JPH02240636A - アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示素子Info
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- JPH02240636A JPH02240636A JP1060945A JP6094589A JPH02240636A JP H02240636 A JPH02240636 A JP H02240636A JP 1060945 A JP1060945 A JP 1060945A JP 6094589 A JP6094589 A JP 6094589A JP H02240636 A JPH02240636 A JP H02240636A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はアクティブマトリクス基板に係り、特に走査線
−信号線間短絡の防止に好適なアクティブマトリクス基
板並びにそれを用いた液晶表示素子に関する。
−信号線間短絡の防止に好適なアクティブマトリクス基
板並びにそれを用いた液晶表示素子に関する。
[従来の技術]
非晶質シリコン薄膜トランジスタ(amorphous
5i1ic011 7)111 [rilm 丁r
ansistor以下a−8iTFTと略す)をスイッ
ヂング素子として用いたアクティブマトリクス基板は、
(Active Matrix以下FAMX基板と略す
)は、クロストーク現象等の問題がないため各社で研究
・開発が活発に行れている。また、AMX基板を用いた
液晶デイスプレィも各社で製品化されている。従来、こ
のアクティブマトリクス基板は、特開昭62−6546
8号に記載のように第4図(、)に示す構造を有してい
た。即ち、タンタル(T a )から成る走査線主線2
とアルミ(A Q )を主成分とした金属膜から成る走
査線補助線3と、下層からゲート電極10、ゲート絶I
If1g4、半導体H!5及びソース電極9、ドレイン
電極8から成る薄膜トランジスタ12と、 I To
(Indium Tin 0xide)等透明導電膜か
ら成る画素電極7と、アルミ(Al)やクロム(Cr)
から成る信号線6により構成されており。
5i1ic011 7)111 [rilm 丁r
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ヂング素子として用いたアクティブマトリクス基板は、
(Active Matrix以下FAMX基板と略す
)は、クロストーク現象等の問題がないため各社で研究
・開発が活発に行れている。また、AMX基板を用いた
液晶デイスプレィも各社で製品化されている。従来、こ
のアクティブマトリクス基板は、特開昭62−6546
8号に記載のように第4図(、)に示す構造を有してい
た。即ち、タンタル(T a )から成る走査線主線2
とアルミ(A Q )を主成分とした金属膜から成る走
査線補助線3と、下層からゲート電極10、ゲート絶I
If1g4、半導体H!5及びソース電極9、ドレイン
電極8から成る薄膜トランジスタ12と、 I To
(Indium Tin 0xide)等透明導電膜か
ら成る画素電極7と、アルミ(Al)やクロム(Cr)
から成る信号線6により構成されており。
走査線−信号線交差部の走査線3上とゲート電極10上
に陽極化成による酸化膜11が形成されている。また、
走査線−信号線交差部の断面は第4図(b)に示すよう
に、ガラスや石英等表面が絶縁物から成る基板1上にT
aから成る走査線主線2と、この上にTaを陽極化成す
ることにより設けられた酸化膜11と、この上に設けら
れたゲートMA)膜4と、この上に設けられた半導体r
f!J5と。
に陽極化成による酸化膜11が形成されている。また、
走査線−信号線交差部の断面は第4図(b)に示すよう
に、ガラスや石英等表面が絶縁物から成る基板1上にT
aから成る走査線主線2と、この上にTaを陽極化成す
ることにより設けられた酸化膜11と、この上に設けら
れたゲートMA)膜4と、この上に設けられた半導体r
f!J5と。
半導体層S上に設けられたAQやCrから成る信号線6
により構成されていた。
により構成されていた。
[発明が解決しようとする課題]
上記従来技術では、陽極化成により部分的に酸化膜を形
成しているため、信号線や酸化膜の位置づれが生じた場
合、走査線−信号線間の絶縁がゲート絶縁膜−屡のみと
なる。また、走査線補助線となるAQ膜が走査線主線の
上部に形成されているので走査線補助線に位置づれが生
じた場合、Aト膜のヒロックスが信号線と接触する可能
性がある0以上の要因のため、走査線−4FJ号線間の
短絡発生確率が高かった。
成しているため、信号線や酸化膜の位置づれが生じた場
合、走査線−信号線間の絶縁がゲート絶縁膜−屡のみと
なる。また、走査線補助線となるAQ膜が走査線主線の
上部に形成されているので走査線補助線に位置づれが生
じた場合、Aト膜のヒロックスが信号線と接触する可能
性がある0以上の要因のため、走査線−4FJ号線間の
短絡発生確率が高かった。
