JPH02239648A - セラミックデバイスの焼成方法 - Google Patents
セラミックデバイスの焼成方法Info
- Publication number
- JPH02239648A JPH02239648A JP6013489A JP6013489A JPH02239648A JP H02239648 A JPH02239648 A JP H02239648A JP 6013489 A JP6013489 A JP 6013489A JP 6013489 A JP6013489 A JP 6013489A JP H02239648 A JPH02239648 A JP H02239648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- layer
- printed layers
- baking
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミック多層配線基板やセラミックパッケー
ジ等のセラミックデバイスの焼成方法に関する。
ジ等のセラミックデバイスの焼成方法に関する。
（従来の技術）
ＩＣチップを装着するセラミック多層配線基板或いはＩ
Ｃチップを封入するセラミックパッケージの製造方法と
してグリーンシ一ト積層法と印刷積層法が知られている
。
Ｃチップを封入するセラミックパッケージの製造方法と
してグリーンシ一ト積層法と印刷積層法が知られている
。
グリーンシ一ト積層法は表面にＷやＭｏ等のメタライズ
を施したグリーンシ一ト（焼成前のセラミックシ一ト）
を重ねてこれを焼成する方法であり、印刷積層法はスク
リーン印刷等によって絶縁層と導体層とを積層して焼成
する方法である。
を施したグリーンシ一ト（焼成前のセラミックシ一ト）
を重ねてこれを焼成する方法であり、印刷積層法はスク
リーン印刷等によって絶縁層と導体層とを積層して焼成
する方法である。
また、上記のグリーンシ一ト積層法と印刷積層法とを組
合せる場合もある。
合せる場合もある。
（発明が解決しようとする課題）
第２図（Ａ）は従来のグリーンシ一ト積層法又は印刷積
層法によって積層したセラミック多層配線基板を焼成し
た状態を示す図、第２図（Ｂ）は同じく従来法によって
セラミックパッケージを焼成した状態を示す図である。
層法によって積層したセラミック多層配線基板を焼成し
た状態を示す図、第２図（Ｂ）は同じく従来法によって
セラミックパッケージを焼成した状態を示す図である。
セラミック多層配線基板１０、セラミックパッケージ２
０のいずれも複数のセラミック層１０ａ，２０ａと金属
層１０ｂ，２０ｂからなっており、各セラミック層１０
ａ，２０ａの焼成による収縮率が粒子充填率等に起因し
て異なったり、或いは上層部と下層部において温度差が
あったり、更には昇温速度が一定でなかったりすると、
図に示すようなエッジカールと称する端部の上方向の反
りが発生し、その後のＩＣ，チップ部品などの搭載、抵
抗印刷、リードビンのろう付け、半田付けなどの工程で
の取扱いが著しく困難となる．これを防止するため、従
来にあっては、材料の選定や焼成条件等を極めて厳格に
管理しなければならなかった。
０のいずれも複数のセラミック層１０ａ，２０ａと金属
層１０ｂ，２０ｂからなっており、各セラミック層１０
ａ，２０ａの焼成による収縮率が粒子充填率等に起因し
て異なったり、或いは上層部と下層部において温度差が
あったり、更には昇温速度が一定でなかったりすると、
図に示すようなエッジカールと称する端部の上方向の反
りが発生し、その後のＩＣ，チップ部品などの搭載、抵
抗印刷、リードビンのろう付け、半田付けなどの工程で
の取扱いが著しく困難となる．これを防止するため、従
来にあっては、材料の選定や焼成条件等を極めて厳格に
管理しなければならなかった。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため本発明は、多層セラミックグリ
ーンシート積層体の一面に印刷法によりセラミック層を
形成し、このセラミック印刷層が下になるようにして焼
成するようにした．（作用） セラミック印刷層はセラミックグリーンシートよりも焼
成収縮率が大きい。そこでセラミック印刷層を下にして
焼成を行うと、中央部が持ち上る方向に反りが生じよう
とし、エツジカールの発生をおさえ、さらにこの時点で
セラミックグリーンシートは柔軟になっているので自重
により反りは矯正される。
ーンシート積層体の一面に印刷法によりセラミック層を
形成し、このセラミック印刷層が下になるようにして焼
成するようにした．（作用） セラミック印刷層はセラミックグリーンシートよりも焼
成収縮率が大きい。そこでセラミック印刷層を下にして
焼成を行うと、中央部が持ち上る方向に反りが生じよう
とし、エツジカールの発生をおさえ、さらにこの時点で
セラミックグリーンシートは柔軟になっているので自重
により反りは矯正される。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図（Ａ）は本発明方法によってセラミック多層配線
基板を焼成する状態を示す断面図、第１図（Ｂ）は同じ
く本発明方法によつセラミックパッケージを焼成する状
態を示す断面図である。
基板を焼成する状態を示す断面図、第１図（Ｂ）は同じ
く本発明方法によつセラミックパッケージを焼成する状
態を示す断面図である。
セラミック多層配線基板となる未焼成のセラミック体１
