JPH02230610A - 電気的装置 - Google Patents

電気的装置

Info

Publication number
JPH02230610A
JPH02230610A JP1329391A JP32939189A JPH02230610A JP H02230610 A JPH02230610 A JP H02230610A JP 1329391 A JP1329391 A JP 1329391A JP 32939189 A JP32939189 A JP 32939189A JP H02230610 A JPH02230610 A JP H02230610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
solder
conductive
matrix
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1329391A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2769491B2 (ja
Inventor
Benjamin H Cranston
ベンジャミン　エイチ．クランストン
Lloyd Shepherd
ロイド　シェファード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH02230610A publication Critical patent/JPH02230610A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2769491B2 publication Critical patent/JP2769491B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/02—Soldered or welded connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29388—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29409—Indium [In] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29411—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/08—Magnetic details
    • H05K2201/083—Magnetic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0425—Solder powder or solder coated metal powder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49194—Assembling elongated conductors, e.g., splicing, etc.
    • Y10T29/49201—Assembling elongated conductors, e.g., splicing, etc. with overlapping orienting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業」一の利用分腎コ 本発明は、厚さ方向または２方向に異方性電気伝導性を
与え、ｘＶ面には絶縁性を与えるポリマー相互接続構造
体に関ｒる。
［従来の技術］ 現在の電子産業の潮流は、半導体チップの所定の面積内
に著しく高密度の回路を実装しようとする方向に向かっ
ている。このため、チップに対して極めて多数の著しく
接近した入力／出力接続を行わなければならない。半導
体チップが封入されている場合、平導体チップ」二の各
入力／出力接続はパッケージ上の端子または接点パッド
（以下、集合的に単に「端子」と呼ぶ）と結合される。
従って、入力／出力接続の数が増大するにつれて、端子
の数も増大する。端子の数が増大するにつれて実装サイ
ズが増大ずることを避けるために％端子のサイズおＪ：
び端子間の間隔を減少させる。現在、直接半田付けまた
は端子付？？（ワイヤボンディング）は゛１６導体チッ
プパノケージ上の端ｒを配線板上の−組みのメタライズ
領域に接続するための効果的な技法である。このような
技法はまた、チップを配線板のような基板に直接結合さ
せる［１的にも使用される。しかし、端子ピッチが減少
するにつれて，半田付けまたは端子ボンデイングはもは
や実行不可能になり、その結果、他の相互接続技術が必
要になる。
最近、絶縁ポリマーマトリックス中に混合された電気的
に伝導性の粒子からなるポリマー相力］妾続構造体が半
［｛１付けに代わる相互接続技術として非常に有望視さ
れている。この粒子は例えば，銀メッキされたニッケル
またはガラス球であり、ポリマーマトリックス中に分散
または配列され、その後、硬化し、横方向に区切られた
導電性通路を形成する。この通路は各々、マトリックス
中をＺ方向に延びている。これらの２方向の導電性通路
は互いに電気的に絶縁されており、従って、ポリマー相
互接続構造体は異方性導電性を示すことができる。
現在、２タイプのポリマー相互接続構造体がある。′導
電性ポリマーインタフェース”　（ＣＰＩ）構造体とし
て知られている、第１のタイプのポリマー相互接続構造
体の特徴は、ポリマーマトリックスがシリコンなどのよ
うな弾性材料から構成されていることである。ＣＰＩ型
相互接続構造体中の導電性球はＺ力向に延びる側鎖また
は柱内に整列され、斯くして、構造体に異方性導電性を
付リする。
“直接チップ結合″　（ＤＣＡ）構造体として知られて
いる、他のタイプの相互接続構造体の特徴は、例えば、
接着剤であるエポキシのような熱硬化性または熱可塑性
材料から構成されていることである。鎖状導電性球体を
含有するＣＰＩ相互接続構造体と異なり、ＤＣＡ型構造
体中の球体は単層状に整列されており、このため、各球
体の−・部はポリマーマトリックスの主要而に近接する