本発明の目的は、上記従来技術にみられた信号。
線、酸化膜や走査線補助線の位置づれによって生じる走
査線−信号線交差部の絶縁不良の問題を解決し、歩留り
の高いアクティブマトリクス基板を提供することにある
。
査線−信号線交差部の絶縁不良の問題を解決し、歩留り
の高いアクティブマトリクス基板を提供することにある
。
[課題を解決するための手段]
上記目的は、走査線の構造を最上層として陽極化成可能
な金属膜、下層としてAMを主成分とした金属膜の多層
構造とし、ゲート電極を含めた走査線全面を陽極化成に
より酸化膜を設けることにより達成される。
な金属膜、下層としてAMを主成分とした金属膜の多層
構造とし、ゲート電極を含めた走査線全面を陽極化成に
より酸化膜を設けることにより達成される。
[作用]
A2膜から成る走査線補助線を覆う構造にて走査線主線
を設け、走査線全面を陽極化成にて酸化膜を形成する。
を設け、走査線全面を陽極化成にて酸化膜を形成する。
これにより、信号線の位置づれや/Mlのヒロックスに
よる走査線−信号線間の絶縁性低下がない。
よる走査線−信号線間の絶縁性低下がない。
[実施例]
以下1本発明の一実施例を図を用いて説明する。
実施例1
本発明によるアクティブマトリクス基板は、第1図(、
)に示すように、AQを主成分とした金属膜から成る走
査線補助線2と、この走査線補助線2全体をカバーする
ように形成したTa、W+Nb、Ti、Zr、Hfの中
から選ばれた金属膜から成る走査線主線3と、CrやA
Qから成る48号線6と、 I To (Indium
Tin 0xide)等の透明導fli膜から成る画
素電極7と、下層からゲート電極10、ゲート絶縁膜4
、半導体M5及びソース電極9、ドレイン電極8から成
る薄膜トランジスタ12により構成されている。走査線
−信号線交差部の構造は第1図(b)に示すように、ガ
ラスや石英等表面が絶縁物から成る基板1上に設げられ
た走査線補助線2と、走査線補助線上に設置プられた走
査線主線3と、主走査線全面を陽極化成することによっ
て形成される酸化膜11と、この上に設けられたゲート
絶縁膜4、半導体層5と信号線によりなっている。従っ
て、走査線全面が陽極化成による酸化膜で覆われている
ので走査線−信号線交差部は酸化膜とゲート絶縁膜の2
潜でM縁されており、この間の短絡を防げる。また、走
査線補助線2としてAQを主成分とした金属膜を用い、
これをカバーする形状で走査線主線3を形成しているの
でAMのヒロックス発生によって生じる走査線−信号線
間シヨードや走査線の高抵抗化が防げる。
)に示すように、AQを主成分とした金属膜から成る走
査線補助線2と、この走査線補助線2全体をカバーする
ように形成したTa、W+Nb、Ti、Zr、Hfの中
から選ばれた金属膜から成る走査線主線3と、CrやA
Qから成る48号線6と、 I To (Indium
Tin 0xide)等の透明導fli膜から成る画
素電極7と、下層からゲート電極10、ゲート絶縁膜4
、半導体M5及びソース電極9、ドレイン電極8から成
る薄膜トランジスタ12により構成されている。走査線
−信号線交差部の構造は第1図(b)に示すように、ガ
ラスや石英等表面が絶縁物から成る基板1上に設げられ
た走査線補助線2と、走査線補助線上に設置プられた走
査線主線3と、主走査線全面を陽極化成することによっ
て形成される酸化膜11と、この上に設けられたゲート
絶縁膜4、半導体層5と信号線によりなっている。従っ
て、走査線全面が陽極化成による酸化膜で覆われている
ので走査線−信号線交差部は酸化膜とゲート絶縁膜の2
潜でM縁されており、この間の短絡を防げる。また、走
査線補助線2としてAQを主成分とした金属膜を用い、
これをカバーする形状で走査線主線3を形成しているの
でAMのヒロックス発生によって生じる走査線−信号線
間シヨードや走査線の高抵抗化が防げる。
第2図に本発明によるアクティブマトリクス基板を搭載
した液晶表示素子の構造を示す、(d)は平面図、(b
)は断面図である。液晶表示素子は、アクティブマトリ
クス基板の下部に偏向板14を、上部に保′f!i膜2
0と、この上に設けられた配向膜1日から成る基板を下
板とし、基板の下部に偏光板14を上部にカラフィルタ
15を設け、この上に保護膜16と、保護膜16上に設
けられたIT○等の透明導電膜による対向電極17と、
この上に設けられた配向膜18から成る基板を上板とし
、この上板と下板の間に液晶19をはさんだ構造を有し
ている。従って、アクティブマトリクス基板の製造歩留
りが向上すると、液晶表示素子のコストを低減できる。
した液晶表示素子の構造を示す、(d)は平面図、(b
)は断面図である。液晶表示素子は、アクティブマトリ
クス基板の下部に偏向板14を、上部に保′f!i膜2
0と、この上に設けられた配向膜1日から成る基板を下
板とし、基板の下部に偏光板14を上部にカラフィルタ
15を設け、この上に保護膜16と、保護膜16上に設
けられたIT○等の透明導電膜による対向電極17と、
この上に設けられた配向膜18から成る基板を上板とし
、この上板と下板の間に液晶19をはさんだ構造を有し
ている。従って、アクティブマトリクス基板の製造歩留
