JPS6315917Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6315917Y2 JPS6315917Y2 JP3570780U JP3570780U JPS6315917Y2 JP S6315917 Y2 JPS6315917 Y2 JP S6315917Y2 JP 3570780 U JP3570780 U JP 3570780U JP 3570780 U JP3570780 U JP 3570780U JP S6315917 Y2 JPS6315917 Y2 JP S6315917Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- transistor
- collector
- circuit
- gain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の目的〕
（産業上の利用分野）
本考案は圧電振動子を用いた圧電ブザー自動発
振回路に関する。
振回路に関する。
（従来の技術）
従来から、圧電振動子を用いた自励発振回路は
種々提案されており、第１図で示す回路が代表的
なものである。図において、１１は圧電ブザーと
なる圧電振動子で、トランジスタT〓のコレク
タ・エミツタ間に接続するとともに、その帰還電
極は、ベース直列抵抗R2を介してトランジスタ
T〓のベースに接続する。またR1はトランジスタ
T〓のバイアス抵抗であり、RLは負荷抵抗である。
種々提案されており、第１図で示す回路が代表的
なものである。図において、１１は圧電ブザーと
なる圧電振動子で、トランジスタT〓のコレク
タ・エミツタ間に接続するとともに、その帰還電
極は、ベース直列抵抗R2を介してトランジスタ
T〓のベースに接続する。またR1はトランジスタ
T〓のバイアス抵抗であり、RLは負荷抵抗である。
上記構成において、端子Vccに直流電源を印加
すると、トランジスタT〓には抵抗R1，R2を介し
て適当なバイアスが加わり、圧電ブザー１１の帰
還電極から、帰還電圧が加わることにより、所定
の共振周波数で発振動作する。
すると、トランジスタT〓には抵抗R1，R2を介し
て適当なバイアスが加わり、圧電ブザー１１の帰
還電極から、帰還電圧が加わることにより、所定
の共振周波数で発振動作する。
（考案が解決しようとする問題点）
しかし、この回路構成では圧電ブザーとなる圧
電振動子１１の特性のばらつきに対し、自励発振
の対応範囲が狭い問題点がある。ここで、圧電振
動子１１は、第２図のインピーダンス特性で示す
ように、共振点が複数存在し、かつこれらは周波
数の上昇に伴いインピーダンスが低下する。ま
た、圧電ブザーの自励発振は、通常第１次共振点
01の周波数で発振させるが、圧電振動子１１の
ばらつきなどにより、第２次共振点02以降の共
振が、第１次の共振に比較して強い場合もある。
従つてこの場合、第１図の回路で自励発振を行な
わせると、第２次以降の共振周波数で発振してし
まう。また全体的に共振が弱い場合は、発振動作
をしない場合もある。すなわち、第１図の回路に
おいて、帰還電極を含めた回路の周波数特性を測
定すると第３図のような特性を示す（ａはR2が
小の場合、ｂはR2が大の場合を示す）。この特性
から明らかなように第１次共振点01附近の利得
より、２次以降の共振点02，03……の利得が高
い。また第１次共振点01附近の利得を増し第１
次共振点01で発振し易いようにベース直列抵抗
R2の値を小さくすると、それ以上に、第２次以
降の利得が増加し、第２次以降の共振点で発振し
易い性質を持つた回路となる。
電振動子１１の特性のばらつきに対し、自励発振
の対応範囲が狭い問題点がある。ここで、圧電振
動子１１は、第２図のインピーダンス特性で示す
ように、共振点が複数存在し、かつこれらは周波
数の上昇に伴いインピーダンスが低下する。ま
た、圧電ブザーの自励発振は、通常第１次共振点
01の周波数で発振させるが、圧電振動子１１の
ばらつきなどにより、第２次共振点02以降の共
振が、第１次の共振に比較して強い場合もある。
従つてこの場合、第１図の回路で自励発振を行な
わせると、第２次以降の共振周波数で発振してし
まう。また全体的に共振が弱い場合は、発振動作
をしない場合もある。すなわち、第１図の回路に
おいて、帰還電極を含めた回路の周波数特性を測
定すると第３図のような特性を示す（ａはR2が
小の場合、ｂはR2が大の場合を示す）。この特性
から明らかなように第１次共振点01附近の利得
より、２次以降の共振点02，03……の利得が高
い。また第１次共振点01附近の利得を増し第１
次共振点01で発振し易いようにベース直列抵抗
R2の値を小さくすると、それ以上に、第２次以
降の利得が増加し、第２次以降の共振点で発振し
易い性質を持つた回路となる。
本考案は、高域での利得を低下させることによ
り第１次共振点での利得の増加を可能として、第
１次共振点での発振動作を安定させ、圧電振動子
のばらつきに対する自励発振の対応範囲を広くし
た圧電ブザー自励発振回路を提供することを目的
とする。
り第１次共振点での利得の増加を可能として、第
