JPH02235857A - ビス―(4―ヒドロキシフエニル)―スルフオンの製造方法 - Google Patents
ビス―(4―ヒドロキシフエニル)―スルフオンの製造方法Info
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- JPH02235857A JPH02235857A JP2020548A JP2054890A JPH02235857A JP H02235857 A JPH02235857 A JP H02235857A JP 2020548 A JP2020548 A JP 2020548A JP 2054890 A JP2054890 A JP 2054890A JP H02235857 A JPH02235857 A JP H02235857A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C315/00—Preparation of sulfones; Preparation of sulfoxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は不活性溶剤の不存在下でフェノールと伽酸との
反応Kよってビスー(4−ヒドロキシフェニル)一スル
7オンft展造する方法に関する● 従来の技術 ビスー(4−とドpキシ7エニル)一スル7オンは、繊
維、樹脂および耐熱性プラスチック(例エはポリエーテ
ルスルホン)の製造のために、経済的に東喪性が大きい
。ビス−(4−ヒトロキシ7エニル)−スルフォンから
製造サレたポリマーの特性は非常に著るしくモノマーの
純度に依存するので、ビス−(4−ヒドロキシフエニル
)一スル7オンf:得るための選択的合成法が求められ
ている。
反応Kよってビスー(4−ヒドロキシフェニル)一スル
7オンft展造する方法に関する● 従来の技術 ビスー(4−とドpキシ7エニル)一スル7オンは、繊
維、樹脂および耐熱性プラスチック(例エはポリエーテ
ルスルホン)の製造のために、経済的に東喪性が大きい
。ビス−(4−ヒトロキシ7エニル)−スルフォンから
製造サレたポリマーの特性は非常に著るしくモノマーの
純度に依存するので、ビス−(4−ヒドロキシフエニル
)一スル7オンf:得るための選択的合成法が求められ
ている。
西ドイツ特許公開( DE−A )第2708388号
および欧州特許機構公開特許(EP−A)第22000
4号明細書から、フェノールと臓酸が、不活性溶剤の存
在下で温度150〜220℃テヒスー(4−ヒドロキシ
フエニル)一スルホンを生じる方法が公知である。この
ビス−(+−ヒドロキシフェニル)一スルホンの収率及
び純度は、溶剤を継続的に、反応から蒸留により除くか
又は実質的に反応の終了後に留去することによって高め
られ、その際、IL喪なのは蒸留を温度160〜200
℃で実施するととである。それというのも、その際に、
2.4’−異性体の異性化Kよりビス−(4−ヒドロ7
工二ル)一スルホンを生じるからである。
および欧州特許機構公開特許(EP−A)第22000
4号明細書から、フェノールと臓酸が、不活性溶剤の存
在下で温度150〜220℃テヒスー(4−ヒドロキシ
フエニル)一スルホンを生じる方法が公知である。この
ビス−(+−ヒドロキシフェニル)一スルホンの収率及
び純度は、溶剤を継続的に、反応から蒸留により除くか
又は実質的に反応の終了後に留去することによって高め
られ、その際、IL喪なのは蒸留を温度160〜200
℃で実施するととである。それというのも、その際に、
2.4’−異性体の異性化Kよりビス−(4−ヒドロ7
工二ル)一スルホンを生じるからである。
発明が解決しようとする課題
本発明は、フェノール及びk[からビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)一スルホンヲ製造するための改良された
方法を開発することを課勉とした。
キシフェニル)一スルホンヲ製造するための改良された
方法を開発することを課勉とした。
課題を解決するための手段
従って温度140〜230℃での7ェノールとic&と
の反応によってビスー(4−ヒドロキシフェニル)を製
造する改良された方法が発見され、これは、フエノーk
