JPH0223410A - Icメモリカード - Google Patents

Icメモリカード

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Publication number
JPH0223410A
JPH0223410A JP63174491A JP17449188A JPH0223410A JP H0223410 A JPH0223410 A JP H0223410A JP 63174491 A JP63174491 A JP 63174491A JP 17449188 A JP17449188 A JP 17449188A JP H0223410 A JPH0223410 A JP H0223410A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
battery
card
primary battery
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63174491A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Shirato
白土 修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63174491A priority Critical patent/JPH0223410A/ja
Publication of JPH0223410A publication Critical patent/JPH0223410A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、揮発性半導体メモリを内蔵するICメモリ
カードに関し、特にその電池交換時のメモリバックアッ
プに関するものである。
〔従来の技術〕
従来この種の装置として、第2図に示すようなものがあ
った。この図において、1は電源切換回路、2は揮発性
メモリ、3はダイオード、4は抵抗、5は1次電池、6
はコンデンサ、7.8はそれぞれ電源切換回路1の入力
端子、出力端子、9は電源端子、10は接地端子である
次に動作について説明する。
第2図の回路において、電源切換回路1では、その入力
端子7に電源端子9より印加される電圧のレベルが、あ
らかじめ設定されたレベル(例えば約4 (V) )よ
り高い場合、入力端子7に印加された電圧とほぼ等しい
電圧が出力端子8より出力される。以上述べた電源切換
回路1の入出力特性を、第3図の実線にて示す。
一方、入力端子7に印加される電圧が、あらかじめ設定
された電圧より低い場合、出力端子8は開放となり、そ
こには、1次電池5の電圧を■3、メモリIC2に流れ
込む電流によって生ずるダイオード3.抵抗4の電圧降
下をそれぞれV、、V。
とすると、(V、−V。−vR)なる電圧が現われる。
1次電池5の電圧を3V、抵抗4の値を1゜5 (kΩ
〕、メモリIC2に流れ込む電流を数十〔μA〕とする
と、ダイオード3のカソードに約2.5(V〕程度の電
圧が現われる。その様子を第3図の破線で表わす。
メモリカードの携帯時には、電源端子9に電力が供給さ
れないので、ダイオード3のカソードには約2.5(V
)の電圧が現われる。ここで1次電池5を交換する場合
、メモリーC2のデータ保持電圧は一般的に2〔73以
上であるから、1次電池5を抜き取ってからデータが保
持されている時間は次の式で表わされる。
C・■ T =        (sec) ■ ■=メモリーC2に流れるバンクアップ電流(A)C:
コンデンサ6の容量CF) v:メモリーC2の電源電圧が約2.5(V)からデー
タ保持電圧となるまでの差電圧(V)(ここでは2.5
−2=0.5  (V) )ここで、メモリーC2の1
個のバンクアップ電流を1 〔μA〕、コンデンサ6の
容量を1 〔μF〕とすると となり、メモリIC2を10個搭載した場合は50〔n
5ec)となって列置実用には供し得ない。実用的な電
池取替え時間を1分とした場合、メモIJIc2の電源
及び接地端子間には1000 (μF〕程度のコンデン
サが必要である。しかし、限られたカードの寸法内に1
000 (μF〕ものコンデンサを入れられないことは
、現状のコンデンサの寸法を考えれば明白である。した
がって現状では、カードの電源端子9に電力が供給され
ている状態、すなわちカードをメモリIC2内のデータ
を読み書きする装置に挿入したまま1次電池を交換して
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のICメモリカードは以上の様に構成されているの
で、1次電池はデータを読み書きする装置にカードを挿
入したままで交換しなければならず、そのことによる装
置のデザインに制約が生じ、また、カードが挿入されて
いる場所によっては交換が不便であるなどの問題点があ
った。
この発明は、上記問題点を解消するためになされたもの
で、カード単体のままで電池交換のできるメモリカード
を得ることを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るICメモリカードは、揮発性半導体メモ
リに格納されたデータを保持するためのメモリバックア
ップ用の1次電池を2個設け、これらのうちの最適な一
方を機能させるための検出回路と、その出力信号によっ
て制御される半導体スイッチとを設けたものである。
〔作用〕
この発明においては、上述の様に構成することにより、
揮発性メモリのバックアップは、通常は主なる1次電池
により行われ、この主なる1次電池を交換するためにカ
ードから取りはずした時のみ副なる1次電池によって行
われ、メモリの記憶データを失うこと無く電池を交換す
ることができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は、この発明の一実施例によるICメモリカード
を示すブロック図である。この図において、1はセット
側より供給される電源と、カード内部の電池による電源