１次共振点での発振動作を安定させ、圧電振動子
のばらつきに対する自励発振の対応範囲を広くし
た圧電ブザー自励発振回路を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
本考案の圧電ブザー自励発振回路は、コレク
タ・エミツタ間に圧電振動子を接続させかつベー
スにベース直列抵抗を介して上記圧電振動子の帰
還電極を接続させたトランジスタを有し、このト
ランジスタは直列に負荷抵抗を挿入して電源に接
続し、またコレクタからはバイアス抵抗及びベー
ス直列抵抗を介してベースに接続し、さらにコレ
クタ・ベース間には高域利得を低下させるコンデ
ンサを接続したものである。
タ・エミツタ間に圧電振動子を接続させかつベー
スにベース直列抵抗を介して上記圧電振動子の帰
還電極を接続させたトランジスタを有し、このト
ランジスタは直列に負荷抵抗を挿入して電源に接
続し、またコレクタからはバイアス抵抗及びベー
ス直列抵抗を介してベースに接続し、さらにコレ
クタ・ベース間には高域利得を低下させるコンデ
ンサを接続したものである。
（作用）
本考案は、電源に直列に接続された負荷抵抗を
介して、トランジスタのエミツタ・コレクタ間に
電圧が印加されるとともに、コレクタ・エミツタ
間の圧電素子に電圧が印加される。
介して、トランジスタのエミツタ・コレクタ間に
電圧が印加されるとともに、コレクタ・エミツタ
間の圧電素子に電圧が印加される。
また、バイアス抵抗、および圧電振動子の帰還
電極に接続されたベース直列抵抗を介してベース
に電流を与え、圧電素子等の容量性リアクタンス
および誘導性リアクタンスで自励発振する。ま
た、このときコレクタ・ベース間のコンデンサで
高域利得を低下させる。
電極に接続されたベース直列抵抗を介してベース
に電流を与え、圧電素子等の容量性リアクタンス
および誘導性リアクタンスで自励発振する。ま
た、このときコレクタ・ベース間のコンデンサで
高域利得を低下させる。
（実施例）
以下、本考案を第４図で示す一実施例を参照し
て説明する。なお、第１図のものと対応する部品
については同一符号を附して説明する。
て説明する。なお、第１図のものと対応する部品
については同一符号を附して説明する。
図において、圧電ブザーとなる圧電振動子１１
は、増幅素子であるトランジスタT〓のコレク
タ・エミツタ間に接続するとともに、その帰還電
極はベース直列抵抗R2を介してトランジスタT〓
のベースに接続する。また上記トランジスタT〓
のコレクタからは、バイアス抵抗R1および前記
ベース直列抵抗R2を介してベースに接続すると
ともに、このコレクタとベースとの間には、コン
デンサＣを接続する。さらに、コレクタは負荷抵
抗RLを介して電源端子Vccに接続し、エミツタは
接地する。すなわち、トランジスタT〓は、直列
に負荷抵抗RLを介して電源に接続される。
は、増幅素子であるトランジスタT〓のコレク
タ・エミツタ間に接続するとともに、その帰還電
極はベース直列抵抗R2を介してトランジスタT〓
のベースに接続する。また上記トランジスタT〓
のコレクタからは、バイアス抵抗R1および前記
ベース直列抵抗R2を介してベースに接続すると
ともに、このコレクタとベースとの間には、コン
デンサＣを接続する。さらに、コレクタは負荷抵
抗RLを介して電源端子Vccに接続し、エミツタは
接地する。すなわち、トランジスタT〓は、直列
に負荷抵抗RLを介して電源に接続される。
ここで、前記ベース直列抵抗R2は圧電振動子
１１の帰還電極から見た回路の入力インピーダン
スを高めるものであり、トランジスタT〓のベー
スに加わる帰還電圧は、このベース直列抵抗R2
と、トランジスタT〓の入力インピーダンスhieに
より分圧される。ここで、トランジスタ回路の利
得Avは、 Av＝１／１／Ａ＋βで表わされ、上記回路では負 帰還されているので、β≒hie／｜Zc｜が代入されAv ＝１／１／Ａ＋hie／｜Zc｜となる。また、負帰還は コンデンサＣによつてなされるので｜Zc｜＝１／ωc となり、利得Avは、 Av＝１／１／Ａ＋hie／１／ωcとなる。
１１の帰還電極から見た回路の入力インピーダン
スを高めるものであり、トランジスタT〓のベー
スに加わる帰還電圧は、このベース直列抵抗R2
と、トランジスタT〓の入力インピーダンスhieに
より分圧される。ここで、トランジスタ回路の利
得Avは、 Av＝１／１／Ａ＋βで表わされ、上記回路では負 帰還されているので、β≒hie／｜Zc｜が代入されAv ＝１／１／Ａ＋hie／｜Zc｜となる。また、負帰還は コンデンサＣによつてなされるので｜Zc｜＝１／ωc となり、利得Avは、 Av＝１／１／Ａ＋hie／１／ωcとなる。
このため角周波数ωが大きくなると負帰還量が
増加し、高周波数での利得が減少する。
増加し、高周波数での利得が減少する。
したがつて、周波数が高くなるとコンデンサＣ
は高域の利得を低下させ、第１次共振点01での
発振を助長する働きをする。すなわち、コンデン
サＣを接続することにより、高周波数域で負帰還
量を増加させ高周波数域の利得を低下できるの
で、ベース直列抵抗R2値を、従来のものより小
さくして第１次共振点01での利得を増加させる