と恢酸とをモル比1:1〜25:lで使用し、かつ不活
性溶剤の不存在下で操作することを特命とする。
の反応によってビスー(4−ヒドロキシフェニル)を製
造する改良された方法が発見され、これは、フエノーk
と恢酸とをモル比1:1〜25:lで使用し、かつ不活
性溶剤の不存在下で操作することを特命とする。
スルホン化反応(A)は、スルホン形成CB)と同様に
、可逆反兄、である。双方の異性体ビX−(4−ヒドロ
キシフエニル〕−スルホンおよび2−ヒドロキシ−養一
(ヒドロキシフェニルスルホン)の間には、熱力学的平
衡(C)が存在する。
、可逆反兄、である。双方の異性体ビX−(4−ヒドロ
キシフエニル〕−スルホンおよび2−ヒドロキシ−養一
(ヒドロキシフェニルスルホン)の間には、熱力学的平
衡(C)が存在する。
これを次の反応式で示す:
+
スルホン化平衡(A)もスルホン化形成平衡(B)も、
公知の方法で反応媒体から反応水を除くことによってほ
ぼ完全に生成物の方向K移行させることができる。しか
し異性体分配への影!#はこの方法によっては達成され
ない。西ドイツ特許公開rDE−A)第2708388
号公報から公知のように、双方の異性体の間の熱力学的
平衡は、所望のビスー(4−ヒドロキシフエニル)−ス
ルフォンより良好に不所望の異性体を溶解することので
きる系統の異なる溶剤を、反応の関又は実質的な反応の
終了後に160〜200℃で昏去Kより除くことによっ
て有利に影会される。
公知の方法で反応媒体から反応水を除くことによってほ
ぼ完全に生成物の方向K移行させることができる。しか
し異性体分配への影!#はこの方法によっては達成され
ない。西ドイツ特許公開rDE−A)第2708388
号公報から公知のように、双方の異性体の間の熱力学的
平衡は、所望のビスー(4−ヒドロキシフエニル)−ス
ルフォンより良好に不所望の異性体を溶解することので
きる系統の異なる溶剤を、反応の関又は実質的な反応の
終了後に160〜200℃で昏去Kより除くことによっ
て有利に影会される。
ところで、1ヰ0〜230℃の温度でのフエノー・ルと
伽酸との反兄により、ビスー(4−ヒドロキシフェニル
)−スルフォンを製造する方法が発見されこれは、フェ
ノールと伽L酸とをモル比l:l〜25:1で使用し、
かつ反応を不活性溶剤の不存在下で実hすることよりな
る。
伽酸との反兄により、ビスー(4−ヒドロキシフェニル
)−スルフォンを製造する方法が発見されこれは、フェ
ノールと伽L酸とをモル比l:l〜25:1で使用し、
かつ反応を不活性溶剤の不存在下で実hすることよりな
る。
本発明方法は、次のように実h丁ることができる,、:
成分愼酸およびフェノールをいっしょ!に装入し、次い
で、140〜230℃の反応温度にすることができる。
で、140〜230℃の反応温度にすることができる。
恢酸を7ェノールに継続的にもしくは、少量宛反応進行
時に、特に有利には力U熱工程の浸に、供給するのが有
オリである。
時に、特に有利には力U熱工程の浸に、供給するのが有
オリである。
ルイス酸、例{えぱホウ酸又はトリフルオロメタンスル
ホン酸をいっしょに使用することが好ましい。
ホン酸をいっしょに使用することが好ましい。
フェノール対伽酸のモル比は1:1〜25:1〜7:1
であり;より多量も可能である。
であり;より多量も可能である。
本発明方法は、攪拌容器中で回分式で実施できる。本弁
明方法の連続的実施のために、有利Kは1つ以上の管状
反応器を使用することができる。その際、管状反比\器
中の反応溶液の滞餉時間は、特に反応容器への充填体の
装入によって調節できる。その際、充填塔中で混合物の
蒸留分陥用の允壱体塔中でも使用される球状充填体例え
ばガラス球又は反応混合物に対して不活性な鋼製の球を
使用することが有オリである。これらの球の直径は、通
9I1 0. 4〜10鵡、特に1〜51mである。咎
足の大きさの球を使用するのが有利である。この反応管
にスルホン形成を触媒的に促進しこれによりスルホン化
触媒としての作用をする物質から成る充填体で反尾、管
を詰めるのが有利である。例えば、ガス不活性のホウ酸
球又は酸例えばp酸、働(敵、ホウ酸で負荷されたシリ
カグルを充填体として使用する場合に、反応の収率およ