部分を有する。その名称が示唆するように、Ｉ）ＣＡ相
互接続横造体はｔに、チソブ１−の各導電性パッドを配
線板のメタライズ領域と電気的な接触状態にするため、
半導体チップを基板（すなわち、配線板）の実装面に直
接結合させる目的に使用される。
現在のＣＰＩおよびＩ）　Ｃ　Ａ型相−ｑ接続構造体の
場合、導電性は導電性球体との機械的接触により得られ
る。ポリマーマトリックスは導電性球体よりも著しく高
い膨張係数を有Ｖるので、このようなタイプの導電性は
一般的に効果的である。従って、ＣＰＩ型構造体では、
構造体が一対の導電性部材の間に挟香された場合、導電
Ｖ１球体はＴγいに押接される。ＤＣＡ型構造体の場合
、マｌ−　ＩＪックスの接着性が球体を、接続すべき導
電性部材と接触状態に保持する機能を果たす。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、球体の機械的接触により得られる電気的接続の
有効性は温度変化により減少されやすい。
更に，このような形の電気的接続は汚染や腐食を受け易
い。このような汚染および腐食は特に高感度な半導体チ
ップについては望まし《ない。
従って、温度変化に耐え得る高信頼性の電気的接続を形
成できる導電性ポリマー相互接続構造体の開発が求めら
れている。
［課題を解決するための千段］ 前記課題を解決するために、本発明は概ね平面状の異方
性ポリマー相互接続（ＰＩ）構造体を提供する。本発明
の構造体は、一対の対向する導電性部祠の間に挟着され
、それらの間に少なくとも一本の導電性通路を形成する
。本発明のＰＩ横造体は例えば、シリコンまたはエボキ
ンから形成された絶縁性で概ね平面状のポリマーマトリ
ックスからなる。部分的に硬化させた後、概ね平面状の
構造体を形成する。複数の電気的に伝導性の粒子（一般
的に、球体）を硬化前にポリマーマトリックス中に混合
する。硬化中に粒子はポリマーマトリックス中で整列さ
れ、対向するそれらの主要面間に延びる（すなわち、２
方向に延びる）複数の横方向に殖隔された導電性通路を
形成する。ポリマーマトリックスがシリコン（従って、
”ＣＰＩＷ型構造体を形成する）であるか、または、エ
ボギシ接着剤（従って、”ＤＣＡｎ型構造体を形成する
）であるかに応じて、粒子は鎖状または（１１４−・の
中層の何れかの形に整列される。本発明によれば、ポリ
マーマトリックス中の各通路内に少なくとも１個の粒了
が存在し、この粒ｒはその対向するマ１・リックスの主
要面のうちの−・つの直前に存在しており、また、ポリ
マーの硬化温度よりも低い温度で溶融する半田で被覆さ
れた部分が少なくとも一都分ある。このような構成によ
り、本発明の構造体を一対の対向する導電性部材の間に
挟着し、次いで、最後に硬化させると、各導電性部材と
接触する粒子上の半田は導電性部材と、従来の機械的接
着よりも−・層信頼性の高い冶金的接着を形成する。粒
子に塗布された半田は、例えば、インジウム、鉛、錫、
ビスマス、銀、金およびカドミウムのうちの一種類以上
を含有する合金から構成できる。
［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明する
。
第１図は本発明による異方性導電性ポリマー相互接続（
ＣＰＩ）構造体の好ましい実施例の断面斜視図である。
第１図に示されるように，ＣＰＩ横造体１０は第１の導
電性部材１２（すなわち、リード）と第２の導電性部材
（すなわち、配線板１６の実装面上のメタライズ郎分）
との間に挟着されており、これらの間で電気的接続を形
成している。第１の好ましい実施例では．ＣＰＩ構造体
１０は厚さが０．０２５■ｓ（１ミル）程度のエポキシ
接着剤のシートまたはスラブからなるポリマーマトリッ
クス１８を仔する。一・般的に、マトリックス１８は“
Ｂ”段階（部分的に硬化された段階）のフェノキシ系樹
脂からなる。′７トリックス１８の最終硬化は、マトリ
ノ．クスを２００゜Ｃの温度で１５秒間または１００℃
で３０秒間もＬ　＜はポリマーおよび／または該ポリマ
ー中に混合されている硬化剤に応じて中間の適当な温度
および時間の範囲内で加熱することにより行われる。
クス全体に分散させる。マトリックス１８が部分的に硬
化するにつれて、粒子２０はマトリックス中に単層状に
整列分散され、２方向（マトリックスの対向する主要而
間の方向）に延びる導電性通路を形成する。粒子２０間
の間隔はランダムでもよいが、所望により、粒子２０は
ＺＴいに等間隔に配列させることもできる。
各球体の少なくとも一部分を被覆する半１Ｂ２４は、マ
トリソクス１８が最終的に硬化され仝温度よりも低い温
度、好ましくは最終硬化温度よりも１一分に低い温度で
溶融するような特別仕様の組成をｌｒする。このような
構成により、粒子２０が内部に整列されたマトリックス
１８を導電性部材１２および１４の間に挟着し、そして
、その後、マトリックスを最終的に硬化させると、球体
２　２　−１１の半田被覆２４は溶融する。
一般的に、半田２４は、５６〜１４３℃の範囲内の融点
を佇するものとして知られている、錫、鉛およびビスマ
スならびにカドミニウム、タリウムおよび／またはイン
ジウムの何れかからなる合金である。低融点半田に関す
る更に詳細な説明は、エッチ拳エノチ　マンコ（Ｈ．Ｈ
　．Ｍａｎｋｏ　）のｒ　’Ｐ　［Ｔｊおよび半田付け
」　（マグローヒル社．１９７９年発行）の１１０頁に
記載されている。ビスマスにより優れた濡れ性が付与さ
れるので、半田２４中にビス７スを配合４″′ることが
望ましい。更に、半田２４がビスマスを４７％以上含有
する合金からなる場合、好都合なことに、半［｛１は冷
却すると収縮ｔるよりもむしろ膨張する。別法として、
半ＨＪ　２４はインジウムだけ゜か、または、銀一金共
品体からなることもできる。しかし、これらは何れも錫
、鉛およびビスマスを含有する合金よりも著しく高価で
ある。
低融点半田２４で球体２２を被覆する利点は、マトリッ
クスｌ８が最終的に硬化された時に半田が溶融し，そし
て、導電性部材１２と１４との間で冶金的接着を形成す
ることである。このような冶金的接着は従来の機械的接
首に比べて、温度変動により分離することが殆どない。
温度が半田２４の融点以上に上昇したとしても、半田は
