流
的に固定した状態を作り出し、トランジスタのベース・
エミッタ間容量の影響をなくし、発振周波数の精度の低
下を防ぐことができる。

（実施例）本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。

同図において、第２図に示した従来例と同じ部分につい
ては同一符号を付し、その説明を省略する。

第１図は１本発明の発振器の回路構成図である。

同図において、Ｃ３は位相補正用の容量である。

まず、第１図で構成された発振器が、理想的には周波数
ｆ、で発振する点は、従来例における発振器と同様であ
る。

次に１本実施例においてもトランジスタに固有の容量は
存在し、トランジスタＱユのベースに加わる信号がベー
ス・エミッタ間容量Ｃ１およびＣ２によってトランジス
タＱ３のベース側へも伝達されるが、トランジスタＱ２
のベースと接地線との間に接続した容量Ｃ３によってト
ランジスタＱ２のベースの電位は交流的に固定される。

結局、第４図において、トランジスタＱ２のベースに現
われる信号ｄが本実施例では現われないため、トランジ
スタＱ２のコレクタに現われる信号ｅのベクトルはトラ
ンジスタＱ１のベースに加わる信号Ｃのベクトルと位相
が一致する。

以上のように、本実施例によれば、トランジスタＱ３の
ベースと接地線との間に容量を接続することにより、ト
ランジスタロ工のベースからトランジスタＱ２のコレク
タまでに発生する位相遅れのうち、ベース・エミッタ間
容量Ｃ工およびＣ２による位相遅れをなくすることがで
きる。

なお１本実施例において、共振素子又□は１つの素子と
して表現したが、数個の素子を組み合わせた共振器とし
てもよい、また、容量Ｃ３はその一方を接地線としたが
、これを電源電圧線と接続してもよい。

（発明の効果）本発明によれば、エミッタが接続された２つのトランジ
スタのうち、信号を加えない側のベースと一方の電源と
の間に容量を接続することにより。

ベース・エミッタ間容量の影響による発振器の位相遅れ
をなくすことによって、発振器の位相遅れを減少して発
振周波数の精度を向上することができ、その実用上の効
果は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における発振器の回路構成図
、第２図は従来の発振器の回路構成図、第３図は共振素
子の周波数特性図、第４図は従来の発振器の問題点を示
すベクトル図である。ｖｌ・・・バイアス用電圧源、ｖよ・・・電源用電圧源
、　■、・・・電流源、　Ｑ、、　Ｑ、・・・発振器を
構成するトランジスタ、　Ｒ□・・・負荷抵抗器、　Ｒ
，、Ｒ，・・・バイアス用抵抗器。Ｘユ・・・共振素子、　Ｃ，、Ｃ，・・・トランジスタ
Ｑ、、Ｑ、に固有のベース・エミッタ間容量、Ｃ，・・
・位相補正用容量。特許出願人　松下電器産業株式会社第１図第２図Ｑｌ、Ｑ２−−−−−−−一トランンスダＸ１−−−−
−−−−−−一共坂素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３−−−−一容量Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３−−−−−４杭答Ｖ１．Ｖ２−−−−−−−−　ｇｉＬ圧う厭１ｏ　−−
−−−−−−−−一電流Ｊ

Claims

【特許請求の範囲】

第１と第２のトランジスタのエミッタを互いに接続し、
前記第１のトランジスタのコレクタと第２のトランジス
タのベースとの間に共振素子を接続した発振回路を構成
し、前記第１のトランジスタのベースと電源の接地線と
の間に容量を接続して位相を補正することを特徴とする
発振器。