び選択性を高めることができる@この様に変性されたシ
リカグルは、有利にはシリカグルに該当する酸の水溶沿
を含浸させ、引続き乾燥させることκよって製造される
。
明方法の連続的実施のために、有利Kは1つ以上の管状
反応器を使用することができる。その際、管状反比\器
中の反応溶液の滞餉時間は、特に反応容器への充填体の
装入によって調節できる。その際、充填塔中で混合物の
蒸留分陥用の允壱体塔中でも使用される球状充填体例え
ばガラス球又は反応混合物に対して不活性な鋼製の球を
使用することが有オリである。これらの球の直径は、通
9I1 0. 4〜10鵡、特に1〜51mである。咎
足の大きさの球を使用するのが有利である。この反応管
にスルホン形成を触媒的に促進しこれによりスルホン化
触媒としての作用をする物質から成る充填体で反尾、管
を詰めるのが有利である。例えば、ガス不活性のホウ酸
球又は酸例えばp酸、働(敵、ホウ酸で負荷されたシリ
カグルを充填体として使用する場合に、反応の収率およ
び選択性を高めることができる@この様に変性されたシ
リカグルは、有利にはシリカグルに該当する酸の水溶沿
を含浸させ、引続き乾燥させることκよって製造される
。
本発明方法の利点は、使用伽酸K関する完全な変換率を
得るためK、反応水を必ずしもこの反応から除く必要が
ないことにある。
得るためK、反応水を必ずしもこの反応から除く必要が
ないことにある。
この反応の際に、一般的温度140〜230℃で、特V
C160〜200℃および特に有オリには℃ 170〜190で使用される。165℃よクも低い反応
温度では、7エノールの沸#を保証するために低めた圧
力で実施するのが有利である。
C160〜200℃および特に有オリには℃ 170〜190で使用される。165℃よクも低い反応
温度では、7エノールの沸#を保証するために低めた圧
力で実施するのが有利である。
しかし、通例は、この工Sは大気圧下で実施される。
フェノールの硫酸によるスルホン化の際ニ生ずる水は、
本発明によって確かに反応混合物中に存在する過剰の7
ェノールを用いても連続的溜 K共沸によりこの反応から質去され、かっこのフェノー
ルは水の相分離の後に拘び反応容器K戻される。理論に
より生じる水量の一般に少なくとも50チ、良好Kは8
0〜100俤の除去の後に、一般Kフェノールはもはや
反応に戻されず、このフェノールは徐々に160〜20
0℃で溜去される。
本発明によって確かに反応混合物中に存在する過剰の7
ェノールを用いても連続的溜 K共沸によりこの反応から質去され、かっこのフェノー
ルは水の相分離の後に拘び反応容器K戻される。理論に
より生じる水量の一般に少なくとも50チ、良好Kは8
0〜100俤の除去の後に、一般Kフェノールはもはや
反応に戻されず、このフェノールは徐々に160〜20
0℃で溜去される。
反応時間は、回分式方法で一般K4〜6時間であり異性
化は1〜4時間必要である。連続的方法では、つまり、
反応成分が1つ以上の管状反応容器?通過する際κ、滑
貿時間1〜3分で使用した硫酸に対して00%までの収
率が得られる。反応器端部から出る反応混合物を反応器
としての役割をする充填体塔上に連続的に戻し、これK
よジ延長された約15分のW1留時間Kより、使用硫酸
の全変換率を95チに高めることができる。
化は1〜4時間必要である。連続的方法では、つまり、
反応成分が1つ以上の管状反応容器?通過する際κ、滑
貿時間1〜3分で使用した硫酸に対して00%までの収
率が得られる。反応器端部から出る反応混合物を反応器
としての役割をする充填体塔上に連続的に戻し、これK
よジ延長された約15分のW1留時間Kより、使用硫酸
の全変換率を95チに高めることができる。
得られる粗生成物を、さらK洗浄する目的でアルカリ水
浴液中に入れ、かつ、場合にょク活性炭で処理しかつ酸
、例えば鉱酸、特に硫酸で濾過した後、一一値約6〜7
で再度沈ルさせることができる。
浴液中に入れ、かつ、場合にょク活性炭で処理しかつ酸
、例えば鉱酸、特に硫酸で濾過した後、一一値約6〜7
で再度沈ルさせることができる。
実施例
例11
2 t − f :yスフラスコ中K,7エノール47
0.6?(5.0Mo1)、96%OkF1k1022
?(1,OMO+)およびホfyfi6.2p( 0.