、液状の時も、導電性部材１２および１４を依然として
濡らし、これら部材間の電気的接続をしっかりと確保す
る。
第２図は本発明の’ＣＰＩ構造体の別の実施例の断面斜
視図である。第２図に示された構造体】，０は幾一つか
の点で第１図に示された構造体と異なる。
第１に、第２図のＣＰＩ横造体１０のマトリックス１８
はシリコンのようなポリマーからなり、これは実際に、
第１図のマトリックスよりも厚い。
第１図の粒子２０と同様に、第２図の粒子２０も低融点
半田２４で少なくとも　一部分が被覆された球体２２か
らなり、マトリックスの部分硬化前にマトリックス１８
中に混合される。単層状に７１−リックス中に整列され
る第１図の粒子２０と異なり、第２図の粒子２０は２方
向に延びる鎖状にマトリックス１８中に整列される。粒
子２０の各鎖はマトリックスの対向する主要面間に導電
性通路を形成する。このために、第２図の球体２２はニ
ッケルのような強磁性体金属からなることが望ましい。
これにより、粒子２０は硬化前に均一に間隔をおいて鎖
中に磁気的に整列される。
第２図の球体２２上の半田２４の組成は第１図の半田組
成と同様に、第２図のマトリックス１８が最終的に硬化
される時の温度以下の温度で溶融するように特別に調整
されている。このような構成により、第２図の７トリッ
クスｌ８を導電性部材１２およびｌ４の間に秋着し、そ
して、その後最終的に硬化させた時、球体２２上の半田
２４は溶融する。従って、この溶融により各鎖中の粒子
２０は互いに冶金的に接着し、かつ、粒子が接触してい
る導電性部材１２および１４とも冶金的に接着する。第
２図の導電性部材１２および１４の間に形成された冶金
的接着は第１図の導電性部材１２および１４間の冶金的
接着と同様に、機械的接着と比べて温度変動による分離
を殆ど起こさない。
第１図および第２図の球体２２は一般的に、半田２４で
メッキされているので、全球体が被覆されている。しか
し、導電性部材１２およびｌ４の各々の間で冶金的接着
を行わせるのに、′４’［Ｂ　２　４で球体２２を完全
にメッキする必要はない。むしろ、導電性部材１２およ
びｌ４の別々の部材に接触している各球体２２の一部分
に半１ロ２４を被覆するだけでよい。例えば、第１図お
よび第２図のＣＰＩ構造体は、最初にニッケルまたは銀
メッキニツうル球体２２を未硬化マトリノクス１８中に
混合し、その後、マトリノクスを部分的に蚊化させなが
ら球体を適当に整列させ、２方向に址びる導電性通路を
形成することもできる。
７１・リックスｌ８を部分的に硬化させた後、マトリッ
クスの対向ｌる主要面を例えば、プラズマによりエツ．
チングし、マトリックスの主要面の離れた一方の面の直
前の球体２２の−２分を露出させる。その後、低融点十
田２４をリフローし、そして、マトリックス１８の各主
要面上に被着させる。被着半田２４はエッチング後に露
出された各球体の部分にしか付着せず、マトリックス１
８自体には付着しない。マトリックス１８を導電性部材
１２と１４の間に挟着し、各球体２２上の半田２４を部
材のうちの一方と接触させると、マトリックスが最終的
に硬化された時に半田によりこれらの間で冶金的接着を
形成させることができる。
マトリックス１８をエッチングし、その後、球体２２の
露出部分に字田２４を被覆する方法は、第２図における
ような鎖伏配列の場合よりも、第１図におけるような単
層状に７トリックス中に球体が配列されている場合の方
が一層有用である。
第２図に示されているように、球体２０が鎖状に配列さ
れている場合、マトリックス１８の１ミ要面の直前に存
在する球体だけよりもむしろ、全ての球体２２を半田で
被覆することが望ましい。この理由は、第２図に示され
るように、全ての球体２２を半田で被覆すると、好都合
なことに、球体間で、機械的接着よりもむしろ、冶金的
接着が形成されるからである。
以上、少なくとも一都分の粒子２０（球体２２）が、マ
トリックスの硬化温度以下で溶融する半田２４で部分的
に被覆されている前記粒子が内郎に配列されている絶縁
性ポリマーマトリックス１８からなる導電性ポリマー相
互接続構造体１０について説明した。
言うまでもなく、前記の構成は全て本発明を９１．に例
証するだけのものである。当業者ならば前記以外の構成
を工夫することは可能であり、これらも当然本発明の範
囲内に含まれる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、少なくとも一部
分の粒子が、マトリックスの硬化温度以Ｆで溶融するｉ
月１１で部分的に被覆されている前記粒子が内部に配列
されている絶縁性ポリマーマｌ−リックスからなる導電
性ポリマー相互接続構造体を一対の対向する導電性部材
の間に挟着し、次いで、最後に硬化させると、各導電性
部材と接触する粒子上の半田は導電性部材と、従来の機
械的接着よりも一層信頼性の高い冶金的接着を形成する
。
これにより、温度変化によっても殆ど剥がれることのな
い接着を形成させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による導電性ポリマー相互接続構造体の
好ましい実施例の断面斜視図である。 第２図は本発明による導電性ポリマー相互接続構造体の
別の好ましい実施例の断面斜視図である。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）対向するように間隔をあけて配置された一対の導
    電性部材と、概ね平面状のポリマー相互接続（ＰＩ）構
    造体との各々の組み合わせからなる電気的装置であり、
    前記ＰＩ構造体はその対向する主要面間でｚ方向に異方
    性導電性を示し、前記ＰＩ構造体は、該構造体の対向す
    る主要面の各々が導電性部材の一方と接触するように導
    電性部材間に挟着されており、前記ＰＩ構造体は、 硬化された時に最終的に平面状の構造体を形成する絶縁
    性ポリマーマトリックス；および、硬化ポリマー構造体
    の対向する主要面間に延びる横方向に離隔された複数の
    導電性通路を形成し、少なくとも１本に通路内の少なく
    とも１個の粒子が導電性部材の離れた一方に接触するよ
    うにポリマーマトリックス中に配列された複数の電気的