とを切換える電源切換回路、2は揮発性のメモリIC,
5は主の1次電池、3はこの主の1次電池5に充電電流
が流れないようにするためのダイオード、4はこのダイ
オード3が誤ってショートした場合に主の1次電池5に
流れ込む電流を制限するための抵抗、6はメモリIC2
の電源端子及び接地端子に接続するデカップリングコン
デンサ、7.8はそれぞれ電源切換回路1の入力端子、
出力端子、9は電源端子、10は接地端子、14は副の
1次電池、11はこの副の1次電池14によるメモリバ
ックアップを行うための半導体スイッチ、12は副の1
次電池14に充電電流が流れないようにするためのダイ
オード、13はダイオード12が誤ってショートし、か
つ半導体スイッチ11が誤動作してONとなった場合に
副の1次電池14に流れ込む電流を制限するための抵抗
、15は電源切換回路1の制御出力端子、16は主の1
次電池5を取りはずした時のNOR回路17の入力端子
の電位を接地電位に設定するための抵抗である。
また、表1は、この実施例のICメモリカードに内蔵し
た副の1次電池及び半導体スイッチの動作モードをカー
ドの使用時と非使用時、及び主の1次電池の有無によっ
て分類したものである。
表1 カード使用時には、電源端子9に約5〔■〕の電圧が印
加されるため、電源切換回路lの出力端子8には約5〔
V〕の電圧が出力される。また、制御端子15には1H
″レベル(4,2(V)程度)の電圧が出力される。し
たがって、NOR回路17の入力は“H”レベルとなり
、その出力はもう一方の入力レベルに関係なく″L″レ
ベルとなり、半導体スイッチ11を“OFF”状態にす
る。
カード非使用時で主の1次電池5が入った状態で携帯し
ている場合には、電源端子9には電圧は印加されないた
め、電源切換回路1の出力端子8は開放となり、第3図
の破線のような電圧が現われる。また、制御端子15に
は“L”レベル(はぼ0 (V) ”)の電圧が出力さ
れる。したがって、NOR回路17の一方の入力は“L
”レベルに、もう一方の入力は主の1次電池5の正掻に
接続されているので“H”レベルとなり、半導体スイッ
チ11を“OFF”状態にする。
次に、同じくカードの非使用時に主の1次電池5を交換
する場合、それを取りはずすと同時にNOR回路17の
一方の入力は抵抗16(数〔MΩ〕程度)によって“L
”レベルになるため、出力は″H″レベルとなって半導
体スイッチ11を“ON”させる。したがって、揮発性
メモリ2のデータは、副の1次電池14によってバンク
アップされることになる。
(発明の効果] 以上の様に、この発明によれば、メモリバックアップ用
の1次電池を2個設け、これらのうちの最適な一方を機
能させるための検出回路及び半導体スイッチとを設けた
ので、主の1次電池を交換するためにカードから取りは
ずした時のメモリのバックアップは副の1次電池によっ
てなされ、メモリの記憶データを失うこと無く電池の交
換ができる、小形で安価なICメモリカードを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるICメモリカードを
示すブロック図、第2図は従来のICメモリカードを示
すブロック図、第3図は電源切換回路の入出力端子の電
圧特性を示す図である。 2は揮発性半導体メモリ、5は主の1次電池、11は半
導体スイッチ、14は副の1次電池、17はNOR回路
。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)揮発性半導体メモリを内蔵するICメモリカード
    において、 上記揮発性半導体メモリに格納された情報を保持するた
    めのメモリバックアップ用の2個の1次電池と、 該2個の電池のうちの最適な一方を機能させるための検
    出回路と、 該検出回路の出力信号により制御される半導体スイッチ
    とを備えたことを特徴とするICメモリカード。
JP63174491A 1988-07-12 1988-07-12 Icメモリカード Pending JPH0223410A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63174491A JPH0223410A (ja) 1988-07-12 1988-07-12 Icメモリカード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63174491A JPH0223410A (ja) 1988-07-12 1988-07-12 Icメモリカード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0223410A true JPH0223410A (ja) 1990-01-25

Family

ID=15979419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63174491A Pending JPH0223410A (ja) 1988-07-12 1988-07-12 Icメモリカード

Country Status (1)

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JP (1) JPH0223410A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306538B1 (en) 1996-02-26 2001-10-23 Citizen Watch Co., Ltd. Portable information device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6306538B1 (en) 1996-02-26 2001-10-23 Citizen Watch Co., Ltd. Portable information device

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