lMol)を入れおよび180〜186℃K加熱した。
0.6?(5.0Mo1)、96%OkF1k1022
?(1,OMO+)およびホfyfi6.2p( 0.
lMol)を入れおよび180〜186℃K加熱した。
この温度で水を系から除き反応水がもう生じなくなるま
でフェノールを繰り返し戻した。引き続き、過剰のフェ
ノールを2時間溜去し、その際温度は160℃を下回ら
なかった〔粗表混合物のGC一分析は、次のよクな紛成
を示した。:フェノール5%、異性スルホン3チおよび
ビス−(4−ヒドロキシフェニルースルホン92%〕,
残留フェノール痕跡を除くために、残分を水酸化ナトリ
ウム水溶液(10重11)中に解かし、伽酸で酸性にす
ることによって、ビス(ヰーヒドロキシ7エニル)スル
ホンを沈殿させる。吸引及び乾燥の後に、ビス−(4−
ヒドロキシフエニル)一スルホン212,P( 0.8
5MOr7:85チ収t)が純度〉98%で得られた。
でフェノールを繰り返し戻した。引き続き、過剰のフェ
ノールを2時間溜去し、その際温度は160℃を下回ら
なかった〔粗表混合物のGC一分析は、次のよクな紛成
を示した。:フェノール5%、異性スルホン3チおよび
ビス−(4−ヒドロキシフェニルースルホン92%〕,
残留フェノール痕跡を除くために、残分を水酸化ナトリ
ウム水溶液(10重11)中に解かし、伽酸で酸性にす
ることによって、ビス(ヰーヒドロキシ7エニル)スル
ホンを沈殿させる。吸引及び乾燥の後に、ビス−(4−
ヒドロキシフエニル)一スルホン212,P( 0.8
5MOr7:85チ収t)が純度〉98%で得られた。
例2
2t−ガラスフラスコ中Kフェノール47o.6p(5
.OIVIol)およびホウ酸6.27(0.1Mo1
)を装入した。これに、180〜186℃に加熱する間
K9 6 %O{j[l O 22? ( 1.OMo
t)を滴加した。滴加後に、180〜186℃でこの反
応水を系から除いた。次いで、フエノ溜 −ルt160〜200℃で2時間の間にr去した。粗生
成物の分析は,次のような組成を示した。:7ェノール
3tIb%異性スルホン1チおよびビス−(4−ヒドロ
キシフエニルスルホン)97チ。さらに*aするために
、例1の記載と同様に笑施した。ビスー(ヰーヒドロキ
シ7エ二ル)一スルホン205ノ(0.82Mol;Q
率82チ)が純度〉99チで得られた。
.OIVIol)およびホウ酸6.27(0.1Mo1
)を装入した。これに、180〜186℃に加熱する間
K9 6 %O{j[l O 22? ( 1.OMo
t)を滴加した。滴加後に、180〜186℃でこの反
応水を系から除いた。次いで、フエノ溜 −ルt160〜200℃で2時間の間にr去した。粗生
成物の分析は,次のような組成を示した。:7ェノール
3tIb%異性スルホン1チおよびビス−(4−ヒドロ
キシフエニルスルホン)97チ。さらに*aするために
、例1の記載と同様に笑施した。ビスー(ヰーヒドロキ
シ7エ二ル)一スルホン205ノ(0.82Mol;Q
率82チ)が純度〉99チで得られた。
例3
180℃に加熱した、堅形のかつガラス球(1141K
)で充填されたガラス管(長さ5QclIK,[i4c
!1t)中へ、同時に96%k&l02ノ(1.OMO
+)およびフェノール5467(6.0Mot)を30
分かかつて簡加した。充填塔中の反応混合物の滞留時間
は約1〜3分である。反応混合物を、反応器の出口から
受けかつ過剰のフェノールを留去した。残分を5〜10
チカ性ソーダ溶液中に解かし、引き続き硫酸を用いpH
6.5〜7. 0 テビスー(4−ヒドロキシフエニ
ル)−スルフォンを沈殿させた。濾過及び乾燥の後ニ、
ヒス−(4−ヒドロキシフエニル)一スルホン1457
(58チ)が純度98.5チで得られた。
)で充填されたガラス管(長さ5QclIK,[i4c
!1t)中へ、同時に96%k&l02ノ(1.OMO
+)およびフェノール5467(6.0Mot)を30
分かかつて簡加した。充填塔中の反応混合物の滞留時間
は約1〜3分である。反応混合物を、反応器の出口から
受けかつ過剰のフェノールを留去した。残分を5〜10
チカ性ソーダ溶液中に解かし、引き続き硫酸を用いpH
6.5〜7. 0 テビスー(4−ヒドロキシフエニ
ル)−スルフォンを沈殿させた。濾過及び乾燥の後ニ、
ヒス−(4−ヒドロキシフエニル)一スルホン1457
(58チ)が純度98.5チで得られた。
例4
例3K記載のように行なったが、反応器の出口で集めた
反応混合物を連続的に充*塔にポンプで戻した(ボンプ
仕事率2t7h.時関2−3時間)。例3K記載と同様
な後処理の後、ビス−(+−ヒドロキシフェニル)一ス
ルホン202.5?(81%)が純度98.7%で得ら
れた。
反応混合物を連続的に充*塔にポンプで戻した(ボンプ
仕事率2t7h.時関2−3時間)。例3K記載と同様
な後処理の後、ビス−(+−ヒドロキシフェニル)一ス
ルホン202.5?(81%)が純度98.7%で得ら
れた。
例5
例牛に記載のように行なったが、反応を160℃および
圧力700 〜900mbarで実施した。後処理の後
に、ビスー(4−ヒドロキシフエニル)−スルフォン1
97.5jP(79チ)が純度98.3チで得られた。