    に伝導性の粒子；とからなり、 硬化ポリマー構造体の対向する主要面の離れた一方の面
    の直前の前記粒子のうちの少なくとも一部分が、その粒
    子外表面の少なくとも一部分が半田で被覆されており、
    前記半田は、硬化中に、導電性部材の一方と接触する各
    半田被覆粒子がそれらの部材と冶金的接着を形成するた
    めに、ポリマーマトリックスの硬化温度以下の温度で溶
    融するような組成を有することを特徴とする電気的装置
    。
  2. （２）半田は錫、鉛およびビスマスの合金からなること
    を特徴とする請求項１記載の電気的装置。
  3. （３）半田は少なくともビスマスを４７％含有する合金
    からなることを特徴とする請求項２記載の電気的装置。
  4. （４）半田はインジウムからなることを特徴とする請求
    項１記載の電気的装置。
  5. （５）半田は金−銀共晶体からなることを特徴とする請
    求項１記載の電気的装置。
  6. （６）ポリマーマトリックスはシリコンからなることを
    特徴とする請求項１記載の電気的装置。
  7. （７）ポリマーマトリックスはエポキシからなることを
    特徴とする請求項１記載の電気的装置。
  8. （８）その対向する主要面間でｚ方向に異方性導電性を
    示す概ね平面状の導電性ポリマー相互接続（ＰＩ）構造
    体であり、該構造体は、 硬化された時に最終的に平面状の構造体を形成する絶縁
    性ポリマーマトリックス；および、硬化ポリマー構造体
    の対向する主要面間に延びる横方向に離隔された複数の
    導電性通路を形成し、各通路内の少なくとも１個の粒子
    がポリマーの対向する面の離れた一方の面の直前に存在
    するように、ポリマーマトリックス中に配列された複数
    の電気的に伝導性の粒子；とからなり、 硬化ポリマー構造体の対向する主要面の離れた一方の面
    の直前に存在する前記粒子のうちの少なくとも一部分が
    、その粒子外表面の少なくとも一部分が半田で被覆され
    ており、前記半田は、ポリマーマトリックスの硬化温度
    以下の温度で溶融するような組成を有することを特徴と
    する導電性ポリマー相互接続構造体。
  9. （９）半田は錫、鉛およびビスマスの合金からなること
    を特徴とする請求項８記載の導電性ポリマー相互接続構
    造体。
  10. （１０）半田は少なくともビスマスを４７％含有する合
    金からなることを特徴とする請求項９記載の導電性ポリ
    マー相互接続構造体。
  11. （１１）半田はインジウムからなることを特徴とする請
    求項８記載の導電性ポリマー相互接続構造体。
  12. （１２）半田は金−銀共晶体からなることを特徴とする
    請求項８記載の導電性ポリマー相互接続構造体。
  13. （１３）ポリマーマトリックスはシリコンからなること
    を特徴とする請求項８記載の導電性ポリマー相互接続構
    造体。
  14. （１４）ポリマーマトリックスはエポキシからなること
    を特徴とする請求項８記載の導電性ポリマー相互接続構
    造体。
  15. （１５）未硬化絶縁性ポリマー中に複数の導電性粒子を
    混合し； ポリマーを少なくとも部分的に硬化して概ね平面状のマ
    トリックスを形成し； 前記部分硬化中にポリマー中の粒子を整列させてマトリ
    ックス中をｚ方向に延びて異方性導電性を与える、横方
    向に離隔された複数の導電性通路を形成する； 工程からなる、ｚ方向に異方性導電性を与えるポリマー
    相互接続構造体の製造方法において、マトリックスの対
    向する面の離れた一方の面の各々の直前の粒子のうちの
    少なくとも一部分が、ポリマーの硬化温度以下の硬化温
    度で溶融するように特別に調整された組成を有する半田
    で少なくとも部分的に被覆されていることを特徴とする
    ポリマー相互接続構造体の製造方法。
  16. （１６）各粒子はポリマー中に混合される前に半田で大
    体被覆されていることを特徴とする請求項１５記載の製
    造方法。
  17. （１７）マトリックスの各主要面の直前の粒子は、部分
    的に硬化した後、マトリックスの各主要面をエッチング
    して該面の直前の粒子の少なくとも一部分を露出させ；
    そして、 前記面の直前の該粒子の露出面に半田を塗布する； ことにより半田で被覆されていることを特徴とする請求
    項１５記載の製造方法。
  18. （１８）複数の導電性粒子が内部に混合され、その後、
    ｚ方向に延びる横方向に離隔された複数の導電性通路を
    形成するように整列された絶縁性ポリマーからなるポリ
    マー相互接続構造体を、少なくとも１本の通路内の少な
    くとも１個の粒子が各導電性部材と接触するように、導
    電性部材間に挟着する工程からなる対向する一対の導電
    性部材の各々の間で電気的接続を行わせる方法において
    、 導電性部材の別々のほうと接触する各粒子が、ポリマー
    の硬化温度以下の温度で溶融するように特別に調整され
    た組成を有する半田で少なくとも部分的に被覆されてお
    り；そして、 ポリマーを半田の融点以上の温度で硬化させ、粒子上の
    半田を溶融させ、そして、導電性部材と冶金的接着を形
    成させることを特徴とする電気的接続の形成方法。
JP1329391A 1988-12-27 1989-12-19 電気的装置 Expired - Lifetime JP2769491B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US290611 1988-12-27
US07/290,611 US4902857A (en) 1988-12-27 1988-12-27 Polymer interconnect structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02230610A true JPH02230610A (ja) 1990-09-13