りが向上すると、液晶表示素子のコストを低減できる。
[発明の効果]
本発明によれば、走査線全域を陽極化成して酸化膜を形
成しているので信号線の位置づれが生じても走査線−信
号線間は絶えず酸化膜とゲート絶9膜の2層で絶縁され
ているので、この間での短絡はない、また、走査線補助
線として八〇を主成分とした金属膜を用い、走査線主線
でこれを覆っているので、Alのヒロックス発生による
走査線−信号線間短絡や走査線の高抵抗化がない、従っ
て、アクティブマトリクス基板の製造歩留りを向上せし
める効果がある。また、これを用いた液晶表示素子のコ
ストを低減させる効果がある。
成しているので信号線の位置づれが生じても走査線−信
号線間は絶えず酸化膜とゲート絶9膜の2層で絶縁され
ているので、この間での短絡はない、また、走査線補助
線として八〇を主成分とした金属膜を用い、走査線主線
でこれを覆っているので、Alのヒロックス発生による
走査線−信号線間短絡や走査線の高抵抗化がない、従っ
て、アクティブマトリクス基板の製造歩留りを向上せし
める効果がある。また、これを用いた液晶表示素子のコ
ストを低減させる効果がある。
第1図(a)は本発明の一実施例であるアクティブマト
リクス基板の平面図、第1図(b)は本発明の一実施例
であるアクティブマトリクス基板の走査線−信号線間断
面図、第2図(a)は本発明の一実施例である液晶表示
素子の平面図、第2図(b)は本発明の一実施例である
液晶表示素子の断面構造を示す図、第3図(a)はアク
ティブマトリクス基板平面図の従来例を示す図、第3図
(b)はアクティブマトリクス基板断面の従来例を示す
図。 符号の説明 1・・・基板、2・・・走査線補助線、3・・・走査線
主線。 4・・・ゲート絶縁膜、5・・・半導体層、6・・・信
号線、7・・・画素電極、8・・・ドレイン電極、9・
・・ソース電極、10・・・ゲート電極、11・・・酸
化膜、12・・・薄膜トランジスタ、13・・・走査線
、14・・・偏光板、15・・・カラーフィルタ、16
・・・保護膜、17・・・対向電極、18・・・配光膜
、19・・・液晶、20・・・アクティブマトリクス基
板。 第1図 う・ IO・・・3I縁トランンスク 第 ? 図 第 5L¥1 5−半譚]
リクス基板の平面図、第1図(b)は本発明の一実施例
であるアクティブマトリクス基板の走査線−信号線間断
面図、第2図(a)は本発明の一実施例である液晶表示
素子の平面図、第2図(b)は本発明の一実施例である
液晶表示素子の断面構造を示す図、第3図(a)はアク
ティブマトリクス基板平面図の従来例を示す図、第3図
(b)はアクティブマトリクス基板断面の従来例を示す
図。 符号の説明 1・・・基板、2・・・走査線補助線、3・・・走査線
主線。 4・・・ゲート絶縁膜、5・・・半導体層、6・・・信
号線、7・・・画素電極、8・・・ドレイン電極、9・
・・ソース電極、10・・・ゲート電極、11・・・酸
化膜、12・・・薄膜トランジスタ、13・・・走査線
、14・・・偏光板、15・・・カラーフィルタ、16
・・・保護膜、17・・・対向電極、18・・・配光膜
、19・・・液晶、20・・・アクティブマトリクス基
板。 第1図 う・ IO・・・3I縁トランンスク 第 ? 図 第 5L¥1 5−半譚]
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少くとも表面が絶縁膜から成る基板上に形成したゲ
ート電極と、この上に設けたゲート絶縁膜と、ゲート絶
縁膜上に設けた半導体層と、少くともこの半導体層の一
部と重り合い、対向するように設けたソース電極、ドレ
イン電極から成る薄膜トランジスタをスイッチング素子
とし、ゲート電極を走査線に、ドレイン電極を信号線に
、ソース電極を画素電極に接続して成るアクティブマト
リクス基板において、走査線の構造を最上層に陽極化成
可能な金属膜を、これと重なる下層膜としてAlを主成
分とした金属膜の2層以上で構成し、かつ走査線全面を
陽極化成により酸化膜を設けた構造としたことを特徴と
するアクティブマトリクス基板。 2、請求項1記載において、走査線最上層の材料として
、Ta、Ti、W、Nb、Zr、Hfを用いることを特
徴としたアクティブマトリクス基板。 3、請求項1記載において、Alを主成分とした金属膜
の膜厚を50nm以上、2μm以下としたことを特徴と
したアクティブマトリクス基板。 4、請求項1記載において、陽極化成により設けられた
酸化膜の膜厚を1nm以上100nm以下としたことを
特徴としたアクティブマトリクス基板。 5、請求項1〜4のいづれか記載のアクティブマトリク
ス基板を用いたことを特徴とした液晶表示素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060945A JPH02240636A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示素子 |