圧力700 〜900mbarで実施した。後処理の後
に、ビスー(4−ヒドロキシフエニル)−スルフォン1
97.5jP(79チ)が純度98.3チで得られた。
例6
例養に記載のように行なったが、反応器にガラス球の代
わりK,焼結ホウ酸一球(厘径3〜5B)を充填した。
わりK,焼結ホウ酸一球(厘径3〜5B)を充填した。
後処理の後に、ビス−(4−ヒドロキシーフエニル)2
3.57(94%)が純度99.2チで得られた。
3.57(94%)が純度99.2チで得られた。
例7
P1 5 K記載のようK行なうが、反応器Kガラス球
の代わりに焼結ホウ酸一球を充填した。後処理の後に、
ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−スルフオン227
.57(91チ)が純度99.0チで得られた。
の代わりに焼結ホウ酸一球を充填した。後処理の後に、
ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−スルフオン227
.57(91チ)が純度99.0チで得られた。
Claims (1)
- 1、温度140〜230℃で、フェノールと硫酸との反
応によりビス−(4−ヒドロキシフェニル)−スルフォ
ンを製造する方法において、フェノールおよび硫酸をモ
ル比1:1〜25:1で使用し、かつ反応を不活性溶剤
の不存在下で実施することを特徴とする、ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)−スルフォンの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893902897 DE3902897A1 (de) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | Verfahren zur herstellung von bis-(4-hydroxyphenyl)-sulfon |
DE3902897.6 | 1989-02-01 | ||
DE3924395.8 | 1989-07-24 | ||
DE19893924395 DE3924395A1 (de) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | Verfahren zur herstellung von bis-(4-hydroxyphenyl)-sulfon |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02235857A true JPH02235857A (ja) | 1990-09-18 |
Family
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2020548A Pending JPH02235857A (ja) | 1989-02-01 | 1990-02-01 | ビス―(4―ヒドロキシフエニル)―スルフオンの製造方法 |
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---|---|
US (1) | US5072049A (ja) |
EP (1) | EP0381041A1 (ja) |
JP (1) | JPH02235857A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189223A (en) * | 1989-09-14 | 1993-02-23 | Konishi Chemical Ind. Co., Ltd. | Process for preparation of 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone |
US5241121A (en) * | 1989-12-29 | 1993-08-31 | Konishi Chemical Ind. Co., Ltd. | Process for preparation of 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone |
WO2021187215A1 (ja) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 小西化学工業株式会社 | ジフェニルスルホン化合物の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
US5340489A (en) * | 1992-06-05 | 1994-08-23 | The Dow Chemical Company | Aryl arenesulfonates and a method of lubrication using the aryl arenesulfonates |
US5204011A (en) * | 1992-06-05 | 1993-04-20 | The Dow Chemical Company | Lubricants containing aryl arenesulfonates as lubricity additives |