JP2769491B2 JP2769491B2 (ja) 1998-06-25

Family

ID=23116787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1329391A Expired - Lifetime JP2769491B2 (ja) 1988-12-27 1989-12-19 電気的装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4902857A (ja)
JP (1) JP2769491B2 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5672062A (en) * 1991-01-30 1997-09-30 Labinal Components And Systems, Inc. Electrical connectors
US5013249A (en) * 1986-06-19 1991-05-07 Labinal Components And Systems, Inc. Electrical connectors
US5597313A (en) * 1986-06-19 1997-01-28 Labinal Components And Systems, Inc. Electrical connectors
US5704794A (en) * 1986-12-29 1998-01-06 Labinal Components And Systems, Inc. Electrical connectors
US5180888A (en) * 1989-08-10 1993-01-19 Casio Computer Co., Ltd. Conductive bonding agent and a conductive connecting method
US5187020A (en) * 1990-07-31 1993-02-16 Texas Instruments Incorporated Compliant contact pad
US5140405A (en) * 1990-08-30 1992-08-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor assembly utilizing elastomeric single axis conductive interconnect
JPH0521519A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Sharp Corp 半導体装置
US5225966A (en) * 1991-07-24 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Conductive adhesive film techniques
US5221417A (en) * 1992-02-20 1993-06-22 At&T Bell Laboratories Conductive adhesive film techniques
US5401911A (en) * 1992-04-03 1995-03-28 International Business Machines Corporation Via and pad structure for thermoplastic substrates and method and apparatus for forming the same
WO1995013901A1 (en) * 1993-11-19 1995-05-26 Cts Corporation Metallurgically bonded polymer vias
US5431571A (en) * 1993-11-22 1995-07-11 W. L. Gore & Associates, Inc. Electrical conductive polymer matrix
US5591034A (en) * 1994-02-14 1997-01-07 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive adhesive interface
US5545473A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
US5591037A (en) * 1994-05-31 1997-01-07 Lucent Technologies Inc. Method for interconnecting an electronic device using a removable solder carrying medium
US5637176A (en) * 1994-06-16 1997-06-10 Fry's Metals, Inc. Methods for producing ordered Z-axis adhesive materials, materials so produced, and devices, incorporating such materials
US5531942A (en) * 1994-06-16 1996-07-02 Fry's Metals, Inc. Method of making electroconductive adhesive particles for Z-axis application
US5652055A (en) * 1994-07-20 1997-07-29 W. L. Gore & Associates, Inc. Matched low dielectric constant, dimensionally stable adhesive sheet
US5542602A (en) * 1994-12-30 1996-08-06 International Business Machines Corporation Stabilization of conductive adhesive by metallurgical bonding