ことができる。従つてその周波数特性は、第５図
の実線で示すように、従来の破線で示したものに
比べ、第１次共振点01での利得が増加し、しか
も第２次以降の共振点02，03……での利得は大
幅に低下する。従つて作動時、トランジスタT〓
のベースには、第１図共振点01の周波数におい
て、充分な帰還電圧が加わることになり、この周
波数での発振動作が安定する。
は高域の利得を低下させ、第１次共振点01での
発振を助長する働きをする。すなわち、コンデン
サＣを接続することにより、高周波数域で負帰還
量を増加させ高周波数域の利得を低下できるの
で、ベース直列抵抗R2値を、従来のものより小
さくして第１次共振点01での利得を増加させる
ことができる。従つてその周波数特性は、第５図
の実線で示すように、従来の破線で示したものに
比べ、第１次共振点01での利得が増加し、しか
も第２次以降の共振点02，03……での利得は大
幅に低下する。従つて作動時、トランジスタT〓
のベースには、第１図共振点01の周波数におい
て、充分な帰還電圧が加わることになり、この周
波数での発振動作が安定する。
上記の結果、圧電振動子のばらつきに対する自
励発振の対応範囲が広くなり、温度特性も第６図
で示す如く−20℃まで伸ばすことができた。
励発振の対応範囲が広くなり、温度特性も第６図
で示す如く−20℃まで伸ばすことができた。
本考案による圧電ブザー自励発振回路は、従来
回路に比較し、部品上コンデンサ１個の追加でそ
の動作が極めて安定となり、圧電振動子に対する
適応範囲も広く、実用上その効果は大である。
回路に比較し、部品上コンデンサ１個の追加でそ
の動作が極めて安定となり、圧電振動子に対する
適応範囲も広く、実用上その効果は大である。
第１図は従来回路を示す回路図、第２図は圧電
振動子の一般的なインピーダンス特性を示す特性
図、第３図は従来回路の周波数特性を示す特性
図、第４図は本考案による圧電ブザー自励発振回
路の一実施例を示す回路図、第５図は本考案回路
の周波数特性を従来回路の特性とを比較する特性
図、第６図は本考案回路の温度特性を従来回路の
特性と比較する特性図である。 １１……圧電振動子、T〓……トランジスタ、
RL……負荷抵抗、R1……バイアス抵抗、R2……
ベース直列抵抗、Ｃ……コンデンサ。
振動子の一般的なインピーダンス特性を示す特性
図、第３図は従来回路の周波数特性を示す特性
図、第４図は本考案による圧電ブザー自励発振回
路の一実施例を示す回路図、第５図は本考案回路
の周波数特性を従来回路の特性とを比較する特性
図、第６図は本考案回路の温度特性を従来回路の
特性と比較する特性図である。 １１……圧電振動子、T〓……トランジスタ、
RL……負荷抵抗、R1……バイアス抵抗、R2……
ベース直列抵抗、Ｃ……コンデンサ。
Claims (1)
- コレクタ・エミツタ間に圧電振動子を接続させ
かつベースにベース直列抵抗を介して上記圧電振
動子の帰還電極を接続させたトランジスタを有
し、このトランジスタは直列に負荷抵抗を挿入し
て電源に接続し、またコレクタからはバイアス抵
抗及びベース直列抵抗を介してベースに接続し、
さらにコレクタ・ベース間には高域利得を低下さ
せるコンデンサを接続したことを特徴とする圧電
ブザー自励発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3570780U JPS6315917Y2 (ja) | 1980-03-18 | 1980-03-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3570780U JPS6315917Y2 (ja) | 1980-03-18 | 1980-03-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137199U JPS56137199U (ja) | 1981-10-17 |
| JPS6315917Y2 true JPS6315917Y2 (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=29631329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3570780U Expired JPS6315917Y2 (ja) | 1980-03-18 | 1980-03-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315917Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318073Y2 (ja) * | 1980-10-31 | 1988-05-20 |
-
1980
- 1980-03-18 JP JP3570780U patent/JPS6315917Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56137199U (ja) | 1981-10-17 |
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