及びセラミックパッケージとなる未焼成セラミック体２
はいずれもアルミナ等からなる焼成用敷板３上に載せら
れている。
及びセラミックパッケージとなる未焼成セラミック体２
はいずれもアルミナ等からなる焼成用敷板３上に載せら
れている。
未焼成セラミック１は複数のセラミックグリーンシート
１ａ・・・間に印刷法等によて信号用、電源用或いは接
地用の配線層１ｂ・・・を介在せしめ、未焼成セラミッ
ク体１の下面に前記セラミックグリーンシート１ａより
も焼成収縮率が大きいダミー層４を印刷積層法によって
形成している。
１ａ・・・間に印刷法等によて信号用、電源用或いは接
地用の配線層１ｂ・・・を介在せしめ、未焼成セラミッ
ク体１の下面に前記セラミックグリーンシート１ａより
も焼成収縮率が大きいダミー層４を印刷積層法によって
形成している。
一方、未焼成セラミック体２も複数のセラミックグリー
ンシート２ａ・・・を積層するとともに、ＩＣチップ等
を封入する凹部５を形成し、各セラミックグリーンシー
ト２ａ上面には印刷積層法或いはメタライズによって接
地用等の配線層２ｂを形成し、更に未焼成セラミック体
１の下面に印刷積層法によって多層の信号用配線層６を
形成している。ここで信号用配線層６の焼成収縮率はセ
ラミックグリーンシー｝−２８よりも大きくなっている
． 以上において未焼成セラミック１．２を敷板３上に載せ
たまま炉内に投入し、１５００〜１６００℃で焼成する
。すると、未焼成セラミック体１．２の下面に形成した
ダミー層４又は配線層５は上層のセラミックグリーンシ
ートｌａ，２ａよりも焼成収縮率が大きいため、各未焼
成セラミック体１．２は中央部が膨らむ方向に反る傾向
となる。
ンシート２ａ・・・を積層するとともに、ＩＣチップ等
を封入する凹部５を形成し、各セラミックグリーンシー
ト２ａ上面には印刷積層法或いはメタライズによって接
地用等の配線層２ｂを形成し、更に未焼成セラミック体
１の下面に印刷積層法によって多層の信号用配線層６を
形成している。ここで信号用配線層６の焼成収縮率はセ
ラミックグリーンシー｝−２８よりも大きくなっている
． 以上において未焼成セラミック１．２を敷板３上に載せ
たまま炉内に投入し、１５００〜１６００℃で焼成する
。すると、未焼成セラミック体１．２の下面に形成した
ダミー層４又は配線層５は上層のセラミックグリーンシ
ートｌａ，２ａよりも焼成収縮率が大きいため、各未焼
成セラミック体１．２は中央部が膨らむ方向に反る傾向
となる。
しかしながら焼成収縮が起こる温度域ではセラミックグ
リーンシー｝１ａ，２ａ内に液相が生じ、セラミックグ
リーンシートは柔軟になり、セラミックグリーンシート
は自重により反りは矯正され平坦となる。
リーンシー｝１ａ，２ａ内に液相が生じ、セラミックグ
リーンシートは柔軟になり、セラミックグリーンシート
は自重により反りは矯正され平坦となる。
（発明の効果）
以上に説明した如く本発明によれば、未焼成セラミック
体を焼成することによってセラミック多層配線基板やセ
ラミックパッケージを製造するにあたり、未焼成やセラ
ミック体の下面にこの未焼成セラミック体よりも焼成収
縮率が大きい印刷積層法によるセラミック印刷層を形成
し、この状態で焼成するようにしたので、セラミックグ
リーンシートの上面と下面とで粒子充填率が異なったり
炉内の雰囲気温度が多少不均一となっても、焼成後のセ
ラミック体の端部が上方に反る等の不利がなく、高精度
のセラミックデバイスを得ることができる。
体を焼成することによってセラミック多層配線基板やセ
ラミックパッケージを製造するにあたり、未焼成やセラ
ミック体の下面にこの未焼成セラミック体よりも焼成収
縮率が大きい印刷積層法によるセラミック印刷層を形成
し、この状態で焼成するようにしたので、セラミックグ
リーンシートの上面と下面とで粒子充填率が異なったり
炉内の雰囲気温度が多少不均一となっても、焼成後のセ
ラミック体の端部が上方に反る等の不利がなく、高精度
のセラミックデバイスを得ることができる。
第１図（Ａ）は焼成することで多層配線基板となる未焼
成セラミック体の断面図、第１図（Ｂ）は焼成すること
でセラミックパッケージとなる未焼成セラミック体の断
面図、第２図（Ａ）は従来法によって焼成した多層配線
基板の断面図、第２図（Ｂ）は従来法によって焼成した
セラミックパッケージの断面図である。 尚、図面中、１，２は未焼成セラミック体、ｌａ，２ａ
はセラミックグリーンシート、Ｉｂ，２ｂは配線層、４
，６はセラミック印刷層としてのダミー層及び信号用配
線層である。
成セラミック体の断面図、第１図（Ｂ）は焼成すること
でセラミックパッケージとなる未焼成セラミック体の断
面図、第２図（Ａ）は従来法によって焼成した多層配線
基板の断面図、第２図（Ｂ）は従来法によって焼成した
セラミックパッケージの断面図である。 尚、図面中、１，２は未焼成セラミック体、ｌａ，２ａ
はセラミックグリーンシート、Ｉｂ，２ｂは配線層、４
，６はセラミック印刷層としてのダミー層及び信号用配
線層である。
Claims (2)
- （１）多層セラミックグリーンシートの一面に印刷積層
法によって単層又は多層セラミック印刷層を形成して未
焼成セラミック体とし、この未焼成セラミック体を前記
セラミック印刷層が下になるように敷板の上に載置して
焼成するようにしたことを特徴とするセラミックデバイ
スの焼成方法。 - （２）前記セラミック印刷層はダミー層であることを特
徴とする請求項（１）に記載のセラミックデバイスの焼