US5738936A (en) * 1996-06-27 1998-04-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive polytetrafluoroethylene article
JP2822987B2 (ja) * 1996-07-22 1998-11-11 日本電気株式会社 電子回路パッケージ組立体およびその製造方法
US5759737A (en) * 1996-09-06 1998-06-02 International Business Machines Corporation Method of making a component carrier
US6435883B1 (en) * 1997-09-24 2002-08-20 Raytheon Company High density multichip interconnect decal grid array with epoxy interconnects and transfer tape underfill
JP2000113919A (ja) * 1998-08-03 2000-04-21 Sony Corp 電気的接続装置と電気的接続方法
JP2000207943A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Sony Corp 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置
US6555762B2 (en) * 1999-07-01 2003-04-29 International Business Machines Corporation Electronic package having substrate with electrically conductive through holes filled with polymer and conductive composition
US6323432B1 (en) 1999-08-10 2001-11-27 International Business Machines Corporation Manufacture of dendrites and their use
US6404043B1 (en) * 2000-06-21 2002-06-11 Dense-Pac Microsystems, Inc. Panel stacking of BGA devices to form three-dimensional modules
DE10064411A1 (de) * 2000-12-21 2002-06-27 Giesecke & Devrient Gmbh Elektrisch leitfähige Verbindung zwischen einem Chip und einem Koppelelement sowie Sicherheitselement, Sicherheitspapier und Wertdokument mit einer solchen Verbindung
WO2002064693A1 (en) * 2001-02-09 2002-08-22 Alliant Techsystems Inc. Static dissipative mold release agent and use in casting and molding processes
US6941004B2 (en) * 2001-12-06 2005-09-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for asperity sensing and storage
WO2003075409A1 (fr) * 2002-03-04 2003-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Film conducteur anisotrope et procede de production
EP2363710B1 (en) * 2002-08-08 2015-07-01 Baylor College Of Medicine Isolation and identification of T cells
US7384279B2 (en) * 2003-06-09 2008-06-10 Jsr Corporation Anisotropic conductive connector and wafer inspection device
US7078095B2 (en) * 2004-07-07 2006-07-18 Xerox Corporation Adhesive film exhibiting anisotropic electrical conductivity
US20070025599A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Garcia Carl N Sensor array spherical member barrier apparatus and method
US7293995B2 (en) * 2005-11-08 2007-11-13 Che-Yu Li & Company, Llc Electrical contact and connector system
US8623265B2 (en) * 2007-02-06 2014-01-07 World Properties, Inc. Conductive polymer foams, method of manufacture, and articles thereof
US20090226696A1 (en) * 2008-02-06 2009-09-10 World Properties, Inc. Conductive Polymer Foams, Method of Manufacture, And Uses Thereof
