JPH01161893A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、いわゆる厚膜法によるセラミック多層基板
の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

第２図は、従来の厚膜法によるセラミック多層基板の一
例を示す断面図である。

このセラミック多層基板１は、例えばアルミナのような
焼結セラミック基板あるいはセラミックグリーンシート
等のセラミック基材２上に、導体Ｎ３と絶縁体層４を交
互に印刷して積層した後、全体を所定の雰囲気と温度で
焼成することによって製造したものである。そしてその
表面には、必−要に応じて、例えばＬＳＩチップ６の搭
載およびワイヤボンディング、チップコンデンサ７の搭
載および半田付け、抵抗体８の厚膜印刷等の加工が施さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが上記のような従来の製造方法だと、セラミック
基材２上に導体層３と絶縁体層４を次々に重ねて印刷し
ていくため、凹凸が徐々に拡大され、最上層が非常に凹
凸の大きいものとなる。こ−のため、従来の方法では通
常、層数が５層程度のものしか作れなかった。

また、セラミック基材２にセラミックグリーンシートや
、絶縁体層４が焼結する温度領域で軟化するセラミック
基板を用いる場合、セラミック基材２と絶縁体層４の収
縮率の違いから、セラミンク多Ｎ基板１に反りが発生し
易いという問題もある。

そこでこの発明は、これらの点を改善したセラミック多
層基板の製造方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明の製造方法は、セラミック基村上に導体層およ
び絶縁体層を積層する工程と、それによって得られたも
のの最上層に他のセラミック基材を重ねて全体を圧着す
る工程と、それによって得られたものを焼成する工程と
を備えることを特徴とする。

〔作用〕

導体層と絶縁体層を積層したものを両側からセラミック
基材で挾んで圧着するため、厚さ方向の対称性が高まり
、これによってセラミック多層基板の反りが減少する。

また、セラミック基材が最外層となるため、表面の平坦
性も良くなる。

〔実施例〕

前述したセラミック基材としては、焼結セラミック基板
やセラミックグリーンシート等が採り得る。

まず前者を用いた例を第１図を参照して説明すると、こ
こでは焼結セラミック基板として０．　５ｍｍ厚のアル
ミナ基板１２を用いた（同図（Ａ））。このアルミナ基
板１２には既に、所定のスルーホール１２ｈが公知の手
段であけられている。

そして当該アルミナ基板１２に、導体ペースト（例えば
Ａｇ　、Ａｇ−Ｐｄ　ＳＡｕ　、Ｃｕ　、Ｎｉ　。

Ｗ、Ｍｏ等）１３を用いて、スルーホール印刷と導体層
を形成する表面印刷とを行った（同図（Ｂ））。

次いでその上に、絶縁体ペースト（例えばアルミナペー
スト等）１４を印刷して絶縁体層を形成した（同図（Ｃ
））。１４ｈはピアホール（ＶｉａＨｏｌｅ）である。

なお、絶縁体ペーストとしてアルミナペーストのように
高温で焼成するときは、導体ペーストとしてＷ、Ｍｏの
各ペーストを用いる。

また、絶縁体ペーストとして８００〜１０００°Ｃで焼
成可能なものを用いる場合は、導体ペーストとしてＡｇ
　ＳＡｇ−Ｐｄ５Ａｕ　、Ｃｕ　、Ｎｉ等の各ペースト
を用いる。

次いで更に、前記と同様の導体ペースト１３の印刷工程
（同図（Ｄ））と絶縁体ペースト１４の印刷工程を繰り
返して行い、１０層の絶縁体層を形成した（同図（Ｅ）
。但し図には２層のみ示す。

）。

次いでその最上層に、前記アルミナ基板１２と同様の所
定のスルーホール１５ｈを設けたアルミナ基＋ｉ１５を
乗せ、全体を金型に入れ、１５０°Ｃ１２０Ｋｇ／ａｆ
ｌにて熱圧着を行った（同図（Ｆ））。

次いで、導体ペースト１３を用いてアルミナ基板１５の
スルーホール１５ｈにスルーホール印刷を行うと共に表
面印刷を行った。またこの例ではアルミナ基板１２側に
も表面印刷を行った（同図（Ｇ））。

そして最後に、使用した導体ペースト１３に合わせて所
定の雰囲気で全体を焼成することにより、セラミック多
層基板・を得た（同図（Ｈ））。

このセラミック多層基板は、導体層と絶縁体層を積層し
たものを上下両側からアルミナ基板１２．１５で挟んで
圧着したものであるため、厚さ方向の対称性が高く、従
ってその反りは通常のアルミナ基板と同等であった。

また、最外層がアルミナ基板１２．１５であるため、従
来の場合のように大きな凹凸が生じることはなく、通常
のアルミナ基板と同等の平坦度であった。

また、平坦性が高いため、前記（Ｇ）工程後の最上層に
対して、再び前記（、Ｃ）〜（Ｇ）工程を繰り返すこと
も可能であることが分かった。

一方他の例として、前記アルミナ基板１２．１５の代わ
りに、スルーホールを設けたセラミックグリーンシート
を用い、前記と同様の工程（Ｂ）〜（Ｈ）によりセラミ
ック多層基板を得たところ、その反りおよび表面の平坦
度は通常のアルミナ基板と同等であった。

尚、導体層および絶縁体層を両側から挟み込むのに用い
るセラミック基材は、一方がアルミナのような焼結セラ
ミック基板で他方がセラミックグリーンシートであって
も良いのは勿論である。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、厚膜法により製造され
るセラミック多層基板の欠点であった反りおよび表面の
平坦性を改善することができる。

その結果、従来の厚膜法における印刷層数の上限（約５
層）を越える多層化が可能になる。

また、表面の平坦性が高まることから、ＬＳＩチップ、
チップコンデンサ等のチップ部品の搭載が容易になると
共に、それらと表面導体とのワイヤボンディングや半田
付は等の接続不良も減少する。

また、表面層への抵抗体等の厚膜印刷が容易になると共
に、均一な膜厚が得られるようになるためその特性のば
らつきも小さくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係るセラミック多層基
板の製造方法を示す工程図である。第２図は、従来の厚
膜法によるセラミック多層基板の一例を示す断面図であ
る。 １２．１５・・・アルミナ基板、１３・・・導体ペース
ト、１４・・・絶縁体ペースト。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック基材上に導体層および絶縁体層を積層
   する工程と、それによって得られたものの最上層に他の
   セラミック基材を重ねて全体を圧着する工程と、それに
   よって得られたものを焼成する工程とを備えることを特
   徴とするセラミック多層基板の製造方法。