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013489A JPH02239648A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | セラミックデバイスの焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013489A JPH02239648A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | セラミックデバイスの焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239648A true JPH02239648A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=13133368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6013489A Pending JPH02239648A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | セラミックデバイスの焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02239648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217990B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-04-17 | Denso Corporation | Multilayer circuit board having no local warp on mounting surface thereof |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP6013489A patent/JPH02239648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217990B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-04-17 | Denso Corporation | Multilayer circuit board having no local warp on mounting surface thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4313262A (en) | Molybdenum substrate thick film circuit | |
| JP2006108529A (ja) | セラミックス多層基板およびその製造方法 | |
| JPH02239648A (ja) | セラミックデバイスの焼成方法 | |
| JPH06232005A (ja) | Ｌｃ複合部品 | |
| JPH0983141A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP3248294B2 (ja) | チップインダクタ及びその製造方法 | |
| JPH067578B2 (ja) | セラミツク多層基板 | |
| JP2009218240A (ja) | 多数個取り基板 | |
| JPH0957903A (ja) | 多層セラミックス基板およびその製造方法 | |
| JPS625848A (ja) | セラミツク多層基板の製造方法 | |
| JP2968375B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP3348523B2 (ja) | 積層セラミック部品 | |
| JPH01161893A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPS6350861B2 (ja) | ||
| JPH0537156A (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
| JP2002076628A (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JPS62169301A (ja) | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 | |
| JPH0645757A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH03275571A (ja) | グリーンシートの多段焼成方法 | |
| JPH07273456A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH02210894A (ja) | 内部に導体、抵抗体を配線したＡｌＮ多層基板の製造方法 | |
| JPS6012793A (ja) | セラミツク多層配線基板の製造方法 | |
| JPS62149189A (ja) | セラミツク湿式印刷多層基板 | |
| JPS625851A (ja) | セラミツク多層基板の製造方法 | |
| JPH04209597A (ja) | セラミック基板の焼成方法 |