JP10223999A JPH11119240A (ja) | 1989-03-15 | 1998-08-07 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060945A JPH02240636A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10223999A Division JPH11119240A (ja) | 1989-03-15 | 1998-08-07 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02240636A true JPH02240636A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13157034
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1060945A Pending JPH02240636A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示素子 |
JP10223999A Pending JPH11119240A (ja) | 1989-03-15 | 1998-08-07 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10223999A Pending JPH11119240A (ja) | 1989-03-15 | 1998-08-07 | アクティブマトリクス基板とこれを用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPH02240636A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0643489A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Hitachi Ltd | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
US5418636A (en) * | 1992-06-05 | 1995-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal image display apparatus with anodized films of the same thickness and a method of fabricating the same |
KR100318539B1 (ko) * | 1999-03-24 | 2001-12-22 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
KR100333980B1 (ko) * | 1999-04-13 | 2002-04-24 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR100338009B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2002-05-24 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법 |
WO2011105210A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9559208B2 (en) | 2009-10-21 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6590553B1 (en) | 1999-07-23 | 2003-07-08 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and method for driving the same |
KR100686232B1 (ko) * | 2000-04-11 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6568755B2 (ja) | 2015-09-11 | 2019-08-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6435421A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Sharp Kk | Thin film transistor array |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060945A patent/JPH02240636A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-07 JP JP10223999A patent/JPH11119240A/ja active Pending
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