CN101600758B (zh) * 2007-02-06 2012-07-04 环球产权公司 导电聚合物泡沫及其制造方法和用途
WO2009008383A1 (ja) * 2007-07-06 2009-01-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. 導電性微粒子、異方性導電材料及び接続構造体
KR101066114B1 (ko) * 2009-07-31 2011-09-20 전자부품연구원 열전도성 기판 및 그의 제조방법
GB2491505B (en) * 2009-12-29 2014-03-12 Rogers Corp Conductive polymer foams, method of manufacture, and uses therof
US8816807B2 (en) * 2010-05-21 2014-08-26 Purdue Research Foundation Controlled self assembly of anisotropic conductive adhesives based on ferromagnetic particles

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6286011U (ja) * 1985-11-18 1987-06-01

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6286011U (ja) * 1985-11-18 1987-06-01

Also Published As

Publication number Publication date
JP2769491B2 (ja) 1998-06-25
US4902857A (en) 1990-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02230610A (ja) 電気的装置
KR100290993B1 (ko) 반도체장치,반도체탑재용배선기판및반도체장치의제조방법
US4744850A (en) Method for bonding an LSI chip on a wiring base
US6011307A (en) Anisotropic conductive interconnect material for electronic devices, method of use and resulting product
US6103551A (en) Semiconductor unit and method for manufacturing the same
US6518091B1 (en) Method of making anisotropic conductive elements for use in microelectronic packaging
US5569960A (en) Electronic component, electronic component assembly and electronic component unit
US5578527A (en) Connection construction and method of manufacturing the same
US4363076A (en) Integrated circuit package
US6544428B1 (en) Method for producing a multi-layer circuit board using anisotropic electro-conductive adhesive layer
US7276400B2 (en) Methods of making microelectronic packages with conductive elastomeric posts
US5761048A (en) Conductive polymer ball attachment for grid array semiconductor packages
US5586892A (en) Electrically connecting structure
JPH0758148A (ja) 電子素子
WO2000070677A1 (fr) Appareil semi-conducteur, son procede de fabrication, carte a circuit imprime et appareil electronique
KR20030051159A (ko) 반도체장치
US6858111B2 (en) Conductive polymer interconnection configurations
US6528889B1 (en) Electronic circuit device having adhesion-reinforcing pattern on a circuit board for flip-chip mounting an IC chip
JP2000277649A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS63150930A (ja) 半導体装置
JP3279470B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4029255B2 (ja) 接着部材
JPH0951018A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2000133680A (ja) 面実装用接合部材
JPH1012760A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080417

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100417

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100417

Year of fee payment: 12