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CN104710331B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-01-11 | 济南大学 | 含有苯系悬垂链二氟二苯砜的合成方法 |
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---|---|---|---|---|
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GB1148975A (en) * | 1967-04-19 | 1969-04-16 | Witco Chemical Corp | Dihydroxy diphenyl sulfone and its preparation |
DE1618023B1 (de) * | 1967-04-25 | 1971-08-12 | Witco Chemical Corp | Verfahren zur Herstellung von Dihydroxydiphenylsulfon |
US4162270A (en) * | 1975-02-24 | 1979-07-24 | Konishi Chemical Industry Co., Ltd. | Process for producing 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone of high purity |
GB1561474A (en) * | 1977-02-18 | 1980-02-20 | Ici Ltd | Preparation of 4,4'-dihydroxydiphenyl sulphones |
DE2708388C2 (de) * | 1977-02-26 | 1984-04-26 | Konishi Chemical Industry Co., Ltd., Wakayama | Verfahren zur Herstellung von 4,4'- Dihydroxydiphenylsulfon |
CA1330448C (en) * | 1985-10-04 | 1994-06-28 | Amoco Corporation | Process for synthesizing 4,4' dihydroxydiphenyl sulfone |
US4778932A (en) * | 1986-07-16 | 1988-10-18 | New Japan Chemical Co., Ltd. | Process for preparing diarylsulfones |
EP0293037A1 (en) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Akzo N.V. | Preparation of 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone |
-
1990
- 1990-01-03 US US07/460,648 patent/US5072049A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-25 EP EP90101450A patent/EP0381041A1/de not_active Withdrawn
- 1990-02-01 JP JP2020548A patent/JPH02235857A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189223A (en) * | 1989-09-14 | 1993-02-23 | Konishi Chemical Ind. Co., Ltd. | Process for preparation of 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone |
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WO2021187215A1 (ja) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 小西化学工業株式会社 | ジフェニルスルホン化合物の製造方法 |
KR20220002677A (ko) | 2020-03-16 | 2022-01-06 | 고니시가가꾸고오교가부시끼가이샤 | 디페닐설폰 화합물의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5072049A (en) | 1991-12-10 |
EP0381041A1 (de) | 1990-08-08 |
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